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《低温多晶硅,薄膜晶体管类专题技术光盘》

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1、低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法、低温多晶硅薄膜晶体管
[简介]: 本发明涉及低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法及利用该方法制备的低温多晶硅薄膜晶体管,在基板上生成缓冲层,图案化多晶硅层,对多晶硅层进行一定量的离子注入或者不注入以形成薄膜晶体管的沟道区;沉积栅极绝缘层,第一离子...

2、低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法、低温多晶硅薄膜晶体管
[简介]: 本发明涉及显示面板制造领域,公开了一种低温多晶硅的制作方法,其包括:在衬底基板上沉积缓冲层;在所述缓冲层上沉积非晶硅层,在形成非晶硅层后进行高温处理;根据所述非晶硅层的厚度分布情况分为多个能量区进行激光退火处...

3、低温多晶硅的制作方法、低温多晶硅薄膜和薄膜晶体管
[简介]: 本发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管制造方法,包括:在基板上形成多晶硅层;在多晶硅层上依序形成具有氧化硅和氮化硅层叠结构的栅绝缘层以及栅极层;在栅极层上形成图案化光致抗蚀剂;对基板进行等离子体蚀刻和反应离子...

4、低温多晶硅薄膜晶体管制造方法
[简介]: 本发明提供一种用于低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法,包括:形成多晶硅主动层,以便在基板上定义出多晶硅主动区;形成图案化的透明导电氧化物金属层,用以定义出漏极掺杂区与源极掺杂区;形成栅极金属层;采用离子植入制程,形...

5、一种用于低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
[简介]: 本发明公开了一种低温多晶硅基板制作方法,涉及显示技术领域,该方法包括以下步骤:在衬底上形成缓冲层;在所述缓冲层上形成若干孔洞;在形成孔洞后的所述缓冲层上形成低温多晶硅。本发明还公开了一种低温多晶硅基板。本发明...

6、低温多晶硅基板及其制作方法
[简介]: 本发明提供一种低温多晶硅晶体管的制作方法,包括以下步骤:步骤1、在基板上形成低温多晶硅层,并图案化该低温多晶硅层;步骤2、在低温多晶硅层上形成第一绝缘层;步骤3、在第一绝缘层上依次形成第一、第二与第三金属层,并通过...

7、低温多晶硅晶体管的制作方法
[简介]: 本发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法,该低温多晶硅薄膜晶体管包括开关薄膜晶体管与驱动薄膜晶体管,该驱动薄膜晶体管的结构由下至上依次为缓冲层、多晶硅、栅极绝缘层、栅极、介电层与钝化层,并在介电层以及...

8、一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法
[简介]: 本发明提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置,属于显示技术领域。其中,所述阵列基板包括由低温多晶硅经过等离子体处理后形成的有源层。本发明的技术方案在利用低温多晶硅形成有源层时,对低温多晶...

9、低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置
[简介]: 本发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法,该低温多晶硅薄膜晶体管至少包括一栅极绝缘层,所述栅极绝缘层为复合绝缘层,该复合绝缘层包括至少三层介电层,其中,各层介电层的致密性按照制造过程中形成的顺序依次...

10、一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
[简介]: 来自脉冲式光纤激光器的激光脉冲被导引至非晶硅层以通过重复的熔化和再结晶而产生包括结晶区域的无序排列的多晶硅层。可使用在10kHz至10MHz的重复率下、在约500nm与1000nm之间的波长范围下的约0.5到5ns的激光脉冲持续时...

11、用于低温多晶硅结晶的短脉冲光纤激光器
[简介]: 本发明提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置,属于薄膜晶体管制造工艺领域。所述低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板,包括有接触孔,所述阵列基板的源电极、漏电极通过所述接触孔分别与有源层连接,其中...

12、低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置
[简介]: 本发明属于多晶硅提纯领域,具体涉及一种应用于冶金法提纯多晶硅工艺的低温破碎硅锭方法,其特征在于将介质熔炼、定向凝固或电子束熔炼提纯得到的硅锭,经降温至300~400℃时,放入到20~80℃的水或油中,且液面超过硅锭上表面,...

13、应用于冶金法提纯多晶硅工艺的低温破碎硅锭方法
[简介]: 本发明公开了一种低温多晶硅显示装置及其制作方法,包括:在基板之上方形成金属屏蔽层;在金属屏蔽层之上方形成与金属屏蔽层绝缘的多晶硅层;在多晶硅层之上方分别形成相互绝缘的公共电极层和像素电极层,并且使所述像素电...

14、一种低温多晶硅显示装置及其制作方法
[简介]: 本发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法,所述低温多晶硅薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极,所述源极和漏极之间有沟道隔开,所述栅极和源极、漏极之间形成有多晶硅硅岛图案,其中,所述沟道处的多晶硅硅岛图案上至...

