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1、存储器单元、非易失性存储器阵列、操作存储器单元的方法、从存储器单元读取及向存储器单元写入的方法以及编程存储器单元的方法
[简介]： 在一个方面中，一种操作存储器单元的方法包含使用不同于用来读取所述存储器单元的经编程状态的电极的电极来改变所述存储器单元的所述经编程状态。在一个方面中，存储器单元包含具有接纳于其之间的材料的第一及第二相对电...
2、存储器单元、非易失性存储器阵列、操作存储器单元的方法、从存储器单元读取及向存储器单元写入的方法以及编程存储器单元的方法
[简介]： 本套资料描述交叉点存储器单元、非易失性存储器阵列、读取存储器单元的方法、编程存储器单元的方法以及写入到存储器单元及从存储器单元读取的方法。在一个实施例中，交叉点存储器单元包含：字线，其沿第一方向延伸；位线，其沿不...
3、交叉点存储器单元、非易失性存储器阵列、读取存储器单元的方法、编程存储器单元的方法、写入到存储器单元及从存储器单元读取的方法，及计算机系统
[简介]： 本套资料涉及一种存储器及其驱动电路、向存储器执行写入操作的方法。该存储器包括驱动电路，所述的驱动电路包括升压电路、分压电路、比较电路及控制电路，其中，控制电路根据被选中执行写入操作的存储单元的位线电流对所述分压...
4、存储器及其驱动电路、向存储器执行写入操作的方法
[简介]： 一种电路，包括：动态随机存取存储器，包括多个存储器单元；经由数据总线与所述存储器相连接的关联器件；存储器单元刷新装置，其中利用所述刷新装置，采用刷新访问来刷新存储器单元中的存储数据；经由所述数据总线，采用数据访...
5、包括同时刷新和读取或写入的动态随机存取存储器DRAM的电路、以及在这样的存储器中执行同时刷新和读取或写入的方法
[简介]： 本套资料主要内容为一种相变存储器的高速数据写入结构和写入方法，包括比较电路、包含N个数据位和一个标志位的数据存储单元、N+1个写入电路以及控制电路；所述比较电路对从阵列读取的数据和需要被写入的数据进行比较，将比较结果...
6、一种相变存储器的高速数据写入结构及写入方法
[简介]： 本套资料主要内容为一种相变存储器的写入电路，可调方波电压脉冲电路的输出端连接到第一开关电路输入端；第一开关电路的第二端与相变电阻的第一端和第二开关电路的第一端相连；相变电阻的第二端与选通管的漏极相连；选通管的源极...
7、一种相变存储器的写入电路及写入方法
[简介]： 提供了用于计算机的固态非易失性存储子系统的方法和装置。存储子系统可以包括一次写入存储子系统存储器器件和多次写入存储子系统存储器器件。提供了许多其他方面。
8、包括一次写入存储器器件和多次写入存储器器件的用于计算机的存储子系统及相关方法
[简介]： 本套资料描述了相变存储器PCM结构以及写入PCM结构的方法。在一个实施例中，PCM结构包括PCM阵列、字线驱动电路、位线驱动电路、源驱动电路以及电压供应电路。位线驱动电路连接到PCM阵列和电接地。本套资料还描述了其它实施例。
9、相变存储器结构和写入相变存储器结构的方法
[简介]： 本套资料主要内容为一种存储器储存装置及其存储器控制器与数据写入方法，其中存储器储存装置，包括连接器、可复写式非易失性存储器模组、第二暂存存储器以及具有第一暂存存储器的存储器控制器。存储器控制器用以接收写入指令与写...
10、存储器储存装置及其存储器控制器与数据写入方法
[简介]： 本套资料的一实施例提供一种电阻式存储器的写入方法，包括：接收一第一数据，并选择用以储存该第一数据的一第一电阻式记忆胞；当该第一数据的逻辑准位为一第一逻辑准位时，输出一电压脉冲信号至该第一电阻式记忆胞，以写入该第...
11、电阻式存储器的写入方法与存储器模块
[简介]： 本套资料提出一种数据写入方法，存储器控制器与存储器储存装置。本方法包括将物理区块分割为数据区与暂存区，并且配置多个逻辑区块。本方法还包括从暂存区的物理区块之中提取多个物理区块作为对应一逻辑区块的暂存物理区块；...
