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《氮化硅膜,硅膜类专题技术光盘》

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1、沉积氮化硅膜的方法、晶硅太阳能电池及其制作方法
[简介]: 本发明提供了一种沉积氮化硅膜的方法、晶硅太阳能电池及其制作方法。该沉积氮化硅膜的方法采用平板式PECVD沉积氮化硅膜,平板式PECVD的带速为180~200cmmin,平板式PECVD的腔室包括2n条气路,n为1<n<5的整数,硅片依次通过平...

2、沉积氮化硅膜的方法、晶硅太阳能电池及其制作方法
[简介]: 本发明公开了一种在制造晶体硅太阳能电池的过程中,在硅片表面同时形成PN结和氮化硅减反射膜的方法,该方法中,硅片制绒清洗后用低压化学气相沉积方法在硅片表面沉积一层含0.1%~5%掺杂元素的氮化硅薄膜,在氮化硅薄膜沉积...

3、同时形成晶体硅太阳能电池PN结和氮化硅减反射膜的方法
[简介]: 本发明涉及等离子增强循环沉积氮化金属硅膜的方法,具体涉及在等离子环境中按照循环膜沉积使用金属氨基化物、硅前体和氮源气体作为前体形成氮化金属硅膜的方法。在衬底上形成氮化金属硅膜的沉积方法包含以下步骤:脉冲加入...

4、等离子增强循环沉积氮化金属硅膜的方法
[简介]: 本发明提供了一种氮化硅膜沉积设备和沉积方法,该氮化硅膜沉积设备包括两个或两个以上的反应腔,以及连接在反应腔之间的缓冲腔,反应腔与缓冲腔之间形成真空连接。该氮化硅膜沉积方法包括以下步骤:将硅片基体送入上述的氮...

5、氮化硅膜沉积设备和沉积方法
[简介]: 本发明公开了一种多层氮化硅减反膜太阳能电池制作方法,包括:提供一待处理硅片;在所述硅片受光面上依次沉积至少两层氮化硅减反膜;其中,沉积减反膜时,当硅烷与氨气混合均匀后再对气体等离子化,进行减反膜沉积;在沉积下一...

6、一种多层氮化硅减反膜太阳能电池制作方法
[简介]: 本实用新型公开了一种能够使各种制程气体混合均匀的氮化硅膜制备装置。该氮化硅膜制备装置,包括真空沉积室,真空沉积室内设置有多个等离子反应器,真空沉积室上设置有进气口与抽气口,所述进气口上连接有气体混合装置,所述...

7、氮化硅膜制备装置
[简介]: 本发明公开了一种能够使各种制程气体混合均匀的氮化硅膜制备装置。该氮化硅膜制备装置,包括真空沉积室,真空沉积室内设置有多个等离子反应器,真空沉积室上设置有进气口与抽气口,所述进气口上连接有气体混合装置,所述气体...

8、氮化硅膜制备装置
[简介]: 本发明是一种多层氮化硅膜的制备方法,按如下步骤进行:A.将经过制绒、扩散、刻蚀后的晶体硅用管式PECVD沉积,得到高折射率氮化硅减反膜;B.得到高折射率氮化硅减反膜后,关闭硅烷流量1-2分钟,同时保持氨气流量和射频功率不变...

9、一种多层氮化硅膜的制备方法
[简介]: 本发明公开了一种双层氮化硅减反射膜及其制备方法。该双层氮化硅减反射膜由上、下两层氮化硅膜构成,下层氮化硅膜厚度为10nm~15nm,折射率为2.2~2.5,上层氮化硅膜厚度为70nm~75nm,折射率为2.0~2.05。制备时,取抛光单晶硅片...

10、双层氮化硅减反射膜及其制备方法
[简介]: 本发明涉及一种氮化硅膜的方法,尤其涉及一种用等离子激发形成氮化硅膜的方法。该方法的核心是工艺沉积腔,工艺沉积腔内设置有一个或多个平行放置的等离子源,工艺沉积腔上还设置有使等离子源形成高密度等离子体的射频能源...

11、用等离子激发形成氮化硅膜的方法
[简介]: 本实用新型提供了一种氮化硅膜沉积设备,该氮化硅膜沉积设备包括两个或两个以上的反应腔,以及连接在反应腔之间的缓冲腔,反应腔与缓冲腔之间形成真空连接。通过在多个反应腔内分步生成多层厚度和折射率不同的氮化硅膜,能...