15、低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
[简介]: 本发明提供一种LTPSTFT阵列基板及其制作方法,该LTPSTFT阵列基板包括:基板;栅电极,形成于基板上方;栅绝缘层,覆盖于基板和栅电极上方;有源层,形成于栅绝缘层对应栅电极的上方;源漏电极,形成于有源层上方;像素电极,形成...

16、低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
[简介]: 本发明实施例提供一种低温多晶硅TFT阵列基板及其制造方法,涉及液晶显示器及AMOLED显示器制造领域,减少了构图工艺处理次数,从而简化了制造流程,降低了制造成本。其方法为:在基板上形成缓冲层;在所述缓冲层上形成多晶硅层...

17、一种低温多晶硅TFT阵列基板及其制造方法
[简介]: 本发明涉及生产低温多晶硅薄膜晶体管的方法,属于光电领域。本发明所解决的技术问题是提供了一种生产成本更低的生产低温多晶硅薄膜晶体管的方法。本发明生产低温多晶硅薄膜晶体管的方法包括如下步骤:a、沉积缓冲氧化层或缓...

18、生产低温多晶硅薄膜晶体管的方法
[简介]: 本发明为一种低温多晶硅薄膜晶体管制造方法,该方法为在一基板上形成一非晶硅层,接着对该非晶硅层进行去氢处理,此时即使非晶硅层成为一微晶粒状,其后在该微晶粒状的非晶硅层上再形成一层未微晶粒化的非晶硅层,再接着对...

19、低温多晶硅薄膜晶体管制造方法
[简介]: 本发明公开了一种形成设备和形成方法,其能生产不经历晶粒尺寸波动并且具有均匀的晶粒尺寸的低温多晶硅膜。形成掩模,使得激光束阻断区域和激光束透射区域以网状图案排列,以便彼此不相邻。通过掩模,利用微透镜,使用激光束...

20、用于形成低温多晶硅膜的装置和方法
[简介]: 本发明是有关于一种低温多晶硅薄膜晶体管、其制备方法及显示设备,尤指在制备过程中,于源极及漏极与第一导电层间形成一金属薄膜层,经由此金属薄膜层与构成源极以及漏极的多晶硅产生反应,形成金属硅化物,则可于低温下活化...

21、低温多晶硅薄膜晶体管、其制备方法及显示设备
[简介]: 本发明实施例提供一种低温多晶硅TFT阵列基板的制造方法,涉及液晶显示器制造领域,通过使用半透式掩摸或灰色调掩摸工艺,有效减少了利用掩膜板曝光的次数,从而降低了工序复杂度,在缩短了加工时间的同时降低了加工成本。其...

22、一种低温多晶硅TFT阵列基板的制造方法
[简介]: 本发明提供一种基于退火工艺的多晶硅薄膜材料的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:选定衬底,在该衬底上形成具有凹槽的第一阻挡层;步骤2:在所述第一阻挡层上依次形成金属诱导层、第二层阻挡层和非晶硅层;步骤3...

23、一种基于退火工艺的低温多晶硅薄膜材料的制造方法
[简介]: 本发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管LTPSTFT阵列基板及其制作方法,所述阵列基板包括:基板、有源层、源漏电极、栅绝缘层、栅电极、像素电极和保护层;其中,所述LTPSTFT为顶栅型TFT,所述有源层和其上方的导电结构是通过...

24、低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
[简介]: 本发明公开了一种从低温熔体中连续拉晶提纯多晶硅的方法及专用装置,该方法是将硅与一种或几种低熔点金属加热熔融形成合金熔体,通过专用的水冷提拉装置使硅晶体从合金熔体中不断析出,而使大部分B、P及其他杂质留于合金熔...

25、一种从低温熔体中连续拉晶提纯多晶硅的方法及专用装置
[简介]: 本发明提供一种基于金属吸附技术的多晶硅薄膜材料的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:选定衬底,在该衬底上形成具有凹槽的第一阻挡层;步骤2:在所述第一阻挡层上依次形成金属诱导层、第二层阻挡层、非晶硅层和金...

26、一种低温多晶硅薄膜材料的制造方法
[简介]: 本发明涉及一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制造方法,尤其涉及一种有源矩阵有机发光显示器阵列基板的制造方法。本发明技术方案采用点阵激光源对非晶硅层的TFT区域进行定点结晶形成多晶硅沟道。采用这种结晶工艺可以节...

27、一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制造方法
[简介]: 一种薄膜晶体管的制造方法,其包括下列步骤:首先,于基板上形成非晶硅层。接着,于此非晶硅层上形成第一栅绝缘层。之后,进行退火工艺,以使上述非晶硅层熔融后再结晶而成为多晶硅层。然后,图案化此第一栅绝缘层与多晶硅层,以...

