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然后在硅加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

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1、在硅衬底上生长高品质的III-V族化合物层的方法

[简介]：本套技术涉及一种制造半导体器件的方法。清洁硅晶圆的表面。然后，在硅晶圆上外延生长第一缓冲层。第一缓冲层包含氮化铝AlN材料。然后，在第一缓冲层上外延生长第二缓冲层。第二缓冲层包括多个氮化铝镓AlxGa1-xN子层。每一个...

2、在硅衬底上生长高品质的III-V族化合物层的方法

[简介]：本套技术涉及一种在光纤表面制备一维硅纳米结构的方法，通过对具有柱状微结构的多晶硅薄膜进行化学刻蚀，获得在光纤表面的一维硅纳米结构阵列。所述方法在清洁的石英光纤纤芯表面沉积非晶硅薄膜；然后对非晶硅进行高温退火，...

3、一种在光纤表面制备一维硅纳米结构阵列的方法

[简介]：本套技术涉及一种采用硅纳米粒子包覆在电极上固定化金属铱配合物的方法，属于电致化学发光检测领域。旨在将水不溶性的金属铱配合物固定化在电极表面，从而实现直接用检测共反应物的目的。采用正向微乳液法制备了负载油溶性金...

4、采用硅纳米粒子包覆在电极上固定化金属铱配合物的方法

[简介]：本套技术主要内容为一种在硅衬底上制备氮化镓LED的方法，该方法包括：步骤1：在硅衬底上制作一层图案，形成表面图案化的硅基底；步骤2：在图案化的硅基底表面上形成纳米级粗糙层；步骤3：对纳米级粗糙的硅表面进行修饰或表面改性；步...

5、在硅衬底上制备氮化镓LED的方法

[简介]：本套技术的实施例提供一种在硅衬底上的全隔离FinFET晶体管及电隔离晶体管。通过在半传导沟道鳍与衬底之间插入绝缘层来防止FinFET器件中的沟道到衬底泄漏。类似地，通过在源极漏极区域与衬底之间插入绝缘层隔离源极...

6、在硅衬底上的全隔离FinFET晶体管及电隔离晶体管

[简介]：本套技术涉及一种在硅纳米线上制备径向p-n结太阳电池的方法，属于光伏和半导体器件制造技术领域。首先将清洗好的带有纳米线的p型硅片放入稀释的氢氟酸溶液中去除表面的氧化层；然后，将样品放入热丝化学气相沉积腔体内，在设...

7、一种在硅纳米线上制备径向p-n结太阳电池的方法

[简介]：本套技术主要内容为在高压强条件下铝硅粉末的固相合金化方法，应用的铝硅合金范围是铝的含量在10%～80%，其余含量均为硅。选取适当的*和硅粉的粒度配比，将配好的*和硅粉在三维方向上旋转球磨混合，然后放置在真空加热炉中活...

8、一种在高压强条件下铝硅粉末的固相合金化方法

[简介]：本套技术涉及一种在硅衬底上外延生长III族氮化物半导体材料的方法，首先在硅衬底表面形成晶态Si3N4层；然后通入铝源将晶态Si3N4层转化为AlN成核层；最后在AlN成核层上外延生长III族氮化物半导体材料。本套技术提供的生长方法通...

9、一种在硅衬底上外延生长III族氮化物半导体材料的方法

[简介]：本套技术提供一种在（111）型硅片上制作硅锥体结构的方法，先在硅片表面制作至少具有3个两两相邻的刻蚀窗口的掩膜图形；然后将刻蚀窗口下方的硅片用ICP干法刻蚀至一预设深度；进行各向异性湿法腐蚀使3个腐蚀槽的交界处形成由...

10、一种在（111）型硅片上制作硅锥体结构的方法

[简介]：本套技术涉及一种聚烯烃组合物，其包含：A具有在水解时形成酸或碱的可水解的硅烷基的可交联聚烯烃，其特征在于，在90℃的交联试验中，所述酸或碱在40小时后产生至少40％的凝胶含量，其中，所述酸或碱是以4.5mmolkg的量加入到M...

