使用非易失性存储器,存储制备工艺技术合集图文全套

请记住资料编号：GY10001-57315 资料价格:198元

1、移动装置内的集成非易失性存储器与主易失性存储器的并行使用

[简介]：本套资料呈现一种具有非易失性存储器和主存储器的并行使用的移动装置。所述移动装置包括易失性存储器、非易失性存储器、在功能上耦合到所述非易失性存储器和所述易失性存储器的存储器控制器以及耦合到所述存储器控制器的处...

2、移动装置内的集成非易失性存储器与主易失性存储器的并行使用

[简介]：用于获得和使用非易失性存储器“NVM”健康信息的系统和方法被提供。健康信息可包括与NVM装置的各部分的性能和可靠性相关联的各种各样的信息，诸如NVM的一部分中检测到的错误数量或者从非易失性存储器的一部分读取或对非...

3、用于获得和使用非易失性存储器健康信息的系统和方法

[简介]：提供了一种方法和非易失性存储系统，其中，通过减少验证操作的数量来提高编程速度，同时保持窄的阈值电压分布。编程方案在达到目标数据状态的验证电平前在偏移电平处执行验证操作，以便使得编程慢下来。然而，不必总是在偏移...

4、使用数量减少的验证操作来编程非易失性存储器

[简介]：本套资料提供使用自旋MOS晶体管的非易失性存储器电路，其具备：第一p沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第一电极和作为另一个的第二电极；第二p沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第三电极和作为另一个的...

5、使用自旋MOS晶体管的非易失性存储器电路

[简介]：针对非易失性存储系统实现部分速度细和全速度粗编程。在编程操作期间，在第一时间段t1-t3中，对要禁止的存储元件的位线进行预充电，同时将要以部分速度编程细编程的存储元件的位线和要以全速度编程粗编程的存储...

6、使用浮置位线对非易失性存储器的部分速度和全速度编程

[简介]：本套资料提供存储器装置及操作存储器装置的方法，例如涉及用新兴非易失性存储器NV元件取代典型静态及或动态组件的存储器架构的那些存储器装置及方法。所述新兴NV存储器元件可取代常规锁存器，可充当快闪存储器阵列与外部...

7、使用新兴非易失性存储器元件及快闪存储器

[简介]：本套资料描述了用于使用诸如闪存之类的非易失性存储器设备在休眠或挂起期间存储存储器数据的技术。通过这样做，硬盘驱动器和或数据更加安全，并且可以使用更少的电力。

8、使用非易失性存储器设备用于休眠或挂起的方法和系统

[简介]：本套资料提供了一种通过使用OTP存储空间中的一些以进行管理并维护地址更换表，从而管理具有OTP存储器晶片的数据存储设备中的坏块以给用户提供连续地址空间的方法。提供了快速且高效的编程算法和读取算法。

9、针对阵列缺陷使用高效管理方法的非易失性存储器NVM中的连续地址空间

[简介]：本套资料关于非易失性存储器的存储器管理方法及使用此方法的控制器。其中，此非易失性存储器实质上分割为多个区块。首先，记录多个存储单元的非擦除次数信息，其中此存储单元包含至少一个区块，而以此非擦除次数信息为参数建立...

10、非易失性存储器的存储器管理方法及使用此方法的控制器

[简介]：本套资料主要内容为一种非易失性存储器操作方法及使用该方法的数据储存系统。该非易失性存储器包括多个实体区块，其具有多个数据区块与多个备用区块。比较已选取实体区块的平均抹除次数与一第一临界值，用以取得一指针。每一实体...

11、非易失性存储器操作方法及使用该方法的数据储存系统

[简介]：在非易失性存储器中，使用减少验证步骤数量的多遍索引编程方法分别将一组存储器单元并行编程到它们的目标状态。对于每个单元，维持编程索引来存储施加到该单元的最后的编程电压。在施加一系列递增的编程脉冲的第一遍编程期...

12、使用索引编程和减少的验证的非易失性存储器和方法

[简介]：提供了存储器单元和形成这种存储器单元的方法，所述存储器单元包括耦接于基于碳的可逆电阻率-切换材料的操控元件。在具体实施例中，根据本套资料的方法蚀刻在衬底上形成的碳纳米管“CNT”膜，所述方法包括用掩模层涂覆该衬底...

13、用于蚀刻在非易失性存储器中使用的碳纳米管膜的方法

[简介]：下拉电路在诸如编程期间进行的验证操作的感测操作期间在非易失性存储器件中将位线电压拉至调压的源极电压。存储器件可包括NAND串和公共源极线，NAND串具有相关联的位线和感测组件。当NAND串的所选存储元件已经被编程为其...

14、使用下拉到调压的源极电压以移除系统噪声的非易失性存储器中的感测

[简介]：提供非易失性存储器的粗略精细编程，其中，存储器单元在到达其意图的状态的粗略验证电平之前的第一级编程中编程，且在到达粗略验证电平之后但在到达其意图的状态的最终验证电平之前的第二级编程中编程。与较小的存储器单...

