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《太阳电池,n型硅类专题技术光盘》

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1、一种具有N型硅埋层的部分绝缘层上硅LDMOS晶体管
[简介]: 本发明公开了一种具有N型硅埋层的部分绝缘层上硅LDMOS晶体管,所述晶体管结构自下而上依次含有一衬底层;一部分氧化层,其中左半部分为硅窗口,右半部分为埋氧层;一硅膜层以及一器件顶层。本发明公开的具有N型硅埋层的部分...

2、一种具有N型硅埋层的部分绝缘层上硅LDMOS晶体管
[简介]: 本发明公开了一种P-型碳量子点N-型硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法,其特征是以N-型硅基底层作为太阳能电池的基区,在N-型硅基底层的下表面设置In-Ga合金金属膜背电极层;在N-型硅基底层的上表面设置N-型硅纳...

3、P-型碳量子点N-型硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法
[简介]: 本发明公开了一种P+NP+N+型硅闸流保护二极管及其制备方法。它的步骤为:在N型硅单晶片的正、反两表面上扩散入P型半导体杂质硼,形成P+NP+型硅扩散片;在P+NP+型硅扩散片的正表面上扩散入N+型半导体杂质磷,形成P+NP+N+型硅扩...

4、一种P+NP+N+型硅闸流保护二极管及其制备方法
[简介]: 本发明公开了一种N型硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法。硼扩散方法包括以下步骤:沉积阶段,将湿法刻蚀后的硅片放入扩散炉内升温,并通入氮气、氧气和硼源对硅片进行表面沉积;扩散阶段,将表面沉积后的硅片升...

5、N型硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法
[简介]: 本发明公开了一种N型硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法。硼扩散方法包括以下步骤:沉积阶段,将湿法刻蚀后的硅片放入扩散炉内升温至890℃~920℃,之后通入氮气、氧气和硼源使其硅片表面进行沉积;扩散阶段,在氮气...

6、N型硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法
[简介]: 本发明公开了一种N型硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法。硼扩散方法包括以下步骤:沉积阶段,将湿法刻蚀后的硅片放入扩散炉内升温至预定沉积温度,并通入硼源、氧气和氮气使其在硅片表面进行沉积;推进扩散阶段...

7、N型硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法
[简介]: 本发明公开了一种N型硅太阳能电池的双面扩散工艺,包括以下步骤:1)背光面硼吸杂;2)硼硅玻璃去除;3)硅片受光面硼扩散形成*极。采用本发明提供的N型硅太阳能电池的双面扩散工艺简单易行,且可改善N型硅太阳能电池的电性...

8、一种N型硅太阳能电池的双面扩散工艺
[简介]: 本发明公开了一种N型晶体硅太阳能电池的制备方法,包括如下步骤:1采用N型单晶硅为衬底,清洗、制绒;2在硅片的背面的电极区域印刷硼浆,烘干、退火后形成硼掺杂PN结,同时在硅片背面形成氧化层;3单面磷扩散;4对硅片的...

9、一种N型晶体硅太阳能电池的制备方法
[简介]: 本发明公开了一种应用于N型晶体硅太阳能电池的背场铝浆及其制备方法,由下列重量份数的各组份组成:氮气雾化*65~85份、有机粘结剂15~30份、玻璃粉0.5~3份、助剂0.5~3份,所述氮气雾化*为球形*中位径D50:1.0~2.5μm,...

10、应用于N型晶体硅太阳能电池的背场铝浆及其制备方法
[简介]: 本发明涉及一种N型晶体硅的制备方法,包括以下步骤:向坩埚内投入含有N型掺杂剂的硅料,其中所述坩埚侧壁内侧涂覆有P型掺杂补偿剂涂层,所述P型掺杂补偿剂涂层的位置在所投入的含有N型掺杂剂的硅料熔化后的硅液表面与硅液...

