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《薄膜,氧化物薄膜类专题技术光盘》

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1、氧化物半导体薄膜的评价方法及氧化物半导体薄膜的质量管理方法
[简介]: 本发明提供一种氧化物半导体薄膜的评价方法及氧化物半导体薄膜的质量管理方法,其为不带电极而是通过非接触型来评价、测定氧化物半导体薄膜的电特性的方法。对形成有氧化物半导体薄膜的试样照射激励光及微波,在测定因上述...

2、氧化物半导体薄膜的评价方法及氧化物半导体薄膜的质量管理方法
[简介]: 本发明提供一种制作氧化物薄膜晶体管的方法,包含:依序于基板上形成栅极、半导体绝缘层以及金属氧化物层,接着于金属氧化物层上利用一灰阶光罩形成第一图案化光阻层,并以第一图案化光阻层作为罩幕形成一图案化金属氧化物...

3、氧化物薄膜晶体管制程方法
[简介]: 本发明公开了一种具有氧化物薄膜电晶体的发光装置,包括:衬底以及衬底上形成的基底绝缘层;栅电极、源电极和漏电极,其中,栅电极设在基底绝缘层上,在栅电极与源电极和漏电极之间形成栅电极绝缘层,氧化物半导体层,其中,所述...

4、一种具有氧化物薄膜电晶体的发光装置及其制造方法
[简介]: 具有高水平表面平整度的透明传导氧化物薄膜基板、该基板的制造方法、以及具有该基板的OLED和光电池。该透明传导氧化物薄膜基板包含基底基板、在该基底基板上形成的第一透明传导氧化物薄膜、以及在该第一透明传导氧化物薄膜...

5、透明传导氧化物薄膜基板、制造方法、有机发光装置和光电池
[简介]: 本发明涉及一种薄膜太阳能电池的绒面透明导电氧化物薄膜的制备方法,制备大面积均匀且低成本绒面TCO薄膜,属于薄膜太阳能电池技术领域。技术方案是:①在低于100℃条件下采用磁控溅射技术,在衬底上利用不同掺杂浓度的靶材沉...

6、薄膜太阳能电池的绒面透明导电氧化物薄膜的制备方法
[简介]: 本发明提供一种氧化物薄膜的图案化制程,包括:将阻挡层组合物覆盖在基材上以形成图案化的阻挡层,其中阻挡层组合物包含无机成分以及有机粘着剂;无机成分与该有机粘着剂的重量比为50-98:2-50;将氧化物薄膜形成于图案化的...

7、氧化物薄膜的图案化制程
[简介]: 本发明提供在基材12上形成导电氧化物层14的方法。该方法可包括在基材12上从靶材例如,包括锡酸镉的靶材溅射透明导电氧化物层“TCO层”14,溅射温度为约10℃至约100℃。然后该TCO层可在包含镉的退火温度下退火,退火温度为约...

8、碲化镉基薄膜光伏器件中使用的导电透明氧化物膜层的形成方法
[简介]: 本发明涉及氧化物薄膜硫化硒化法制备铜锌锡硫硒太阳电池吸收层的方法,包括:按化学计量比称取铜盐、锌盐、和锡盐与选自乙醇、甲醇、异丙醇和丙酸中的至少一种的第一溶剂和包括乙二醇和丙二醇两种溶剂的第二溶剂混合配制澄清...

9、氧化物薄膜硫化硒化法制备铜锌锡硫硒太阳电池吸收层的方法
[简介]: 提供能够同时实现碳杂质浓度的降低和高成膜速度、并且能够分别制作稳定的结晶结构的薄膜制造方法。本发明提供一种氧化物结晶薄膜的制造方法,其具备:使含有镓化合物和铟化合物中的至少一种和水的原料溶液进行微粒化,将所...

