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《薄膜,探测器类专题技术光盘》

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1、一种用于太赫兹波探测的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件
[简介]: 一种用于太赫兹波探测的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件,涉及一种共面结构型电光聚合物薄膜传感技术。它为了解决现有共面结构型电光聚合物薄膜传感器件电光聚合物薄膜利用率低、有效电场低和应用不方便的问题。本实用新...

2、一种用于太赫兹波探测的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件
[简介]: 本发明属于微纳器件技术领域,具体为一种基于无机氧化物薄膜的光流体探测器件及其制备方法。制备方法包括:在衬底上制备一层有机物牺牲层;然后在其上沉积具有较高折射率的无机氧化物功能薄膜,并且通过沉积参数的控制,在该...

3、一种基于无机氧化物薄膜的光流体探测器件及其制备方法
[简介]: 本发明公开了一种用于二维纳米结构材料薄膜表面的缺陷分布的探测方法,涉及材料表面缺陷及其分布检测领域。该方法首先将样品进行预先烘干,将样品表面的水分子清除掉,通过水蒸气喷射装置将水蒸气和其他气体的混合气体流通...

4、一种探测二维纳米结构材料薄膜表面缺陷的方法
[简介]: 本发明涉及利*有绝缘层的薄膜谐振器探测物质的装置和方法。用于探测流体的至少一种物质的装置包括具有至少一个压电层、设置在压电层处的电极层、至少一个设置在压电层处的其他电极层的压电声学薄膜谐振器和至少一个用...

5、利*有绝缘层的薄膜谐振器探测物质的装置和方法
[简介]: 本发明涉及一种用于探测流体的至少一种物质的装置,包括具有至少一个压电层、设置在压电层处的电极层、至少一个设置在压电层处的其他电极层的压电声学薄膜谐振器和至少一个用于积聚流体的物质的积聚面,其中,压电层、电极层...

6、利*有绝缘层的薄膜谐振器FBAR探测物质的装置和方法
[简介]: pn结MgxZn1-xO薄膜日盲区紫外探测器件属于光电探测技术领域。现有技术采用MgxZn1-xO薄膜作为光电转换器件,其光谱响应度有待提高;而虽然pn结MgxZn1-xO薄膜因pn结的雪崩作用而具有很高的转换效率,但只是被用做电光转换器...

7、pn结MgxZn1-xO薄膜日盲区紫外探测器件
[简介]: 本发明公开了用于紫外探测的纳米晶薄膜器件的制备方法,步骤包括:将可溶性半导体纳米晶材料溶于溶剂,制得纳米晶溶液;采用旋涂法或喷墨打印法将纳米晶溶液加工在衬底上,形成均匀的纳米晶薄膜;将纳米晶薄膜在100-350℃温度...

8、用于紫外探测的纳米晶薄膜器件的制备方法
[简介]: 本发明公开了一种在蚀刻具有置于终止点生成层之上的第一层的叠层时控制等离子体蚀刻过程的方法。该方法包括在监控穿过等离子体处理室内部的光束的吸收率时,蚀刻穿过第一层并至少部分蚀刻穿过终止点生成层,其中,终止点生...

9、在薄膜的等离子体蚀刻过程中探测终止点的方法和装置
[简介]: 本实用新型涉及一种原位实时探测薄膜生长状况的光反射差装置,该装置包括:激光器输出光的前方安置一起偏器,起偏器出射的偏振光经过前方的光路上安置光偏振调制器,输出光路上安置电光调制器件,经过调制的输出光入射外延...

10、用于原位实时探测薄膜生长状况的光反射差装置
[简介]: 本实用新型提供氧化物半导体薄膜探测器及将有源像素应用于该探测器的电路结构,薄膜探测器由有源像素以矩阵形式排列,有源像素包括形成于基板上的薄膜晶体管和光电二极管,薄膜晶体管包括栅极、第一绝缘层、有源区、漏极、源...