11、N型晶体硅及其制备方法
[简介]: 一种改进用于光伏设备中的硅基板的方法,包括以下步骤:提供n型硅太阳能电池基板,其具有块并呈现一个前表面和一个后表面;以及通过液相涂布在所述前表面和后表面上形成电介质层;其中,形成在后表面的所述电介质层能够作为...

12、一种改良n型硅基板的方法
[简介]: 本发明涉及一种在N型硅衬底上快速形成P-N结的方法,包括以下步骤:1)硅片的前期处理;2)硼源扩散快速形成P型*结;3)酸腐蚀液或腐蚀性浆料腐蚀单面P型*结;4)热氧化法生成SiO2膜;5)酸腐蚀液或腐蚀性浆料腐蚀非*极面...

13、一种在N型硅衬底上快速形成P-N结的方法
[简介]: 一种N型重掺磷母合金硅棒制备工艺,步骤包括,选用一台单晶炉,采用20”石墨热场和20”石英坩埚,装料量70公斤硅多晶,加热熔化;将520克“N”高纯赤磷装入石英掺杂器中;将适应掺杂器装在籽晶卡口,升入单晶炉副室中导气,再打开翻...

14、一种N型重掺磷母合金硅棒制备工艺
[简介]: 本实用新型公开了一种全覆盖铝背*结的N型晶硅太阳电池。本实用新型包括单晶或者多晶硅片,以及其上印刷的银正电极,在硅片背面印刷有铝背主栅线,在铝背主栅线上印刷有银背主栅线或银铝背主栅线,银背主栅线或银铝背主栅...

15、一种全覆盖铝背*结的N型晶硅太阳电池
[简介]: 一种大电流N型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管,包括:P型衬底,在P型衬底上设有埋氧层,在埋氧层上设有N型外延层,在N型外延层内部设有N型缓冲阱区、P型体区和N型中心缓冲阱区,在N型缓冲阱区内设有P型漏区,在P型体区中设...

16、一种大电流N型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管
[简介]: 本发明公开了一种N型晶体硅双面光伏电池的制备方法,利用离子注入工艺与扩散工艺的结合,或单独使用离子注入工艺,制作受光面的PN结和背场。省去了现有工艺中的多次扩散和掩膜的过程,简化了现有的双面光伏电池制备工艺,降...

17、一种N型晶体硅双面光伏电池的制备方法
[简介]: 为解决现有技术术N型高阻硅外延材料制备方法存在的高阻外延层电阻率不能满足要求和易导致4寸或6寸晶圆的碎裂等问题,本发明提出一种N型特高阻硅反外延材料制备方法,采用高剂量掺杂技术在N型特高阻硅单晶的抛光面外延生...

18、N型特高阻硅反外延材料制备方法
[简介]: 本实用新型提供了一种N型晶体硅高效双面电池片,包括P形硅,P形硅的两侧分别设置有反射极和聚集电极,其特征在于在所述P形硅与反射极之间设置有N+层,所述P形硅与聚集电极之间设置有P+层硼扩散膜。本实用新型可以有效抑制入...

19、N型晶体硅高效双面电池片
[简介]: 本发明公开了一种N型太阳能硅单晶料的制备方法,包括如下步骤:加料、熔化、缩颈生长、放肩生长、等径生长和收尾。本发明在N型太阳能硅单晶料制备过程中直接观察制备情况,为控制硅单晶料的外形提供了有利条件,利用控制提拉速...

20、一种N型太阳能硅单晶料的制备方法
[简介]: 本发明公开了一种N+N型黑硅新结构。该结构以黑硅材料为光敏吸收层,梳状电极和平面金属电极分别为上、下电极。利用飞秒激光脉冲轰击或湿法刻蚀结合离子注入的方法制备的N+型黑硅光敏吸收层能够吸收紫外-可见光-近*波段...