10、氧化物结晶薄膜的制造方法
[简介]: 本发明提供一种具p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板及制备方法。该方法包括齐备一具有透明导电氧化物薄膜的基板;于该具有透明导电氧化物薄膜的基板的表面形成纹理,得到一具有纹理表面结构的具有透明导电氧化物薄膜...

11、具p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板及制备方法
[简介]: 提供了一种用以形成太阳能电池的方法及设备。在一实施例中,一种光伏器件包含:第一TCO层,所述第一TCO层设置在基板上;第二TCO层,所述第二TCO层设置在所述第一TCO层上;以及p-型含硅层,所述p-型含硅层形成在所述第二TCO层上...

12、高效能薄膜硅太阳能电池的高品质透明导电氧化物-硅界面接触结构
[简介]: 具有高雾度值的氧化物薄膜基板、它的制造方法及包括它的光伏电池和有机发光器件。所述氧化物薄膜基板包括在它的表面上具有第一纹理的基底基板和在所述基底基板上形成的透明氧化物薄膜。所述透明氧化物薄膜在它的表面上具...

13、氧化物薄膜基板、它的制造方法及包括它的光伏电池和有机发光器件
[简介]: 本发明提供一种可以通过喷雾热分解法等形成能够适用于氧化物半导体膜等的复合氧化物薄膜的组合物以及使用该组合物形成复合氧化物薄膜的方法。本发明涉及一种复合氧化物制造用组合物,其含有选自含锌元素的化合物和含3B族...

14、复合氧化物薄膜制造用组合物和使用该组合物的薄膜的制造方法、以及复合氧化物薄膜
[简介]: 本发明公开了涉及薄膜晶体管领域的氧化物半导体薄膜的制备方法,包括以下步骤:(1)制备前驱体溶液,(2)制备反应溶液,在前驱体溶液中加入带有OH或者OR基团的催化剂,搅拌使其充分溶解得到反应溶液;(3)制备氧化物半导体薄膜...

15、氧化物半导体薄膜及制备方法、薄膜晶体管及制备方法
[简介]: 本发明的目的在于提供氧化物薄膜的填充结构等,所述氧化物薄膜的填充结构可以利用经济和切实可行的方法,在无需增加RF偏置的情况下,在预定的凹陷部分中没有空隙的形成绝缘薄膜氧化物薄膜。根据第一发明,氧化物薄膜填充...

16、氧化物薄膜填充结构、氧化物薄膜填充方法及半导体装置
[简介]: 本发明涉及一种三维有序多孔氧化物改性导电薄膜构建的生物电极及其制备方法,该生物电极包括在绝缘基板上形成的导电薄膜电极,所述的薄膜电极是通过物理气相沉积工艺在绝缘基板上沉积而成;在所述的薄膜电极表面原位制备...

17、一种三维有序多孔氧化物改性导电薄膜构建的生物电极及其制备方法
[简介]: 本实用新型提供氧化物半导体薄膜探测器及将有源像素应用于该探测器的电路结构,薄膜探测器由有源像素以矩阵形式排列,有源像素包括形成于基板上的薄膜晶体管和光电二极管,薄膜晶体管包括栅极、第一绝缘层、有源区、漏极、源...

18、氧化物半导体薄膜探测器及将有源像素应用于该探测器的电路结构
[简介]: 本发明公开了一种氧化物薄膜、薄膜晶体管及其制备方法,涉及薄膜晶体管技术领域。在薄膜晶体管中,氧化物薄膜沟道层的氧化物薄膜的化学通式为In-X-Zn-O,X是Si、Ge、La或者Y元素;栅电极设置在基底上方;栅极绝缘层设置在栅电极...

19、一种氧化物薄膜、薄膜晶体管及其制备方法
[简介]: 本发明公开了一种氧化物薄膜、薄膜晶体管及其制备方法,涉及薄膜晶体管技术领域。在薄膜晶体管中,氧化物薄膜沟道层的氧化物薄膜的化学通式为Sn-X-Zn-O,X是Si、Ge、La或者Y元素;栅电极设置在基底上方;栅极绝缘层设置在栅电极...

