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《氮化镓,制备氮化镓类专题技术光盘》

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1、一种利用紫外软压印制备有序氮化镓纳米柱阵列的方法
[简介]: 利用紫外软压印制备有序氮化镓纳米柱阵列的方法,在氮化镓衬底上生长介质薄膜,利用紫外软压印双层胶剥离技术得到金属有序纳米柱(孔)结构,通过反应离子刻蚀方法得到直径变化可调的介质纳米柱(孔)结构,并利用感应耦合等离...

2、一种利用紫外软压印制备有序氮化镓纳米柱阵列的方法
[简介]: 本发明公开了一种非极性面氮化镓纳米锥材料的制备方法。该非极性面氮化镓纳米锥材料包括依次层叠结合的铝酸锂衬底、氮化镓缓冲层和氮化镓模板层以及生长在所述氮化镓模版层外表面的氮化镓纳米锥。其制备方法包括获取铝酸...

3、非极性面氮化镓纳米锥材料的制备方法
[简介]: 本发明公开了一种两步法制备氮化镓硫化锌纳米异质结的方法,是通过以下工艺过程实现的:将装有一定量氧化镓(纯度为质量百分比99.999%)粉末的陶瓷舟置于长度为100cm的水平刚玉管式炉正中间,在距陶瓷舟20cm-25cm处放置镀...

4、一种两步法制备氮化镓硫化锌纳米异质结方法
[简介]: 一种纳米氮化镓发光二极管的制作方法,包括以下步骤:取一衬底;在衬底上依次外延生长GaN缓冲层、n-GaN层、量子阱层和p-GaN层,形成基片;在基片的p-GaN层上生长中间层;在中间层生长纳米图形层;以纳米图形层作掩膜,采用ICP-R...

5、纳米氮化镓发光二极管的制作方法
[简介]: 一种大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法,包括以下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上外延生长GaN缓冲层和n-GaN层;步骤3:在n-GaN层上生长中间层;步骤4:在中间层上生长纳米图形层;步骤5:采用等离子体刻蚀的方法,刻蚀中...

6、大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法
[简介]: 一种纳米无荧光粉白光氮化镓发光二极管的制作方法,包括以下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上外延生长GaN缓冲层1和n-GaN层;步骤3:在n-GaN层上通过纳米技术制作GaN纳米线模板;步骤4:在GaN纳米线模板上生长GaN过渡层;...

7、纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法
[简介]: 本发明涉及一种氢化物气相外延生长氮化镓膜中采用二氧化硅纳米粒子点阵掩膜及其制备方法,其特征在于采用了SiO2纳米粒子点阵作为GaN横向外延过生长的掩膜。先在GaN模板上电子束蒸发一层金属Al,再采用电化学的方法生成多...

8、HVPE方法生长氮化镓膜中的SiO2纳米掩膜及方法
[简介]: 本发明涉及一种内径可控的多孔单晶氮化镓微纳米管阵列及其制备方法。在还原性气氛下,将镓源与氮源接触,反应生成的氮化镓气态分子以氧化锌微纳米线阵列为模板外延生长出内径可控的多孔单晶氮化镓微纳米管阵列。所述外...

9、一种内径可控的多孔单晶氮化镓微纳米管阵列及其制备方法
[简介]: 采用金属Ga与可溶性盐磷酸钠按质量比1∶2-10的比例在一定温度下进行充分混合、研磨,然后在750℃-1050℃温度内以氨气氮化混合物2-4小时,再以蒸馏水反复冲洗氮化后的混合物洗掉磷酸钠最后得到纯的高品质氮化镓纳米粉末,且粒...

10、一种制备高品质氮化镓纳米粉体的方法
[简介]: 一种制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法,包括:在蓝宝石衬底上依次生长的非故意掺杂氮化镓层上依次生长的n型氮化镓层、量子阱层和p型GaN层;在p型GaN层上沉积PS球层;沉积SiO2层;高温下灼烧,在PS球层的位...