12、数据写入方法、存储器控制器与存储器储存装置
[简介]： 本文中所揭示的标的物涉及存储器装置的读取及写入过程。
13、串行接口存储器中的同时读取与写入存储器操作
[简介]： 本套资料提出一种数据写入方法、存储器控制器与存储器储存装置。本方法包括提取一个实体区块作为用于多个已更新实体区块的备用实体区块。本方法也包括，当主机系统欲写入更新数据至某个逻辑区块的某个逻辑页面且在对应此逻辑...
14、数据写入方法、存储器控制器与存储器储存装置
[简介]： 一种数据写入方法、存储器控制器与存储器储存装置，用于可复写式非易失性存储器模组，其中可复写式非易失性存储器模组具有多个下实体页面与分别地对应下实体页面的多个上实体页面。本方法包括在将第一数据写入至实体页面之...
15、数据写入方法、存储器控制器与存储器储存装置
[简介]： 一种存储器储存装置、存储器控制器与数据写入方法。此存储器储存装置包括缓冲存储器与可复写式非易失性存储器芯片，可复写式非易失性存储器芯片包括缓存单元与多个实体区块。此方法包括将接收自主机系统的第一数据暂存至缓...
16、存储器储存装置、存储器控制器与数据写入方法
[简介]： 本套资料主要内容为一种存储器管理与写入方法、存储器控制器与存储器存储系统，该存储器管理与写入方法，用于管理存储器模组。此存储器模组包括多个存储器单元与分别对应这些存储器单元的多条数据输入输出总线。本方法包括配置多...
17、存储器管理与写入方法、存储器控制器与存储器存储系统
[简介]： 一种数据写入方法、存储器控制器与存储器储存装置，数据写入方法用于将更新数据写入至具有多个实体页面的闪速存储器模组中，其中每一实体页面为闪速存储器模组的最小写入单位。本方法包括将一个实体页面划分为多个储存区段...
18、数据写入方法、存储器控制器与存储器储存装置
[简介]： 一种存储器储存装置、存储器控制器与数据写入方法。此存储器储存装置耦接主机系统，且存储器储存装置包括错误检查与校正电路与可复写式非易失性存储器芯片。此方法包括在准备将写入数据写入至可复写式非易失性存储器芯片时...
19、存储器储存装置、存储器控制器与数据写入方法
[简介]： 一种电可擦可编程只读存储器的数据写入方法与写入装置，该方法是配合一操作装置执行，该操作装置包括一具有一防写引脚的电可擦可编程只读存储器且防写引脚载有一防写电压，当防写电压高于系统电压时呈一防写模式，当防写电...
20、电可擦可编程只读存储器的数据写入方法与写入装置
[简介]： 本套资料提出一种数据写入方法、存储器控制器与存储器储存装置，数据写入方法用于写入属于一个逻辑页面的数据至可复写式非易失性存储器模组中。此方法包括为所有逻辑页面设定标记计数值。本方法还包括：判断对应此逻辑页面的...
21、数据写入方法、存储器控制器与存储器储存装置
22、数据写入方法、存储器控制器与存储器储存装置
23、存储器储存装置、存储器控制器与数据写入方法
24、数据写入与读取方法、存储器控制器与存储器储存装置
25、数据写入方法、存储器控制器与存储器储存装置
26、存储器储存装置、其存储器控制器与数据写入方法
27、数据写入方法、存储器控制器与存储器储存装置
28、数据写入方法、存储器控制器与存储器储存装置
29、相变存储器的数据写入方法及装置
30、静态随机存储器写入系统与存储器
31、非易失存储器控制器与用于将当前数据写入非易失存储器的方法
32、存储器管理与写入方法及其存储器控制器与储存系统
33、量化存储器位单元的读取和写入裕量
34、电场写入电阻读出固态存储元器件、存储器及其读写方法
35、基于氮化铜薄膜的一次写入型多层波导光存储器及其制造方法
36、用于将信息写入K级存储器部件的存储器控制器和方法
37、磁随机存取存储器单元、用于对其进行读取和写入的方法
38、半导体非易失性存储器以及数据写入方法
39、双倍数据率虚拟静态随机存取存储器及其控制器、存取与操作方法、写入与读取方法
40、非易失性半导体存储器装置及其写入方法
41、提高静态随机存储器写入冗余度的方法
42、提高静态随机存储器写入冗余度的方法
43、一种提高静态随机存储器写入冗余度的方法
