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《薄膜,杆菌类专题技术光盘》

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1、一种取向生长的铁掺杂氮化钛铁磁性薄膜的制备方法
[简介]: 一种取向生长的铁掺杂氮化钛铁磁性薄膜的制备方法,采用超高真空三靶共沉积磁控溅射镀膜机制备,本步骤如下:1在镀膜机对向的靶头上安装一对Ti靶,在Ti靶的表面固定Fe片;2)将玻璃基底安装在对向靶连线的中垂线上;3)对溅射...

2、一种取向生长的铁掺杂氮化钛铁磁性薄膜的制备方法
[简介]: 本发明公开了多层同质生长铁酸铋薄膜材料,包括底电极和铁酸铋薄膜,所述底电极是镍酸镧薄膜,所述铁酸铋薄膜溅射生长在所述底电极上。本发明还公开了多层同质生长铁酸铋薄膜材料的制备方法,用磁控溅射法在硅基片上制备所...

3、多层同质生长铁酸铋薄膜材料及其制备方法
[简介]: 本发明公开了一种铁掺杂硅酸镓镧晶体及其熔体法生长方法,其分子式为La3Ga51-xFe5xSiO140<x<1,熔体法生长方法为:将La2O3、Ga2O3、Fe2O3、SiO2按一定的比例配制并充分混合好后,压制成形、高温烧结,成为晶体生长的初始原...

4、铁掺杂硅酸镓镧晶体及其熔体法生长方法
[简介]: 本发明公开了一种在铁基非晶粉末直接生长非晶碳纳米管的方法,属于纳米材料制备技术。该方法过程包括:将成分为Fe76Si9B10P5铁基非晶粉末摊铺在方舟中置于管式炉中心恒温区,通入氩气,完全排除空气,而后升温至反应温度,通...

5、在铁基非晶粉末上直接生长非晶碳纳米管的方法
[简介]: 本发明公开了一种在铁基非晶粉末上直接生长碳纳米洋葱的方法,属于纳米材料制备技术。该方法包括以下过程:将成分为Fe76Si9B10P5铁基非晶粉末均匀的摊铺在方舟的中,置于管式炉中心恒温区,将石英管密封。通入氩气,排除空气...

6、在铁基非晶粉末上直接生长碳纳米洋葱的方法
[简介]: 本发明涉及一种兽用复方*铁*液制备方法及对小鼠生长的影响,*液原料主要包括*铁、*铜、*锌、氯化钴、有机溶剂和水。本发明作为一种兽用专用复方制剂,在补铁的同时给予铜、锌和钴的补充,对...

7、兽用复方*铁*液制备方法及对小鼠生长的影响
[简介]: 一种导模提拉法生长纯及掺杂钇铁石榴石晶体的方法,是将内部带有纵向缝隙的导模模具放入坩埚中,再向坩埚中加入多晶原料,加热坩埚使多晶原料熔化,并使多晶原料的熔融体没过导模模具下部的缝隙,以使多晶原料的熔融体在毛...

8、一种导模提拉法生长纯及掺杂钇铁石榴石晶体的方法
[简介]: 一种导模提拉法生长铁酸钇晶体的方法,是将内部带有纵向缝隙的导模模具放入坩埚中,再向坩埚中加入多晶原料,加热坩埚使多晶原料熔化,并使多晶原料的熔融体没过导模模具下部的缝隙,以使多晶原料的熔融体在毛细管效应的作...

9、一种导模提拉法生长铁酸钇晶体的方法
[简介]: 本发明涉及磁光稀土铁酸盐晶体无坩埚生长方法,属于单晶生长领域。其特征是以氧化物为原料按照比例经过预烧、等静压成型和高温烧结得到原料棒,再将料棒置于无坩埚晶体生长炉中,在空气气氛中进行生长。本发明的特点在于,采...