21、一种N+N型黑硅新结构及制备工艺
[简介]: 本实用新型公开了一种N型掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池器件,其中,本征非晶硅钝化层沉积在N型晶体硅衬底的正面上;重掺杂P型非晶硅层沉积在本征非晶硅钝化层的上表面上;正面透明导电膜层沉积在重掺杂P型非晶硅层的上...

22、N型掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池器件
[简介]: 本发明公开了一种N型掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池器件,其中,本征非晶硅钝化层沉积在N型晶体硅衬底的正面上;重掺杂P型非晶硅层沉积在本征非晶硅钝化层的上表面上;正面透明导电膜层沉积在重掺杂P型非晶硅层的上表面...

23、N型掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池器件
[简介]: 一种抗闩锁N型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管,包括:N型衬底,在N型衬底上设有埋氧,在埋氧上设有N型外延层,在N型外延层的内部设有N型缓冲阱和P型体区,在N型缓冲阱内设有P型阳区,在P型体区中设有N型阴区和P型体接触区...

24、一种抗闩锁N型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管
[简介]: 本发明涉及一种具有N型P型硅基异质结太阳能电池,是在P型N型重掺杂非晶硅膜与正面AZO透明导电电极之间沉积一层Al2O3薄膜,同时本征非晶硅层在N型P型重掺杂非晶硅膜与背面AZO透明导电电极之间沉积一层Al2O3薄膜。Al2O3...

25、具有N型P型硅基异质结太阳能电池
[简介]: 本发明公开了一种N型硅衬底的双PIN结双面太阳能电池,包括N型硅衬底,N型硅衬底上下两个表面上均制成绒面,N型硅衬底上表面绒面上自下而上依次高温硼扩散掺杂沉积隔离层ISiO2、P型掺杂层、隔离层I和P+型掺杂层四层结构;最...

26、一种N型硅衬底的双PIN结双面太阳能电池
[简介]: 本发明公开了一种N型硅衬底加有机晶体双面异质结太阳能电池片,包括N型硅衬底,N型硅衬底上表面实现硼磷分层梯度扩散掺杂,并用隔离层I将各层隔开,形成IP+IN结构,背面直接清洗并用磷扩散,再低温沉积P型BWB有机晶体。磷扩散...

27、一种N型硅衬底加有机晶体双面异质结太阳能电池片
[简介]: 本实用新型公开了一种N型硅衬底加有机晶体双面异质结太阳能电池片,包括N型硅衬底,N型硅衬底正面设有绒面,绒面上依次设有隔离层I、P+型掺杂层、隔离层I和N型掺杂层;N型硅衬底背面也设有绒面,绒面上依次设有隔离层I、N+型掺...

28、一种N型硅衬底加有机晶体双面异质结太阳能电池片
[简介]: 本实用新型公开了一种N型硅衬底的双PIN结双面太阳能电池,包括N型硅衬底,N型硅衬底上下两个表面上均设有绒面,N型硅衬底上表面绒面上自下而上依次设有隔离层I、P型掺杂层、隔离层I和P+型掺杂层的四层结构;且最上一层设有S...

29、一种N型硅衬底的双PIN结双面太阳能电池
[简介]: 本实用新型涉及一种N型硅衬底背接触型式HIT太阳电池结构,N型硅衬底受光面由内到外依次为n+型晶硅层、减反射层的叠层结构;N型硅衬底背光面最内层为n+型晶硅层,在背光面n+型晶硅层沉积的薄膜分为两种结构,两种结构之间相...

30、N型硅衬底背接触型式HIT太阳电池结构
[简介]: 本实用新型涉及一种基于N型硅衬底背接触式HIT太阳电池结构,其结构为:N型硅衬底受光面由内而外依次为受光面n型非晶或微晶硅层、减反射层;背光面由内而外依次为本征非晶或微晶硅层,p型非晶或微晶硅层和背光面n型非晶或微...

