金万息旗下-金鼎工业资源网
更多专业资料,请联系客服微信18980857561

多晶硅显示,薄膜晶体管加工制造工艺方法图文全套

多晶硅显示,薄膜晶资料封面
请记住资料编号:GY10001-19720    资料价格:258元
1、多晶硅晶体管制造方法及多晶硅晶体管、显示器件
        [简介]: 本套资料提供一种多晶硅晶体管制造方法及多晶硅晶体管、显示器件,为解决现有技术中存在的,多晶硅晶体管源极及漏极-半导体接触电阻偏高的问题,该方法包括,形成多晶硅层,在多晶硅层上形成高功函接触层,在高功函接触层上形成...
2、多晶硅晶体管制造方法及多晶硅晶体管、显示器件
        [简介]: 本套资料提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示装置,用以解决现有薄膜晶体管器件的制作存在加工成本较高,加工时间较长,且容易产生掺杂结构偏移的问题。该制作方法包括:在基板上形成第一多晶硅岛和第二多晶硅岛;在第...
3、阵列基板的制作方法、阵列基板和显示装置
        [简介]: 本套资料主要内容为一种多晶硅TFT、多晶硅阵列基板及其制备方法、显示装置,属于液晶显示领域,为解决现有技术中掩膜版数量过多,工艺复杂且成本过高的问题而设计。一种多晶硅TFT的制备方法,所述多晶硅TFT包括掺杂区域,包括如下步...
4、多晶硅TFT、多晶硅阵列基板及其制备方法、显示装置
        [简介]: 本套资料主要内容为一种多晶硅薄膜及其制备方法、阵列基板、显示装置,属于半导体技术领域,该多晶硅薄膜的制备方法包括以下步骤:(1)形成石墨烯层和非晶硅层,其中石墨烯层和非晶硅层相邻;(2)使非晶硅晶化形成多晶硅,得到多晶硅薄...
5、一种多晶硅薄膜及其制备方法、阵列基板、显示装置
        [简介]: 本套资料主要内容为一种薄膜晶体管、一种薄膜晶体管的制造方法及一种包括该薄膜晶体管的显示装置。薄膜晶体管包括:基底;多晶硅半导体层,位于基底上;金属图案,位于半导体层和基底之间,金属图案与半导体层绝缘,其中,半导体层的多...
6、薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法及显示装置
        [简介]: 本套资料主要内容为一种低温多晶硅显示装置及其制作方法,包括:在基板之上方形成金属屏蔽层;在金属屏蔽层之上方形成与金属屏蔽层绝缘的多晶硅层;在多晶硅层之上方分别形成相互绝缘的公共电极层和像素电极层,并且使所述像素电...
7、一种低温多晶硅显示装置及其制作方法
        [简介]: 本套资料提供了一种半导体层结构、多晶硅薄膜晶体管、制作方法、显示装置,通过采用晶界连接线技术,即在多晶硅材质的半导体层中晶界位置处,形成用于连接晶界的微掺杂区,从而可减少多晶硅的晶界缺陷,提高了晶粒均匀性,改善了...
8、半导体层结构、多晶硅薄膜晶体管、制作方法、显示装置
        [简介]: 本套资料主要内容为一种阵列基板、显示装置及制备方法,涉及显示技术领域。该阵列基板,包括:基板、多晶硅层、栅绝缘层和金属层;所述多晶硅层设置在所述基板的上方,包括:沟道区以及所述沟道区两侧的离子掺杂区;所述栅绝缘层设置在...
9、阵列基板、显示装置及制备方法
        [简介]: 本套资料提供了一种制造多晶硅层的方法、一种使用该多晶硅层的薄膜晶体管、一种包括该多晶硅层的有机发光二极管显示装置及它们的制造方法。制造多晶硅层的方法包括:将缓冲层形成在基底上;将金属催化剂层形成在缓冲层上;使金...
10、制造多晶硅层的方法、薄膜晶体管、显示装置及制造方法
        [简介]: 本套资料提供不导致制造成本的增加就能够优化不同的半导体元件的各特性的显示面板100。显示面板100包括:配置在显示部101内的像素TFT11;配置在扫描驱动器102内的扫描驱动器TFT12;和配置在数据驱动器103内的...
11、显示面板和使用该显示面板的显示装置
        [简介]:本技术主要内容为一种阵列基板及显示装置,涉及低温多晶硅高级超维场转换显示技术领域。该阵列基板包括:栅电极层、多晶硅层、源漏电极层、公共电极层、像素电极层、及存储电容,其特征在于,所述存储电容的第一电极设置于所述公...
