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《缓冲层,半导体类专题技术光盘》

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1、一种制备高温超导涂层导体La<>0.7<>Sr<>0.3<>MnO<>3<>缓冲层薄膜的方法
[简介]: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体La0.7Sr0.3MnO3缓冲层薄膜的方法,其步骤主要是:a、将*镧,*锶和*锰按镧、锶、锰离子数量比为7:3:10的配比,溶解在N,N-二甲基甲酰胺中,形成无水溶液;b、在a步的无水溶液中加入...

2、一种制备高温超导涂层导体La<>0.7<>Sr<>0.3<>MnO<>3<>缓冲层薄膜的方法
[简介]: 本发明公开了一种高温超导涂层导体Gd1-xCaxBiO3缓冲层,其特征在于,为对高温超导涂层导体GdBiO3缓冲层进行Gd的Ca的替代进而外延成相热处理生成氧化物Gd1-xCaxBiO3固溶体,其中0.1≤x≤0.4。本发明所述高温超导涂层导体的Gd...

3、一种高温超导涂层导体Gd1-xCaxBiO3缓冲层及其制备方法
[简介]: 本发明公开了一种高温超导涂层导体的Eu1-xCaxBiO3缓冲层及其制备的方法。对高温超导涂层导体EuBiO3缓冲层进行Eu的Ca的替代后,使EuBiO3缓冲层元素环境和晶格参数产生微调,从而调整EuBiO3缓冲层与REBCO超导层的晶格失配情...

4、一种高温超导涂层导体缓冲层Eu1-xCaxBiO3及其制备方法
[简介]: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体的Sm1-xCaxBiO3缓冲层及其制备的方法。一,提供了一种高温超导涂层导体的缓冲层,它是对高温超导涂层导体SmBiO3缓冲层进行Sm的Ca的替代后,将使SmBiO3缓冲层元素环境和晶格参数产生微...

5、一种高温超导涂层导体缓冲层Sm1-xCaxBiO3及其制备方法
[简介]: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体的Gd1-xPbxBiO3缓冲层及其制备的方法,对高温超导涂层导体GdBiO3缓冲层进行Gd的Pb的替代后,将使GdBiO3缓冲层元素环境和晶格参数产生微调,从而调整GdBiO3缓冲层与REBCO超导层的晶格...

6、一种高温超导涂层导体缓冲层Gd1-xPbxBiO3及其制备方法
[简介]: 本发明涉及一种高温超导涂层导体双层缓冲层结构及其动态沉积方法。利用反应溅射在具有双轴织构取向的Ni-5%W基底上外延生长简化的双层稀土氧化物缓冲层结构,包括(Ⅰ)La2Zr2O7Ce2Y2O7、(Ⅱ)Y2O3La2Zr2O7。即第一缓冲层(下缓...

7、高温超导涂层导体双层缓冲层结构及其动态沉积方法
[简介]: 本发明公开了一种萤石型涂层导体缓冲层,该缓冲层的化学组成为MnxHf1-xO2,其中0.2≤x≤0.3。本发明还公开了该缓冲层的制备方法,方法为:一、将乙酰*锰和乙酰*铪按比例称取后溶解于丙酸,配制成前驱液;二、将前驱液旋涂于...

8、一种萤石型涂层导体缓冲层及其制备方法
[简介]: 本发明公开了一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体NiOSmBiO3复合缓冲层薄膜的方法,其复合缓冲层制备步骤包含。a、NiW合金200基片的表面腐蚀修饰,b、NiO缓冲层的氧化热处理、c、SmBiO3缓冲层胶体的制备,d、Sm...

9、一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体NiOSmBiO3复合缓冲层薄膜的方法
[简介]: 本发明公开了一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体CeO2缓冲层薄膜的方法,包括以下步骤:将六水合*亚铈CeNO33ܬH2O溶解在N-甲基吡咯烷酮NMP中,形成无水溶液;向无水溶液中加入聚乙烯基吡咯烷酮PVP...