11、包含在水解时形成酸或碱的硅烷基的可交联聚烯烃组合物

[简介]：本套技术主要内容为一种涉及在晶硅太阳能电池表面上镀氧化铝钝化薄膜的方法，该方法是在晶硅太阳能电池表面镀一层氧化铝薄膜，其步骤包括：（1）材料的选择，铝来源为氯化铝，以无水乙醇与其发生反应。（2）铝溶胶的制备，将氯化铝材料...

12、一种在晶硅太阳能电池表面上制备氧化铝钝化薄膜的方法

[简介]：本套技术属于半导体器件技术领域，具体涉及一种制作在锗硅外延层上的隧穿晶体管及其制造方法。本套技术先在半导体衬底之上外延生长锗硅外延层，然后再在锗硅外延层上制备隧穿晶体管，所得到的隧穿晶体管具有高的开关电流，而且...

13、一种制作在锗硅外延层上的隧穿晶体管及其制备方法

[简介]：用于制造用于发光二极管（LED）的晶体GaN的硅晶片，其包括硅基材、氮化铝（AlN）缓冲层及GaN上层。所述硅晶片具有至少200毫米的直径以及Si1111ࡧ表面。所述AlN缓冲层覆盖所述Si111表面。所述GaN上层位于所述缓冲层上方。横跨...

14、使用氨预流在硅基材上使氮化铝形核的方法

[简介]：本套技术主要内容为一种在体硅加工中用于功能结构Si和牺牲层的Si的隔离方法，包括步骤：①取SOI硅片，该SOI硅片从上到下依次为上硅层、氧化硅层和下硅层，在上硅层上根据需要制作器件部分，用于功能结构的Si利用深刻蚀技术加氧化技...

15、在体硅加工中用于功能结构Si和牺牲层的Si的隔离方法

[简介]：本套技术涉及在硅晶片上制备n+pp+型或p+nn+型结构的方法，包括如下步骤：a在包括前表面（8）和背表面（9）的p型或n型硅晶片（1）的背表面（9）上，利用PECVD方法形成硼掺杂氧化硅层（BSG）（2），然后再形成SiOx扩散阻挡层（3）；b使磷源...

16、在硅晶片上制备n+pp+型或p+nn+型结构的方法

[简介]：本套技术涉及一种在使用物理冶金法或强辐射催化法提纯高纯硅的过程中将原料进行混合的方法。是在固体状况中，将工业硅细粉及粉状渣剂混合以后使用悬浮的方法使硅粒细粉均匀地分布在混合体中，然后再将混合体加压进行压缩和...

17、一种在提纯高纯硅的过程中原料的混合方法

[简介]：本套技术涉及无规聚苯基硅倍半氧烷在阻燃聚碳酸酯中的应用，属于阻燃技术领域。将苯基三氯硅烷或苯基乙氧基硅烷与苯进行混合并搅拌，加水、催化剂，静置，抽滤，洗涤得无规聚苯基硅倍半氧烷；无规聚苯基硅倍半氧烷、聚碳酸酯和加...

18、无规聚苯基硅倍半氧烷在阻燃聚碳酸酯中的应用

[简介]：通过故意将沟道-阱PN结与栅极区域短路，实现了一种没有用于背栅极的表面接触的结场效应晶体管，该晶体管实现了沟道中的两倍跨导并且具有更高的切换速度。这是通过以下方式实现的：故意刻蚀掉至少栅极区域中有源区外部的场...

19、具有在绝缘体上硅或体硅中构建的背栅极的结场效应晶体管

[简介]：本套技术涉及高规整梯形聚苯基硅倍半氧烷在阻燃聚碳酸酯中的应用，属于阻燃技术领域。高规整梯形聚苯基硅倍半氧烷和聚碳酸酯进行干燥，然后和加工助剂置入到共混设备中进行混合，得到混合料；将得到的混合料在双螺杆挤出机中...