12、一种阵列基板及显示装置
        [简介]: 本套资料主要内容为一种形成多晶硅层的方法、一种形成薄膜晶体管的方法、一种薄膜晶体管和一种有机发光显示装置。形成多晶硅层的方法包括:在基底上形成缓冲层;利用氢等离子体处理所述缓冲层;在所述缓冲层上形成非晶硅层;在所述...
13、形成多晶硅层的方法、TFT及制造方法和有机发光显示装置
        [简介]: 本套资料提供制作多晶硅层的方法,包括:在衬底上形成非晶硅层;利用结晶诱导金属使非晶硅层结晶为多晶硅层;形成与多晶硅层中沟道区之外的区域相对应的多晶硅层的上方和下方接触的金属层图案或者金属硅化物层图案;以及退火...
14、多晶硅层的制法、TFT及其制法及OLED显示装置
        [简介]: 本套资料主要内容为显示设备及其制造方法。该显示设备包括:基板;第一导电膜图案,包括位于所述基板上的栅电极和第一电容器电极;栅绝缘层图案,位于所述第一导电膜图案上;多晶硅膜图案,包括位于所述栅绝缘层图案上的有源层和第二...
15、显示设备及其制造方法
        [简介]:本技术主要内容为一种CMOS电路结构、OLED及显示装置,在CMOS电路结构中PMOS区域为LTPS TFT结构,即使用P型掺杂多晶硅材料制备PMOS半导体层,NMOS区域为Oxide TFT结构,即使用氧化物材料制备NMOS半导体层,在NMOS区域使用氧化...
16、一种CMOS电路结构、OLED及显示装置
        [简介]:本技术主要内容为一种CMOS电路结构、OLED及显示装置,在CMOS电路结构中PMOS区域为LTPS TFT结构,即使用P型掺杂多晶硅材料制备PMOS半导体层,NMOS区域为Oxide TFT结构,即使用氧化物材料制备NMOS半导体层,在NMOS区域使用氧化...
17、一种CMOS电路结构、OLED及显示装置
        [简介]: 本套资料主要内容为一种CMOS电路结构、其制备方法及显示装置,在CMOS电路结构中PMOS区域为LTPS TFT结构,即使用P型掺杂多晶硅材料制备PMOS半导体层,NMOS区域为Oxide TFT结构,即使用氧化物材料制备NMOS半导体层,在NMOS区域使用氧...
18、一种CMOS电路结构、其制备方法及显示装置
        [简介]: 本套资料主要内容为一种CMOS电路结构、其制备方法及显示装置,在CMOS电路结构中PMOS区域为LTPS TFT结构,即使用P型掺杂多晶硅材料制备PMOS半导体层,NMOS区域为Oxide TFT结构,即使用氧化物材料制备NMOS半导体层,在NMOS区域使用氧...
19、一种CMOS电路结构、其制备方法及显示装置
        [简介]: 本套资料提供一种显示装置及显示装置的制造方法,该显示装置具有用极简单的结构、仅进一步增加一些工序数就实现了降低截止电流的多晶硅薄膜晶体管。该显示装置具有绝缘基板、和形成在上述绝缘基板上的薄膜晶体管,上述薄膜晶...
20、显示装置和显示装置的制造方法
        [简介]: 本套资料主要内容为一种形成多晶硅层的方法、薄膜晶体管TFT、显示装置及制造方法。形成多晶硅层的方法包括以下步骤:提供基底;在基底上形成缓冲层;在缓冲层上形成非晶硅层;在非晶硅层中形成凹槽;在非晶硅层上形成覆盖层;在覆盖...
21、薄膜晶体管及制造方法、有机发光显示装置及制造方法
22、薄膜晶体管及制造方法、有机发光显示装置及制造方法
23、显示基板及其制造方法和具有该显示基板的显示装置
24、有机发光二极管显示器件
25、薄膜晶体管及其制造方法和有机发光二极管显示装置
26、液晶显示装置、多晶硅阵列基板及制作方法
27、显示装置及其制造方法
28、显示装置及其制造方法
29、显示装置及其制造方法
30、薄膜晶体管装置及其制造方法以及显示装置
31、薄膜晶体管阵列基板、其制造方法和显示装置
32、显示装置及其制造方法
33、半导体元件、显示装置、光电装置及上述的制造方法
34、多晶硅的制法、薄膜晶体管及制法及有机发光二极管显示装置
35、具复合多晶硅层的半导体结构及其应用的显示面板
36、LTPS薄膜及薄膜晶体管的制备方法、阵列基板及显示装置
37、选择性激光结晶的方法及其制造的显示面板
38、显示装置及其制造方法
39、用于显示设备的阵列基板及其制造方法
