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《氧化硅,氮化硅类专题技术光盘》

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1、形成氧化硅纳米图案的方法,形成金属纳米图案的方法以及使用其的信息存储用磁性记录介质
[简介]: 本发明涉及形成氧化硅纳米图案的方法、形成金属纳米图案的方法以及使用该纳米图案的信息存储用磁性记录介质,所述方法可易于形成纳米点或纳米孔型纳米图案,并且使得使用所述纳米图案形成的金属纳米图案等适用于信息存储...

2、形成氧化硅纳米图案的方法,形成金属纳米图案的方法以及使用其的信息存储用磁性记录介质
[简介]: 一种用DPN氮氧化硅作为SONOS存储介质层的方法,包括隧穿氧化层、存储介质层和阻挡氧化层,存储介质层由氮氧化硅构成,所述存储介质层在靠近阻挡氧化层的氮氧化硅中含有较多的氮,而在靠近隧穿氧化层的氮氧化硅中含有较多的...

3、用DPN氮氧化硅作为SONOS存储介质层的方法
[简介]: 本发明为了在HPLC柱、GC柱等的色谱仪中使用氧化硅单块体,提供作为分离介质能够简便地使用而以单块吸附剂、分离剂为主体,为了能够保护其外表面而包覆玻璃的方法及由该方法得到的分离介质。为此,单独地成型氧化硅单块体,用...

4、氧化硅单块体包覆方法和分离介质
[简介]: 本发明公开了一种氧化硅膜的形成方法,其特征在于:在等离子体处理装置的处理室内,使用含有1%以上的氧的处理气体,在133.3Pa以下的处理压力下形成等离子体,由所述等离子体,使在形成于被处理体的硅层上的凹部中露出的硅表...

5、氧化硅膜的制造方法、其控制程序、存储介质和等离子体处理装置
[简介]: 在由具有多个缝隙的平面天线将微波导入处理室内而产生等离子体的RLSA方式的等离子体处理装置100中,使得腔室内压力为67~667Pa、温度为300~600℃以下、微波功率为1000~3500W、作为处理气体而使用100~2000mLmin的Ar气体、1...

6、氧化硅膜的形成方法、半导体装置的制造方法及计算机存储介质
[简介]: 一种制造栅极介质层的方法,包括以下步骤:提供衬底100;在衬底的上表面105上形成二氧化硅层110;在还原气氛中执行等离子体氮化以将二氧化硅层转变为氧氮化硅层110A。这样形成的介质层可以用于制造MOSFET145。

7、制造氮化氧化硅栅极介质的方法
[简介]: 本发明公开了一种低介电常数绝缘介质氧化硅薄膜,该薄膜由具有通式为SiOxRy的材料制成;薄膜中的化学键是Si-O键、Si-C键和C-H键;薄膜含有纳米微孔。该薄膜的制备方法是:用单端基倍半硅氧烷有机物作为致孔模板与硅氧烷在有...

8、低介电常数绝缘介质氧化硅薄膜及其制备方法
[简介]: 提供一种包括包含高熔点金属氧化物或氧化硅的掩蔽层的具有超分辨率近场结构的高密度记录介质。更具体地讲,提供一种具有超分辨率近场结构的高密度记录介质,其包括依次堆叠的第二电介质层、记录层、保护层、掩蔽层、第一电介...

9、使用高熔点金属氧化物或氧化硅掩蔽层制造的具有超分辨率近场结构的高密度记录介质
[简介]: 包括含锗衬底的一种半导体器件,其中该半导体器件包括在半导体衬底的沟道区域上的栅极结构。该栅极结构可以包括与含锗衬底的上表面直接接触的氧化硅层、与氧化硅层直接接触的至少一个高-k栅极电介质层、以及与高-k栅极电介...