11、氧化物半导体薄膜探测器及将有源像素应用于该探测器的电路结构
[简介]: 本发明涉及原位实时探测薄膜生长状况的光反射差装置和方法,该装置包括:激光器输出光的前方安置起偏器,起偏器出射的偏振光经过前方的光路上安置一光偏振调制器,输出光路上安置一电光调制器件,经过调制的输出光入射外延...

12、原位实时探测薄膜生长状况的光反射差装置和方法
[简介]: 本发明公开了一种用于高空湿度探测的聚酰亚胺薄膜及其制备方法,聚酰亚胺薄膜是由聚酰胺酸高温酰亚胺化后得到的,聚酰胺酸由5%-20%的二胺和二酐混合物、80%-95%的非质子化溶剂组成,其中二胺和二酐混合物中二胺和二酐的摩...

13、一种用于高空湿度探测的聚酰亚胺薄膜及其制备方法
[简介]: 本发明公开了一种4H-SiC基半导体中子探测器用的6LiFBC4复合中子转换膜制备方法,采用射频磁控溅射技术,主要包含镀前处理、偏压反溅射清洗、预溅射清洗以及沉积6LiFBC4复合转换膜等步骤。镀前处理为采用*、乙醇超声波清...

14、4H-SiC基中子探测器用6LiFBC4复合中子转换薄膜制备工艺方法
[简介]: 本发明实施例提供一种薄膜晶体管、非晶硅平板探测基板及制备方法,涉及液晶显示技术,薄膜晶体管的源漏极的材料是非晶金属氧化物有源层的材料通过沉积含氢离子量不小于设定值的绝缘性物质转化成的导体,从而使源漏极与有源...

15、一种薄膜晶体管、非晶硅平板探测基板及制备方法
[简介]: 本发明公开了一种4H-SiC基半导体中子探测器用的BC4转换膜制备方法,主要包含以下步骤:将4H-SiC基体分别浸没于*、酒精中进行超声波清洗;采用偏压反溅射清洗去除4H-SiC基体中杂质,预溅射清洗去除BC4靶材表面杂质;以BC4...

16、4H-SiC基中子探测器用BC4转换薄膜制备工艺方法
[简介]: 本发明涉及探测器技术领域,尤其是热释电薄膜*焦平面探测器芯片,其从下至上依次包括衬底、黏合层、绝热支撑结构、下电极、光敏元、上电极和*吸收层;所述绝热支撑结构包括:隔热层,所述隔热层包括上下交替层叠的SiO2纳米...

17、热释电薄膜*焦平面探测器芯片及其制作方法
[简介]: 本实用新型涉及一种基于荧光薄膜的反射接收的紫外硅基探测器,其特征在于,包括石英透镜、变频反射镜、可见光增透透镜和硅基探测器,四个部件都安装在内部涂黑的密封装置中,石英透镜安装至密封装置的入射窗口处,外部光源入...

18、一种基于荧光薄膜的反射接收的紫外硅基探测器
[简介]: 本发明涉及一种用于宽波段硅基探测器的混合荧光薄膜的制备方法,用玛瑙研钵分别对Lumogen粉末和Coronene粉末进行研磨的前处理,处理后放入指定烧杯中;用*溶液作为溶剂,硝化棉胶体溶液作为粘合剂,制成悬浮胶体溶液;取...

19、一种用于宽波段硅基探测器的混合荧光薄膜的制备方法
[简介]: 一种基于锗镓碲硫卤玻璃薄膜的探测系统属于探测系统技术领域。以可调谐量子级联激光器作为光源、微纳波导结构的锗镓碲硫卤玻璃薄膜作为传感器、碲镉汞探测器作为接收器分析中*吸收光谱、中*光纤作为信号传输介质。本...

20、一种基于锗镓碲硫卤玻璃薄膜的探测系统
[简介]: 一种基于锗镓碲硫卤玻璃薄膜的探测系统及其搭建方法,属于探测系统技术领域。以可调谐量子级联激光器作为光源、微纳波导结构的锗镓碲硫卤玻璃薄膜作为传感器、碲镉汞探测器作为接收器分析中*吸收光谱、中*光纤作为信...