44、一种提高静态随机存储器写入冗余度的方法
45、一种提高静态随机存储器写入冗余度的方法
46、提高静态随机存储器写入冗余度的方法
47、提高静态随机存储器写入冗余度的方法
48、提高静态随机存储器写入冗余度的方法
49、提高静态随机存储器写入冗余度的方法
50、具有独立的读取和写入存取晶体管的栅极横向晶闸管随机存取存储器GLTRAM单元及具有该GLTRAM的存储器器件和集成电路
51、半导体非易失性存储器及数据写入方法
52、具有隧道势垒的存储器以及用于写入和读取该存储器中的信息的方法
53、高速写入相变存储器及其高速写入方法
54、具有泄漏抑制和电平控制的静态随机存取存储器（SRAM）写入辅助电路
55、存储器写入错误校正电路
56、基于并行随机存储器的数据写入、读取方法、装置及系统
57、执行同时读取与写入存储器操作的方法及设备
58、电可擦可编程只读存储器的数据擦写控制装置及方法、芯片及其数据写入方法、耗材容器
59、提高写入速度的浮体动态随机存储器单元及其制作方法
60、提高写入速度的浮体动态随机存储器单元及其制作方法
61、数据写入方法、存储器控制器与储存装置
62、数据写入方法、存储器控制器与储存装置
63、存储器中记忆胞的写入方法以及利用此方法的存储器装置
64、存储器装置及其写入方法
65、一种文件目录表的使用方法、文件写入方法及应用的主电路板、CPU和外部存储器
66、一种提高浮体动态随机存储器单元写入速度的注入方法及结构
67、相变存储器的写入操作
68、一种存储器电路的数据读取及数据写入方法
69、使用非直接存储器指针的快速块写入命令及方法
70、具有分离的写入和读取位线的非易失性存储器
71、对存储器读取或写入
72、管理在不同的网络上将写入从首要存储器复制到次要存储器
73、存储器中的写入能量保存
74、在相变存储器中的写入方案
75、存储器与存储器写入方法
76、具有累积写入特征的存储方法、存储器和存储系统
77、具有累积写入特征的存储器和存储系统
78、具有双写入驱动器的相变存储器
79、存储器中的参考单元写入操作
80、可编程存储器及其写入和读取方法
81、用于非易失性存储器的数据写入方法与系统及控制器
82、用于非易失性存储器的数据写入方法与系统及控制器
83、一种向非易失性存储器写入数据的方法及装置
84、数据写入方法、存储器控制器与储存装置
85、数据写入方法、可复写式非易失性存储器控制器及系统
86、将数据写入半导体存储器中的方法以及存储器控制器
87、具有开关的相变存储器的节能置位写入
88、栓扣式磁性存储器的数据写入控制电路及数据写入方法
89、具有多电平、单次写入存储器单元的可重写存储器件
90、半导体存储器器件、半导体存储器阵列及写入方法
91、包括响应电源故障信号而刷新写入数据的电源故障电路的非易失性半导体存储器
92、通过写入后读取和适应性重写来管理错误的非易失性存储器和方法
93、通过写入后读取和适应性重写来管理错误的非易失性存储器和方法
94、通过加速的写入后读取来管理错误的非易失性存储器和方法
95、具有开关的相变存储器的高能效置位写入
96、用于相变存储器的双脉冲写入
97、一次写入多次读取WORM存储器器件的验证和保护
98、多位元单元非挥发性存储器的使用新顺序的二次写入方法
99、相变存储器的自限写入脉冲发生电路
100、具有电阻性感测元件块擦除和单向写入的非易失性存储器阵列
101、可提升写入保护的存储器系统及相关方法
102、可提升写入保护的存储器系统及相关方法
103、存储器装置中的写入时序的校准
104、可增加写入裕量的静态随机存取存储器
105、一种存储器的数据写入方法及数据储存装置
106、存储器的数据写入方法及数据储存装置
107、经由高级存储器缓冲器对读取写入存储器存取的校准
108、用于写入和擦除非易失性存储器的方法
109、对具有二极管的交叉点非易失性存储器单元的写入方法
110、包括伪电阻、电阻切换元件及二极管的多位电阻切换存储器单元的写入
111、具有负电压写入辅助电路的存储器及其方法
112、以复制写入请求用于一致性存储器拷贝的方法及设备
113、非易失性存储器、其制造方法及该存储器的写入读出方法