40、薄膜半导体装置、显示装置及薄膜半导体装置的制造方法
41、用于显示影像的系统及低温多晶硅的激光退火方法
42、用于显示影像的系统及低温多晶硅的激光退火方法
43、显示面板及其制作方法
44、有机发光二极管显示面板及其多晶硅通道层的形成方法
45、显示装置及其制造方法
46、一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法
47、用于平面显示装置的薄膜晶体管结构及其制造方法
48、LTPS-TFT阵列基板及其制造方法、显示装置
49、具有多晶硅层的显示面板及其制造方法
50、薄膜晶体管的制造方法及有机电激发光显示装置
51、电流镜型TFT-OLED显示像素单元电路及制备方法
52、有机发光二极管显示器及其制造方法
53、图像显示系统
54、低温多晶硅显示装置及其制作方法
55、有机电致发光显示装置的阵列基板及其制造方法
56、影像显示系统的薄膜晶体管的结构与制造方法
57、显示装置
58、一种场序彩色液晶显示器的有源矩阵背板的制造方法
59、薄膜晶体管及制造方法以及包括其的有机发光显示设备
60、显示装置及其制造方法
61、低温多晶硅显示装置
62、低温多晶硅显示装置
63、影像显示系统及其制造方法
64、低温多晶硅薄膜晶体管显示面板及其制造方法
65、电容器电路和显示器件以及显示驱动电路
66、显示装置及其制造方法
67、有源矩阵显示装置
68、使硅层晶化的方法、薄膜晶体管和有机发光显示装置
69、薄膜晶体管、其制造方法及液晶显示装置
70、有机发光二极管显示器及其制造方法
71、有源矩阵显示器件及其制作
72、有源矩阵显示基板制备方法
73、控制薄膜晶体管及其制造方法与含其的电致发光显示装置
74、显示装置
75、场*显示装置及其制造方法
76、一种像素电路及显示设备
77、晶体管基板与显示装置及其制造方法
78、液晶显示器驱动集成电路及其制造方法
79、半穿透半反射式液晶显示面板及其制作方法
80、半导体显示装置及其制造方法
81、有机电激发光元件的制造方法及影像显示系统
82、有机电激发光元件的制造方法及影像显示系统
83、有机电激发光元件的制造方法及影像显示系统
84、显示装置及其制造方法
85、平面显示器的半导体结构及其制造方法
86、主动元件阵列母基板以及显示面板的制作方法
87、薄膜晶体管、有源矩阵背板及其制造方法和显示器
88、显示装置
89、薄膜晶体管、其制造方法及有机发光二极管显示装置
90、有源驱动有机电致发光显示屏中多晶硅TFT阵列的制作方法
91、显示装置
92、半导体显示装置及其制造方法和有源矩阵型显示装置
93、薄膜晶体管及其制造方法、显示装置、氧化膜的改性方法、氧化膜的形成方法、半导体装置、半导体装置的制造方法以及半导体装置的制造装置
94、使用激光掩模结晶的显示器件
95、液晶像素及其制造方法与液晶显示器
96、显示装置
97、液晶显示器件及其制造方法
98、结晶硅的方法、结晶硅的装置,薄膜晶体管及显示装置
99、有机发光二极管显示器及其制造方法
100、太阳能温度显示保温杯
101、一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法
102、一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法
103、显示器件及其制造方法
104、半导体装置及有源矩阵型显示装置
105、多晶硅控制的回蚀刻显示器
106、液晶显示装置及其制造方法
107、有机电激发光显示器的制造方法
108、有源有机电致发光显示器的交流像素驱动电路
109、有机电致发光显示面板
110、有机电致发光显示面板
111、具有优良特性的显示器件
112、光感测器以及具有此光感测器的显示面板
113、电致发光显示装置及其制造方法
114、一种可进行透明不透明转换的显示器
115、显示装置及其制造方法
116、显示装置及其制造方法
117、显示器件和电子装置
118、液晶显示器件及其驱动方法
119、有源矩阵型显示装置及其制造方法
120、一种用于制备显示器的衬底
121、有机发光显示面板及其电压驱动有机发光像素
122、有机发光显示面板及其电压驱动有机发光像素
123、光传感器元件和使用它的光传感器装置、图像显示装置