31、基于N型硅衬底背接触式HIT太阳电池结构
[简介]: 本发明涉及一种基于N型硅衬底背接触式HIT太阳电池结构和制备方法,其结构为:N型硅衬底受光面由内而外依次为受光面n型非晶或微晶硅层、减反射层;背光面由内而外依次为本征非晶或微晶硅层,p型非晶或微晶硅层和背光面n型非...

32、基于N型硅衬底背接触式HIT太阳电池结构和制备方法
[简介]: 本发明涉及一种N型硅衬底背接触型式HIT太阳电池结构和制备方法,N型硅衬底受光面由内到外依次为n+型晶硅层、减反射层的叠层结构;N型硅衬底背光面最内层为n+型晶硅层,在背光面n+型晶硅层沉积的薄膜分为两种结构,两种结构...

33、N型硅衬底背接触型式HIT太阳电池结构和制备方法
[简介]: 本发明涉及一种基于n型硅片的金属贯穿式背*极晶硅太阳电池。包括n型晶硅硅片衬底、SiNx膜层、SiO2膜层、浅掺杂n+层、p型接触电极、局部接触*极p+层、激光烧结孔、前接触电极、重掺杂n++层、贯穿孔以及n型接触电极。n型晶硅...

34、一种基于n型硅片的金属贯穿式背*极晶硅太阳电池及其制备方法
[简介]: 本实用新型提供了一种N型太阳能电池硅片,硅片的表面设置有主栅线和与之相导通的多条辅栅线,主栅线上设置有至少一部分为由多条传导栅线构成的栅线组。辅栅线用于将N型太阳能电池硅片表面生成的光生载流子收集并传递至主...

35、N型太阳能电池组件及N型太阳能电池硅片
[简介]: 一种N型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型器件,包括:N型衬底,在N型衬底上设有埋氧,在埋氧上设有N型外延层,在N型外延层的内部设有N型缓冲阱和P型体区,在N型缓冲阱内设有P型阳区,在P型体区中设有N型阴区和P型体接触区,在N型外...

36、一种N型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型器件
[简介]: 一种N型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型器件,包括:N型衬底,在N型衬底上设有埋氧,在埋氧上设有N型外延层,在N型外延层的内部设有N型缓冲阱和P型体区,在N型缓冲阱内设有P型阳区,在P型体区中设有N型阴区和P型体接触区,在N型外...

37、一种N型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型器件
[简介]: 本实用新型涉及一种低阻欧姆接触的N型硅晶体管管芯,属于晶体管管芯技术领域。主要特点是在硅片背面的中掺杂层与电极间设置磷离子构成的高掺杂层,本实用新型在硅片背面通过注入1�cm-2的磷离子,经退火后分布在0.2μm的...

38、低阻欧姆接触的N型硅晶体管管芯
[简介]: 本发明公开了一种用于显示重掺N型直拉硅单晶空洞型缺陷的腐蚀液,由摩尔浓度为0.2~0.25molL的三氧化铬溶液和质量浓度为40%~49%的氢氟酸按体积比为2∶3~3∶2混合制成。该腐蚀液适用范围广,可以用于掺杂浓度为1.6�.1×...

39、一种用于显示重掺N型直拉硅单晶空洞型缺陷的腐蚀液
[简介]: 本发明提供了一种N型晶硅太阳能电池及其制备方法。该制备方法包括扩散制结、刻蚀、沉积减反射层、印刷及烧结步骤,在扩散制结步骤之前包括选择性背场的制备过程,选择性背场的制备过程包括:1在硅片基体上扩散形成一层浅掺杂...

40、N型晶硅太阳能电池及其制备方法
[简介]: 本发明提供了一种N型晶硅太阳能电池及其制作方法。该N型晶硅太阳能电池包括:N型基体;硼*极,设置在N型基体的正表面上;第一钝化层,设置在硼*极远离N型基体的表面上,第一钝化层包括从内向外设置的氧化硅膜、氧化铝膜...