10、磁光稀土铁酸盐晶体无坩埚生长方法
[简介]: 本发明公开了一种观察铁矿粉颗粒表面铁晶须生长过程的方法和装置,先将散状铁矿粉颗粒置于电加热片上,铁矿粉颗粒间互不接触,再将电加热片送入带透明视窗的腔体内并密闭;然后,向腔体内通入N2或Ar吹扫,同时对电加热片通电...

11、一种观察铁矿粉颗粒表面铁晶须生长过程的方法和装置
[简介]: 本发明公开了属于纳米材料制备技术领域的一种在硅基底上生长铁纳米线的方法。所用方法为直接蒸发法,原料为铁丝。制备时,首先将铁丝和洁净的硅基底置于真空钟罩中,使钟罩内气压达到10Pa以下。随后给铁丝通电加热,使之蒸发...

12、一种在硅基底上生长单晶铁纳米线的方法
[简介]: 本发明公开了一种分子铁电薄膜及其溶液浸泡生长方法。所述的薄膜为晶体薄膜,具备铁电性,其组成物质为有机-无机化合物分子铁电体。将分子铁电体溶液与清洁的基片相接触,并均匀地在基片上铺展且蒸发以获得均匀的薄膜,并将...

13、一种分子铁电薄膜及其溶液浸泡生长方法
[简介]: 本发明涉及一种三元系弛豫基铁电压电单晶及其生长方法,所述三元系弛豫基铁电压电单晶的化学组成为x AB<sup>1<sup><>12<>B<sup>2<sup><>12<>X<>3<>—y AB<sup>3<sup><>13<>B<sup>...

14、三元系弛豫基铁电压电单晶及其生长方法
[简介]: 晶粒c轴垂直膜面取向生长的钡铁氧体薄膜制备方法,属于微波铁氧体薄膜材料技术领域。本发明包括下述步骤:步骤1:基板清洗;步骤2:溅射制备AlN薄层;步骤3:溅射制备BaM薄膜;步骤4:对镀有AlN薄层的基板进行加热使其温度达到2...

15、晶粒c轴垂直膜面取向生长的钡铁氧体薄膜制备方法
[简介]: 本发明涉及铁皮石斛多糖在制备促毛发生长的药物中的应用,其中所述药物中铁皮石斛多糖的质量百分含量为0.1~5%。本发明所述药物中的铁皮石斛多糖能上调皮肤角质形成细胞(HaCaT细胞)血管内皮生长因子(VEGF)基因的表达,具有...

16、铁皮石斛多糖在制备促毛发生长的药物中的应用
[简介]: 本发明涉及用于铁皮石斛组培苗成活和生长的基质,其包含按照重量份计的下列成分:玉米粉25~35份、麦麸25~35份、锯末5~10份、糖5~10份、甘草0.1~0.3份、甘遂0.3~0.85份、和水95~105份。本发明所述的用于铁皮石斛组培苗成活和生长...

17、用于铁皮石斛组培苗成活和生长的基质
[简介]: 本发明涉及一种用于铁皮石斛种苗生长的植物调节剂,其包含按照重量份计的下列成分:玉米粉25~35份、麦麸25~35份、锯末5~10份、糖5~10份、防风0.1~0.3份、干姜0.3~0.85份、和水95~105份。本发明所述的用于铁皮石斛种苗生长的植物...

18、一种用于铁皮石斛种苗生长的植物调节剂
[简介]: 本发明涉及一种改变灰铸铁初生奥氏体生长形貌的变质剂及其制备方法和应用。所述变质剂的组成包括质量百分比10%~20%的钒、3%~5%的氮、10%~20%的硅、2%~5%的钙、2%~5%的铬,余量为铁。变质剂的制备方法是将含有钒、氮、铬、硅、钙元...