114、一种从液晶显示器EDID读取序列号写入主板存储器的方法
115、在非易失性存储器上执行随机写入操作的方法与装置
116、在电可擦和可编程的非易失性存储器中写入和读取数据的方法
117、坏区块识别方法及将数据写入存储器的方法
118、数据储存装置及将测试数据写入存储器的方法
119、写入相变存储器元件的方法
120、存储器系统以及写入非易失性半导体存储器中的方法
121、用于写入到非易失性存储器的电容放电方法
122、用于写入到非易失性存储器的电容放电方法
123、非易失性存储器中的同时写入和核对
124、用于具有缩小的位单元尺寸的自旋转移力矩磁阻式随机存取存储器的写入操作
125、非易失性存储器的写入错误管理方法、存储卡、及控制器
126、非易失性存储器及对将写入其中的数据编码的系统和方法
127、固态存储器装置中的模拟读取与写入路径
128、数据写入方法、数据读取方法和数据存储器
129、存储器控制器、非易失性存储器、非易失性存储系统和数据写入方法
130、非易失性半导体存储器及将数据写入该存储器的方法
131、用于具有非易失性存储器的数模信号转换器的读取和写入接口通信协议
132、热辅助磁写入存储器
133、提升写入电流的存储器
134、存储器的读出及写入方法、存储器控制方法及运算装置
135、通过将所检索的数据直接写入存储器的存储控制器来最佳使用缓冲器空间
136、半导体存储器信息储存装置及其写入控制方法
137、带有磁性隧道结以热辅助方式写入的磁存储器及其写入方法
138、改善内嵌式动态随机存取存储器速度的无干扰位线写入
139、一种显示屏屏信息写入存储器的方法、系统及电视机
140、将压缩数据读出及写入存储器的图像处理设备和处理方法
141、用于具有非易失性存储器的数字模拟信号转换器的读取及写入接口通信协议
142、用于具有非易失性存储器的数字模拟信号转换器的读取及写入接口通信协议
143、磁阻性存储器胞元的写入方法及可由此方法写入的磁阻性存储器
144、磁性存储器及其制造方法与写入方法
145、用于自旋转移力矩磁阻随机存取存储器中的读取和写入的字线晶体管强度控制
146、存储器模块及其写入及读取方法
147、包括传送晶体管及垂直读取写入启用晶体管的无电容器浮体易失性存储器单元及其制造及编程方法
148、磁性存储器的写入方法
149、相变存储器的写入系统与方法
150、非易失性存储器的写入方法及使用此方法的控制器
151、非易失性存储器的写入方法及使用此方法的控制器
152、将数据写入芯片内存储器的方法及其系统
153、用自旋力矩转移写入的磁性随机存取存储器及其制造方法
154、利用磁畴壁移动的存储器装置的数据写入和读取方法
155、非易失性存储器及用于在初始编程电压的修整期间减少擦除写入循环的方法
156、用于将读取写入电路耦合到存储器阵列的双数据相依总线
157、数据写入存储器的装置
158、数据写入存储器的装置及其方法
159、相变存储器的写入电路
160、磁存储器单元以及写入数据的方法
161、半导体存储器的写入方法
162、半导体存储器的写入方法
163、一种LCD数据写入控制方法及先入先出存储器
164、非易失性存储器的制造方法、写入方法及读取方法
165、非易失性存储器的制造方法、写入方法及读取方法
166、相变化存储器的写入方法与系统
167、相变化存储器写入的驱动方法与系统
168、通信适配器装置、通信适配器、非易失性存储器的写入方法及其中所使用的电器及ROM写入器
169、通信适配器装置、通信适配器、非易失性存储器的写入方法及其中所使用的电器及ROM写入器
170、相位变化存储器的写入方法
171、非挥发性存储器的写入方法
172、非挥发性存储器的写入方法
173、非挥发性存储器的写入方法
174、非易失性存储器及其写入方法、以及半导体装置
175、在非易失性存储器写入操作中的持续检验
176、优化存储器的写入和磨损性能
177、读取及写入一种磁性存储器设备的系统与方法
178、存储器数据写入电路及电视机
179、存储器控制器和用于对存储器写入的方法
180、存储器的字块写入方法
181、写入非易失性存储器的技术