12、氮化硅膜沉积设备
[简介]: 一种多弧离子镀钛铝铬硅钇氮化物多组元超硬反应膜的制备方法,依次包括1.沉积技术的确定及靶材成分的设计;2.合金靶的制备;3.工件试样的选择与前处理;4.电弧源数量的确定;5.沉积工艺的确定;6.过渡层的获得;7.真空加热处...

13、多弧离子镀钛铝铬硅钇氮化物多组元超硬反应膜的制备方法
[简介]: 本发明提供用于在基板表面上沉积碳化硅膜的方法。该方法包括使用气相碳硅烷前体,且该方法可使用等离子体增强原子层沉积工艺。该方法可在小于600℃的温度下实施,例如介于约23℃与约200℃之间或在约100℃下。然后,可致密化该碳...

14、用于沉积碳化硅和碳氮化硅膜的设备和方法
[简介]: 本发明实施例公开了一种镀氮化硅减反射膜的方法,包括:向炉管充氮气,将插有硅片的石墨舟放进该炉管;保持炉内温度c1;进行压力测试,保证压力恒定;氨气吹扫及预沉积,温度为c1,氨气体积为4~5L,射频功率为2000~3000w,时间为...

15、镀氮化硅减反射膜的方法
[简介]: 本发明涉及一种用于太阳能电池的双层氮化硅减反射膜,包括:硅片,硅片上覆有第一膜体,在第一膜体上覆有第二膜体,第一膜体、第二膜体的材料为氮化硅,第一膜体的折射率高于第二膜体,其制备方法为:经清洁后的硅片在PECVD设备...

16、一种用于太阳能电池的双层氮化硅减反射膜及其制备方法
[简介]: 一种用于晶体硅太阳电池的双层氮化硅薄膜及其制备方法,它涉及一种晶体硅太阳电池生产的技术领域。它由两个具有不同折射率的氮化硅子层薄膜组成,并且在一次PECVD沉积过程中获得。两个子层中,与硅片接触的第一子层内层比...

17、一种用于晶体硅太阳电池的双层氮化硅薄膜及其制备方法
[简介]: 本发明公开了一种非现场情况下处理氮化硅膜以保证其高张应力的方法,其中,提供一第一模腔、一第二模腔,所述第二模腔内充满等离子体还原剂,在第一模腔中进行半导体器件的应力膜沉积;之后将半导体器件移至第二模腔,第二模...

18、非现场情况下处理氮化硅膜以保证其高张应力的方法
[简介]: 本发明公开一种双层氮化硅减反射膜制备方法,其特征在于:制备步骤包括:(1)在晶体硅太阳电池正面沉积第一层氮化硅膜,厚度为10nm-20nm;(2)在步骤(1)制备的第一层氮化硅膜上沉积第二层氮化硅膜,厚度为60nm-70nm。本发明制备...

19、双层氮化硅减反射膜制备方法
[简介]: 本发明公开了一种管式PECVD双层氮化硅膜的制备工艺,属于多晶硅的制备领域。本发明的具体步骤为:首先,石英炉管升温;接着,镀第一层氮化硅膜、镀第二层氮化硅膜,最后出舟。本发明的制备工艺与现有的制备工艺相比省去了镀膜前...

20、一种管式PECVD双层氮化硅膜的制备工艺
[简介]: 本发明公开了一种磁控溅射制备氮化硅膜的方法,该方法将基体预处理后放入磁控溅射镀膜设备中,以平面硅靶作为硅元素的来源,通过调整功率来控制硅靶的溅射率;采用高纯氩气作为主要离化气体,保证有效的辉光放电过程;采用高...

21、一种磁控溅射制备氮化硅膜的方法
[简介]: 本发明公开了一种双层氮化硅减反膜的制作方法,按如下步骤进行A将经过清洗制绒、扩散、刻蚀后的晶体硅用管式PECVD沉积,得到高折射率氮化硅减反膜;B得到高折射率氮化硅减反膜后,关闭硅烷流量1-2分钟,同时保持氨气流量和射...

22、一种双层氮化硅减反膜的制作方法
[简介]: 本发明是一种在硅衬底上实现氮化镓薄膜低温沉积的方法。包括有如下步骤:1对ECR等离子体空间分布进行诊断;2对ECR等离子体的基团进行*光谱分析;3在硅衬底上先沉积一层TiN过渡层;4在硅衬底上制备掺杂渐变结构的AlN...