10、在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体CeO2缓冲层薄膜的方法
[简介]: 本发明公开了一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体La2Zr2O7缓冲层薄膜的方法,包括以下步骤:将*镧LaNO33.6H2O和*锆ZrNO34.5H2O溶解在乙二醇甲醚中,形成无水溶液;向无水溶液中加入聚乙二醇-2...

11、一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体La2Zr2O7缓冲层薄膜的方法
[简介]: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体La0.7Sr0.3MnO3缓冲层薄膜的方法,属于高温超导材料制备技术领域。该方法制备的薄膜平整致密,织构良好,可以充分发挥La0.7Sr0.3MnO3作为导电型缓冲层薄膜具有的隔离、外延、电流传输的...

12、一种制备高温超导涂层导体LaSrMnO3缓冲层薄膜的方法
[简介]: 本发明公开了一种自氧化外延制备双面织构涂层导体NiO缓冲层的方法,包括以下步骤:a、基带的表面腐蚀修饰:将退火处理后双轴织构NiW合金200基带宽为10mm,正反两面先后经过酒精,*清洗后,在稀释后浓度为30%-50%的*...

13、一种自氧化外延制备双面织构涂层导体NiO缓冲层的方法
[简介]: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体La2Zr2O7缓冲层薄膜的方法,包括以下步骤:将*镧LaNO33ܬH2O和*锆ZrNO34ܫH2O溶解在乙二醇甲醚中,形成无水溶液;向无水溶液中加入聚乙二醇-20000polyethyleneglyco...

14、一种制备高温超导涂层导体La2Zr2O7缓冲层薄膜的方法
[简介]: 本发明公开了一种高温超导涂层导体缓冲层的制备方法,首先将乙酰*钕或乙酰*钐与乙酰*锆按1∶1的摩尔比混合,加有机溶剂配制成前驱溶液,然后将前驱溶液旋涂于基片上后烘干,再将烘干的基片置于管式炉中,在流动的氩...

15、一种高温超导涂层导体缓冲层的制备方法
[简介]: 一种中温表面氧化外延制备双轴织构NiO200涂层导体缓冲层的方法,其步骤是,将退火处理后的双轴织构NiW200合金基带,经过*、乙醇等清洗干净后,再在用冰乙酸和*按摩尔比1∶1配制成的表面腐蚀溶液中浸渍10-90秒,然后...

16、中温表面氧化外延制备双轴织构NiO200涂层导体缓冲层的方法
[简介]: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体SrZrO3缓冲层薄膜的方法,涉及高温超导材料制备技术领域,该方法制备的薄膜有极好的化学兼容性,能有效地阻挡Ni和ReBCO中的Cu的相互扩散。本发明制备过程包括以下步骤:将乙酸锶和乙酰...

17、一种制备高温超导涂层导体SrZrO3缓冲层薄膜的方法
[简介]: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体BaZrO3缓冲层薄膜的方法,属于高温超导材料制备技术领域。该方法制备的薄膜有极好的化学兼容性,能有效地阻挡Ni和ReBCO中的Cu的相互扩散。本发明包括以下步骤:将乙酸钡和乙酰*锆溶...

18、一种制备高温超导涂层导体BaZrO3缓冲层薄膜的方法
[简介]: 本发明公开了一种高温超导涂层导体缓冲层的制备方法,该方法引入过渡金属元素锰作为立方相氧化锆的稳定剂,将四水醋酸锰和乙酰*锆两种有机盐按Mn∶Zr=x∶1-x0.1≤x≤0.4原子比溶解在有机溶剂丙酸或甲醇中,加热到80-120...

19、一种高温超导涂层导体缓冲层的制备方法
[简介]: 一种高分子辅助沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法,其具体作法是:a.无水溶液制备:按稀土或锆与铈的离子比x∶1-x,0.01≤x≤0.5称量稀土乙酸盐或稀土丙醇盐或稀土乙酰*盐或丙醇锆或锆酸四丁酯与乙酰*铈,溶解于有机...

20、高分子辅助沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法
[简介]: 一种高分子辅助*盐沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法,其作法是:a.无水溶液制备:按稀土或锆与铈的离子比x∶1-x0.01≤x≤0.5称量稀土*盐或*锆与*亚铈按,并溶解在N,N-二甲基甲酰胺中,形成无水溶液。b.胶体制...