20、氧化物薄膜、薄膜晶体管及其制备方法
[简介]: 一种在硅基板上选择性沉积的方法,硅基板上形成有裸露硅区与氧化物区。该方法包括将基板置于处理腔室内的晶片支撑件上、引导含碳气体进入反应器、施加偏压至基板、由含碳气体产生等离子体、通过等离子体掺杂工艺将碳离子注入...

21、于裸露硅表面而非氧化物表面上的聚合物薄膜的选择性沉积
[简介]: 本发明提供可以迅速形成杂质少的致密的有机薄膜、且能成为钛氧化物薄膜形成材料的氧化钛粒子的分散液,由该分散液形成的钛氧化物薄膜,在上述分散液中添加具有水解性基团的金属化合物的溶液而得到的有机功能膜形成用溶液...

22、钛氧化物粒子的分散液、钛氧化物薄膜、有机功能膜形成用溶液、有机功能膜形成基体及其制造方法
[简介]: 一种用于形成金属氧化物薄膜的涂布液,包含:无机铟化合物;无机钙化合物或无机锶化合物,或这两种化合物;以及有机溶剂。通过涂布所述涂布液而形成的氧化物半导体用于场效应晶体管的活性层。

23、形成金属氧化物薄膜的涂布液、金属氧化物薄膜、场效应晶体管和制造场效应晶体管的方法
[简介]: 本发明提供了一种具有氧化物薄膜晶体管的平板显示装置及其制造方法。具有氧化物薄膜晶体管的平板显示装置包括:缓冲膜,其形成在基板上;氧化物半导体层,其具有第一长度的宽度并且形成在缓冲膜上;栅极绝缘膜,其具有第二长...

24、具有氧化物薄膜晶体管的平板显示装置及其制造方法
[简介]: 一种透明导电氧化物薄膜及其生产方法,涉及透明导电氧化物薄膜的生产技术领域,先采用表面光接枝改性方法,对透明塑料薄膜进行表面改性处理,形成改性透明塑料薄膜,再在真空条件下,于改性透明塑料薄膜的同一面依次溅射铝原...

25、一种透明导电氧化物薄膜及其生产方法
[简介]: 一种制造氧化物薄膜晶体管的方法,所述方法包括如下步骤:在包括栅极的基板的前表面上形成栅绝缘膜;在所述栅绝缘膜上形成氧化物半导体层;在所述基板的所述前表面上依次形成下数据金属层和上数据金属层;通过湿蚀刻对所述...

26、制造氧化物薄膜晶体管的方法
[简介]: 本发明一般提供在基体12上形成导电氧化物层14的方法。在一个具体实施方案中,所述方法可包括在约50℃至约250℃的溅射温度在基体12上溅镀透明导电氧化物层14,并在约450℃至约650℃的退火aneal温度使透明导电氧化物...

27、基于碲化镉的薄膜光伏器件所用的导电透明氧化物膜层的形成方法
[简介]: 本发明一般提供在基体12上形成导电氧化物层14的方法。在一个具体实施方案中,所述方法可包括在包含镉的溅射气氛用靶例如包含锡酸镉在基体12上溅射透明导电氧化物层14。可在约100℃至约600℃的溅射温度溅镀透明导...

28、基于碲化镉的薄膜光伏器件所用的导电透明氧化物膜层的形成方法
[简介]: 本发明一般提供在基体12上形成导电氧化物层14的方法。在一个具体实施方案中,所述方法可包括在包含镉的溅射气氛用靶在基体12上溅射透明导电氧化物层14例如,包含锡酸镉。可在高于约100℃至约600℃的溅射温度溅镀透...

29、基于碲化镉的薄膜光伏器件所用的导电透明氧化物膜层的形成方法
[简介]: 概括地讲,本发明提供了用于在衬底12上形成导电氧化物层14的方法。在一个特定实施方案中,所述方法可包括在约10℃-约100℃的溅射温度下在衬底12上溅射透明导电氧化物层14。包含硫化镉的盖层15可直接沉积在所述透明...