23、在硅衬底上实现氮化镓薄膜低温沉积的方法
[简介]: 本发明公开了一种使用OTB设备沉积氮化硅梯度渐变膜的方法,包括5个source源,其特征在于:控制source源的电流,将1号、2号、3号source源的电流设置为85A~90A;将4号、5号source源的电流设置为95A~100A。本发明提高氮化硅膜的钝...

24、一种使用OTB设备沉积氮化硅梯度渐变膜的方法
[简介]: 本文中的实施方式涉及等离子体增强化学气相沉积方法以及在衬底上沉积氮化硅的设备。所公开的方法提供氮化硅膜,其具有适合用于特定应用如垂直存储器件的湿法蚀刻率例如在稀氢氟酸或热磷酸中。另外,所述方法提供的氮化...

25、用于半导体器件应用的氮化硅膜
[简介]: 本发明提供一种新型的TEM样品支持膜的制作工艺,具体步骤为:通过在硅基片的一面沉积氮化硅薄膜,另一面沉积掩膜层得到SiNxSiMask结构;然后采用微加工工艺制作腐蚀图形。采用本发明中所公开的TEM样品支持膜的制作工艺,其...

26、新型TEM样品支持膜氮化硅窗口的制作工艺
[简介]: 本发明属于晶体硅太阳能电池技术领域,具体涉及一种改良的晶硅太阳能电池减反膜制备方法。传统的制备方法用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备出的SiNx减反膜由于其相对较高的沉积速率导致了SiNx减反膜的致密性和均...

27、一种改良的晶硅太阳能电池氮化硅减反膜制备方法
[简介]: 用UV-激发气体如氯或氮预处理于半导体底物上形成的氧氮化物或氧化物层,以改善层表面的状况和增加用于继后的四氮化三硅沉积的核化点的密度。这种预处理显示减少了较薄的四氮化三硅膜物理厚度低于36,或甚至低于20的...

28、用于生成四氮化三硅薄膜的超薄氧氮化物的UV预处理方法
[简介]: 本发明公开一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜,其特征在于,它是由三层膜构成,第一层为太阳能电池晶体硅表面的氮化硅薄膜,厚度为8~12nm,折射率为2.3~2.4,第二层氮化硅薄膜的厚度为18~24nm,折射率为2.0~2.1,第三层...

29、一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜及其制备方法
[简介]: 本发明一种建立有源区氮化硅膜应用数据库的工艺方法,包括:在每台不同型机台的基底层上生成氮化硅,其中,对基底层上生成的氮化硅进行薄膜的沉积自备,在对已经进行过薄膜自备的氮化硅上进行刻蚀并形成沟槽,并进行曝光,对...

30、建立有源区氮化硅膜应用数据库的工艺方法
[简介]: 本发明提供了用于在半导体衬底上制备多层氮化硅膜的方法。在一个实施例中,用于在半导体衬底上制备多层氮化硅膜的方法包括:提供衬底,所述多层氮化硅膜将被形成在所述衬底上;以及在一个处理反应器中通过如下操作形成所述...

31、用于制备受控应力的氮化硅膜的方法
[简介]: 本发明给出了一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法。形成双应力层氮化硅薄膜时需要对NPMOS进行选择性的蚀刻,因此需要在沉积氮化硅薄膜之前分别沉积一定厚度的二氧化硅缓冲层,该二氧化硅缓冲层虽然厚度较薄,应力也较低,但...

32、一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法
[简介]: 本发明给出了一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法。形成双应力层氮化硅薄膜时需要对NPMOS进行选择性的蚀刻,因此需要在沉积氮化硅薄膜之前分别沉积一定厚度的二氧化硅缓冲层,该二氧化硅缓冲层虽然厚度较薄,应力也较低,但...

33、一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法
[简介]: 本发明公开了沉积具有提高的耐蚀刻性的、包含碳的氧化硅膜或者包含碳的氮化硅膜的方法。该方法包括采用包含硅的前体、包含碳的前体和化学改性剂。本发明也公开了沉积具有提高的耐蚀刻性的氧化硅膜或者氮化硅膜的方法,包括...

34、用来改变氧化硅和氮化硅膜的介电性能的有机硅烷化合物
[简介]: 我们已经发现,可以通过操作某些膜沉积参数来调节单层氮化硅膜的应力。这些参数包括:工作在不同频率范围内的多个一般是两个功率输入源;沉积温度;处理室压强;和沉积源气体的组分。具体而言,我们已经发现,可以通过PECVD在...