21、一种基于锗镓碲硫卤玻璃薄膜的探测系统及其搭建方法
[简介]: 本发明公开了一种p-型石墨烯薄膜n-型Ge肖特基结近*光电探测器及其制备方法,其特征是:以n-型Ge基底作为近*光电探测器的基区,在n-型Ge基底的下表面设置n-型Ge基底电极;在n-型Ge基底的上表面覆盖绝缘层,绝缘层的边...

22、p-型石墨烯薄膜n-型Ge肖特基结近*光电探测器及其制备方法
[简介]: 本发明公开了一种薄膜光电导探测器及其制备方法与应用。该薄膜光电导探测器,由下至上依次包括基底、载流子传输层、电极层和吸光层;电极层由位于同一层的正极层和负极层组成。该探测器结合了无机材料的高迁移率与有机材料的...

23、薄膜光电导探测器及其制备方法与应用
[简介]: 本发明涉及利用超声辅助物理气相沉积技术,生长多晶碘化汞薄膜,并在薄膜上制备了X射线探测器方法,属于以半导体材料制备的射线成像探测器技术领域。该发明解决了制作碘化汞薄膜技术,与射线探测器制备工艺问题。此技术以经...

24、基于多晶碘化汞薄膜的X射线探测器的制备
[简介]: 非制冷薄膜型*焦平面阵列探测器结构,包括含读出电路的第一基片,含热隔离微桥阵列和敏感元阵列的第二基片,所述第一基片与第二基片键合成一体,所述热隔离微桥阵列中的各热隔离微桥单元以刻蚀后的第二基片为桥墩,以与...

25、非制冷薄膜型*焦平面阵列探测器结构及其制备方法
[简介]: 本发明提供一种氧化物半导体薄膜探测器的制备方法及其应用,在基板上制备薄膜晶体管及光电二极管,其中,薄膜晶体管包括栅极、第一绝缘层、有源区、漏极、源极及第二绝缘层,光电二极管包括n极电极、n掺杂非晶硅层、本征非晶硅层...

26、氧化物半导体薄膜探测器的制备方法及其应用
[简介]: 一种微晶硅薄膜探测器结构,其由薄膜晶体管和光电二极管构成的有源像素以矩阵形式排列;所述有源像素由一个薄膜晶体管TFT和一个光电二极管构成;所述薄膜晶体管TFT包括由本征微晶硅薄膜和n掺杂微晶硅薄膜构成的有源区、位...

27、微晶硅薄膜探测器结构及其电路
[简介]: 一种微晶硅薄膜探测器的制备方法及其应用,包括以下步骤:在玻璃基板上沉积第一金属层,刻蚀以形成TFT栅极;沉积第一绝缘层;依次继续沉积本征微晶硅薄膜和n掺杂微晶硅薄膜,然后刻蚀以形成TFT有源区;继续沉积第二金属层,刻...

28、微晶硅薄膜探测器制备方法及其应用
[简介]: 本发明提供了一种基于PtTiSiO2Si衬底的宽波段薄膜型光电探测器。其特征在于,其中包括:一PtTiSiO2Si衬底;一导电类型为n型的Mn-Co-Ni-O薄膜;一导电类型为p型的Mn-Co-Ni-O薄膜;在导电类型为p型Mn-Co-Ni-O薄膜部分膜...

29、一种基于PtTiSiO2Si衬底的宽波段薄膜型光电探测器
[简介]: 本发明提供了一种基于PtTiSiO2Si衬底的宽波段薄膜型光电探测器的制备方法,其中包括:衬底的清洗,薄膜的生长,电极的制备。其特征在于采用湿化学法制备Mn-Co-Ni-O薄膜,选取醋酸锰、醋酸钴、醋酸镍为原料,以冰醋酸作溶剂,...

