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《低温多晶硅,薄膜晶体管类专题技术光盘》

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1、一种低温多晶硅薄膜晶体管探测器及其制备方法
[简介]: 本发明提供一种低温多晶硅薄膜晶体管探测器及其制备方法,所述低温多晶硅薄膜晶体管探测器利用低温多晶硅薄膜晶体管工艺制作。先利用化学气相沉淀,在玻璃基板上沉积非晶硅薄膜层,利用准分子激光煺火的方法将非晶硅薄膜转...

2、一种低温多晶硅薄膜晶体管探测器及其制备方法
[简介]: 本发明提供一种成本低的制作低温多晶硅方法中的镍剥离方法。制作低温多晶硅方法中的镍剥离方法,该方法包括以下步骤:1在基板上蒸镀非晶硅后制作非晶硅图形;2根据所需要的镍图形,进行正性光刻胶图案的制作;3通过氧气灰...

3、制作低温多晶硅方法中的镍剥离方法
[简介]: 本发明公开了一种低温多晶硅基板制作方法,涉及显示技术领域,该方法包括以下步骤:在衬底上形成缓冲层;在所述缓冲层上形成若干孔洞;在形成孔洞后的所述缓冲层上形成低温多晶硅。本发明还公开了一种低温多晶硅基板。本发明...

4、低温多晶硅基板及其制作方法
[简介]: 本发明涉及显示面板制造领域,公开了一种低温多晶硅的制作方法,其包括:在衬底基板上沉积缓冲层;在所述缓冲层上沉积非晶硅层,在形成非晶硅层后进行高温处理;根据所述非晶硅层的厚度分布情况分为多个能量区进行激光退火处...

5、低温多晶硅的制作方法、低温多晶硅薄膜和薄膜晶体管
[简介]: 本发明提供一种LTPSTFT阵列基板及其制作方法,该LTPSTFT阵列基板包括:基板;栅电极,形成于基板上方;栅绝缘层,覆盖于基板和栅电极上方;有源层,形成于栅绝缘层对应栅电极的上方;源漏电极,形成于有源层上方;像素电极,形成...

6、低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
[简介]: 本发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管LTPSTFT阵列基板及其制作方法,所述阵列基板包括:基板、有源层、源漏电极、栅绝缘层、栅电极、像素电极和保护层;其中,所述LTPSTFT为顶栅型TFT,所述有源层和其上方的导电结构是通过...

7、低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
[简介]: 本发明提供一种低温多晶硅薄膜的制作方法和低温多晶硅薄膜,用以制作表面粗糙度较低、晶粒尺寸较大且分布均匀的低温多晶硅薄膜。该制作方法包括:在基板上形成一缓冲层;在所述缓冲层上,采用图案形成工艺形成晶核位置均匀分...

8、一种低温多晶硅薄膜的制作方法和低温多晶硅薄膜
[简介]: 本发明提供一种低温多晶硅晶体管的制作方法,包括以下步骤:步骤1、在基板上形成低温多晶硅层,并图案化该低温多晶硅层;步骤2、在低温多晶硅层上形成第一绝缘层;步骤3、在第一绝缘层上依次形成第一、第二与第三金属层,并通过...

9、低温多晶硅晶体管的制作方法
[简介]: 本发明提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置,属于薄膜晶体管制造工艺领域。所述低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板,包括有接触孔,所述阵列基板的源电极、漏电极通过所述接触孔分别与有源层连接,其中...

10、低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置
[简介]: 本发明提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置,属于显示技术领域。其中,所述阵列基板包括由低温多晶硅经过等离子体处理后形成的有源层。本发明的技术方案在利用低温多晶硅形成有源层时,对低温多晶...

11、低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置
[简介]: 本发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法,该低温多晶硅薄膜晶体管包括开关薄膜晶体管与驱动薄膜晶体管,该驱动薄膜晶体管的结构由下至上依次为缓冲层、多晶硅、栅极绝缘层、栅极、介电层与钝化层,并在介电层以及...

12、一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法
[简介]: 本发明涉及液晶显示技术领域,尤其是一种低温多晶硅薄膜的制备方法,包括如下步骤:步骤一:在基板上从下至上依次生长缓冲层和非晶硅层;步骤二:加热所述非晶硅层使之温度高于室温,并对所述非晶硅层进行预清洗;步骤三:采用...

13、低温多晶硅薄膜的预清洗方法及其制备方法、制作系统
[简介]: 本发明公开了一种低温多晶硅显示装置及其制作方法,包括:在基板之上方形成金属屏蔽层;在金属屏蔽层之上方形成与金属屏蔽层绝缘的多晶硅层;在多晶硅层之上方分别形成相互绝缘的公共电极层和像素电极层,并且使所述像素电...

14、一种低温多晶硅显示装置及其制作方法
[简介]: 本发明提供一种采用非晶硅TFT向多晶硅TFT转化的制作工艺,该工艺制成的多晶硅TFT特性不会降低。低温多晶硅TFT的制作工艺,在完成ITO成膜工艺后,通过氢气注入工艺对硅注入氢,对工艺过程中降低的TFT特性进行回复。本发明采用...

15、低温多晶硅TFT的制作工艺
[简介]: 本发明提供一种半导体器件及制作一低温多晶硅层的方法,其包含于一基片上形成多个半导体散热结构,接着于基片以及这些半导体散热结构上形成一缓冲层以及一非晶硅层,然后再进行一激光结晶处理,以使非晶硅层转化成一多晶硅...