35、应力被调节的单层氮化硅膜及其沉积方法
[简介]: 本发明是提供一种提高硼硅玻璃膜及氮化硅膜之间粘合强度的方法。首先提供一半导体基底,其上形成有一氮化硅膜;接着将该氮化硅膜接触一含氧电浆,随后再沉积一硼硅玻璃膜于该氮化硅膜之上;经过60秒臭氧电浆处理过硼硅玻璃...

36、提高硼硅玻璃膜及氮化硅膜之间粘合强度的方法
[简介]: 本发明公开了一种活塞环表面涂覆氮化硅膜层的方法。先对活塞环进行电解抛光和超声波清洗处理;再将清洗后的活塞环放入射频等离子体增强化学气相沉积设备中,系统抽真空至5吆-3Pa,以硅烷和氨气为反应气源,在硅烷流量15~4...

37、活塞环表面涂覆氮化硅膜层的方法
[简介]: 本发明提供通过等离子体CVD形成氮化硅膜的方法,该氮化硅膜可以形成在热敏元件上以及电致发光元件上,并具有优良的阻挡特性。此外,本发明也提供了使用该氮化硅膜形成的半导体器件、显示器件和发光显示器件。在通过等离子体...

38、氮化硅膜、半导体器件、显示器件及制造氮化硅膜的方法
[简介]: 本发明公开了一种包含一多层氮化物层叠的组件assembly,该多层氮化物层叠具有多层氮化物蚀刻终止层,且每一氮化物蚀刻终止层彼此层叠,并通过一薄膜形成工艺来形成每一层氮化物蚀刻终止层。一种制造该多层氮化物层叠的方...

39、具有控制应力的氮化硅膜
[简介]: 本发明涉及晶体硅太阳能电池的制造,具体是一种具有硅片表面清洗功能的氮化硅镀膜方法。该方法是在氮化硅镀膜设备上对硅片进行氮化硅镀膜时,在硅片进入反应腔体后,未进行氮化硅沉积步骤前,先向反应腔体充入清洗气体NH3、...

40、具有硅片表面清洗功能的氮化硅镀膜方法
[简介]: 本发明涉及一种应用于透明玻璃的分层氮化硅SiNxOy成膜方法,其特征在于,以透明材料为基板材料,采用沉积薄膜的方法在基板材料表面沉积两层SiO2膜层和一层SiNxOy膜层;通过SiNxOy层和SiO2层光学膜系配比设计,经分层氮化硅...

41、一种应用于透明材质的分层氮化硅SiNxOy成膜方法
[简介]: 本发明提供一种在晶片上沉积氮化硅膜的制造方法。首先提供一化学气相沉积系统,其包括管状炉管、连接至该炉管的基座部位的至少BTBAS供应管线、连接至炉管上端的出口管线、衔接BTBAS供应管线与出口管线的旁通管线,以及衔接出...

42、氮化硅膜的沉积制造方法及沉积系统
[简介]: 在一实施例中,提供一种用以沉积一内含氮化硅的膜层在一基板表面的方法,其包括将该基板放置在一处理室中,加热该基板至一预定温度,将该基板表面暴露在一烷氨硅烷化合物及至少一种不含氨的反应物下,及沉积一氮化硅材料至...

43、用于制造晶体管的低热预算氮化硅膜及其制备方法
[简介]: 本发明提出一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法,所述方法包括下列步骤:提供具有NPMOS晶体管的衬底;在所述结构上沉积氧化硅缓冲层;在所述结构上沉积具有高压应力的第一氮化硅应力层;对PMOS区域进行光刻以及蚀刻,去除该区...

44、一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法
[简介]: 本发明提出一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法,所述方法包括下列步骤:提供具有NPMOS晶体管的衬底;在所述结构上沉积氧化硅缓冲层;在所述结构上沉积具有高拉应力的第一氮化硅应力层;对PMOS区域进行光刻以及蚀刻,去除该区...