11、制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法
[简介]: 激光脉冲沉积技术制备氮化镓纳米线的方法,属于无机化合物半导体材料的制取与生成领域。本发明步骤:GaN粉体通过掺胶、研磨,通过80目网筛后压片,在560℃煅烧2小时,烧制成粉靶;将清洗烘干后的硅片在离子溅射仪沉积5‐60s得到...

12、激光脉冲沉积技术制备氮化镓纳米线的方法
[简介]: 本发明的一种制备锰掺杂氮化镓纳米材料的方法属于纳米材料制备的技术领域。以高纯金属锰为锰源,以氧化镓为镓源,以氮气和氨气的混合气体作氮源,在直流电弧放电装置中制备。充入混合气体,氨气在混合气体中的体积比例为20~...

13、一种制备锰掺杂氮化镓纳米材料的方法
[简介]: 使用基于GaN的纳米线来生长具有c平面顶面的高质量的分立底座元件,以制作各种半导体器件,诸如用于功率电子器件的二极管和晶体管。

14、基于氮化镓纳米线的电子器件
[简介]: 一种低成本低污染的氮化镓纳米线的制备生成方法,属于无机化合物半导体材料领域。本发明步骤:(1)GaN粉体通过掺胶、研磨,压片,经过煅烧后,烧制成GaN靶;(2)将清洗烘干后的硅片在SBC-12小型离子溅射仪沉积30s-60s得到表面有...

15、一种低成本低污染的氮化镓纳米线的制备生成方法
[简介]: 本发明公开了一种制备氮化铝和氮化镓纳米棒异质结阵列的方法,是通过以下工艺过程实现的:用两步化学气相沉积CVD方法来制备,第一步,在CVD管式炉中,用无水三氯化铝AlCl3作为铝Al源,通入氨气NH3作为氮N源,反应后...

16、一种制备氮化铝和氮化镓纳米棒异质结的方法
[简介]: 本发明公开了一种氮化镓硅纳米孔柱阵列异质结构黄绿光、近*光发光二极管,包括上、下接触电极,还包括透明导电薄膜、氮化镓、p型硅纳米孔柱阵列、p型单晶硅层以及金属导电薄膜层,其中p型硅纳米孔柱阵列覆盖在p型单晶硅层...

17、氮化镓硅纳米孔柱阵列异质结构黄绿光、近*光发光二极管及其制备方法
[简介]: 本发明公开了一种降低氮化镓纳米线阵列晶体缺陷密度的方法,属于半导体技术和纳米技术领域。该方法是在生长衬底和初始缓冲层之间引入与衬底晶格不匹配的阻挡层,用于阻挡缺陷由衬底向氮化镓纳米线阵列晶体内部扩散,然后利...

18、一种降低氮化镓纳米线阵列晶体缺陷密度的方法
[简介]: 本发明提供了一种氮化镓纳米线及其制备方法,包括:在常压下,将单质镓、氧化镓与含有氨气的气体在负载有制备氮化镓纳米线的催化剂的衬底上进行化学气相沉积。采用本发明的方法制备得到的氮化镓纳米线具有周期性结构,并且形...

19、一种氮化镓纳米线及其制备方法
[简介]: 一种银纳米线透明电极氮化镓基发光二极管,其中包括:一衬底;一外延层,制作在衬底上面,该外延层为台阶状,其的一侧形成有一台面,该外延层用以受激,发光,电注入;一纳米薄膜,生长在外延层上,用于做电流扩展层;一二氧化硅层...

20、银纳米线透明电极氮化镓基发光二极管及其制作方法
[简介]: 本发明属于光电子材料技术领域,是一种用溶胶-凝胶法制氮化镓纳米薄膜。本发明利用第三主族元素的两性现象,用强碱,像NaOH,或KOH等,把GaO溶解。再利用酸,像HNO3,HF等,重新沉积出GaOH3凝胶,然后加入NH4F形成了GaN材料的前...