20、高规整梯形聚苯基硅倍半氧烷在阻燃聚碳酸酯中的应用

[简介]：本套技术主要内容为一种在硅衬底上复合带状VO2纳米花结构的相变材料及其制备方法，其材料包括硅衬底和生长在硅衬底上的VO2晶体，所述VO2晶体沿垂直于硅衬底方向生长、为带状纳米花结构并由纳米带定向生成；制备方法是将偏钒酸铵...

21、在硅衬底上复合带状VO2纳米花结构的相变材料及制备方法

[简介]：本套技术提供一种在硅衬底上生长InGaPGaAsGe三结太阳能电池的方法，首先在硅衬底上外延生长组分渐变的GexSi1-x应力过渡层，然后在应力过渡层上形成应力完全弛豫的Ge薄膜层，接着在上述GeGexSi1-xSi模板上，外延生长形成...

22、在硅衬底上生长InGaPGaAsGe三结太阳能电池的方法

[简介]：通过在具有偏压电极的处理腔室内设置衬底，以及流入处理腔室一流速的一种或多种有机硅化合物和一流速的一种或多种氧化气体的混合物以通过将RF功率施加于电极而沉积起始层，提供一种沉积低介电常数膜的方法。然后递增有机...

23、在硅和有机前驱物的PECVD工艺中减少气相反应以沉积无缺陷起始层方法

[简介]：本套技术主要内容为一种在硅材料中形成纳米间隙的方法，先在硅材料上依次淀积一氮化硅薄层和多晶硅，光刻并刻蚀多晶硅，在多晶硅图形上形成具有一定宽度的间隙，然后氧化多晶硅，形成的氧化层使间隙变窄至纳米量级，以氧化层为掩膜...

24、一种在硅材料中形成纳米间隙的方法

[简介]：本套技术属于材料制备技术领域，具体为一种在硅衬底上制备高介电常数金属氧化物薄膜的方法。本套技术用物理气相沉积法在硅衬底表面沉积IIIA、IIIB或IVB族金属薄膜，然后用ECR微波放电产生的氧等离子体束流对沉积在硅表面的金属...

25、一种在硅衬底上制备高介电常数金属氧化物薄膜的方法

[简介]：采用激光在硅钢表面制备高硅涂层的方法，按以下步骤进行：1将热轧无取向低硅钢表面清洗、喷砂处理；2将低硅钢置于真空条件下，然后在氩气和硅烷的混合气氛中进行激光照射，制备出沉积涂层；3置于真空条件下，加热至700～...

26、一种采用激光在硅钢表面制备高硅涂层的方法

[简介]：本套技术为了将硅块13固定在承载件16处，用于更好的进一步处理，在这两者之间的粘接结合20中引入以粘接剂23浸渍的由玻璃纤维组成的纤维材料22。然后该硅块13被置于承载件16上。通过该纤维材料22，该粘接结合...

27、用于将硅块固定在用于其的承载件处的方法和相应的布置

[简介]：本套技术主要内容为一种在纳米碳化钨粉表面包覆氧化硅氧化锆复合膜的工艺，步骤为：首先采用氧化锆溶胶浸渍纳米碳化钨粉，然后在微波炉中烘干，重复浸渍，再在的微波炉中焙烧，得到表面包覆有氧化锆的纳米碳化钨粉；然后采用氧化硅...

28、一种在纳米碳化钨粉表面包覆氧化硅氧化锆复合膜的工艺

[简介]：本套技术涉及一种在具有深槽图形的硅基衬底上制作硅薄膜的方法，用于微电子机械系统MEMS可动部件制造中。该方法步骤包括：先在硅基衬底上制作深槽图形时制作沟槽，连接每个深槽图形并贯穿到硅基衬底片的外边缘，与大气相通...

29、在具有深槽图形的硅基衬底上制作硅薄膜的方法

[简介]：一种在绝缘层上覆硅基板中形成对准标记的方法，此方法是先在绝缘层上覆硅基板中形成多个沟渠，以定义出多个主动区；然后，在绝缘层上覆硅基板上形成绝缘材料，并填满沟渠；之后，进行第一蚀刻制程，移除部分绝缘材料，直到暴露...