45、一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法
[简介]: 本发明是关于利用高密度等离子体化学气相沉积技术,在基板温度低于600℃下沉积低湿蚀刻速率氮化硅膜至基板上的方法。该方法还包括维持等离子体中的氮与硅呈高比例及维持低处理压力。

46、低湿蚀刻速率的氮化硅膜
[简介]: 单独或合并使用一或多种技术,而可在一沉积层中,诸如氮化硅,得致高拉伸应力。要获得高拉伸应力,通过将一表面于无一等离子体状态下曝露于一含硅前导气体以在该表面上形成一含硅层,再将该含硅层曝露于一含氮等离子体以形成...

47、通过后PECVD沉积UV处理增加氮化硅膜的拉伸应力的方法
[简介]: 本发明提供了一种包括聚合物基材和至少一个无机阻挡层的制品,其中所述无机阻挡层具有不大于约400MPa的应力和至少约1.5gcm<sup>3<sup>的密度。所述制品优选为光学装置,如有机发光二极管OLED或光伏PV组件,其中氮化...

48、柔性基材上的薄膜氮化硅阻挡层
[简介]: 本发明公开了一种低温高速沉积氢化非晶氮化硅薄膜的方法,首先将清洗好的衬底放置到对靶磁控溅射装置的基片台上,然后对对靶磁控溅射装置的反应室抽真空,并用氩等离子体清对靶磁控溅射装置的基片台和反应室器壁,再加热基...

49、一种低温高速沉积氢化非晶氮化硅薄膜的方法
[简介]: 本文提供一种沉积氮化硅基介电层的方法。该方法包括引导一硅前体及一氮*基前体至一沉积腔室中。该硅前体具有N-Si-H键、N-Si-Si键及或Si-Si-H键。该氮*基前体实质上不含氧。该氮*基前体是在沉积腔室外部产生。该硅...

50、形成氮化硅基薄膜或碳化硅基薄膜的方法
[简介]: 本发明公开了一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法,其中,包括下列步骤:提供一种具有NMOS晶体管和PMOS晶体管的半导体衬底;在所述半导体衬底上沉积一层第一氮化硅层;在所述第一氮化硅层的表面沉积一层第二氮化硅层,所述第二...

51、一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法
52、一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法
53、形成高质量的低温氮化硅膜的方法和设备
54、形成高质量的低温氮化硅膜的方法和设备
55、提高源漏接触和氮化硅薄膜黏附力的方法
56、氮化硅复合隔膜及其制备方法
57、等离子体CVD方法、氮化硅膜的形成方法、半导体装置的制造方法和等离子体CVD装置
58、氮化硅氧化硅双层增透保护薄膜的制备方法
59、平板氮化硅薄膜PECVD沉积系统
60、平板氮化硅薄膜PECVD沉积系统
61、一种制造高拉应力氮化硅薄膜的方法
62、借由控制膜层生成前驱物来控制所沉积氮化硅膜的性质及均一性的方法
63、增加PECVD氮化硅膜层的压缩应力的方法
64、增加PECVD氮化硅膜层的压缩应力的方法
65、氮化硅薄膜的制备方法
66、氮化硅薄膜的制造方法
67、氮化硅薄膜及接触刻蚀停止层的形成方法
68、一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法
69、根据氮化硅薄膜应力校准薄膜沉积机台中机械手位置的方法
70、提高太阳电池用非晶氢化碳氮化硅薄膜钝化性能的热处理方法
71、掺杂氮化硅薄膜的低温沉积方法及装置
72、在玻璃基片表面磷酸基硅烷-氮化钛复合薄膜的制备方法
73、一种X射线显微透镜成像用氮化硅薄膜窗口的制作方法
74、通过循环沉积制备金属硅氮化物薄膜的方法
75、一种含硅纳米粒子的氮化硅薄膜制备方法
76、氮化硅薄膜溅射源装置
77、氮化硅薄膜及MIM电容的形成方法
78、一种碳氮化硅薄膜的制备方法
79、氮化硅薄膜的制备方法
80、在真空中涂覆氮化硅薄膜的方法
81、制备氮化硅膜的方法
82、由热化学气相沉积制造氮化硅薄膜和氮氧化硅薄膜的方法
83、一种低温化学气相沉积制备氮化硅薄膜的方法

资料说明:
    1、资料都是原版专利技术全文,含技术员姓名、地址、技术原理、技术原文,技术配方、工艺流程、制作方法,设备原理、机械设计构造、结构说明图等。
    2、资料都是电子文档格式,可在电脑中阅读、放大缩小、打印,可以网传,也可以刻录在光盘中邮寄。欢迎联系咨询, 电话:028-87023516   18980857561客服QQ:853136199

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