41、N型晶硅太阳能电池及其制作方法
[简介]: 一种抗闩锁N型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管,包括:N型衬底,在N型衬底上设有埋氧,在埋氧上设有N型外延层,在N型外延层的内部设有N型缓冲阱和P型体区,在N型缓冲阱内设有N型漏区,在P型体区中设有N型源区和P型体接触区...

42、一种抗闩锁N型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管
[简介]: 一种竖直的基于GaN的蓝光LED具有n型GaN层,n型GaN层直接生长于低电阻层LRL上,而低电阻层LRL生长于硅基板之上。在一个范例中,LRL为具有厚度小于300nm的周期的低方块电阻GaNAlGaN超晶格。在超晶格上生长n型GaN层减少了...

43、具有生长于硅基板上的低缺陷N型层的发光二极管
[简介]: 本发明公开了一种N型双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法,包括如下步骤:1制绒;2在硅片的正面和背面均设置氧化膜;3印刷腐蚀浆料,腐蚀去除位于硅片背面的非通孔方块区域的氧化膜;所述硅片背面的通孔方块区域包括...

44、N型双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法
[简介]: 本发明公开了一种N型双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法,包括如下步骤:1制绒;2在硅片背面的通孔方块区域设置阻挡层;所述阻挡层为二氧化硅乳胶,采用丝网印刷或喷墨的方法进行设置;所述硅片背面的通孔方块区域包...

45、一种N型双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法
[简介]: 本发明公开了一种N型晶体硅双面背接触太阳电池的制备方法,包括如下步骤:1清洗、制绒;2在硅片背面进行局部磷掺杂;3在硅片的正面进行硼扩散;4刻蚀周边结;5对硅片的正面和背面或硅片的正面进行钝化;6对硅片的...

46、N型晶体硅双面背接触太阳电池的制备方法
[简介]: 本发明公开了一种晶体硅太阳电池扩散方法,具体涉及一种N型晶硅太阳电池双面扩散方法,包括以下步骤:1.晶硅表面制绒;2.非受光面印刷硼浆;3.烘干;4.非受光面面对面紧贴,两两一组,放入扩散炉;5.扩散炉内通入硼源进行硼扩散...

47、一种N型晶硅太阳电池双面扩散方法
[简介]: 本发明公开了一种P+、N+型杂质双扩散制造硅二极管的方法。包括如下步骤:1在N型均匀掺杂的硅单晶片的表面上扩散入N型半导体杂质,得到N+N型扩散片。2在N+N型扩散片的表面上扩散入P+型半导体杂质,得到P+N+N型扩散片。3...

48、一种P+、N+型杂质双扩散制造硅二极管的方法
[简介]: 本发明涉及一种提高N型硅单晶边缘少数载流子寿命的装置和方法。本装置是专门用于大投料量生长高寿命大直径N型硅单晶的热场装置。本装置为导流筒,包括导流内筒、隔热层及石墨导流外筒,隔热层置于导流内筒和石墨导流外筒之...

49、一种提高N型硅单晶边缘少数载流子寿命的装置和方法
[简介]: 本发明公开了一种掺杂电阻率均匀的N型铸造硅单晶及其制备方法,其中方法包括如下步骤:将无位错的原料单晶硅块铺满坩埚底部,再将多晶硅料、磷掺杂剂和镓放入坩埚中,升温熔融多晶硅料、磷掺杂剂、镓和靠近多晶硅的部分原料单...

50、一种掺杂电阻率均匀的N型铸造硅单晶及其制备方法
[简介]: 本发明公开了一种掺杂电阻率均匀的N型直拉硅单晶及其制备方法,其中方法包括如下步骤:将多晶硅料、磷掺杂剂和镓混合后熔融,再利用直拉法生长硅单晶体。利用本发明方法制备得到的掺杂电阻率均匀的N型直拉硅单晶可以将N型直...