30、在绝缘层上覆硅基板中形成对准标记的方法

[简介]：本套技术主要内容为一种在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜的方法，它通过引入金属镁进行在线区域掩膜，即先在硅衬底上形成一层镁掩模层或金属过渡层，然后再形成一层金属过渡层或镁掩模层，最后形成一层铟镓铝氮半导体层；先在硅衬底上...

31、在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜的方法

[简介]：本套技术主要内容为一种在硅纳米线上进行无磷无电镀镍的方法，主要采用化学湿法刻蚀技术在硅衬底上制作出硅纳米线阵列，然后应用无磷镀液在其上进行无电镍薄膜的沉积，最后通过RTA强化镍-硅纳米线结构的稳定性。该发明有如下特点...

32、一种在硅纳米线上进行无磷无电镀镍的方法

[简介]：本套技术主要内容为一种电容耦合等离子体装置及在硅衬底上生长碳化硅薄膜的方法，在反应腔室内的上电极和下电极之间设有热丝加热装置。首先，通入H2气体，用射频和热丝共同作用，产生的氢等离子体轰击衬底30分钟左右；然后，通入CH...

33、电容耦合等离子体装置及在硅衬底上生长碳化硅薄膜的方法

[简介]：本套技术主要内容为属于纳米材料制备技术领域的一种在硅基底上直接生长定向准直氧化锌纳米棒阵列的方法。所用方法为化学气相沉积法，原料为乙酸锌。制备时，首先将镀有氧化锌薄膜的硅基底固定于反应容器之上，反应容器里盛有一定...

34、一种在硅基底上生长定向准直氧化锌纳米棒阵列的方法

[简介]：本套技术涉及聚碳酸酯-聚二甲基硅氧烷纳米复合物的制备方法以及在阻燃聚碳酸酯中的应用，属于阻燃材料技术领域。将聚二甲基硅氧烷、碳酸二苯酯和氯化镁加入到反应容器中，惰性气体保护，搅拌，加热进行熔融酯交换反应，反应结束...

35、聚碳酸酯-聚二甲基硅氧烷纳米复合物的制备方法以及在阻燃聚碳酸酯中的应用

[简介]：一种半导体工艺和设备通过选择性沉积外延硅层70以填充沟槽96，然后毯式沉积硅以利用接近均匀厚度的在外延硅层70上的结晶硅102和氮化物掩模层95上的多晶硅101、103覆盖整个晶片来提供平面化混合衬底16。通过...

36、在双表面取向衬底上促进均匀抛光的硅沉积

[简介]：本套技术的一个目的是提供一种用于制备负载型氧化钌的方法，其中二氧化硅能够有效地负载在二氧化钛载体上，并且得到热稳定性和催化寿命优越的负载型氧化钌。本套技术的另一个目的是提供一种通过使用由上述方法得到的负载型氧...

37、在二氧化硅改性的二氧化钛上制备负载型钌的方法和制备氯气的方法

[简介]：本套技术提出一种在Flash芯片制造过程中应用多晶硅源极接触窗的方法，该方法包括：步骤1：对Flash芯片进行层间介质沉积；步骤2：用一块光罩打开源极的区域，而后沉积一层多晶硅；步骤3：把多晶硅蚀刻到浮动阈值以下，然后进行植入...

38、一种在闪存芯片制造过程中应用多晶硅源极接触窗的方法

[简介]：本套技术是一种通过无机聚合而获得合成物的直接反应方法，该聚合物不需要其所包含的由特殊天然铝矽酸盐及各种化合物组成的混合反应物预先进行任何化学的或热的反应，即可制造出陶瓷，普通水泥，木材，石膏或金属框架的替代品...

39、在碱性环境中合成的天然硅铝合成物和化合物及其制造方法

[简介]：本套技术主要内容为一种在硅衬底上制备高质量发光半导体薄膜的方法，它首先在硅衬底表面形成一层银过渡层，然后在银过渡层上形成半导体薄膜。所述的半导体薄膜的成分为铟镓铝氮InxGayAl1-x-yN，0＜＝x＜＝1，0＜＝y＜＝1或锌镁镉氧Znx...