19、改变灰铸铁初生奥氏体生长形貌的变质剂及其制备方法和应用
[简介]: 本发明公开了新型弛豫铁电单晶PIMNT的坩埚下降法生长工艺,该发明属于单晶生长技术领域。以高纯度PbO、Nb2O5、In2O3、TiO2和4MgCO3·MgOH2ܪH2O为起始原料,通过前驱体分步合成法制备PIMNT多晶料,其化学组成为xPbIn12Nb1...

20、新型弛豫铁电单晶PIMNT的生长工艺
[简介]: 本发明涉及一种在金属镍基片上生长氧化物铁电薄膜的方法,包括如下步骤:步骤1:将抛光后的镍基片放入强氧化剂溶液中浸泡一定时间后形成一层致密的氧化镍过渡层,然后将镍基片取出清洗并风干;步骤2:将预先配置好的相应的氧...

21、一种在金属镍基片上生长氧化物铁电薄膜的方法
[简介]: 本发明涉及稀土正铁氧体(RFeO3)光磁功能晶体生长研究领域,光学浮区二次熔融法是此类材料在现阶段比较可行的一种全新的、高效的生长方法。它以高纯度的氧化铁、稀土氧化物为原料按照化学配比经过研磨、烧结、等静压等工艺流...

22、二次熔融法生长稀土正铁氧体光磁功能晶体的方法
[简介]: 本发明公开了一种铁皮石斛的快速生长栽培方法,将野生铁皮石斛原产地成熟的荫果种子带回后,放在干净的培养皿里,自然开裂后,将种子倒入洁净的烧杯里密封起来,存放于低温箱内;将储存的种子经过一定的消*程序,放入MS基本...

23、铁皮石斛的快速生长栽培方法
[简介]: 本发明公开了用于抑制氧化亚铁硫杆菌生长的缓释杀菌剂及其制备方法,属于矿山污染修复技术与应用领域。本发明将水溶性杀菌剂和高分子材料的*溶液滴入冷凝液中成球形缓释杀菌剂,杀菌剂外表面的高分子膜具有亲水性,可以...

24、用于抑制氧化亚铁硫杆菌生长的缓释杀菌剂及其制备方法
[简介]: 具有植物生长调节活性的二氢卟吩铁III螯合物及其作为植物生长调节剂的应用:分别具有如下结构:R=H、Na、K、CH3、C2H5;X=Cl、OCOCH3、OH。二氢卟吩铁III螯合物以焦脱镁叶绿酸、紫红素、二氢卟吩为主配体,不同酸根或氢氧根为轴...

25、具有植物生长调节活性的二氢卟吩铁III螯合物及其作为植物生长调节剂的应用
[简介]: 本发明提供一种在111PtTiSiO2Si100衬底上实现层状钙钛矿型Bi3.15Nd0.85Ti3O12铁电薄膜择优取向生长的溶胶-凝胶制备方法。具体步骤:①按摩尔比Bi∶Nd∶Ti=[3.15ࡧ.00~1.06]∶0.85∶3、称量BiNO33ܫH2O,Nd2O3和钛酸...

26、BNdT铁电薄膜择优取向生长的制备方法
[简介]: 本发明涉及牛乳铁蛋白在制备药物中的新用途,所述药物抑制个体中表达III型分泌系统的细菌病原体及肠凝集性大肠杆菌的生长和或预防或治疗其引起的感染。

27、牛乳铁蛋白在制备抑制细菌生长的药物中的用途
[简介]: 本发明提供了一种采用液相法生长铁磁性金属纳米颗粒过程中控制颗粒粒径的方法,属于磁性纳米材料技术领域。工艺步骤为:采用液相法,将反应物分成A、B两部分,A置于反应区,而与A不互溶的溶液E置于非反应区,反应区与非反应区...

28、一种铁磁性金属纳米颗粒液相生长过程中颗粒粒径的控制方法
[简介]: 钛酸铋钠钾系非铅铁电压电单晶及其生长方法与设备,属于晶体生长技术领域。单晶分子通式为:Na1-xKx0.5Bi0.5TiO3,其中x=0~1.0。按摩尔化学计量比,Na2CO3∶K2CO3∶Bi2O3∶TiO2=1-x∶x∶1∶4的基础上,Bi2O3过量15~20wt%,Na2...