30、PtTiSiO2Si衬底的宽波段薄膜型光电探测器的制备方法
[简介]: 本发明涉及超声传播精确定向、测量。为对声表面波的传播方向精确定位,并同时检测不同位置处的声表面波信号,提高测量精度。本发明采取的技术方案是,基于PVDF压电薄膜LSAW定位的压电探测装置,由PVDF压电传感器和压电探头两...

31、基于PVDF压电薄膜LSAW定位的压电探测装置
[简介]: 本发明公开了一种基于新型PIN结构的薄膜有机光探测器及其制备方法与应用。该薄膜有机光电导探测器,包括基底,PIN结构光敏感层和在其上的图案化的电极层。该探测器结合了本征有机层(P层和N层)的高迁移率和有机异质结层(I层...

32、新型PIN结构的薄膜有机光探测器及其制备方法与应用
[简介]: 本发明公开了一种薄膜紫外光探测器及其制备方法与应用。该薄膜光电导探测器,包括基底和在其上的图案化的电极层,在所述图案化的电极层的正极和负极之间具有光敏感层,所述光敏感层包括氧化锌层和纳米金颗粒层。该探测器结...

33、薄膜紫外光探测器及其制备方法与应用
[简介]: 本发明涉及一种欧姆结构CdMnTe薄膜紫外光探测器的制备方法,属于紫外光探测器光敏材料及器件制造工艺技术领域。本发明是采用近空间升华方法制备CdMnTe薄膜,并制作CdMnTe薄膜欧姆结构紫外光探测器,为制作高性能的紫外光探...

34、一种欧姆结构CdMnTe薄膜紫外光探测器的制备方法
[简介]: 本发明涉及一种Si基CdZnTe薄膜紫外光探测器的制备方法,属于紫外光探测器光敏材料及器件制造工艺技术领域;本发明是采用近空间升华方法,在P型Si衬底上制备N型CdZnTe薄膜,形成CdZnTe薄膜Si异质结结构紫外光探测器,为制作...

35、一种硅基CdZnTe薄膜紫外光探测器的制备方法
[简介]: 本发明涉及一种利用磁力搅拌激励的垂直沉积技术生长多晶碘化汞薄膜的工艺,生长出来的多晶碘化汞薄膜作为过渡缓冲层,特别适合于X射线、Gama射线多晶碘化汞厚膜探测器的制备,本发明属化学液相沉积技术领域。本发明以27-二...

36、用于辐射探测器的多晶碘化汞薄膜的制备方法
[简介]: 具有钝化处理的宽禁带氧化物半导体薄膜层的紫外探测器及制备方法,属于半导体光电器件技术领域。探测器依次由衬底、经NH42S溶液钝化处理的光敏感宽禁带氧化物半导体薄膜层、金属叉指电极组成。其特征在于:首先采用溶胶凝...

37、具有钝化处理的宽禁带氧化物半导体薄膜层的紫外探测器及制备方法
[简介]: 本发明涉及一种CdMnTe薄膜紫外光探测器的制备方法,属于无机非金属材料器件制造工艺技术领域。本发明是采用近空间升华方法制备CdMnTe薄膜,并制作CdMnTe薄膜肖特基结构紫外光探测器,为制作高性能的紫外光探测器提供了新的...

38、一种CdMnTe薄膜紫外光探测器的制备方法
[简介]: 本发明涉及一种欧姆结构CdZnTe薄膜紫外光探测器的制备方法,属于无机非金属材料器件制造工艺技术领域。本发明是采用近空间升华方法制备CdZnTe薄膜,并制作CdZnTe薄膜欧姆结构紫外光探测器,为制作高性能的紫外光探测器提供...

39、一种欧姆结构CdZnTe薄膜紫外光探测器的制备方法
[简介]: 本发明公开了一种有机聚合物薄膜紫外光探测器及其制备方法,其为多层层状结构,从下至上依次为:衬底、透明导电阴极ITO、ZnO薄膜层、光活性层、空*传输层、金属阳极。此器件采用非真空全湿法制备工艺,结构采用反型结构,同时在...