51、一种掺杂电阻率均匀的N型铸造硅多晶及其制备方法
52、一种掺杂电阻率均匀的N型铸造硅多晶及其制备方法
53、N型晶体硅背*结太阳能电池的制备方法及腐蚀液
54、薄膜非晶硅-N型晶体硅异质结叠层太阳能电池
55、方酸单根纳米线和N型硅异质结光电探测器及制备方法
56、基于SE选择性*结的N型衬底微晶硅异质结电池的制备方法
57、用直拉区熔法制备6英寸N型太阳能硅单晶的方法
58、一种N型太阳能电池硅晶体圆形电池片的制造方法
59、一种N型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管
60、一种N型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管
61、基于激光掺杂制备*极的n型晶体硅太阳电池的制备方法
62、N型衬底硅太阳能电池
63、N型衬底硅太阳能电池及其生产方法
64、N型单晶硅的制造方法及掺磷N型单晶硅
65、一种N型晶体硅太阳能电池
66、N型聚丙烯酰胺\P型硅异质三态输出PN结及制造方法并采用该PN结的二极管
67、P型聚丙烯酰胺\N型硅异质三态输出PN结及制造方法并采用该PN结的二极管
68、P型聚丙烯酰胺\N型硅异质三态输出PN结及采用该PN结的二极管
69、N型聚丙烯酰胺\P型硅异质三态输出PN结及采用该PN结的二极管
70、无栅线N型晶体硅太阳能电池
71、n型太阳能电池用硅及添加有磷的硅的制造方法
72、一种N型硅太阳能电池
73、带有正面钝化N型扩散层的N型硅太阳能电池
74、N型直拉硅单晶的工艺方法
75、一种新型IBC结构N型硅异质结电池
76、一种新型IBC结构N型硅异质结电池及制备方法
77、一种N型晶体硅太阳电池的硼扩散方法
78、一种N型晶体硅太阳能电池用PN结制备方法
79、钝化N型硅太阳能电池的P型掺杂层的方法及电池结构
80、绝缘体上硅的N型横向绝缘栅双极晶体管
81、绝缘体上硅的N型横向绝缘栅双极晶体管及其制备方法
82、一种N型硅太阳能电池
83、区分PN型硅料的显色溶液和区分方法
84、一种绝缘体上硅可集成大电流N型组合半导体器件
85、一种提高电流密度的N型绝缘体上硅横向器件
86、一种提高电流密度的绝缘体上硅N型半导体组合器件
87、一种提高电流密度的绝缘体上硅N型半导体组合器件
88、一种绝缘体上硅可集成大电流N型组合半导体器件
89、一种提高电流密度的N型绝缘体上硅横向器件及其制备工艺
90、一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法
91、一种n型晶体硅的制备方法
92、光辅助电化学腐蚀方法加工N型硅微通道阵列用腐蚀液
93、一种n型晶体硅太阳电池的制备工艺
94、一种N型晶体硅局部铝背*极太阳电池的制备方法
95、一种用于N型硅外延片电阻率测量前的表面热处理工艺
96、绝缘体上硅的横向N型绝缘栅双极晶体管
97、改善N型和P型栅极多晶硅接触的方法
98、基于丝网印刷工艺的制作高效双面N型晶体硅太阳电池的方法
99、少子寿命大于等于1000微秒的N型太阳能硅单晶生长工艺
100、包括铌掺杂n型外延层的碳化硅肖特基结型核电池的制造方法
101、N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
102、N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
103、N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
104、一种硅薄膜太阳电池用宽带隙N型纳米硅材料及制备方法
105、高压N型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管
106、N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
