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《缓冲层,导体缓冲层类专题技术光盘》

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1、一种高温超导涂层导体Gd1-xCaxBiO3缓冲层及其制备方法
[简介]: 本发明公开了一种高温超导涂层导体Gd1-xCaxBiO3缓冲层,其特征在于,为对高温超导涂层导体GdBiO3缓冲层进行Gd的Ca的替代进而外延成相热处理生成氧化物Gd1-xCaxBiO3固溶体,其中0.1≤x≤0.4。本发明所述高温超导涂层导体的Gd...

2、一种高温超导涂层导体Gd1-xCaxBiO3缓冲层及其制备方法
[简介]: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体的Sm1-xCaxBiO3缓冲层及其制备的方法。一,提供了一种高温超导涂层导体的缓冲层,它是对高温超导涂层导体SmBiO3缓冲层进行Sm的Ca的替代后,将使SmBiO3缓冲层元素环境和晶格参数产生微...

3、一种高温超导涂层导体缓冲层Sm1-xCaxBiO3及其制备方法
[简介]: 本发明公开了一种高温超导涂层导体的Eu1-xCaxBiO3缓冲层及其制备的方法。对高温超导涂层导体EuBiO3缓冲层进行Eu的Ca的替代后,使EuBiO3缓冲层元素环境和晶格参数产生微调,从而调整EuBiO3缓冲层与REBCO超导层的晶格失配情...

4、一种高温超导涂层导体缓冲层Eu1-xCaxBiO3及其制备方法
[简介]: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体的Gd1-xPbxBiO3缓冲层及其制备的方法,对高温超导涂层导体GdBiO3缓冲层进行Gd的Pb的替代后,将使GdBiO3缓冲层元素环境和晶格参数产生微调,从而调整GdBiO3缓冲层与REBCO超导层的晶格...

5、一种高温超导涂层导体缓冲层Gd1-xPbxBiO3及其制备方法
[简介]: 本发明公开了一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体NiOSmBiO3复合缓冲层薄膜的方法,其复合缓冲层制备步骤包含。a、NiW合金200基片的表面腐蚀修饰,b、NiO缓冲层的氧化热处理、c、SmBiO3缓冲层胶体的制备,d、Sm...

6、一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体NiOSmBiO3复合缓冲层薄膜的方法
[简介]: 本发明公开了一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体CeO2缓冲层薄膜的方法,包括以下步骤:将六水合*亚铈CeNO33ܬH2O溶解在N-甲基吡咯烷酮NMP中,形成无水溶液;向无水溶液中加入聚乙烯基吡咯烷酮PVP...

7、在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体CeO2缓冲层薄膜的方法
[简介]: 本发明公开了一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体La2Zr2O7缓冲层薄膜的方法,包括以下步骤:将*镧LaNO33.6H2O和*锆ZrNO34.5H2O溶解在乙二醇甲醚中,形成无水溶液;向无水溶液中加入聚乙二醇-2...

8、一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体La2Zr2O7缓冲层薄膜的方法
[简介]: 本发明公开了一种自氧化外延制备双面织构涂层导体NiO缓冲层的方法,包括以下步骤:a、基带的表面腐蚀修饰:将退火处理后双轴织构NiW合金200基带宽为10mm,正反两面先后经过酒精,*清洗后,在稀释后浓度为30%-50%的*...

9、一种自氧化外延制备双面织构涂层导体NiO缓冲层的方法
[简介]: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体La2Zr2O7缓冲层薄膜的方法,包括以下步骤:将*镧LaNO33ܬH2O和*锆ZrNO34ܫH2O溶解在乙二醇甲醚中,形成无水溶液;向无水溶液中加入聚乙二醇-20000polyethyleneglyco...

