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肖特基二极管,势垒肖特基二极管加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

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分类：专业技术
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1、肖特基二极管、具有肖特基二极管的阻变存储器件及其制造方法

[简介]：本套资料主要内容为一种肖特基二极管、具有肖特基二极管的阻变存储器件及其制造方法。所述阻变存储器件包括包含字线的半导体衬底、形成在所述字线上的肖特基二极管、以及形成在所述肖特基二极管上的储存层。所述肖特基二极管包括...

2、肖特基二极管、具有肖特基二极管的阻变存储器件及其制造方法

[简介]：本套资料主要内容为一种用于太赫兹肖特基二极管的多孔衬底，属于半导体器件领域。本套资料包括半绝缘衬底，在所述半绝缘衬底的背面设有两个以上的空气孔，所述空气孔的深度小于半绝缘衬底的厚度，大于半绝缘衬底厚度的三分之一。本发...

3、用于太赫兹肖特基二极管的多孔衬底

[简介]：一种铝合金铬硅夹心肖特基二极管，该二极管描述的是一种减少了载流子的注入和减少金属扩散到半导体中的二极管。在肖特基二极管中这些改进是通过在正极的金属层和半导体之间插入由硅铬混合组成的一个层实现的。该层包括一...

4、铝合金铬硅夹心肖特基二极管

[简介]：本套资料一种肖特基二极管的封装结构，包括芯片、跳线和金属框架，金属框架包括间隔相对的一个基部金属框架和两个引出金属框架，芯片的下表面与基部金属框架的上表面相焊接，芯片上表面焊接跳线的一端，跳线的另一端焊接在引出...

5、一种肖特基二极管的封装结构

[简介]：本套资料主要内容为种肖特基二极管势垒高度的提取方法。通过测量肖特基二极管的反向I-V特性曲线，以-V14为横坐标，以ln|I|为纵坐标，在一段负偏压区间内外推曲线与纵轴相交，截距为C，得到零偏压下肖特基二极管的势垒高度为本发...

6、一种肖特基二极管势垒高度的提取方法

[简介]：本套资料涉及一种肖特基二极管及其制造方法。该肖特基二极管，包括阴极金属层，阴极金属层上的N型硅芯片，该N型硅芯片上具有开口的绝缘层，位于所述开口中及所述绝缘层上的阳极金属层。该肖特基二极管进一步包括该N型硅芯片中...

7、肖特基二极管及其制造方法

[简介]：本技术涉及一种肖特基二极管。该肖特基二极管，包括阴极金属层，阴极金属层上的N型硅芯片，该N型硅芯片上具有开口的绝缘层，位于所述开口中及所述绝缘层上的阳极金属层。该肖特基二极管进一步包括该N型硅芯片中位于所述...

8、一种肖特基二极管

[简介]：本技术提供一种肖特基二极管，本实用新型所述肖特基二极管通过设置第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区均匀分布在所述势垒区的内部，所述第二掺杂区形成于所述第一掺杂区和所述外延层表面之间且每一所述第二掺杂...

9、肖特基二极管

[简介]：本套资料提供一种肖特基二极管及制作方法，本套资料所述肖特基二极管及制作方法通过设置第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区均匀分布在所述势垒区的内部，所述第二掺杂区形成于所述第一掺杂区和所述外延层表面之间且每一...

10、肖特基二极管及其制作方法

[简介]：本套资料主要内容为一种肖特基二极管，包括N型衬底上的N型外延，N型外延中的深沟槽，深沟槽中具有二氧化硅层，深沟槽中的二氧化硅层内侧具有多晶硅区，在深沟槽之间的N型外延上方具有肖特基接触区，肖特基接触区上具有金属层，其中...

11、肖特基二极管

[简介]：本套资料主要内容为一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法，该SiC结势垒肖特基二极管包括：N+-SiC衬底；形成于该N+-SiC衬底之上的同型N--SiC外延层；形成于该N--SiC外延层上的肖特基金属接触；形成于该肖特基金属接触之下N-区域...

