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182、写入非易失性存储器的技术
183、在顺序写入当中进行校验处理的非易失性的存储器
184、存储器控制器、非易失性存储装置、非易失性存储系统及数据写入方法
185、直插式非易失性存储器盘读取高速缓存和写入缓冲器
186、用于减少时间数据浮动延迟和外部存储器写入期间系统不活动性的方法和设备
187、使用非晶亚铁磁性合金、由自旋极化电流写入的磁存储器、及其写入方法
188、从激光唱片读取文本资料并写入存储器的方法
189、自旋注入磁随机存取存储器及写入方法
190、利用锁存的数据和行地址扰频把测试数据拓扑写入存储器
191、可改善写入范围的磁性随机存储器
192、分割为多个存储器块的磁性体存储器阵列的写入电路结构
193、存储器结构及其写入方法
194、存储器写入方法与控制装置
195、存储器写入装置
196、具有非易失性存储器的集成电路及其写入保护方法
197、适配器读取和写入系统存储器的方法和系统
198、使用集成电路装置的双信号控制协议对非易失性存储器进行的增加减小、芯片选择和可选择写入
199、用于从存储器读取数据和向存储器写入数据的方法和系统
200、组合存储器装置、数据写入方法和程序
201、显示装置的存储器结构及其写入方法
202、显示装置的存储器结构及其写入方法
203、具有同时写入和擦除功能的非易失性存储器阵列
204、应用在非挥发性分离栅存储器的写入操作电路及方法
205、栅控二极管存储器单元及其写入方法
206、具有低写入电流特性的磁随机存储器存储单元及其制备方法
207、向多态磁随机访问存储器单元进行写入的方法
208、用于磁电阻存储器的写入驱动器
209、抗热干扰和具有高写入效率的磁随机存取存储器设备
210、非挥发性存储器写入过程的位元开关压降补偿
211、六传感器式编码器的存储器写入器
212、三传感器式编码器的存储器写入器
213、四传感器式编码器的存储器写入器
214、一种减小相变存储器写入电流的单元结构的改进及方法
215、一种基于垂直电流写入的磁随机存取存储器及其控制方法
216、同步动态随机存取存储器的写入路径电路
217、非易失性存储器及其写入方法
218、半导体存储器设备及数据写入方法
219、光刻式只读存储器的资料写入方法
220、磁性随机存取存储器及其数据写入方法
221、在非易失性存储器系统中执行多页面写入操作的方法和设备
222、在非易失性存储器系统中执行多页面写入操作的方法和设备
223、用于将数据写入快闪存储设备的半导体存储器的装置和方法
224、用于将数据写入快闪存储设备的半导体存储器的装置和方法
225、与时间相关信息写入电子装置的非挥发性存储器的方法及其装置
226、以快闪存储器为基础的存储装置及其数据写入方法
227、在非易失性存储器中写入的方法以及实现这种方法的系统
228、把数据写入非易失性存储器的方法和设备
229、SONOS非挥发性存储器件的数据写入方法
230、写入切换存储器的电路和方法
231、并行处理数据读出与写入的薄膜磁性体存储器
232、快闪存储器储存装置、其控制器与写入管理方法
233、NAND型快闪存储器元件的写入读取方法及执行所述写入读取方法的页缓冲区
234、用于流水线存储器的有效读取写入方法
235、管理对在存储器件之间迁移的磁道延伸区的写入操作
236、包含用于临时存储的非易失存储器的一次写入式存储设备
237、可编程导体随机存取存储器以及向其中写入的方法
238、可编程导体随机存取存储器以及向其中写入的方法
239、写入控制器结构中NV存储器的方法和系统以及相应的计算机程序产品和计算机可读存储介质
240、具有降低的写入速度波动的半导体存储器
241、用于闪速存储器的数据写入方法及其控制电路与储存系统
242、用于闪速存储器的数据写入方法及其控制电路与储存系统
243、用于闪速存储器的数据写入方法及其控制电路与存储系统
244、用于闪速存储器的数据写入方法及其控制电路与储存系统
245、带位线预先充电、反转数据写入、保存数据输出的低功耗动态随机存取存储器
246、可进行稳定的数据读出和数据写入的薄膜磁性体存储器
247、用以在写入存储器阵列时偏压选择和未选择阵列线的方法与装置
248、将信息数据写入闪速存储器件时处理写错误的方法和装置
249、对快速存储器的数据记录装置和数据写入方法
250、磁阻随机存取存储器写入装置及方法
251、通过将位线保持在固定电势来早写入存储器的系统和方法
252、快闪存储器储存系统及其数据写入方法
253、根据额外的可去除接触焊盘在闪速存储器内写入数据的系统和方法
254、一次写入薄膜存储器
255、在光存储器中并行地写入和读出数据的方法供该方法使用的写入读出设备以及这种方法和写入读出设备的用途
256、用于对磁阻随机存取存储器进行无损耗写入的装置
257、用于快闪存储器的数据写入方法、储存系统与控制器
258、磁随机存取存储器中改进性能的最佳写入导体布局
259、容易控制数据写入电流的薄膜磁性体存储器
260、磁随机存取存储器大阵列的写入电路
261、用于非易失性存储器的受保护的实时写入
262、用于非易失性存储器的受保护的实时写入
263、具有高写入并行度的用于快闪存储器的列冗余
264、具有零写入恢复时间和无最大周期时间的刷新型存储器
265、用于对缓冲存储器进行写入和读出的方法和装置
266、用于向闪速存储器执行写入的方法和设备
267、快闪存储器数据写入方法及其快闪存储器控制器
268、一种一次写入多次读取的电存储器件及其制备方法
269、写入和配置闪速存储器
270、一次写入多次读取的电存储器件及其制备方法
271、闪烁存储器、其写入和删除方法及其制造方法
272、一种具有近端写入的磁性存储器件的结构及其方法
273、磁存储器件以及向磁存储器件写入数据的方法
274、非易失性存储器件，写入数据的方法，和读出数据的方法
275、非易失性半导体存储器件及其写入、读取方法和删除方法
276、非易失性存储器件及其写入方法
277、非易失性半导体存储器件及其读取、写入和删除方法
278、闪速存储器的写入方法
279、存储器阵列的字节写入能力
280、分层存储器读取写入微指令调度器
281、移动终端存储器用数据写入装置以及方法、程序
282、移动终端存储器用数据写入装置以及方法、程序
283、对非易失存储器的每单次擦除的多重写入
284、非易失性存储器单擦除的多次写入
285、半导体存储器件及其数据读取和写入方法
286、用于将数据写入光学存储器的方法以及用于实现该方法的设备
287、具有磁阻元件的半导体存储器件及其数据写入方法
288、磁存储器件、写入磁存储器件的方法和从磁存储器件读出的方法
289、低电压双向福乐诺汉写入擦除闪速存储器
290、快闪存储器程序写入的装置
291、快闪存储器程序写入的装置
292、非易失性存储器的数据写入
293、一写多读存储器件的脉冲串写入
294、不挥发只读存储器写入装置
295、串行接口型可编程序只读存储器写入装置