10、一种制备高温超导涂层导体La2Zr2O7缓冲层薄膜的方法
[简介]: 本发明涉及一种高温超导涂层导体双层缓冲层结构及其动态沉积方法。利用反应溅射在具有双轴织构取向的Ni-5%W基底上外延生长简化的双层稀土氧化物缓冲层结构,包括(Ⅰ)La2Zr2O7Ce2Y2O7、(Ⅱ)Y2O3La2Zr2O7。即第一缓冲层(下缓...

11、高温超导涂层导体双层缓冲层结构及其动态沉积方法
[简介]: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体La0.7Sr0.3MnO3缓冲层薄膜的方法,属于高温超导材料制备技术领域。该方法制备的薄膜平整致密,织构良好,可以充分发挥La0.7Sr0.3MnO3作为导电型缓冲层薄膜具有的隔离、外延、电流传输的...

12、一种制备高温超导涂层导体LaSrMnO3缓冲层薄膜的方法
[简介]: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体La0.7Sr0.3MnO3缓冲层薄膜的方法,其步骤主要是:a、将*镧,*锶和*锰按镧、锶、锰离子数量比为7:3:10的配比,溶解在N,N-二甲基甲酰胺中,形成无水溶液;b、在a步的无水溶液中加入...

13、一种制备高温超导涂层导体La<>0.7<>Sr<>0.3<>MnO<>3<>缓冲层薄膜的方法
[简介]: 一种中温表面氧化外延制备双轴织构NiO200涂层导体缓冲层的方法,其步骤是,将退火处理后的双轴织构NiW200合金基带,经过*、乙醇等清洗干净后,再在用冰乙酸和*按摩尔比1∶1配制成的表面腐蚀溶液中浸渍10-90秒,然后...

14、中温表面氧化外延制备双轴织构NiO200涂层导体缓冲层的方法
[简介]: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体SrZrO3缓冲层薄膜的方法,涉及高温超导材料制备技术领域,该方法制备的薄膜有极好的化学兼容性,能有效地阻挡Ni和ReBCO中的Cu的相互扩散。本发明制备过程包括以下步骤:将乙酸锶和乙酰...

15、一种制备高温超导涂层导体SrZrO3缓冲层薄膜的方法
[简介]: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体BaZrO3缓冲层薄膜的方法,属于高温超导材料制备技术领域。该方法制备的薄膜有极好的化学兼容性,能有效地阻挡Ni和ReBCO中的Cu的相互扩散。本发明包括以下步骤:将乙酸钡和乙酰*锆溶...

16、一种制备高温超导涂层导体BaZrO3缓冲层薄膜的方法
[简介]: 本发明公开了一种萤石型涂层导体缓冲层,该缓冲层的化学组成为MnxHf1-xO2,其中0.2≤x≤0.3。本发明还公开了该缓冲层的制备方法,方法为:一、将乙酰*锰和乙酰*铪按比例称取后溶解于丙酸,配制成前驱液;二、将前驱液旋涂于...

17、一种萤石型涂层导体缓冲层及其制备方法
[简介]: 本发明公开了一种高温超导涂层导体缓冲层的制备方法,首先将乙酰*钕或乙酰*钐与乙酰*锆按1∶1的摩尔比混合,加有机溶剂配制成前驱溶液,然后将前驱溶液旋涂于基片上后烘干,再将烘干的基片置于管式炉中,在流动的氩...

18、一种高温超导涂层导体缓冲层的制备方法
[简介]: 本发明公开了一种单层有效的高温超导涂层导体缓冲层厚膜的制备工艺,它是用化学溶液法制备厚度足够的双轴织构HoxCe1-xO2-δ缓冲层薄膜。将醋酸铈和醋酸钬粉末溶解在丙酸和异丙醇的混合溶剂中,加热搅拌再加入乙酰*得到...

19、单层有效的高温超导涂层导体缓冲层厚膜的制备工艺
[简介]: 本发明公开了一种高温超导涂层导体缓冲层的制备方法,该方法引入过渡金属元素锰作为立方相氧化锆的稳定剂,将四水醋酸锰和乙酰*锆两种有机盐按Mn∶Zr=x∶1-x0.1≤x≤0.4原子比溶解在有机溶剂丙酸或甲醇中,加热到80-120...