21、高分子辅助*盐沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法
[简介]: 本发明公开了一种用于高温超导涂层导体的La2Zr2O7缓冲层薄膜制备工艺,它是用化学溶液法制备双轴织构La2Zr2O7缓冲层薄膜。将相同摩尔比的乙酰*镧和乙酰*锆粉末溶解在丙酸中,搅拌后烘烤得到前驱溶液;将基片在前驱溶...

22、高温超导涂层导体La2Zr2O7缓冲层薄膜制备工艺
[简介]: 本发明公开了一种单层有效的高温超导涂层导体缓冲层厚膜的制备工艺,它是用化学溶液法制备厚度足够的双轴织构HoxCe1-xO2-δ缓冲层薄膜。将醋酸铈和醋酸钬粉末溶解在丙酸和异丙醇的混合溶剂中,加热搅拌再加入乙酰*得到...

23、单层有效的高温超导涂层导体缓冲层厚膜的制备工艺
[简介]: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体的缓冲层的方法,该方法包括以下步骤:将丙烯酸或甲基丙烯酸单体加入N,N-二甲基甲酰胺DMF中,聚合生成聚丙烯酸或聚甲基丙烯酸,并将其溶解于N,N-二甲基甲酰胺DMF中,形成有机溶剂...

24、一种制备高温超导涂层导体的缓冲层的方法
[简介]: 本发明公开了一种高温超导涂层导体的缓冲层。它是由Re2O3和Bi2O3外延成相热处理生成的Re2-xBixO3氧化物固溶体;其中,0.65≤x≤1.35;Re为:Y钇、La镧、Pr镨、Nd钕、Sm钐、Eu铕、Gd钆、Tb铽、Dy镝、Ho钬、Er铒、T...

25、一种高温超导涂层导体的缓冲层
[简介]: 本发明涉及具有导电缓冲层的钇钡铜氧涂层导体,包括:在金属基带上生长的掺杂钛酸锶导电缓冲层,在缓冲层上生长的YBCO超导层;所述的掺杂钛酸锶包括掺铌钛酸锶SrTi1-xNbxO3、掺铟钛酸锶SrTi1-xInxO3或掺镧钛酸锶Sr1-xLaxTi...

26、一种具有导电缓冲层的钇钡铜氧涂层导体及制备方法
[简介]: 本发明公开了一种基于a面6H-SiC衬底上a面GaN缓冲层上InN半导体器件的制备方法,步骤是:(1)将a面6H-SiC衬底置于MOCVD反应室中,并向反应室通入氢气与氨气的混合气体,对衬底进行热处理;(2)在a面SiC衬底上生长厚度为100-20...

27、基于a面6H-SiC衬底上a面GaN缓冲层上InN半导体器件的制备方法
[简介]: 本发明提供一种用于半导体纳米线生长的缓冲层制备方法,其特征是:通过在衬底上镀金属薄膜,接着利用退火工艺并通入反应气体,使得金属薄膜转变为半导体晶体薄膜,该晶体薄膜可作为缓冲层用于生长高质量的半导体纳米线。本发...

28、一种用于半导体纳米线生长的缓冲层制备方法
[简介]: 令人惊讶的是,目前发现,如果在导电掺杂聚合物及有机半导体层之间,引入至少一个可交联的聚合物缓冲层,优选阳离子可交联的聚合物缓冲层,可以显著改进电子器件的电子性能。在热引发即通过使温度增加到50-250℃交联的缓冲层...

29、包括有机导体和半导体和交联聚合物中间缓冲层的电子器件
[简介]: 铁电薄膜缓冲层半导体集成器件及制备方法,涉及微电子材料和异质结构半导体技术领域。本发明包括半导体衬底基片和铁电薄膜,衬底基片和铁电薄膜之间设置有纳米缓冲层。本发明具有不同ZnO缓冲层厚度的异质结构表现出不同...