40、一种有机聚合物薄膜紫外光探测器及其制备方法
[简介]: 本发明涉及一种基于镁镍氧化物薄膜的太阳盲探测器,包括沿竖直方向依次设置的衬底、镁镍氧化物薄膜和金属薄膜叉指电极,所述镁镍氧化物薄膜和金属薄膜叉指电极之间还设有导电层;其制备方法为:于超高真空环境中在衬底表面...

41、基于镁镍氧化物薄膜的太阳盲探测器及其制备方法
[简介]: 本实用新型公开了一种X荧光光谱仪探测器薄膜窗口支撑网架,包括支撑体和设置在支撑体上的支撑网,支撑体为具有厚度的板,在支撑体的中间设有楔形长槽,支撑网由丝线制成的网构成且设置在支撑体下部表面;在支撑体的厚度方向...

42、X荧光光谱仪探测器薄膜窗口支撑网架
[简介]: 本发明涉及一种CdZnTe薄膜肖特基结构紫外光探测器的制备方法,属于无机非金属材料器件制造工艺技术领域。本发明是采用近空间升华方法制备CdZnTe薄膜,并制作CdZnTe薄膜肖特基结构紫外光探测器,为制作高性能的紫外光探测器...

43、一种CdZnTe薄膜紫外光探测器的制备方法
[简介]: 本发明公开了一种基于蓝宝石衬底的宽波段薄膜型光电探测器的制备方法。其中包括:衬底的清洗,薄膜的生长,电极的制备。其特征在于采用湿化学法制备Mn-Co-Ni-O薄膜,选取醋酸锰、醋酸钴、醋酸镍为原料,以冰醋酸作溶剂,分别配制...

44、一种基于宝石衬底的宽波段薄膜型光电探测器的制备方法
[简介]: 本发明公开了一种基于蓝宝石衬底的宽波段薄膜型光电探测器。其特征在于,其中包括:一蓝宝石衬底;一导电类型为n型的Mn-Co-Ni-O薄膜;一导电类型为p型的Mn-Co-Ni-O薄膜;在导电类型为p型Mn-Co-Ni-O薄膜部分膜面上制作顶电极...

45、一种基于宝石衬底的宽波段薄膜型光电探测器
[简介]: 本发明属于半导体光电探测技术领域,具体涉及一种以NaTaO3薄膜为基体材料,以Au、Pt或Ni为金属电极的NaTaO3薄膜紫外光探测器及其制备方法。其是在金属钽片上生长一层NaTaO3薄膜,进而通过磁控溅射技术在覆盖有掩膜板的NaTa...

46、钽酸钠薄膜紫外光探测器及其制备方法
[简介]: 本发明涉及一种热敏薄膜*探测器制备方法,包括:在*探测器的读出电路上依次沉积牺牲层、热敏层和保护层,其中热敏层的材料为氧化钒,保护层的材料为氮化硅;同时对保护层和热敏层进行图形化;沉积介质层;刻蚀通孔和接触...

47、一种热敏薄膜*探测器制备方法
[简介]: 本发明公开了一种CsITl晶体薄膜直接耦合CCD的X射线阵列探测器,它利用CsITl晶体的荧光效应,将X射线转换成荧光后,直接耦合至CCD面元上进行感光,生成数字图象信号;CsITl晶体与CCD面元之间无需光纤或光锥导光,既减小...

48、CsIT1晶体薄膜直接集成CCD的X射线阵列探测器
[简介]: 本发明公开了n型掺杂ZnS准一维纳米结构光电导型紫外探测器及制备方法,其特征是紫外探测器自上而下依次由叉指电极,n型掺杂ZnS准一维纳米结构薄膜和绝缘衬底迭置而成。本发明紫外探测器以n型掺杂ZnS准一维纳米结构薄膜为...