12、一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法

[简介]：本套资料主要内容为一种SiC肖特基二极管及其制作方法，该SiC肖特基二极管包括：N+-SiC衬底；形成于该N+-SiC衬底之上的N--SiC外延层；形成于该N--SiC外延层之上的肖特基接触；形成于该肖特基接触边缘处的P--SiC区域环，该P--SiC区域...

13、一种SiC肖特基二极管及其制作方法

[简介]：一种梯形终端的碳化硅结势垒肖特基二极管器件，所述梯形终端的碳化硅结势垒肖特基二极管器件为对称结构，包括：N+型衬底，在N+型衬底上设有N型过渡外延层，在N型过渡外延层上设有N-型外延层，在N-型外延层的内部上方设有2个...

14、一种梯形终端的碳化硅结势垒肖特基二极管器件

[简介]：利用绝缘衬底，制备一种垂直传导的氮化物肖特基二极管，当肖特基二极管器件封装在晶圆级成型化合物的正面后，剥去绝缘衬底。晶圆级成型化合物对二极管器件的正面提供结构支撑，使绝缘衬底可以剥去，从而在二极管器件的背面形...

15、垂直氮化镓肖特基二极管

[简介]：一种用于氮化物肖特基二极管的端接结构，包括一个通过外延生长的P-型氮化物化合物半导体层构成的保护环，以及一个形成在保护环上的电介质场板。端接结构形成在肖特基二极管的阳极电极边缘处，以降低阳极电极边缘处的电场拥...

16、用于氮化镓肖特基二极管的端接结构

[简介]：本套资料的目的在于提供一种肖特基二极管NiCr势垒低温合金的制造方法，所述制造方法的工艺流程为：场氧化、光刻P+、P+注入、P+推结、光刻引线孔、溅射NiCr、NiCr合金、扒NiCr、正面蒸发、金属光刻、金属腐蚀、背面减薄、背面蒸发，其特...

17、肖特基二极管NiCr势垒低温合金制造方法

[简介]：本套资料提供一种肖特基二极管，包括衬底层以及形成在衬底层上方的一系列Ⅲ族氮化物层，利用异质结结构，使相邻Ⅲ族氮化物层之间形成二维电子气沟道，Ⅲ族氮化物层与阴极电极形成欧姆接触，Ⅲ族氮化物层与阳极电极形成肖特基接触...

18、一种肖特基二极管及其制备方法

[简介]：本套资料提供了一种太赫兹肖特基二极管，包括砷化镓半导体衬底、在砷化镓半导体衬底上依次形成的高浓度掺杂砷化镓层和低浓度掺杂砷化镓层、形成在高浓度掺杂砷化镓层上的欧姆接触阴极和欧姆接触金属、形成在低浓度掺杂砷化镓...

19、太赫兹肖特基二极管

[简介]：本套资料主要内容为一种高反压肖特基二极管正面金属层的湿法腐蚀方法，解决现有技术的湿法腐蚀方法所存在的步骤多，操作复杂，不能有效兼顾底层金属层Ti的过腐蚀与残留，易造成高反压肖特基二极管的反向漏电及早期失效，二极管管...

20、一种高反压肖特基二极管正面金属层的湿法腐蚀方法

[简介]：本套资料提供了太赫兹肖特基二极管的制造方法，包括：在砷化镓半导体衬底上依次形成高浓度掺杂砷化镓层和低浓度掺杂砷化镓层；在高浓度掺杂砷化镓层上形成欧姆接触阴极和欧姆接触金属；在低掺杂浓度砷化镓层上形成具有小孔的...