30、形成用于基于碲化镉的薄膜光伏装置的导电透明氧化物膜层的方法
[简介]: 本发明公开了一种新型多层膜结构的透明导电氧化物薄膜,它是由基板、过渡层、ITO层和ZnO基薄膜层组成;其中所述的基板为超白玻璃;所述的过渡层为SiO2或者SiNx;所述的ITO层为Sn掺杂的In2O3薄膜;所述的ZnO基薄膜层掺杂的元素...

31、新型多层膜结构的透明导电氧化物薄膜及其制备方法
[简介]: 本发明涉及一种金属钛表面的钛氧化物纳米线薄膜及其制备方法。制备的薄膜成分可以是钛酸盐、钛酸或者二氧化钛,纳米线径粗在10nm-100nm之间,纳米线交织缠绕形成大量的大孔和介孔网络,孔隙在20nm-500nm之间。制备方法的主要...

32、金属钛表面的钛氧化物纳米线薄膜及其制备方法
[简介]: 本发明提供一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置,涉及液晶显示技术领域,包括:在基板上依次形成栅极、栅绝缘层和氧化物半导体薄膜;在氧化物半导体薄膜的有源层区域形成第一光刻胶,沟道区域厚于非沟道区域...

33、氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置
[简介]: 本发明涉及一种基于镁镍氧化物薄膜的太阳盲探测器,包括沿竖直方向依次设置的衬底、镁镍氧化物薄膜和金属薄膜叉指电极,所述镁镍氧化物薄膜和金属薄膜叉指电极之间还设有导电层;其制备方法为:于超高真空环境中在衬底表面...

34、基于镁镍氧化物薄膜的太阳盲探测器及其制备方法
[简介]: 本发明提供一种制备由氮化铪的氧化物或硅酸盐组成的薄膜的方法,也提供不对称的胍基配位化合物。此外,本发明提供一种用于制造电子电路的方法,其包括通过本发明的方法形成由氮化铪的氧化物或硅酸盐组成的薄膜的步骤。根据...

35、由铪的氧化物或硅酸盐的氮化物形成薄膜的方法、用于所述方法中的配位化合物以及制造集成电子电路的方法
[简介]: 一种氧化锌薄膜的制造方法,其中,将在至少一部分具有导电性部位的基材浸渍在含有锌离子、氢氧化物离子和锌配位离子的溶液中,对上述导电性部位进行交流电流的通电,由此在上述基材上的包含上述导电性部位的区域形成氧化锌...

36、氧化锌薄膜的制造方法、薄膜晶体管的制造方法、氧化锌薄膜、薄膜晶体管和透明氧化物配线
[简介]: 本发明是有关于一种低温形成非晶态透明氧化物薄膜的方法,其包含提供一溅镀设备,该溅镀设备具有一腔室及一装设于该腔室内的低温载台,该低温载台内部具有一内层空间及一外层空间,该外层空间是供抽真空用;设置一样品基板...

37、低温形成非晶态透明氧化物薄膜的方法
[简介]: 本申请提供了一种含有导电氧化物的掺杂稀土元素的氧化钇发光薄膜及其制备方法。所述发光薄膜由Y2O3:Re,Zn1-xAlxO组成,其中0<x≤0.05,ReEu或Tb。所述方法包括如下步骤:步骤一,制备Y和Eu的胶体或Y和Tb胶体;步骤二,制备Zn1...

38、含有导电氧化物的掺杂稀土元素的氧化钇发光薄膜及其制备方法
[简介]: 本发明涉及显示技术领域,公开了一种氧化物薄膜晶体管、阵列基板的制造方法及显示器件。该氧化物薄膜晶体管的氧化物有源层图案位于源电极、漏电极和栅电极的下方,且栅电极位于源电极和漏电极下方,使得形成源电极和漏电极的...