28、薄膜晶体管及低温多晶硅薄膜晶体管之多晶硅层的制造方法
[简介]: 本发明提供一种低温多晶硅薄膜的制作方法和低温多晶硅薄膜,用以制作表面粗糙度较低、晶粒尺寸较大且分布均匀的低温多晶硅薄膜。该制作方法包括:在基板上形成一缓冲层;在所述缓冲层上,采用图案形成工艺形成晶核位置均匀分...

29、一种低温多晶硅薄膜的制作方法和低温多晶硅薄膜
[简介]: 本发明提供一种低温多晶硅薄膜的制作方法,包括:提供具有缓冲氧化层的玻璃基板;在缓冲氧化层之上依序形成非晶硅层和覆盖非晶硅层的保护层;对非晶硅层进行高温加热,并对非晶硅层进行准分子激光退火,形成多晶硅层;对多晶...

30、低温多晶硅薄膜的制作方法
[简介]: 本发明揭示一种用于制造薄膜晶体管“TFT”装置之方法,其包括:提供基板;在该基板上形成图案化第一金属层;在该图案化第一金属层上方形成绝缘层;在该绝缘层上方形成非晶硅层;在该非晶硅层上方形成第一多晶硅层;在该第一多...

31、低温直接沉积多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
[简介]: 本发明公开了一种低温多晶硅薄膜及其制备方法、薄膜晶体管和显示装置,用于解决采用现有的ELC技术制备的多晶硅薄膜均匀性较差的问题。本发明提供的制备方法包括:在基板上形成缓冲层;通过构图工艺,在基板的缓冲层上形成非...

32、低温多晶硅薄膜及其制备方法、薄膜晶体管和显示装置
[简介]: 本发明涉及一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法,该制造方法利用灰阶光罩形成低温多晶硅薄膜晶体管的源极和漏极。本发明提供的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法,与现有非晶硅薄膜晶体管生产工艺相兼容,无需注入工艺,而且...

33、低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
[简介]: 本发明提供一种低温多晶硅薄膜的制备方法,该方法首先在基板上形成缓冲层和非晶硅层,随后对非晶硅层进行第一次激光退火处理,使非晶硅层转变为多晶硅生长底层,随后对多晶硅生长底层进行蚀刻处理,使第一次激光退火处理过...

34、一种低温多晶硅薄膜的制备方法及低温多晶硅薄膜
[简介]: 本发明公开了一种低温多晶硅薄膜的制备方法,提供一基板,将其置于基台上,在基板上形成缓冲层;在缓冲层上形成非晶硅层,对非晶硅层进行高温处理和激光退火,使非晶硅层形成为多晶硅层;在基板上形成缓冲层之前,在基板下表面...

35、低温多晶硅薄膜制备方法、薄膜晶体管及其制备方法
[简介]: 本发明提供一种低温多晶硅薄膜制作方法、薄膜晶体管制作方法,属于薄膜晶体管制造工艺领域。其中,该低温多晶硅薄膜的制作方法包括:形成非晶硅薄膜;在预设温度下对所述非晶硅薄膜进行多次快速热退火,形成低温多晶硅薄膜,所...

36、低温多晶硅薄膜制作方法、薄膜晶体管制作方法
[简介]: 一种制造低温多晶硅薄膜晶体管的方法,其包含提供一个基体;于基体上形成一个图案化第一导体层;于图案化第一导体层上形成一层第一绝缘层;于第一绝缘层上形成一层多晶硅薄膜层;于多晶硅薄膜层上形成一层第二绝缘层;将多晶...

37、低温多晶硅薄膜晶体管结构及其制造方法
[简介]: 本发明涉及一种低温多晶硅的液晶显示结构及其制造方法;该结构包括基板,其具有多个像素区域,各像素区域具有控制区域、电容区域和显示区域,该结构先在基板上形成透明电极,并在透明电极上,且分别在控制区域、电容区域及显示...

38、低温多晶硅液晶显示结构及其制造方法
[简介]: 一种显示面板,包括一基板;一多晶硅层,形成于基板上,且多晶硅层利用一固相结晶法结晶而成;一氮氧化硅SiON层,形成于多晶硅层上,且氮氧化硅层的折射率约为1.46至1.9;和一栅极gateelectrode,形成于氮氧化硅层上。

39、低温多晶硅薄膜晶体管显示面板及其制造方法
[简介]: 本发明公开了一种低温多晶硅薄膜的制备方法,包括生长非晶硅薄膜层的步骤,首先在所述非晶硅薄膜层上生长一氧化硅层;然后在所述氧化硅层上制备多个凹形弧面,所述凹形弧面可使垂直照射于所述氧化硅层的激光束发生折射;最...