30、铁电薄膜缓冲层半导体集成器件及制备方法
[简介]: 本发明公开了一种含有非极性m面GaN缓冲层的InN半导体器件的制备方法,步骤是:(1)将γ面LiAlO2衬底置于MOCVD反应室中,对衬底进行热处理;(2)在γ面LiAlO2衬底上生长厚度为30-100nm,温度为500-600℃的低温AlN成核层;(3)在所述...

31、含有非极性m面GaN缓冲层的InN半导体器件的制备方法
[简介]: 一种带栅下缓冲层结构的金属半导体场效应晶体管及制作方法,晶体管包括半绝缘衬底、缓冲层、沟道层与依次形成于沟道层之上的栅下缓冲层、源极帽层和漏极帽层以及源、漏和栅电极;栅下缓冲层在沟道层之上形成一个凸起的平台,...

32、带栅下缓冲层结构的金属半导体场效应晶体管及制作方法
[简介]: 本发明属于有机半导体器件技术领域,具体涉及一种应用碱金属铷化合物作为阴极缓冲层材料或电子注入层N型掺杂材料的有机半导体器件。碱金属铷化合物为RbBr、Rb2CO3、Rb2SO4、RbOH、RbNO3、RbClO4,RbCl、RbI、RbF等。本发明将Rb的...

33、碱金属铷化合物作为缓冲层或电子注入层的有机半导体器件
[简介]: 一种具有阶梯状缓冲层结构的MESFET,属于功率半导体器件技术领域。该器件通过刻蚀外延缓冲层,使缓冲层呈现阶梯状,进而使得在缓冲层上外延生长的有源层具有变化的沟道厚度。所述缓冲层厚度最大的部分出现在栅电极正下方,而...

34、一种具有阶梯状缓冲层结构的金属半导体场效应晶体管
[简介]: 本发明公开了一种氮化物型半导体元件的多层缓冲层结构,该缓冲层结构包含由高温下成长的AlxInyGa1-x-yN所形成的第一层;以及由低温下成长的未掺杂或掺杂GaN型材料所形成的第二层。在由GaN型材料所形成的第二层中,掺杂Al或...

35、具有多层缓冲层结构的氮化物型半导体元件及其制造方法
[简介]: 一种具三族氮化合物半导体缓冲层的光电半导体组件,其包含一衬底,以及至少二个InxGa1-xN层和至少二个InyGa1-yN层交错迭置于所述衬底上,其中x不等于y。一发光磊晶结构设于位于上层的所述InyGa1-yN层表面。介于所述衬底与所...

36、具三族氮化合物半导体缓冲层的光电半导体组件和其制造方法
[简介]: 半导体保护器件常用深结扩散工艺,常用N型单晶片或外延片;P型单晶片或P型外延片,在其上通过氧化光刻形成窗口,再通过离子注入或扩散P型杂质或N型杂质形成较深PN结。使其界面处,曲率半径平缓,承受大ESD功率冲击。但由于长时...

37、半导体静电保护器件平面导电介质缓冲层工艺方法
[简介]: 本发明公开了一种涂层导体用双钙钛矿型缓冲层的制备方法,制备过程为:将金属盐固体按一定摩尔比称量、混合、溶解以配制前驱液,将前驱液旋涂于YSZ和钛酸锶SrTiO3单晶基片上;将旋涂好的基片置于管式炉中,从室温以不低于5℃...

38、一种涂层导体用双钙钛矿型缓冲层的制备方法
[简介]: 本发明公开了一种涂层导体用双钙钛矿型缓冲层的制备方法,制备过程为:以相应的氧化物为原料,按La2CuMnO6、Ca2NiWO6或Ca2CoWO6中阳离子的摩尔比称量、混合、研磨、烧结;再次研磨、压片后重复烧结,并将烧结样品打磨后得到靶材...

39、一种涂层导体用双钙钛矿型缓冲层的制备方法
[简介]: 双极结晶体管包括具有第一导电类型的集电极、在集电极上的具有第一导电类型的漂移层、在漂移层上的且具有与第一导电类型相反的第二导电类型的基极层、在基极层上的具有第一导电类型的并且与基极层形成p-n结的轻度掺杂的缓...

