请记住资料编号：GY10001-42090 资料价格:198元
1、存储元件、堆叠、存储矩阵和用于运行的方法
[简介]： 本套资料涉及存储元件、可使用所述存储元件的堆叠和存储矩阵、用于运行存储矩阵的方法以及用于确定在由存储元件组成的装置中逻辑运算的真值的方法。存储元件具有至少一个第一稳定状态0和第二稳定状态1。通过施加第一写电压V...
2、存储元件、堆叠、存储矩阵和用于运行的方法
[简介]： 本套资料主要内容为一种堆叠封装及其制造方法以及具有该堆叠封装的存储卡。具体地，该堆叠封装包括印刷电路板PCB、多个半导体芯片、插头和控制器。半导体芯片顺次堆叠在PCB上。插头将各个半导体芯片电连接到PCB。控制器设置在任一...
3、堆叠封装及其制造方法以及具有该堆叠封装的存储卡
[简介]： 根据本套资料构思的一种堆叠半导体存储器件可以包括：多个存储器芯片，堆叠在处理器芯片之上；多个TSV；以及IO缓冲器。TSV可以穿过存储器芯片并且连接到处理器芯片。IO缓冲器可以耦接在全部或部分存储器芯片与TSV之间，并且可...
4、堆叠半导体存储器件、存储器系统及修复硅通孔缺陷的方法
[简介]： 展示存储装置和制作并操作所述存储装置的方法。所展示的存储装置包含堆叠存储裸片，其包含有一个或一个以上缓冲裸片。在一个此类存储装置中，命令裸片通过所述一个或一个以上缓冲裸片而与一个或一个以上下游存储裸片通信。...
5、存储裸片堆叠中的缓冲裸片和方法
[简介]： 本套资料主要内容为一种包括具有堆叠结构的半导体芯片的存储卡和存储系统。所述存储卡包括：多个端口，形成在所述存储卡的外表面上；存储控制器，结合到所述多个端口，所述存储控制器被配置成通过所述端口与外部主机进行通信并基于...
6、包括具有堆叠结构的半导体芯片的存储卡和存储系统
[简介]： 一种堆叠存储器件可以包括：衬底；依次堆叠在该衬底上的多个存储器组，每个存储器组包括至少一个存储器层；多个X译码器层，该多个X译码器层中的至少一个被布置在该多个存储器组的每一交替相邻的两个存储器组之间；和与该多个...
7、堆叠存储器件
[简介]： 本套资料提供了一种半导体芯片、制造该半导体芯片的方法、包括该半导体芯片的堆叠模块和存储卡，其中，所述半导体芯片包括第一表面和面对第一表面的第二表面。至少一个通孔包括在从基底的第一表面向着基底的第二表面的方向延...
8、半导体芯片及其制造方法、堆叠模块和存储卡
[简介]： 本套资料提供了一种环绕堆叠栅鳍式场效应晶体管存储器件和形成方法。其中环绕堆叠栅鳍式场效应晶体管非易失性存储器结构包括：具有第一传导类型的绝缘体上硅衬底，以及从该绝缘体的上表面突出的鳍式有源区。该结构还包括形成...
9、具有环绕堆叠栅鳍式场效应晶体管存储器件及形成方法
[简介]： 本文中揭示系统及方法，例如操作以控制以下各项的那些系统及方法：与用以将数据位集合计时到一个或一个以上传输寄存器中的一个或一个以上数据时钟、用以将所述数据位集合传送到至少一个接收寄存器的一个或一个以上数据选...
10、堆叠式裸片存储器系统及用于训练堆叠式裸片存储器系统的方法
[简介]： 本套资料主要内容为一种堆叠电容的存储电极的制作方法。该方法包括：提供一基底；在该基底上形成一第一介电层、一支撑层及一第二介电层；在该第一介电层、该支撑层及该第二介电层中蚀刻出一开孔；在该第二介电层及该开孔内形成一导...
11、堆叠电容的存储电极的制作方法
[简介]： 本套资料提供了一种三维堆叠非相变所致电阻转换存储装置及其制造方法，所述三维堆叠非相变所致电阻转换存储装置包括如下结构：衬底、逻辑电路、底层字线阵列、至少一层存储层、位线阵列；所述衬底的一侧依次设有逻辑电路、底层字...
12、一种三维堆叠非相变所致电阻转换存储装置及其制造方法
[简介]： 本套资料主要内容为一种反向非易失性存储装置、堆叠模块及该装置的制造方法。具体地讲，示例实施例提供了一种可通过堆叠来集成的非易失性存储装置、堆叠模块以及该非易失性存储装置的制造方法。在根据示例实施例的非易失性存储装...
13、反向非易失性存储装置、堆叠模块及该装置的制造方法
[简介]： 本套资料提供一种具有多晶硅鳍的非易失性存储器晶体管、一种具有该晶体管的堆叠式非易失性存储装置、一种制造该晶体管的方法以及一种制造该装置的方法。所述装置可以包括从半导体基底向上突出的有源鳍。至少一个第一电荷存储...