20、一种高温超导涂层导体缓冲层的制备方法
[简介]: 一种高分子辅助沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法,其具体作法是:a.无水溶液制备:按稀土或锆与铈的离子比x∶1-x,0.01≤x≤0.5称量稀土乙酸盐或稀土丙醇盐或稀土乙酰*盐或丙醇锆或锆酸四丁酯与乙酰*铈,溶解于有机...

21、高分子辅助沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法
[简介]: 一种高分子辅助*盐沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法,其作法是:a.无水溶液制备:按稀土或锆与铈的离子比x∶1-x0.01≤x≤0.5称量稀土*盐或*锆与*亚铈按,并溶解在N,N-二甲基甲酰胺中,形成无水溶液。b.胶体制...

22、高分子辅助*盐沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法
[简介]: 本发明公开了一种用于高温超导涂层导体的La2Zr2O7缓冲层薄膜制备工艺,它是用化学溶液法制备双轴织构La2Zr2O7缓冲层薄膜。将相同摩尔比的乙酰*镧和乙酰*锆粉末溶解在丙酸中,搅拌后烘烤得到前驱溶液;将基片在前驱溶...

23、高温超导涂层导体La2Zr2O7缓冲层薄膜制备工艺
[简介]: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体的缓冲层的方法,该方法包括以下步骤:将丙烯酸或甲基丙烯酸单体加入N,N-二甲基甲酰胺DMF中,聚合生成聚丙烯酸或聚甲基丙烯酸,并将其溶解于N,N-二甲基甲酰胺DMF中,形成有机溶剂...

24、一种制备高温超导涂层导体的缓冲层的方法
[简介]: 本发明公开了一种高温超导涂层导体的缓冲层。它是由Re2O3和Bi2O3外延成相热处理生成的Re2-xBixO3氧化物固溶体;其中,0.65≤x≤1.35;Re为:Y钇、La镧、Pr镨、Nd钕、Sm钐、Eu铕、Gd钆、Tb铽、Dy镝、Ho钬、Er铒、T...

25、一种高温超导涂层导体的缓冲层
[简介]: 本发明公开了一种涂层导体用双钙钛矿型缓冲层的制备方法,制备过程为:将金属盐固体按一定摩尔比称量、混合、溶解以配制前驱液,将前驱液旋涂于YSZ和钛酸锶SrTiO3单晶基片上;将旋涂好的基片置于管式炉中,从室温以不低于5℃...

26、一种涂层导体用双钙钛矿型缓冲层的制备方法
[简介]: 本发明公开了一种涂层导体用双钙钛矿型缓冲层的制备方法,制备过程为:以相应的氧化物为原料,按La2CuMnO6、Ca2NiWO6或Ca2CoWO6中阳离子的摩尔比称量、混合、研磨、烧结;再次研磨、压片后重复烧结,并将烧结样品打磨后得到靶材...

27、一种涂层导体用双钙钛矿型缓冲层的制备方法
[简介]: 本发明涉及具有导电缓冲层的钇钡铜氧涂层导体,包括:在金属基带上生长的掺杂钛酸锶导电缓冲层,在缓冲层上生长的YBCO超导层;所述的掺杂钛酸锶包括掺铌钛酸锶SrTi1-xNbxO3、掺铟钛酸锶SrTi1-xInxO3或掺镧钛酸锶Sr1-xLaxTi...

资料说明:
    1、资料都是原版专利技术全文,含技术员姓名、地址、技术原理、技术原文,技术配方、工艺流程、制作方法,设备原理、机械设计构造、结构说明图等。
    2、资料都是电子文档格式,可在电脑中阅读、放大缩小、打印,可以网传,也可以刻录在光盘中邮寄。欢迎联系咨询, 电话:028-87023516   18980857561客服QQ:853136199

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