21、实现肖特基二极管功能的双极集成电路结构

22、实现肖特基二极管功能的双极集成电路结构

23、集成肖特基二极管的MOS器件的制造方法

24、一种碳化硅肖特基二极管及其制作方法

25、一种掩埋PN结势垒肖特基二极管

26、肖特基二极管空气桥制备的监控方法

27、一种肖特基二极管的制备工艺

28、肖特基二极管及其形成方法

29、用于结实耐用封装的带有增强型上部接头结构的结型势垒肖特基二极管及其方法

30、集成有肖特基二极管的功率器件

31、集成有肖特基二极管的功率器件及其制造方法

32、肖特基二极管及其制造方法

33、肖特基二极管的制备方法

34、在功率MOSFET内集成肖特基二极管

35、沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法

36、具有金属栅电极的肖特基二极管及其形成方法

37、肖特基二极管

38、肖特基二极管和其制造方法

39、肖特基二极管及其制造方法

40、一种基于核壳结构硅纳米线组的肖特基二极管的制备方法

41、一种高温肖特基二极管

42、一种高温肖特基二极管

43、一种集成式肖特基二极管及其制造方法

44、低势垒肖特基二极管的结构

45、低势垒肖特基二极管的制作方法及结构

46、一种肖特基二极管的等效电路

47、SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法

48、SiC肖特基二极管及其制作方法

49、高性能肖特基二极管的制造方法

50、具有高反向阻断性能肖特基二极管

51、具有高反向阻断性能肖特基二极管及其制造方法

52、一种肖特基二极管及其制造方法

53、高压肖特基二极管及其制作方法

54、一种形成肖特基二极管的方法

55、一种铟镓锌氧化物肖特基二极管器件

56、一种铟镓锌氧化物肖特基二极管器件及其制备方法

57、肖特基二极管结构

58、肖特基二极管

59、一种肖特基二极管

60、功率晶体管内集成肖特基二极管的器件及其形成方法

61、一种肖特基二极管

62、一种肖特基二极管

63、肖特基二极管及其制作方法

64、集成有肖特基二极管的绝缘栅双极晶体管结构及制备方法

65、集成有低漏电肖特基二极管的IGBT结构及其制备方法

66、一种肖特基二极管

67、片式肖特基二极管

68、肖特基二极管及其制备方法

69、一种肖特基二极管

70、具有肖特基二极管的整流器装置

71、叠置P+-P结势垒控制肖特基二极管

72、内嵌肖特基二极管的双载子接面晶体管半导体结构

73、具有合并的场板和保护环的肖特基二极管

74、一种肖特基二极管及其制备方法

75、一种肖特基二极管及其制备方法

76、新型碳化硅肖特基二极管

77、双层硅外延片结构肖特基二极管芯片

78、双层硅外延片结构肖特基二极管芯片

79、具有肖特基二极管测温的大功率LED

80、沟槽式肖特基二极管及其制作方法

81、可降低正向导通压降的肖特基二极管

82、可降低正向导通压降的肖特基二极管

83、高抗静电能力的肖特基二极管

84、瞬变电压抑制二极管和肖特基二极管组合的晶体管

85、瞬变电压抑制二极管和肖特基二极管组合的晶体管

86、肖特基二极管

87、表面电场屏蔽式肖特基二极管芯片的制造方法

88、肖特基二极管器件及其制造方法

89、在超级结MOSFET中集成肖特基二极管的方法

90、一种低电容肖特基二极管的制造方法

91、与功率芯片相兼容的集成的沟槽防护型肖特基二极管结构及方法

92、光伏旁路肖特基二极管的制造工艺

93、超级结MOSFET中集成肖特基二极管的方法

94、一种肖特基二极管的正面电极结构及其工艺制造方法

95、新型碳化硅肖特基二极管

96、肖特基二极管

97、一种功率型GaN基肖特基二极管及其制作方法

98、一种肖特基二极管及其制造方法

99、一种肖特基二极管的制造方法

100、一种低正向压降肖特基二极管及其制造方法

101、贴片式双肖特基二极管

102、贴片式双肖特基二极管

103、高电压半导体器件中的集成肖特基二极管

104、化合物半导体基肖特基二极管作为开关的相变存储器及方法

105、肖特基二极管

106、与沟槽-栅极DMOS兼容的集成保护式肖特基二极管结构及方法

107、一种肖特基二极管的制备方法

108、金氧半导体场效晶体管与肖特基二极管的整合及制作方法