29、钛酸铋钠钾系非铅铁电压电单晶及其生长方法与设备
[简介]: 本发明提供了一种铁电材料锆钛酸铅纳米薄膜结晶取向生长的晶化方法,它是通过射频溅射在PtTiSiO2Si的衬底上室温沉积得到非晶PZT薄膜,采用传统热处理和快速热处理两种晶化工艺相结合的方法在一定的氧气氛环境下使非晶...

30、铁电材料锆钛酸铅纳米薄膜结晶取向生长的晶化方法
[简介]: 本发明涉及一种新型弛豫铁电单晶铌锌酸铅-钛酸铅PZNT的两步法生长方法,特征在于:初始原料按1-xPbZn13Nb23O3-xPbTiO30<x<0.2的化学组成称量并混匀,在830-870℃预烧,然后与PbO助熔剂研磨混合均匀,装入铂金坩埚...

31、弛豫铁电单晶铌锌酸铅-钛酸铅的两步法生长方法
[简介]: 本发明涉及用低压金属有机化学气相沉积设备制备铁掺杂的硫化锌单晶薄膜。首先将清洗好的半导体衬底放入生长室内的石墨基座上,控制生长室压力为低压,将高纯氢气通入生长室,调节高频感应电源对石墨基座加热,在600℃下高温...

32、铁掺杂的硫化锌薄膜生长制备方法
[简介]: 高TC铁电薄膜取向控制生长方法及铁电存储器原型器件,利用脉冲激光沉积方法PLD在衬底上生长高TC铁电薄膜,生长的铁电薄膜主要为Bi3TiNbO9BTN和Bi3TiTaO9BTT,在薄膜的生长过程中外加一个与衬底表面垂直的静电场E,生...

33、高Tc铁电薄膜取向控制生长方法及铁电存储器原型器件
[简介]: 本实用新型公开的一种铁皮石斛人工栽培用的LED植物生长照明装置,其特征在于,包括LED灯盘和安装在所述LED灯盘上的若干620nm单色红光LED射灯和若干460nm单色篮光LED射灯,620nm单色红光LED射灯与460nm单色篮光LED射灯的数...

34、一种铁皮石斛人工栽培用的LED植物生长照明装置
[简介]: 本发明公开了一种生长速度快且耐铀和耐热能力强的氧化亚铁硫杆菌基因工程菌株制备方法和应用,该菌株为AcidithiobacillusferrooxidansQEY-6pJRD215-PT-rcs,CCTCCM209156,首先是pQE30的T5启动子和T0终止子的扩增,并...

35、一种生长速度快且耐铀和耐热能力强的氧化亚铁硫杆菌基因工程菌株制备方法和应用
[简介]: 本发明公开了一种生长速度快且耐铀和耐氟能力强的氧化亚铁硫杆菌基因工程菌株制备方法和应用,该菌株为AcidithiobacillusferrooxidansQEY-6pJRD215-PT-rcf,CCTCCM209155。首先是pQE30的T5启动子和T0终止子的扩增,并...

36、一种生长速度快且耐铀和耐氟能力强的氧化亚铁硫杆菌基因工程菌株制备方法和应用
[简介]: 一种MgO类磁性隧道结MTJ器件,其大体上包括铁磁性参照层、MgO隧道势垒和铁磁性*层。MgO隧道势垒的微结构是无定形或具有不良001面外织构的微晶,所述MgO隧道势垒是通过其后为氧化处理的金属Mg沉积或反应性溅射制备的...