49、n型掺杂ZnS准一维纳米结构薄膜光电导型紫外探测器及制备方法
[简介]: 本发明提供了一种二氧化钛介孔薄膜紫外光电探测原型器件的制作方法,其步骤主要包括制备溶胶、将陈化、煅烧制备TiO2介孔薄膜、镀钼电极,最终得到二氧化钛介孔薄膜紫外光电探测原型器件。本发明方法制备的TiO2介孔薄膜紫外光...

50、一种二氧化钛介孔薄膜紫外光电探测原型器件的制作方法
[简介]: 本发明涉及一种光学与监控装置。该装置由激光器、调制器、平面镜组、光电探测器、放大器和数据采集处理系统等组成,其特征在于:激光器(1)输出偏振光前方安置一调制器,经过调制的偏振光通过安置在光路上的1块以上平面平行光学...

51、自组装纳米TiO2薄膜紫外光探测器及其制备方法
52、自组装纳米TiO2薄膜紫外光探测器及其制备方法
53、TiO2-ZrO2复合氧化物薄膜紫外光探测器及其制备方法
54、增强式薄膜体声波谐振紫外光探测器
55、增强式薄膜体声波谐振紫外光探测器
56、用光反射差法探测和监控薄膜外延生长的装置
57、一种用于*探测器的氧化钒薄膜及其制作方法
58、基于镁锌氧化物薄膜的紫外光探测器及其制备方法
59、一种n型掺杂ZnO薄膜的快速响应紫外探测器的制作方法
60、一种错配层钴氧化合物热电薄膜光探测器
61、多晶碘化汞薄膜室温核辐射探测器的制备方法
62、一种新型热释电*探测器及其使用的复合薄膜探测元
63、有机聚合物薄膜紫外光探测器及其制备方法
64、锆钛酸铅薄膜*热成像探测器悬空结构的制作方法
65、钽酸锂薄膜*探测器及制法
66、制备*探测器光敏铅盐薄膜的方法
67、一种日盲区紫外探测器用的薄膜材料及其制造方法
68、改性*探测材料-非晶SiGe薄膜的制备方法
69、远*热辐射成像系统金属薄膜探测器表面喷碳涂层方法
70、复合薄膜作为*吸收层的热电堆*气体探测器及其加工方法
71、一种低温多晶硅薄膜晶体管探测器
72、一种低温多晶硅薄膜晶体管探测器及其制备方法
73、一种基于特殊掺杂的超导铌薄膜材料的纳米线单光子探测器的制备方法
74、碳纳米管薄膜微机械*探测器
75、用于X射线探测器的薄膜晶体管阵列衬底和X射线探测器
76、PN结薄膜晶体管非挥发光电探测器
77、ZnO纳米晶金刚石薄膜异质结光电探测器的制备方法
78、CVD金刚石薄膜探测器制作工艺
79、用于*探测的有机薄膜
80、一种有机薄膜紫外探测器
81、金刚石薄膜场效应光电探测器的制备方法
82、薄膜热敏电阻*线探测器
83、一种基于超导薄膜材料的单光子探测器及其制造方法
84、用于薄膜晶体管液晶显示器阵列测试的可配置式探测器
85、室温铁电薄膜*焦平面探测器的吸收层及制备方法
86、薄膜热敏电阻*探测器
87、一种铁电薄膜*探测器硅微桥腐蚀装置
88、一种铁电薄膜*探测器硅微桥腐蚀装置
89、集成式热释电薄膜*探测器
90、硅基薄膜晶体管室温*探测器
91、超薄膜*热释电探测器
92、通过式Ag-Bi薄膜激光探测器
93、聚偏氟乙烯薄膜激光辐射探测器

资料说明:
    1、资料都是原版专利技术全文,含技术员姓名、地址、技术原理、技术原文,技术配方、工艺流程、制作方法,设备原理、机械设计构造、结构说明图等。
    2、资料都是电子文档格式,可在电脑中阅读、放大缩小、打印,可以网传,也可以刻录在光盘中邮寄。欢迎联系咨询, 电话:028-87023516   18980857561客服QQ:853136199

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