40、在硅衬底上制备高质量发光半导体薄膜的方法

[简介]：本套技术主要内容为一种在铝硅合金上镀三元合金层的方法及其制品，通过除油、浸蚀、浸锌、镀镍、活化、镀三元等步骤制得，其中镀镍后用40～50克升的氟硼酸的溶液进行活化，然后进行镀三元：镀液包含氟硼酸铅90～120克升、氟硼酸亚锡8～...

41、在铝硅合金上镀三元合金层的方法及其制品

[简介]：本套技术主要内容为一种在硅衬底上制备高质量铟镓铝氮材料的方法，它首先在硅衬底表面形成一金属钛过渡层，然后在金属钛过渡层上形成铟镓铝氮叠层。所述铟镓铝氮叠层中包含至少一个氮化铝低温缓冲层，且该氮化铝低温缓冲层直接生...

42、在硅衬底上制备高质量铟镓铝氮材料的方法

[简介]：本套技术主要内容为利用巯基-CeⅣ盐氧化还原引发体系实现丙烯腈在硅胶微粒表面高效接枝聚合的方法。包括以下步骤：（1）使用含巯基的偶联剂对硅胶进行表面改性：将硅胶微粒置于甲烷磺酸水溶液中反应，然后将活化硅胶微粒加入到甲...

43、利用巯基-CeⅣ盐氧化还原引发体系实现丙烯腈在硅胶微粒表面高效接枝聚合的方法

[简介]：一种在硼硅玻璃表面加工微槽阵列的方法，属于先进制造技术领域。本套技术采用在清洗干净的硼硅玻璃片表面溅射铬铜种子层，经过光刻，形成加工玻璃深槽阵列的掩膜窗口；将硼硅玻璃片置入腐蚀液去除窗口内的铬铜种子层，分析纯丙...

44、在硼硅玻璃表面加工微槽阵列的方法

[简介]：本套技术涉及白泥在制备铝硅酸盐玻璃中的用途、铝硅酸盐玻璃及其制备方法，利用粉煤灰“一步酸溶法”工艺制取氧化铝后产生的尾渣经水洗至中性，然后在850℃～950℃下高温煅烧1.0～1.5小时获得的白泥为主要原料，加入适量MgO、CaO及...

45、白泥在制备铝硅酸盐玻璃中的用途、铝硅酸盐玻璃及其制备方法

[简介]：本套技术主要内容为一种在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜及发光器件的方法，它是在硅衬底上形成台面和沟槽组成的图形结构。沟槽两侧台面上生长的铟镓铝氮薄膜互不相连。在生长完发光器件的叠层薄膜后，在每个台面的薄膜上或硅衬底背面...

46、在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜及发光器件的方法

[简介]：本套技术主要内容为在紫铜基底上制备微纳米二氧化硅薄膜的方法，它包括a对紫铜基底进行预处理；b在分析纯氟硅酸中加入分析纯硅酸配制成均一的第一溶液，然后将其放在水浴锅中磁力搅拌；c向第一溶液中加入去离子水制得第二...

47、在紫铜基底上制备微纳米二氧化硅薄膜的方法

[简介]：一种在硅衬底上生长无裂纹III族氮化物的方法，涉及半导体技术领域，利用应力补偿缓冲层在硅衬底上生长无裂纹III族氮化物薄膜。该方法，1首先在单晶硅衬底上沉积20纳米左右铝化的高温氮化铝缓冲层，然后在其上再沉积一层晶...

48、一种在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物的方法

[简介]：本套技术主要内容为在环氧酯增塑剂生产除杂中利用碳化硅膜替代压滤机的工艺方法，包括如下步骤：环氧酯增塑剂粗产品从反应釜中放出，经过不锈钢网粗滤，直接进入碳化硅膜装置的储液罐，然后离心泵将料液输送到碳化硅膜管件中进行...