109、肖特基二极管开关和包含它的存储部件

110、网格保护结构肖特基二极管

111、肖特基二极管、半导体存储器及其制造工艺

112、整合肖特基二极管与功率晶体管于基材的制造方法

113、片式肖特基二极管

114、单胞中集成肖特基二极管的沟槽MOS器件

115、单胞中集成肖特基二极管的沟槽MOS器件及制造方法

116、具有肖特基二极管的功率半导体结构及其制造方法

117、共用金属层的肖特基二极管和相变存储器及其制造方法

118、具有肖特基二极管的沟槽MOS装置及其制造方法

119、具有肖特基二极管的沟槽式功率半导体结构及其制造方法

120、一种N-P互补肖特基二极管结构

121、一种场板结构的氮化镓基肖特基二极管

122、一种场板结构的氮化镓基肖特基二极管

123、集成有肖特基二极管的功率MOS晶体管器件的制造方法

124、一种肖特基二极管

125、肖特基二极管金属结构正反向腐蚀工艺

126、功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的器件及制造方法

127、一种新型GaAs肖特基二极管及其制作方法

128、功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的工艺方法

129、一种肖特基二极管

130、一种3A肖特基二极管的引线

131、消除功率肖特基二极管电子沟道漏电流的方法

132、沟道式MOSP-N结肖特基二极管结构及其制作方法

133、一种功率型AlGaNGaN肖特基二极管及其制作方法

134、肖特基二极管的制造方法

135、一种肖特基二极管结构

136、低漏电流和或低导通电压的肖特基二极管

137、一种CMOS嵌入式肖特基二极管制造方法

138、一种肖特基二极管及其制备方法

139、沟槽式肖特基二极管及其制作方法

140、用于高压P阱肖特基二极管的稳固结构

141、具有电流浪涌能力的结势垒肖特基二极管

142、具有电流浪涌能力的结势垒肖特基二极管

143、具有外延式护环的肖特基二极管元件及其制作方法

144、集成式低泄漏肖特基二极管

145、场限环结构的4H-SiCPiN肖特基二极管制作方法

146、偏移场板结构的4H-SiCPiN肖特基二极管及其制作方法

147、接面晶体管与肖特基二极管的整合元件

148、PMOS晶体管与肖特基二极管的整合元件

149、变温肖特基二极管特性测试仪

150、变温肖特基二极管特性测试仪

151、一种调节金属和硅形成的肖特基二极管势垒的方法

152、用于交叉点可变电阻材料存储器的三维和三维肖特基二极管、其形成工艺及其使用方法

153、用于交叉点可变电阻材料存储器的三维和三维肖特基二极管、其形成工艺及其使用方法

154、肖特基二极管及制造方法、电阻转换存储器制造方法

155、半导体器件的肖特基二极管及其制造方法

156、具有肖特基二极管的高压半导体元件

157、基于含锑的肖特基二极管及自对准制造方法

158、自对准肖特基二极管及相应电阻转换存储器制造方法

159、功率MOS晶体管与肖特基二极管的集成方法及结构

160、肖特基二极管的制备方法

161、在有源区接触沟槽中具有集成肖特基二极管的MOS器件

162、在有源区接触沟槽中具有集成肖特基二极管的MOS器件

163、高效节能肖特基二极管

164、高抗静电肖特基二极管

165、一种高抗静电肖特基二极管

166、改进的肖特基二极管双顶头引线

167、底部阳极肖特基二极管的结构与形成方法

168、集成有肖特基二极管的平面MOSFET及其布局方法

169、底部阳极肖特基二极管

170、底部阳极肖特基二极管的结构和制造方法

171、具有共同封装的肖特基二极管的高压高功率升压变换器

172、纳米硅肖特基二极管

173、肖特基二极管及其形成方法

174、结势垒肖特基二极管

175、使用肖特基二极管为选通管的相变存储单元及制备方法

176、具有多划分的保护环的肖特基二极管结构及制备方法

177、具有浮岛的结势垒肖特基二极管

178、肖特基二极管等效电路模型及其参数提取方法

179、集成肖特基二极管制造方法

180、肖特基二极管

181、一种肖特基二极管

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