40、具有台面结构及包含台面台阶的缓冲层的功率半导体器件
[简介]: 本发明描述一种具有至少一个pn结的半导体器件以及相应的制造方法。该半导体器件具有层序列:朝向第一主表面H1的具有第一掺杂的第一区10,以及接下来的具有较小的第二掺杂浓度的第二区20,接下来的具有第二掺杂的缓冲...

41、具有缓冲层的半导体器件
[简介]: 本发明公开了一种半导体装置,该半导体装置是通过使用芯片键合用树脂组合物的固化产品将涂覆了缓冲层用树脂组合物的固化产品的半导体元件安装在引线框上,然后用封装用树脂组合物的固化产品封装该半导体元件而制得。该半...

42、半导体装置、缓冲层用树脂组合物、芯片键合用树脂组合物以及封装用树脂组合物
[简介]: 一种氮化物型半导体元件的多层缓冲层结构,该缓冲层结构包含由高温下成长的AlxInyGa1-x-yN所形成的第一层;以及由低温下成长的未掺杂或适当地掺杂GaN型材料所形成的第二层。在由GaN型材料所形成的第二层中,可掺杂Al或In;...

43、具有多层缓冲层结构的氮化物型半导体元件及其制造方法
[简介]: 本发明涉及一种发光半导体装置的缓冲层,是由复数层氮化金属层堆叠形成于蓝宝石基板上所构成。此缓冲层为先在高温下以氨气使蓝宝石sapphire基板表面进行氮化,以形成一氮化铝AlN金属层,接着再于此氮化铝AlN金属层上...

44、发光半导体装置的缓冲层
[简介]: 本发明描述通过插入至少一个另外可交联的层从而提供用于有机电子元件的新型设计原理。从而改进电子器件的性能。更有利于这些器件的结构化构造。

45、包括有机半导体的电子器件有机半导体和由阳离子可聚合的聚合物制成的不含光致产酸剂的中间缓冲层
[简介]: 一种制造CB结构耐压层的方法,它是将一块n型半导体片与一块p型半导体片各自均刻了槽,n型材料有槽的地方恰好是p型材料没有槽的地方,反之亦然。两块半导体片的槽深相等,将两块半导体片相对接,使两块半导体片的槽被彼此相互...

46、一种制造含有复合缓冲层半导体器件的方法
[简介]: 一种Ⅱ-Ⅵ族半导体器件,包括电气连接到顶部电气触点的Ⅱ-Ⅵ族半导体层的堆垛。提供了一种GaAs衬底,它支撑Ⅱ-Ⅵ族半导体层的堆垛并与顶部电气触点相对。在GaAs和Ⅱ-Ⅵ族半导体衬底层的堆垛之间提供BeTe缓冲层。BeTe缓冲层减少了Ga...

47、具有BeTe缓冲层的Ⅱ-Ⅵ族半导体器件
[简介]: 一种MIS器件(20)包括半导体基板(22)、氮化硅缓冲层(24)、铁电体金属氧化物超晶格材料(26)、和贵金属顶电极(28)。该层状的超晶格材料(26)优选是锶铋钽酸盐、锶铋铌酸盐或锶铋铌钽酸盐。该器件按照一种优选的方法构成,该方法包...

48、具有极化兼容缓冲层的金属绝缘体半导体结构
[简介]: 一种制造半导体器件的方法及器件,其中,在P+半导体衬底上生长N型牺牲备用层,以吸收衬底中掺杂剂的外扩散。N+缓冲层生长于N型备用层上,N-外延层生长于N+缓冲层上。因备用层的存在,使得最终器件中N+缓冲层的整体掺杂浓度得...

资料说明:
    1、资料都是原版专利技术全文,含技术员姓名、地址、技术原理、技术原文,技术配方、工艺流程、制作方法,设备原理、机械设计构造、结构说明图等。
    2、资料都是电子文档格式,可在电脑中阅读、放大缩小、打印,可以网传,也可以刻录在光盘中邮寄。欢迎联系咨询, 电话:028-87023516   18980857561客服QQ:853136199

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