39、氧化物薄膜晶体管、阵列基板的制造方法及显示器件
[简介]: 本发明公开了一种底栅结构的氧化物薄膜晶体管及其制作方法,该方法包括:衬底;栅极,形成在所述衬底上;栅绝缘层,形成在所述栅极和所述衬底上,并覆盖所述栅极;有源层,由氧化物半导体形成在所述栅绝缘层上,包括源区、漏区和...

40、一种底栅结构的氧化物薄膜晶体管及其制作方法
[简介]: 本发明涉及一种氧化物薄膜晶体管TFT、制造该TFT的方法、具有该TFT的显示器件以及制造该显示器件的方法。所述氧化物薄膜晶体管包括形成在基板上的栅极;形成在包括栅极的基板的整个表面上的栅绝缘层;在栅极上方,于栅绝缘...

41、氧化物薄膜晶体管、其制造的方法、具有其的显示器件及该显示器件的制造方法
[简介]: 本发明提供了氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制造方法。本发明的氧化物薄膜晶体管包括:栅极,所述栅极形成于基板上;栅绝缘层,所述栅绝缘层形成于栅极上;有源层,所述有源层形成于栅极上方的栅绝缘层上;蚀刻停...

42、氧化物薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板及其制造方法
[简介]: 本发明公开了一种环保型氧化物薄膜蚀刻膏,由30-60%的甲酸、10-30%的草酸、1-20%的增稠剂、0.2-3%的消泡剂及1-18%的水混合而成;本发明的蚀刻膏为水性组份,不含强酸,形成导电走线后直接用水冲洗即可,因此对设备和操作人员无...

43、一种环保型氧化物薄膜蚀刻膏
[简介]: 本发明公开了一种铁磁性铬氧化物纳米颗粒薄膜的低温低压气相制备方法,它是以金属Cr为先驱物,通过等离子体气相聚集和实时氧化的方法,利用气相聚集过程中独特的成核生长与反应环境,在气相环境中形成Cr氧化物纳米颗粒,并...

44、铁磁性铬氧化物纳米颗粒薄膜的低温低压气相制备方法
[简介]: 一种多晶形铟锡氧化物薄膜的制造方法,首先,于基材上形成非晶形铟锡氧化物薄膜,接着进行快速热退火处理,以将非晶铟锡氧化物薄膜转换为多晶形铟锡氧化物薄膜。另外,本发明还提出一种多晶形铟锡氧化物电极的制造方法,首先...

45、多晶形铟锡氧化物薄膜以及多晶形铟锡氧化物电极的制造方法
[简介]: 本发明提供一种氧化物半导体薄膜晶体管,包括基板、形成于基板上的栅极层、栅极绝缘层、有源层、源漏极层以及钝化层,所述源漏极层包括所述氧化物半导体薄膜晶体管的源极和漏极,所述栅极绝缘层的内部或与有源层相邻的栅极绝...

46、氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法
[简介]: 本实用新型公开了一种氧化物半导体薄膜晶体管与显示装置,该氧化物半导体薄膜晶体管包括:形成于基板上的栅金属层;形成在所述栅金属层上的栅绝缘层;形成在所述栅绝缘层上的第一过渡层;形成在所述第一过渡层上的氧化物半...

47、氧化物半导体薄膜晶体管与显示装置
[简介]: 本发明公开一种导电氧化物薄膜的电刻蚀装置及方法。本电刻蚀装置包括电源、与电源电连接的第一电极和第二电极,第一电极与导电氧化物薄膜定位电连接,第二电极呈针状与导电氧化物薄膜移动电接触。本电刻蚀方法的操作步骤:将...