10、在用于CMOS器件的含锗沟道上对氧化硅和高K栅极电介质的无氧化锗的原子层沉积
[简介]: 一种含水抛光组合物,包含:A氧化铈磨料颗粒,和B选自通式I的水溶性和水分散性线性和支化聚氧化烯嵌段共聚物的两亲性非离子表面活性剂:R[B1mB2nY]pI,其中指数和变量具有如下含义:m、n和p为≥1的整数;R为氢原子或...

11、用于化学机械抛光包含氧化硅电介质和多晶硅膜的基底的含水抛光组合物和方法
[简介]: 发现了一种含水抛光组合物,所述含水抛光组合物包含:A至少一种磨料颗粒,当其分散于不含组分B且pH值为3-9的含水介质中时带正电荷,如电泳迁移率所证实的那样;B至少一种选自线性和支化氧化烯均聚物和共聚物的水溶性...

12、用于化学机械抛光包含氧化硅电介质和多晶硅膜的衬底的含水抛光组合物和方法
[简介]: 本发明揭示了一种氮氧化硅栅极电介质的形成方法,在位于由多晶硅栅极构成的栅极和硅基材之间的二氧化硅层中形成氮氧化物结构,该方法包括:在二氧化硅层中接近二氧化硅和硅基材的界面的位置形成基氮氧化层,该基氮氧化层具...

13、氮氧化硅栅极电介质的形成方法
[简介]: 本发明涉及一种二氧化硅介质化学机械抛光液的制备方法,该方法根据SiO2介质能和碱发生化学反应,抛光液选用碱性介质。该抛光液选用纳米SiO2磨料,磨料的浓度为4-50wt%,粒径40-100nm,以利于材料的去除及表面平整化。抛光液的...

14、二氧化硅介质化学机械抛光液的制备方法
[简介]: 本发明涉及一种用高压液态介质进行超临界干燥制备二氧化硅气凝胶的方法,它包括如下步骤:1、在pH=3-5的酸性条件下,加入四氯化硅和水搅拌反应,然后用氨水调节pH=8-10,再加入水和乙醇,进行水解-缩聚反应形成醇凝胶;2、...

15、用高压液态介质进行超临界干燥制备二氧化硅气凝胶的方法
[简介]: 本发明涉及一种制造用于涂覆喷墨记录基底210的聚合物粘合剂包封的二氧化硅颜料分散体的方法。该方法包括混合该分散体的第一组分来形成混合物,该第一组分包括粘合剂聚合物、处理剂和选自水、水可混溶性有机溶剂及其组合...

16、制造聚合物粘合剂包封的二氧化硅颜料分散体的方法和包括这样的分散体的涂覆介质
[简介]: 一种用于二氧化硅介质的抛光液,其特征在于它是由磨料、表面活性剂、pH值调节剂、氧化剂和去离子水混合组成,其中磨料占总重量的10~50%,表面活性剂占总重量的0.01~0.6%,pH值调节剂占总重量的1~6%,氧化剂占总重量的0.01~15%...

17、一种用于二氧化硅介质的抛光液及其制备方法
[简介]: 本发明涉及在太阳能电池制造中用于蚀刻表面的具有非牛顿流动性能的新型可印刷蚀刻介质及其用途。本发明还涉及既适合蚀刻无机层又适合掺杂底下层的蚀刻和掺杂介质。特别地,它们是相应的含粒子的组合物,借助该组合物可以在...

18、用于二氧化硅和氮化硅层的可印刷蚀刻介质
[简介]: 本发明首先涉及无HF氟化物的蚀刻和掺杂介质,其既适合蚀刻二氧化硅层又适合将下部硅层掺杂。其次,本发明涉及利用这些介质的方法。

19、用于二氧化硅层和下部硅层的蚀刻和掺杂组合介质
[简介]: 本发明涉及一种制备包括沉淀二氧化硅的聚集颗粒的材料的方法,其包括制备至少两种金属盐Me的溶液,其中金属离子是二价或者多价的。制备摩尔比SiO2M2O为1-4的碱金属M硅酸盐的溶液。混合所述溶液,搅拌混合物,使得凝聚物...