49、在环氧酯增塑剂生产除杂中利用碳化硅膜替代压滤机的工艺方法

[简介]：本套技术涉及一种在硅片上激光一次性二维阵列穿孔方法及装置，该装置包括激光-光纤模板系统、档板控制系统、硅片传递系统和控制器。工作时，控制器驱动光源激光器打开电源，并驱动硅片传递系统将硅片移动到光纤阵列模板正下方...

50、一种在硅片上激光一次性二维阵列穿孔方法及装置

[简介]：本套技术涉及一种水性硅胶圆网印花在针织面料上的应用，具体包括以下步骤：（1）坯布的前处理：（1a）练漂与染色；（1b）印前整理；（2）水性硅胶及辅助材料的选用；（3）辅助材料的选择；（4）稀稠度的调节；（5）印花意事项：印花织物增重与下...

51、在多晶硅上形成倒金字塔型多孔表面纳米织构的方法及制备短波增强型太阳电池的方法

52、在多晶硅上形成倒金字塔型多孔表面纳米织构的方法及制备短波增强型太阳电池的方法

53、一种在服饰上热转印硅胶的工序

54、在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法

55、铝在低温下诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法

56、一种在多孔生物炭模板上生成一维碳化硅纳米线的方法

57、坡缕石硅烷交联剂制备及其在低密度聚乙烯交联中的应用

58、硅胶多乙烯多胺甲叉膦酸制备及其在吸附稀土离子中的应用

59、一种改善荧光指示剂分子在有机硅胶中分散性及制备氧敏感荧光膜的方法

60、利用氢化物汽相外延方法在硅衬底上生长GaN薄膜

61、在硅衬底上外延生长铝酸镧薄膜材料及制备方法

62、通过在硅锗合金熔点附近进行退火而制造SGOI的方法

63、在锦纶织物表面制备纳米氮化硅复合镍磷镀层的方法

64、在硅胶制品表面成型多色彩的文字或和图案的方法

65、在碳碳化硅刹车盘中固化保护夹的方法

66、在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物薄膜的方法

67、一种在硅片上实施铝扩散的方法

68、带有纳米二氧化硅层的在水环境下具有透明性的材料及其制备方法

69、一种在石墨表面制备碳化硅涂层的方法

70、在硅底材上成长三族氮化物半导体异质磊晶结构的方法

71、通过离子注入和热退火获得的在Si或绝缘体上硅衬底上的弛豫SiGe层

72、一种用金属铜在低温下诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法

73、一种在钢铁件上用电泳沉积法制备氧化硅陶瓷涂层的方法

74、一种在硅胶微粒表面高效接枝聚合甲基丙烯酸缩水甘油酯的方法

75、一种在氧氯化锆结晶母液残液回收锆元素工艺中去除硅溶胶的方法

76、基于UV固化工艺在硅片表面丝网印刷精细掩膜的方法

77、复合硅砂硅酸盐水泥及其在管桩生产中的使用技术方法

78、一种在硅片表面制备石墨烯复合薄膜的方法

79、在稀土氧正硅酸盐晶体的生产过程中晶体生长不稳定性的抑制

80、快速硫化硅橡胶在连硫机挤出的工艺方法

81、集成在前道工艺中的硅片背面氮化硅成长方法

82、利用芳叔胺-BPO氧化还原引发体系实现苯乙烯在硅胶微粒表面高效接枝聚合的方法

83、疏水二氧化硅纤维膜的制备及在去除有机污染物的应用

84、用于防止导电阳极丝CAF在印刷电路板生长的疏水硅烷涂层

85、在半导体基底上方形成粗糙复晶硅层的方法

86、带钢在硅钢连续退火干燥炉的穿带方法

87、一种有机硅烷在聚二甲基硅氧烷表面的气相沉积方法

88、一种在硬质合金上为金刚石涂层制备金刚石-碳化硅-硅化钴复合中间层的方法

89、在硅溶胶中建立防腐体系的处理方法