21、溶胶-凝胶法制氮化镓纳米多晶薄膜
[简介]: 本发明亚稳态岩盐相纳米氮化镓的溶剂热合成制备方法,其特征在于:向装有有机溶剂苯或*的高压釜中按照1∶3∶3至1∶6∶6的摩尔比加入反应物三卤化镓、氨基钠及单质碘,在密闭无氧条件下使反应在180-270℃进行16-48小时;将得到...

22、亚稳态岩盐相纳米氮化镓的溶剂热合成制备方法
[简介]: 本发明提供了一种锰掺杂氮化镓室温铁磁纳米材料及其制备方法,该材料的化学式为:MnGaN,锰的掺入量为0.19%-3%。该材料的制备方法包括以下步骤:1按质量比20∶1∶0.24-12.8的比例将氧化镓、二氧化锰和活性炭粉的粉末在研钵...

23、一种锰掺杂氮化镓室温铁磁纳米材料及其制备方法
[简介]: 一种在纳米棒的氧化锌上生长无支撑的氮化镓纳米晶的方法,包含以下步骤:步骤1:取一衬底,表面清洗后,放入金属有机物化学气相沉积设备的反应室中;步骤2:使用金属有机物化学气相沉积方法,在衬底上生长纳米棒的ZnO层,以用来...

24、在纳米棒的氧化锌上生长无支撑的氮化镓纳米晶的方法
[简介]: 一种用溶胶凝胶法制备氮化镓纳米晶体的方法分两步进行:首先采用溶胶凝胶法制备氧化镓无定型碳混合物,即将*镓溶解到浓*中,滴加浓氨水调节pH值;将溶液加热并添加柠檬酸,搅拌2小时冷却后成为透明凝胶;将其置于马弗...

25、一种用溶胶凝胶法制备氮化镓纳米晶体的方法
[简介]: 本发明涉及一种利用干法刻蚀氮化镓纳米线阵列的方法,其特征在于采用了金属Ni纳米粒子点阵作为掩膜,而Ni纳米粒子点阵是通过阳极氧化铝来制作的。在GaN纳米线阵列的制作中,先在GaN模板上沉积一层金属Al,再采用电化学的方...

26、采用干法刻蚀制备氮化镓纳米线阵列的方法
[简介]: 本发明涉及一种采用钨辅助热退火制备氮化镓GaN纳米线的方法,其特征在于采用了金属钨W作为催化剂。在热退火制备GaN纳米线的过程中,先在GaN模板上电子束蒸发一层W薄层,然后在N2气氛下经热退火后就形成了GaN纳米线。金...

27、钨辅助热退火制备氮化镓纳米线的制备方法
[简介]: 本发明为一种高纯度氮化镓纳米线的制备生成方法,是以氧化镓Ga2O3为原料,以氨气NH3为反应气体,以惰性气体氩气Ar为保护气体,以硅板为产物生长载体基底,以无水乙醇、*、去离子水为硅板清洗剂,以去离子水为石英原料舟清洗...

28、一种高纯度氮化镓纳米线的制备生成方法
[简介]: 本发明为一种无机化合物氮化镓纳米线的制取方法,它是以化学物质氧化镓为原料,以氧化铟为催化剂,以氨气为反应气体,以氩气为保护气体,以无水乙醇为混合剂,以*、无水乙醇、去离子水为单晶硅衬底基板清洗剂,经合理的化学...

资料说明:
    1、资料都是原版专利技术全文,含技术员姓名、地址、技术原理、技术原文,技术配方、工艺流程、制作方法,设备原理、机械设计构造、结构说明图等。
    2、资料都是电子文档格式,可在电脑中阅读、放大缩小、打印,可以网传,也可以刻录在光盘中邮寄。欢迎联系咨询, 电话:028-87023516   18980857561客服QQ:853136199

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