124、液晶显示器及其制造方法
125、液晶显示设备及其制造方法
126、多晶硅层、使用其的平板显示器及其制造方法
127、多晶硅层、制造其的方法和平板显示器
128、硅基液晶显示芯片的像素单元存储电容器
129、显示装置及其驱动电路和驱动方法
130、分频电路、电源电路及显示装置
131、薄膜晶体管、其制造方法及具有该薄膜晶体管的液晶显示装置的制造方法
132、基于多晶硅薄膜晶体管的场序彩色液晶显示器
133、电容器及使用该电容器的发光显示器
134、液晶显示面板的半导体结构及其制作方法
135、包括多晶硅薄膜晶体管的液晶显示器件及其制造方法
136、一种有源矩阵有机发光显示器阵列基板的制造方法
137、带有掺杂多晶硅场*阴极阵列结构的平板显示器及其制作工艺
138、显示器件
139、适用于有机发光二极管显示器的多晶硅薄膜象素电极
140、一种有源矩阵有机发光显示器阵列基板的制造方法
141、MTV播放器低温多晶硅显示装置
142、MTV播放器低温多晶硅显示装置
143、多晶硅层结构与其形成方法以及平面显示器
144、单间隙透反式液晶显示面板以及改善其光学特性的方法
145、薄膜晶体管、其制造方法和使用其的液晶显示面板和电子装置
146、薄膜晶体管及其制造方法和有机发光二极管显示器装置
147、具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置
148、阵列基板及平面显示装置
149、半导体器件及其制法、SOI衬底及其制法和其显示器件
150、半导体器件及其制法、SOI衬底及其制法和其显示器件
151、具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置
152、多晶硅结晶方法、薄膜晶体管及其液晶显示器的制造方法
153、等离子平板显示器驱动芯片用的高压器件结构及其制备方法
154、低温多晶硅薄膜及其制造方法、晶体管和显示装置
155、一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法
156、一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法
157、液晶装置,有源矩阵基板,显示装置以及电子设备
158、0.35μmLDMOS高压功率显示驱动器件的设计方法
159、液晶显示装置及其制造方法
160、液晶显示荧幕的制造方法
161、显示装置及其制造方法
162、显示装置及其制造方法
163、互补金属氧化物半导体薄膜晶体管及使用其的显示器件
164、互补型金属氧化物半导体薄膜晶体管及具有其的显示装置
165、主动式矩阵驱动有机发光显示器的显示单元
166、多显示屏太阳能电视机
167、一种多显示屏太阳能电视机
168、光电检测半导体器件、光电检测器和图像显示装置
169、光电检测半导体器件、光电检测器和图像显示装置
170、电致发光显示装置
171、显示装置
172、半导体装置及显示装置
173、单晶硅及SOI基板、半导体装置及其制造方法、显示装置
174、低温多晶硅平面显示面板
175、多晶硅薄膜晶体管液晶显示面板及其制造方法
176、显示装置及其制造方法和制造装置
177、平板显示器及其制造方法
178、薄膜晶体管的多晶硅层及其显示器
179、薄膜晶体管的多晶硅层及其显示器
180、多晶硅液晶显示器件的制造方法
181、显示装置的制造方法

    当前第1页
      1      2    

gongye168.com专业资料适合技术人员创业者
 
  • 开本:16开
  • 资料形式:DVD/U盘/电子版    正文语种: 简体中文
  • 可否打印:是    装帧: 平装
  • 分类:专业技术
  • 咨询电话:18980857561联系客服
  • 资料说明:资料都是电子文档PDF格式,可在电脑中阅读、放大 缩小、打印,可以网传,也可以刻录在光盘或优盘中(加收40元)邮寄 ,如需纸质版客户可自行打印。资料具体内容包括技术开发单位信 息、技术原理、技术原文,技术配方、工艺流程、制作方法,设备 原理、机械设计构造、图纸等,是开发产品不可多得的专业参考资料。

栏目导航
金鼎工业资源网-版权所有
成都运营中心

中国 成都 高新区创业路18号