48、导电氧化物薄膜的电刻蚀装置及方法
[简介]: 本发明涉及氧化物薄膜晶体管及其制造方法。该方法包括:在基板上形成栅极;依次形成栅绝缘膜、氧化物半导体层和第一绝缘层;选择性地构图氧化物半导体层及第一绝缘层,以在栅极上形成有源层和绝缘层图案;在形成有有源层和绝...

49、氧化物薄膜晶体管及其制造方法
[简介]: 本发明涉及一种氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法、使用该方法的有源操作显示装置和有源操作传感器装置。一种氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法包括:通过在基板上沉积和图案化栅层形成栅极;在所述栅极上依次沉积栅极绝缘...

50、氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法、使用该晶体管的有源操作显示装置和有源操作传感器装置
[简介]: 本发明提供一种氧化物烧结体,其特征在于,除氧之外的全部原子的原子数为100原子%时,含有In铟24~49原子%,且具有稀土氧化物C型的结晶结构。此外,本发明还涉及溅射靶、氧化物烧结体的制造方法、氧化物薄膜、形成非晶质氧化物...

51、提高以导电氧化物为底电极的铁电薄膜抗疲劳特性的方法
52、提高以导电氧化物为底电极的铁电薄膜抗疲劳特性的方法
53、具有氧化物薄膜晶体管的平板显示装置及其制造方法
54、氧化物薄膜晶体管及其制造方法
55、用于形成金属氧化物薄膜的涂布液、金属氧化物薄膜、场效应晶体管和制造场效应晶体管的方法
56、具有氧化物薄膜晶体管的平板显示器件及其制造方法
57、一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法
58、一种氧化物薄膜晶体管阵列基板及显示面板
59、一种氧化物薄膜晶体管阵列基板及制作方法、显示面板
60、氢氧化物纳米线和有机配体在常温下快速制备金属有机框架物薄膜的方法
61、金属氧化物薄膜基板、其制造方法、光伏电池和OLED
62、包含氧化物薄膜晶体管的基板、其制造方法及驱动电路
63、氢氧化物纳米线和有机配体制备金属有机框架物薄膜的方法
64、非晶氧化物半导体薄膜晶体管制造方法
65、铋钛硅氧化物,铋钛硅氧化物薄膜,以及薄膜制备方法
66、氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置
67、多晶薄膜和其制造方法及氧化物超导导体
68、多晶薄膜和其制造方法及氧化物超导导体
69、一种金属氧化物半导体薄膜及其制备方法与应用
70、用PECVDSiO<>2<>钝化保护passivation制造铟镓锌氧化物IGZO和氧化锌ZNO薄膜晶体管的方法
71、背沟道蚀刻氧化物薄膜晶体管工艺架构
72、氧化物薄膜晶体管及其制造方法
73、氧化物超导薄膜
74、多层薄膜固体氧化物燃料电池的制备方法
75、氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法
76、氧化物半导体薄膜晶体管
77、包含氧化物半导体的薄膜晶体管基板
78、一种金属氧化物薄膜晶体基板及其制造方法和液晶显示器
79、一种多层金属氧化物多孔薄膜纳米气敏材料的制备方法
80、用于OLED的金属氧化物薄膜基板及其制造方法
81、氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置
82、一种合金氧化物薄膜晶体管的制备方法
83、氧化物半导体制造方法及薄膜晶体管制造方法
84、制造氧化物薄膜晶体管的方法和显示装置
85、非晶氧化物半导体薄膜晶体管制造方法
86、氧化物薄膜晶体管、阵列基板及显示装置
87、氧化物薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板及显示装置
88、氧化物薄膜晶体管的制造方法
89、溅射靶材及导电金属氧化物薄膜
90、氧化物薄膜晶体管及其制造方法
91、薄膜晶体管的半导体层用氧化物和溅射靶以及薄膜晶体管
92、金属氧化物薄膜场效应晶体管的制备方法
93、薄膜晶体管的半导体层用氧化物和溅射靶以及薄膜晶体管
94、一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法