15、使用针对改进感测的不同参考电平的非易失性存储器中的粗略精细编程验证

[简介]：通过防止在所选NAND串中的源极侧升压来在非易失性存储器中降低编程干扰。使用包括隔离字线的自升压模式。在对隔离字线的漏极侧上的沟道升压之前，对隔离字线的源极侧上的禁止的NAND串的沟道区升压。另外，在源极侧升压期间...

16、使用沟道隔离切换的非易失性存储器的升压

[简介]：一种非易失性存储器设备，包括多个存储器组，每个存储器组包括多个非易失性存储器单元。每个单元包括可变电阻元件，所述可变电阻元件具有根据存储的数据而变化的电阻。包括多个全局位线，每个全局位线被多个存储器组*。多...

17、使用可变电阻元件的非易失性存储器设备

[简介]：一种电子器件10可以包括第一存储器单元311和第二存储器单元312。第一存储器单元311可以包括第一源极，并且第二存储器单元可以包括第二源极。第一存储器单元311和第二存储器单元312可以位于存储器阵列12的同...

18、包括非易失性存储器阵列的电子器件和使用该器件的方法

[简介]：在编程期间使未选定群组非易失性存储元件升压，以减少或消除对连接到选定字线的作为目标但未选定的存储器单元的编程干扰。在将编程电压施加到所述选定字线且使所述未选定群组升压之前，对所述未选定群组进行预充电，以通过...

19、通过使用不同的预充电启用电压而以减少的编程干扰对非易失性存储器进行编程

[简介]：本套资料主要内容为一种使用非易失性存储器记录资料的方法。该方法包括预先提供写入资料，接着则将该写入资料的资料结构转换为比特映射资料结构，然后以至少一个比特为修改单位，将写入资料循序写入非易失性存储器，之后通过计算...

20、使用非易失性存储器记录资料的方法及电子装置

[简介]：本套资料提供一种减少程序干扰的操作非易失性存储系统的方法。在编程非易失性存储装置的同时实施多个升压模式。举例来说，可使用自升压、局部自升压、擦除区域自升压及修正擦除区域自升压。使用一个或一个以上切换标准来确定何...

21、非易失性存储器的写入方法及使用此方法的控制器

22、非易失性存储器的写入方法及使用此方法的控制器

23、非易失性存储器的写入方法及使用此方法的控制器

24、基于使用耦合感测邻近者来对非易失性存储器中的相邻存储元件之间的耦合进行补偿

25、编程不同大小的容限及在选择状态下使用补偿进行感测以改进非易失性存储器中的读取操作

26、编程不同大小的容限及在选择状态下使用补偿进行感测以改进非易失性存储器中的读取操作

27、使用非易失性存储器的存储设备及其映射信息恢复方法

28、使用非易失性存储器作为高速缓存器的存储设备及其方法

29、使用非易失性存储器作为高速缓存的存储设备及运行方法

30、使用经修改的通过电压在减小的程序干扰下对非易失性存储器进行编程的方法

31、使用智能验证的多状态非易失性存储器的编程方法

32、数据锁存器在非易失性存储器的多阶段编程中的使用

33、在非易失性存储器的高速缓存操作中使用数据锁存器

34、使用多个串存储状态信息的非易失性存储器装置和方法

35、使用早期数据对非易失性存储器进行管线式编程

36、使用受保护的非易失性存储器的系统和方法

37、变电阻元件和使用其的非易失性存储器

38、使用集成电路装置的双信号控制协议对非易失性存储器进行的增加减小、芯片选择和可选择写入

39、升压电路和使用了它的非易失性存储器

40、具有自旋相关转移特性的隧道晶体管及使用了它的非易失性存储器

41、具有自旋相关转移特性的场效应晶体管及使用了它的非易失性存储器

42、具有自旋相关转移特性的场效应晶体管及使用了它的非易失性存储器

43、使用整合技术的组合式非易失性存储器

44、通信适配器装置、通信适配器、非易失性存储器的写入方法及其中所使用的电器及ROM写入器

45、通信适配器装置、通信适配器、非易失性存储器的写入方法及其中所使用的电器及ROM写入器

46、使用铁电栅极场效应晶体管的非易失性存储器和制造方法

47、使用非易失性磁性存储器的低电力电子系统

48、读取存储单元的方法和使用该方法的非易失性存储器件

49、电荷泵电路和使用它的非易失性存储器的工作方法

50、电压开关电路和使用其的非易失性存储器件

51、使用相变材料存储器元件的非易失性内容可寻址存储器

52、使用FinFET的非易失性存储器件及其制造方法

53、使用非易失性高速缓冲存储器的存储设备及其控制方法

54、使用非易失性高速缓冲存储器的存储设备及其控制方法

55、使用垂直纳米管的非易失性切换和存储器器件

56、使用转矩的非易失性磁存储单元和使用它的随机存取磁存储器

57、使用个别验证擦除非易失性存储器和额外擦除存储器单元的子组

58、使用多进制存储器中的一些存储块作为二进制存储块的非易失性半导体存储器件

59、可编程的非易失性存储器装置和使用该装置的微型计算机

60、使用非易失性铁电体存储器的测试模式控制装置

61、使用介孔材料的非易失性纳米沟道存储器件

62、使用介孔材料的非易失性纳米沟道存储器件

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