107、一种提高碳化硅外延片片内n型掺杂浓度均匀性的方法
108、一种用于n型硅的透明导电阴极接触结构
109、一种高击穿电压的N型纵向碳化硅金属氧化物半导体管
110、一种N型横向碳化硅金属氧化物半导体管
111、单晶等外品N型硅片制造太阳能电池片的方法
112、n型硅光辅助电化学腐蚀装置
113、N型直拉单晶硅的制备方法
114、N型硅表面区域选择性电化学沉积铜微结构的制备方法
115、测量半导体硅材料PN型及电阻率的多功能测试仪
116、非晶硅钝化N型背接触电池及其制备方法
117、一种测量N型硅片少子寿命的钝化方法
118、一种基于N型硅片倾斜金属接触结构的异质结太阳电池
119、N型衬底的单面引出电极晶体硅电池及制造方法
120、N型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
121、一种N型单晶硅电池透明背板太阳能组件
122、一种N型单晶硅衬底PN结反型层电池
123、一种N型单晶硅衬底PN结反型层电池及其制造方法
124、N型少子寿命大于1000微秒太阳能硅片制造方法
125、N型单晶硅光伏电池组件中的折反射胶膜及其制造方法
126、提高N型单晶硅光伏电池发电效率的组件
127、N型单晶硅光伏电池组件中的折反射胶膜
128、提高N型单晶硅光伏电池发电效率的组件及其制造方法
129、基于N型硅片的背接触异质结太阳电池结构
130、基于N型硅片的背接触异质结太阳电池
131、N型射频LDMOS中多晶硅P型沉阱的制造方法
132、一种冶金法N型多晶硅片磷吸杂方法
133、一种冶金法N型多晶硅片硼吸杂方法
134、基于N型硅片的碲化镉半导体薄膜异质结太阳电池
135、N型隐埋沟道的碳化硅DEMOSFET器件及制备方法
136、基于N型硅片的背接触式HIT太阳能电池结构
137、基于N型硅片的背接触式HIT太阳能电池制备方法
138、聚苯胺n-型单晶硅复合电极材料及其制备方法
139、含氧的n-型β-硅化铁FeSi2及其制造方法
140、一种N型多晶硅电池片
141、一种N型多晶硅电池片及其生产方法
142、N型硅太阳能电池
143、N型超结VDMOS中多晶硅P型柱的形成方法
144、带浮置埋层的碳化硅高压N型金属氧化物半导体管
145、带浮置埋层的碳化硅高压N型金属氧化物半导体管及方法
146、形成交替的P型和N型单晶硅结构的方法
147、基于N型硅片的黄铜矿类半导体薄膜异质结太阳电池
148、非晶碳膜n型硅双向电压诱导开关
149、用于制造n型单晶硅太阳能电池的方法以及根据这样的方法制造的太阳能电池
150、提高n型硅原位掺杂载流子浓度的方法
151、新型铝背*结N型单晶硅太阳电池
152、新型铝背*结N型单晶硅太阳电池
153、使用硅烷作为前驱体制备n-型半导体材料的方法
154、丝网印刷铝背*结N型单晶硅太阳电池
155、制造n型多晶硅太阳能电池的方法
156、含硅型N-取代烷氧基受阻胺化合物及其制备方法
157、n型单晶硅片的表面处理方法
158、在硅晶片上制备n+pp+型或p+nn+型结构的方法
159、N-型硅片上制造太阳能电池的方法
160、N型基体单晶硅太阳电池
161、一种用于硅基薄膜太阳能电池的新型复合n层薄膜
162、CMOS工艺兼容栅控p-n结正向注入型硅发光器件及其制作方法
163、降低N型掺杂和非掺杂多晶硅栅极刻蚀后形貌差异的方法

资料说明:
    1、资料都是原版专利技术全文,含技术员姓名、地址、技术原理、技术原文,技术配方、工艺流程、制作方法,设备原理、机械设计构造、结构说明图等。
    2、资料都是电子文档格式,可在电脑中阅读、放大缩小、打印,可以网传,也可以刻录在光盘中邮寄。欢迎联系咨询, 电话:028-87023516   18980857561客服QQ:853136199

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