20、沉淀二氧化硅的聚集体,其制备方法和其在气体过滤中作为过滤器介质的用途
[简介]: 本发明涉及在太阳能电池生产中用于表面蚀刻的具有非牛顿流动性能的新颖可印刷蚀刻介质及其用途。本发明特别涉及对应的含粒子的组合物,通过该组合物可以蚀刻高度选择性的细结构而不损害或侵蚀相邻表面。

21、用于二氧化硅和氮化硅层的蚀刻的可印刷介质
[简介]: 一种超薄氮化硅二氧化硅叠层栅介质的制备方法,采用常规的低成本低压化学汽相沉积LPCVD方法来制备超薄Si3N4膜,得到性能优良的等效氧化层厚度EOT为1.9nm的超薄Si3N4SiO2stack栅介质。并在此基础上详细研究了Si3N4...

22、一种超薄氮化硅二氧化硅叠层栅介质的制备方法
[简介]: 一种多晶硅栅极结构包括衬底、设置在衬底上方的二氧化硅层、设置在二氧化硅层上方的氮掺杂的高-k介电层以及设置在氮掺杂的高-k介电层上方的多晶硅栅极。本发明还公开了一种带有氮掺杂的高-K电介质和二氧化硅的多晶硅栅极...

23、带有氮掺杂的高-K电介质和二氧化硅的多晶硅栅极
[简介]: 本发明公开了一种HDPCVD工艺淀积介质膜时减少二氧化硅的方法,所述方法采用HDPCVD工艺淀积介质膜,在打开反应腔阀门的步骤中不通入氧气,在加热反应腔的步骤的前期不通入氧气,后期开始通入氧气。作为对本发明的改进,所述...

24、HDPCVD工艺淀积介质膜时减少二氧化硅的方法
[简介]: 本发明提供一种在饮料中避免或减少异味的方法。合成了经硅烷处理的二氧化硅过滤介质。通过使饮料与硅烷处理的二氧化硅过滤器接触,使一种或多种异味物质或异味前体与硅烷处理的二氧化硅过滤介质结合而被除去。在储存期间产...

25、使用经硅烷处理的二氧化硅过滤介质避免或减少饮料中异味的方法
[简介]: 本发明提供从包含微粒和可溶性物质的样品中分离一种或多种感兴趣组分的方法。该方法包括以下步骤:a将样品过滤通过表面硅醇基团已与一种或多种硅烷反应而被活化的二氧化硅过滤介质,以及b同时俘获微粒和使可溶性组分...

26、使用经过硅烷处理的二氧化硅过滤介质分离样品中的组分的方法
[简介]: 本发明提供了在饮料中防止或减少霾产生的方法。合成了硅烷处理的二氧化硅过滤介质。通过将饮料与硅烷处理的硅滤器接触,一种或多种霾形成组分与硅烷处理的二氧化硅过滤介质结合,通过过滤除去。此外,过滤还可除去饮料中的微...

27、使用硅烷处理的二氧化硅过滤介质在饮料中防止或减少霾的方法
[简介]: 一种在微米级条形台面上制作二氧化硅介质膜的方法,其包括如下步骤:步骤1:首先,在微米级条形台面或其他形状的台面的样品上匀胶;步骤2:通过光刻技术实现在台面的顶面上胶膜窗口;步骤3:淀积介质膜;步骤4:采用剥离技术,完...

资料说明:
    1、资料都是原版专利技术全文,含技术员姓名、地址、技术原理、技术原文,技术配方、工艺流程、制作方法,设备原理、机械设计构造、结构说明图等。
    2、资料都是电子文档格式,可在电脑中阅读、放大缩小、打印,可以网传,也可以刻录在光盘中邮寄。欢迎联系咨询, 电话:028-87023516   18980857561客服QQ:853136199

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