16、半导体器件及制作一低温多晶硅层的方法
[简介]: 本发明公开了一种轻掺杂漏极Lightlydopeddrain结构的低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法。本发明以埋入式轻掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管来取代公知的表面式轻掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管。本发明在制...

17、轻掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法
[简介]: 本发明提供一种横向诱导晶化低温多晶硅薄膜的方法,包括:步骤1:在衬底上形成非晶硅层,然后形成氧化物层;步骤2:在所述氧化物层上刻蚀出凹槽,以暴露出非晶硅层,该凹槽的宽度为2μm~30μm,间距为60~5000μm;步骤3:在所述暴...

18、一种横向诱导晶化低温多晶硅薄膜的方法
[简介]: 本发明提供一种用于横向诱导晶化低温多晶硅薄膜的多层膜结构,包括:衬底;位于该衬底上的非晶硅薄膜;位于该非晶硅薄膜上的低温氧化物层;穿透所述低温氧化物层且暴露出所述非晶硅薄膜的凹槽;位于所述暴露的非晶硅表面上的...

19、一种用于横向诱导晶化低温多晶硅薄膜的多层膜结构
[简介]: 一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法,在一绝缘基板上形成欲作为N-TFT和P-TFT的多晶硅岛状物;依序沉积一栅极绝缘层和一栅极金属层;图案化栅极金属层以形成N-TFT的栅极金属和P-TFT的栅极金属罩;对多晶硅岛状物进行N-离子...

20、低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法
[简介]: 本发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法。首先在一基底表面的一第一区域和一第二区域分别形成一多晶硅岛,并在其上依次各形成一栅极绝缘层与一栅极,接着在各该栅极周围形成弱掺杂漏极,并在该第一区域内形成一第...

21、一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
[简介]: 本发明提供一种低温多晶硅薄膜制作方法、薄膜晶体管制作方法,属于薄膜晶体管制造工艺领域。其中,该低温多晶硅薄膜的制作方法包括:形成非晶硅薄膜;在预设温度下对所述非晶硅薄膜进行多次快速热退火,形成低温多晶硅薄膜,所...

22、低温多晶硅薄膜制作方法、薄膜晶体管制作方法
[简介]: 本发明提供一种低温多晶硅薄膜的制作方法,包括:提供具有缓冲氧化层的玻璃基板;在缓冲氧化层之上依序形成非晶硅层和覆盖非晶硅层的保护层;对非晶硅层进行高温加热,并对非晶硅层进行准分子激光退火,形成多晶硅层;对多晶...

23、低温多晶硅薄膜的制作方法
[简介]: 本发明公开一种低温多晶硅显示装置及其制作方法。该低温多晶硅显示装置包括一显示面板、一绝缘基板及一低温多晶硅驱动电路,该绝缘基板表面具有一低温多晶硅薄膜,该低温多晶硅驱动电路是形成于该低温多晶硅薄膜上,并且与...

24、低温多晶硅显示装置及其制作方法
[简介]: 本发明实施例提供的一种低温多晶硅薄膜的制作方法,涉及液晶面板制造领域,用以减小了多晶硅薄膜在使用过程中产生的漏电流,从而提高产品质量。该低温多晶硅薄膜的制作方法包括:在基板上依次沉积缓冲层和非晶硅层;对所述非...

25、一种低温多晶硅薄膜的制作方法
[简介]: 本发明公开一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法。该方法首先于一基板表面形成一多晶硅薄膜、一栅极绝缘层以及一栅极,接着于该栅极周围形成一源极与一漏极,随后进行二等离子体增强化学气相沉积工艺,以分别形成氮化硅层以...

26、低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法
[简介]: 本发明提供一种半导体元件及制作一低温多晶硅薄膜的方法,其包含于一基板上形成一非晶硅薄膜,接着于非晶硅薄膜上形成一隔绝层以及一激光吸收层,并且进行一光刻腐蚀工艺,去除部分的激光吸收层及隔绝层,以暴露出部分的非...

27、制作低温多晶硅薄膜的方法
[简介]: 一种低温多晶硅薄膜制作方法,其包括以下步骤:提供一基板,并在该基板上形成一缓冲层;在该缓冲层上沉积一第一非晶硅薄膜;通过一微影刻蚀工艺,刻蚀该第一非晶硅薄膜,在该缓冲层上保留多个分散的非晶硅颗粒;在该缓冲层上...

28、低温多晶硅薄膜制作方法
[简介]: 本发明是关于一种低温多晶硅薄膜的制造方法,该方法是首先在基板上形成一非晶硅层,接着,对非晶硅层进行回火制程,使得非晶硅层转变为多晶硅层多晶硅薄膜,其中在回火的过程中,在多晶硅层的表面会形成数个突起物。继之,对...

资料说明:
    1、资料都是原版专利技术全文,含技术员姓名、地址、技术原理、技术原文,技术配方、工艺流程、制作方法,设备原理、机械设计构造、结构说明图等。
    2、资料都是电子文档格式,可在电脑中阅读、放大缩小、打印,可以网传,也可以刻录在光盘中邮寄。欢迎联系咨询, 电话:028-87023516   18980857561客服QQ:853136199

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