37、用于无定形或微晶MgO隧道势垒的铁磁性优先晶粒生长促进籽晶层
[简介]: 本发明涉及一种稀土铁氧体磁光材料RFeO3晶体R为Y、Gd、Tm、Nd、Sm、Eu、Ho、Yb等稀土元素的生长方法,属于单晶生长领域。即R2O3和Fe2O3形成的初烧料与PbO+PbF2+B2O3复合助熔剂混合均匀后,放入铂金坩埚内气密后,将坩埚置于下降...

38、一种稀土铁氧体磁光晶体生长方法
[简介]: 本发明提供一种可用于肿瘤早期诊断和药物传输系统的载体蛋白——人表皮生长因子铁蛋白重链亚基融合蛋白、构建方法及其用途。该融合蛋白是将人表皮生长因子融合于铁蛋白重链亚基蛋白的N端。本发明的融合蛋白具有很好的人表皮...

39、人表皮生长因子铁蛋白重链亚基融合蛋白、构建方法及其用途
[简介]: 本发明提供一类新的可用于肿瘤早期诊断和药物传输系统的载体蛋白——抗人表皮生长因子受体单链抗体-铁蛋白重链亚基蛋白、构建方法及其用途。该融合蛋白是将抗人表皮生长因子受体通过基因工程的方法外接于铁蛋白重链亚基蛋...

40、抗人表皮生长因子受体单链抗体-铁蛋白重链亚基蛋白、构建方法及其用途
[简介]: 本发明涉及一种控制铁电薄膜取向生长技术。本发明基于铌酸锂具有自发极化这一事实提出了用外加电场诱导铌酸锂薄膜取向生长的方法。在薄膜生长系统中垂直于薄膜的方向施加一个低电场,使生长中的薄膜铁电畴沿电场方向取向...

41、一种用电场诱导铌酸锂铁电薄膜取向生长的方法及装置
[简介]: 本发明公开了一种铁电聚合物分子空间排列可控的薄膜生长方法,该方法是利用朗格缪尔LB技术,溶剂采用二甲基亚砜简称DMSO,溶质采用聚合物PVDF-TrFE,其特征是:在利用朗格缪尔设备提拉过程中采用交替来回旋转一角度提...

42、铁电聚合物分子空间排列可控的薄膜生长方法
[简介]: 一种能有效发挥NGF临床疾病防治作用的偶联物,其制备工艺是首先分别从哺乳动物血浆及眼镜蛇*中用生化方法提取纯化Tf及NGF,再用蛋白偶合剂使Tf与NGF偶联形成Tf-NGF偶联物,用层析法清除偶合剂及非结合部分的Tf、NGF,得Tf...

43、转铁蛋白Tf-神经生长因子NGF偶联物的制备方法
[简介]: 一种利用种膜作籽晶液相外延生长铁电厚膜的方法,首先按照通常铌镁酸铅-钛酸铅PMNT或铌锌酸铅-钛酸铅PZNT晶体生长采用的组分进行氧化物原料配料,然后把配好的粉料在玛瑙球磨罐中球磨并进行煅烧,最后将煅烧后的粉料...

44、利用种膜作籽晶液相外延生长铁电厚膜的方法
[简介]: 本发明涉及作为Ⅲ-V族氮化物半导体薄膜淀积用晶格匹配衬底的改进的方铁矿结构氧化物。它包括锂铝氧化物(LiAlO2)、钠铝氧化物(NaAlO2)、锂镓氧化物(GaA1O2)、钠镓氧化物(NaGaO2)、锂锗氧化物(Li2GeO3)、钠锗氧化物(Na2GeO3)、钠...

资料说明:
    1、资料都是原版专利技术全文,含技术员姓名、地址、技术原理、技术原文,技术配方、工艺流程、制作方法,设备原理、机械设计构造、结构说明图等。
    2、资料都是电子文档格式,可在电脑中阅读、放大缩小、打印,可以网传,也可以刻录在光盘中邮寄。欢迎联系咨询, 电话:028-87023516   18980857561客服QQ:853136199

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