95、一种金属氧化物薄膜场效应晶体管有源层的制备方法
96、氧化物薄膜、强电介体薄膜的制造方法、强电介体元件
97、包括氧化物薄膜晶体管的多层存储设备
98、在多孔衬底上制备氧化物致密陶瓷薄膜的方法
99、使用氧化物半导体的薄膜晶体管的制造方法
100、在Co或Co合金相中分散有氧化物相的溅射靶、包含Co或Co合金相和氧化物相的磁性体薄膜及使用该磁性体薄膜的磁记录介质
151、具有金属氧化物半导体的薄膜晶体管基板及其制造方法
152、具有金属氧化物半导体的薄膜晶体管基板及其制造方法
153、自对准金属氧化物薄膜晶体管器件及制造方法
154、一种自对准金属氧化物薄膜晶体管器件及制造方法
155、透明氧化物半导体薄膜晶体管
156、用于稀土-钡-铜-氧化物薄膜生长的高产量异位方法
157、顶栅金属氧化物薄膜晶体管的制备方法
158、具备低温硬化型高活性氧化物光催化剂薄膜的物品
159、一种金属氧化物纳米反阵列薄膜的制备方法
160、金属氧化物介电薄膜的形成方法及半导体存储装置的制造方法
161、具有半导体特性多阳离子氧化物通道的薄膜晶体管及制造方法
162、氧化物超导薄膜及其制备方法
163、一种高取向透明双羟基复合金属氧化物薄膜的制备方法
164、制作高张力薄膜及应变硅金属氧化物半导体晶体管的方法
165、金属氧化物薄膜的制备方法
166、在基板表面上形成金属氧化物的薄膜形成方法
167、在基板表面上形成金属氧化物的薄膜形成方法
168、一种自对准的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法
169、贱金属电极上的金属氧化物陶瓷薄膜
170、底栅金属氧化物薄膜晶体管的制备方法
171、有机酸金属盐和用于形成含有该盐的金属氧化物薄膜的涂敷液
172、含有光催化氧化物的组合物薄膜和组合体
173、利用循环CVD或ALD制备金属氧化物薄膜
174、一种在低温下制备纳米金属氧化物半导体薄膜电极的方法
175、金属氧化物薄膜及其制造方法
176、金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法
177、金属氧化物的制法、形成用该金属氧化物的金属氧化物薄膜用靶子材料及其制法、以及金属氧化物薄膜的制法
178、在可传导离子的聚合物薄膜上形成金属或其氧化物层的方法
179、利用MOCVD沉积金属氧化物薄膜的方法
180、制造氧化物超导薄膜的方法
181、混合薄膜厚膜固体氧化物燃料电池及其制造方法
182、互补金属氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法
183、使用超薄金属氧化物栅极介电层的有机薄膜晶体管及其制造方法
184、一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法
185、无机氧化物电热薄膜及其制法
186、光电半导体银铜复合氧化物薄膜材料
187、喷墨打印制备金属氧化物功能薄膜的方法
188、金属氧化物或合金薄膜的化学气相淀积方法及装置
189、沉积金属和金属氧化物膜以及图案薄膜的方法
190、一种均匀致密的取向性多元金属氧化物纳米薄膜的制备方法
191、互补金属氧化物半导体薄膜晶体管和制造其的方法
192、互补式金属氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法
193、互补式金属氧化物半导体薄膜晶体管组件的制造方法
194、互补金属氧化物半导体薄膜晶体管及使用其的显示器件
195、镍酸镧导电金属氧化物薄膜材料的制备方法
196、互补金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法

资料说明:
    1、资料都是原版专利技术全文,含技术员姓名、地址、技术原理、技术原文,技术配方、工艺流程、制作方法,设备原理、机械设计构造、结构说明图等。
    2、资料都是电子文档格式,可在电脑中阅读、放大缩小、打印,可以网传,也可以刻录在光盘中邮寄。欢迎联系咨询, 电话:028-87023516   18980857561客服QQ:853136199

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