40、低温多晶硅薄膜及其制备方法、晶体管
[简介]: 本发明涉及液晶显示技术领域,尤其是一种低温多晶硅薄膜的制备方法,包括如下步骤:步骤一:在基板上从下至上依次生长缓冲层和非晶硅层;步骤二:加热所述非晶硅层使之温度高于室温,并对所述非晶硅层进行预清洗;步骤三:采用...

41、低温多晶硅薄膜的预清洗方法及其制备方法、制作系统
[简介]: 本实用新型是关于一种低温多晶硅薄膜晶体管基板,其包括一基板及形成于该基板上的一多晶硅薄膜层,该多晶硅薄膜上形成驱动电路区域与显示面板区域,其中,该驱动电路区域形成多个驱动电路,该显示面板区域形成多个像素单元...

42、低温多晶硅薄膜晶体管基板
[简介]: 本发明涉及一种铝在低温下诱导非晶硅制备多晶硅薄膜的方法,其属于多晶硅薄膜制备技术领域。利用金属铝的催化作用,在低温下通过两步退火法,将非晶硅薄膜诱导晶化为多晶硅薄膜,以减少金属沾污。其主要技术方案是:首先在玻...

43、铝在低温下诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法
[简介]: 本发明的实施例提供了一种低温多晶硅薄膜及其制备方法、薄膜晶体管及其制备方法和显示面板,涉及液晶显示技术,为减少晶界及缺陷,提高薄膜晶体管的质量而发明。所述低温多晶硅薄膜的制备方法包括:所述低温多晶硅薄膜由纳米...

44、低温多晶硅薄膜、薄膜晶体管、其制备方法及显示面板
[简介]: 本发明是有关于一种用于显示影像的系统及低温多晶硅的激光退火方法。该低温多晶硅的退火方法,用于一玻璃基板,该玻璃基板上形成有第一金属层及硅膜层,退火方法包括下列步骤:将一波长大于400奈米的激光束照射硅膜层,硅膜...

45、用于显示影像的系统及低温多晶硅的激光退火方法
[简介]: 本发明实施例提供的一种低温多晶硅薄膜的制作方法,涉及液晶面板制造领域,用以减小了多晶硅薄膜在使用过程中产生的漏电流,从而提高产品质量。该低温多晶硅薄膜的制作方法包括:在基板上依次沉积缓冲层和非晶硅层;对所述非...

46、一种低温多晶硅薄膜的制作方法
[简介]: 一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法,包括以下步骤:提供基板;接着,形成缓冲层于基板上;然后,形成低表面*能材料于缓冲层上;接着,形成第一非晶硅层于低表面*能材料上;然后,以激光回火法全熔第一非晶硅层,并致使液...

47、低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
[简介]: 本发明公开了一种用非晶硅低温诱导制备多晶硅薄膜的方法,属于薄膜太阳能电池技术领域,现有金属诱导法结晶速率较慢,本发明是在基板上自下而上依次沉积硅化钛纳米线层和非晶硅薄膜层,由所述的硅化钛纳米线层诱导非晶硅薄...

48、多晶硅薄膜及用非晶硅低温诱导制备多晶硅薄膜的方法
[简介]: 一种制造低温多晶硅晶体管的多晶硅的组合设备工具,是由分别独立的一化学气相沉积腔体、一物理气相沉积腔体、至少一加载互锁真空腔体以及连接上述各腔体的一转移腔体结合而成,其配置由转移腔体连接各个腔体与加载互锁真空...

49、制造低温多晶硅晶体管的多晶硅的组合设备工具
[简介]: 一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法,在一绝缘基板上形成欲作为N-TFT和P-TFT的多晶硅岛状物;依序沉积一栅极绝缘层和一栅极金属层;图案化栅极金属层以形成N-TFT的栅极金属和P-TFT的栅极金属罩;对多晶硅岛状物进行N-离子...

50、低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法
[简介]: 一种低温多晶硅薄膜的制造方法,其方法首先在基板上形成一层非晶硅层,接着,对非晶硅层进行回火制程,使得非晶硅层转变成多晶硅层多晶硅薄膜,其中在回火的过程中,在多晶硅层的表面会形成数个突起物。接着,对多晶硅层进行...

资料说明:
    1、资料都是原版专利技术全文,含技术员姓名、地址、技术原理、技术原文,技术配方、工艺流程、制作方法,设备原理、机械设计构造、结构说明图等。
    2、资料都是电子文档格式,可在电脑中阅读、放大缩小、打印,可以网传,也可以刻录在光盘中邮寄。欢迎联系咨询, 电话:028-87023516   18980857561客服QQ:853136199

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