90、一种在硅片表面制备银纳米材料的方法

91、在硅片基板上沉积光致发光氢化非晶碳化硅薄膜的方法

92、一种使稀土元素在铝硅合金表面均匀分布的方法

93、纳米粒子在硅橡胶膜铸膜液中分散的方法

94、含有降低的可溶性金属水平的硅藻土产品、在硅藻土产品中降低可溶性金属水平的工艺及其使用方法

95、采用离子注入在单晶硅衬底上形成碳化硅薄层的方法

96、摩擦搅拌加工技术在高硅铝合金缸套的应用方法

97、一种在单晶硅片表面制备Co3O4复合薄膜的方法

98、在木塑料复合材料制造中使用硅烷和硅烷共混物的方法

99、在单晶硅基片表面制备Co3O4复合薄膜的方法及用途

100、基于真空冻干技术在硅片表面丝网印刷精细掩膜的方法

101、在转运包中去除金属硅中硼的方法

102、在转运包中去除金属硅中硼的方法

103、在玻璃基片表面磷酸基硅烷-氮化钛复合薄膜的制备方法

104、一种在单晶硅片表面制备Si3N4复合薄膜的方法

105、一种在锆铝碳陶瓷表面形成硅化物涂层的方法

106、一种铝硅酸盐玻璃在线化学钢化方法

107、一种碱性硅溶胶组合物及其在裂化催化剂制备中的应用

108、制备MFI型钛硅沸石的方法所获得的产品和它在催化中的应用

109、在硅衬底上直接电铸三维金属结构的方法及其专用夹具

110、测绘在硅晶片表面上金属杂质浓度的工艺方法

111、一种在二氧化硅上化学镀Ni-Mo-P的方法

112、用于在场效应晶体管的鳍之上形成双重全硅化栅极的方法

113、一种在硅片表面实施的沟槽隔离工艺

114、碳化硅非线性电阻灭磁过程中在线监测的装置

115、碳化硅非线性电阻灭磁过程中在线监测的装置和方法

116、一种双苯基杂化硅胶材料整体柱在色谱中的应用

117、在有机玻璃微流控芯片通道表面修饰硅凝胶的方法

118、在合成玻璃质二氧化硅中的大制品的制造

119、在单晶硅片表面制备碳纳米管复合薄膜的方法

120、在硅酸盐生产中从硅酸盐源中去除重金属的方法

121、在硅酸盐生产中从硅酸盐源中去除重金属的方法

122、在硅烷化氧化铝载体上的铼催化剂及其在烯烃的复分解反应中的应用

123、在界面活性剂存在下聚烷基硅氧烷微球的制备方法

124、在含SIGE衬底上降低硅化物形成温度

125、常温淀积钛的硅化钛在CMOS工艺中的实现方法

126、在硅片上外延生长掺杂锰酸镧薄膜异质结材料及制备方法

127、一种在镍磷合金镀层表面采用硅酸溶胶进行封孔的方法

128、在半导体晶片上形成自行对准金属硅化物接触物的方法

129、半导体元件和在其中形成多晶硅层的制造方法

130、用于在碳化硅中形成通孔的方法以及所获得的器件和电路

131、制造稳定的掺氟氧化硅薄层的方法、制成的薄层及其在眼科光学中的应用

132、在高纯碳化硅晶体中产生半绝缘电阻率的方法

133、在功能化有机硅烷自组装单层薄膜表面制备氧化锆陶瓷薄膜的方法

134、在半导体制作过程中通过氘以形成多晶硅层的方法

135、键合在绝缘体上硅的减薄方法

136、在碳化硅中制造双极结晶体管的方法和得到的器件

137、包含连接在中间碳覆盖层上的亲水性聚合物链的硅氧烷水凝胶接触镜片的表面处理

138、制备MEL型钛硅质岩的新方法获得的产品和其在催化剂中的应用

139、用硅橡胶模在玉石上进行浇铸技术

140、在集成电路上制造互连的多晶硅对多晶硅低电阻接触方法

141、卫生用品的制造设备和用在该设备上的硅树脂涂敷机

142、在带有聚硅氧烷脱模剂的无衬热转印标签上打印的方法

143、半导体器件的制造方法－其中在淀积金属的过程中形成金属硅化物

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