14、非易失性存储器晶体管、堆叠式存储装置及其制造方法
[简介]： 一种具有堆叠式元件结构的存储介质包括：一个具有一个第一表面和一个与该第一表面相对的第二表面的载体；一个安装在该载体的第一表面上的控制集成电路，配置该控制集成电路，从而使其导电触点是与在该第一表面上的对应的电...
15、一种具有堆叠式元件结构的存储介质
[简介]： 根据本套资料实施例的应用于阻变存储器的Al-W-O堆叠结构，包括：钨下电极；形成在钨下电极之上的氧化钨层；形成在氧化钨层之上的氧化铝层；以及形成在氧化铝层之上的铝上电极。本套资料利用铝、钨两种金属与氧离子结合的不同特性...
16、应用于阻变存储器的Al-W-O堆叠结构
[简介]： 本套资料公开一种堆叠非易失性存储器件，其包括多层彼此堆叠的位线层与字线层。位线层包括多条位线，这些位线可以利用先进的制造技术，而有效率地且经济地制造此器件。此器件可结构为适用于与非NAND操作中。
17、一种堆叠薄膜晶体管非易失性存储器件及其制造方法
[简介]： 本套资料公开一种堆叠非易失性存储设备，其包括多个彼此堆叠的位线层与字线层。位线层包括多条位线，这些位线可以利用先进的制造技术有效且经济地制造。此器件可配置为适用于与非NAND操作中。
18、一种堆叠非易失性存储元件及其制造方法
[简介]： 本套资料提供存储器裸片、存储器裸片堆叠、存储器装置及方法，例如用以构造及操作此类裸片、堆叠及或存储器装置的方法。一个此类存储器裸片包括经配置以取决于所述裸片如何布置于堆叠中而选择性地耦合到外部选择连接节点的识...
19、存储器裸片、堆叠式存储器、存储器装置及方法
[简介]： 一种分布式存储结构和分层缓冲存储系统被使用在视频点播或流媒体应用中，基于块映射表缓存和虚拟文件系统的可堆叠文件系统模块的分布式存储结构的说明性的实施例包括控制器、第一计算机和第二计算机、第一和第二交换机以...
20、基于块映射表缓冲存储和虚拟文件系统的可堆叠文件系统模块的分布式存储结构
[简介]： 本套资料涉及图案化非易失性存储器NVM的栅堆叠。以集成的方式形成电容器26和NVM单元24，以便电容器的蚀刻在NVM单元蚀刻的结束点检测时是有用的。这利用NVM区上方和电容器区上方的两个导电层实现。在为后续图案化步骤做...
21、使用堆叠式存储器装置裸片的存储器系统及方法以及使用所述存储器系统的系统
22、使用堆叠式存储器装置裸片的存储器系统及方法以及使用所述存储器系统的系统
23、多层堆叠电阻转换存储器结构
24、堆叠式存储器中的错误校正
25、多层堆叠电阻转换存储器的制造方法
26、多层堆叠电阻转换存储器的制造方法
27、三维立体堆叠的电阻转换存储器的制造方法
28、存储器元件的堆叠电容器及其制造方法
29、包括多个堆叠的矩阵可寻址存储器件的立体数据存储装置
30、堆叠有机存储器件及其操作与制备方法
31、多串行接口堆叠裸片存储器架构
32、切换式接口堆叠裸片存储器架构
33、多层堆叠的存储器及其制造方法
34、堆叠存储器模块和系统
35、具有双层堆叠自对准栅结构的存储器的制造方法
36、包括具有被电隔离的柱的二极管的*的二极管器件部的叠轨式堆叠的非易失性存储器阵列
37、电阻式存储器装置及电阻式随机存取存储器堆叠结构
38、采用堆叠式晶片结构的存储器
39、数据存储和可堆叠结构
40、堆叠式SONOS存储器
41、三维立体堆叠的电阻转换存储器及其制造方法
42、三维立体堆叠的电阻转换存储器及其制造方法
43、具有三维堆叠结构的闪速存储器设备以及驱动其的方法
44、双列存储器模块的堆叠式DRAM存储器芯片
45、用于存储器堆叠系统和方法的可配置输入和输出
46、单极电阻随机存取存储器及垂直堆叠架构
47、堆叠存储器
48、将存储器元件贴附到相关器件的方法和堆叠结构
49、一种三维堆叠的WOx的电阻随机存储器结构及其制造方法
50、形成堆叠电容器动态随机存取存储器单元的方法
51、形成堆叠电容器动态随机存取存储器单元的方法
52、新颖的低功率非易失性存储器和栅极堆叠
53、堆叠结构存储器的存储单元及其制造方法
54、堆叠存储单元的钴自启动化学镀通道填充
55、具有基于碳化硅的非晶硅薄膜晶体管的堆叠非易失性存储器及其制造方法
56、堆叠栅-源一侧电子注入闪存储器及其制造方法
57、堆叠式半导体存储器器件
58、堆叠电容器底部存储节点的制造方法
59、堆叠式快闪存储器晶片封装及其方法
60、多堆叠光学数据存储介质和这种介质的使用
61、堆叠式存储器模组
62、堆叠式存储器模组
63、堆叠形动态随机存取存储器的电容器的制造方法
64、堆叠电容器存储单元及其制造方法
65、堆叠栅极存储单元的结构及其制造方法
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