【新版】

肖特基势垒二极管,沟槽肖特基势垒二极管加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

开本：16开
资料形式：DVD/U盘/电子版正文语种: 简体中文
可否打印：是装帧: 平装
分类：专业技术
咨询电话：028-87023516 (手机微信)18980857561 或18190762281
客服QQ1：853136199 客服QQ2：478224130
资料说明：资料都是电子文档PDF格式，可在电脑中阅读、放大缩小、打印，可以网传，也可以刻录在光盘或优盘中（加收40元）邮寄，如需纸质版客户可自行打印。资料具体内容包括技术开发单位信息、技术原理、技术原文，技术配方、工艺流程、制作方法，设备原理、机械设计构造、图纸等，是开发产品不可多得的专业参考资料。

订购请记住资料编号：GY10001-66213 资料价格:198元

1、肖特基势垒二极管和制造肖特基势垒二极管的方法

[简介]：一种制造肖特基势垒二极管11的方法包括以下步骤。首先，准备GaN衬底2。在GaN衬底2上形成GaN层3。形成肖特基电极4，该电极包括由Ni或Ni合金制成的且与GaN层3接触的第一层。形成肖特基电极4的步骤包括形成金属层...

2、肖特基势垒二极管和制造肖特基势垒二极管的方法

[简介]：本套资料的主要目的为提供一种台平面肖特基势垒二极管及其制备方法，此方法采用台平面结构保护终端，提高了击穿电压，并可达到良好的低漏电效果。本套资料采用台平面终端保护，用聚酰亚胺来保护台面，即达到高压效果，又保证ESD等...

3、一种台平面肖特基势垒二极管及其制备方法

[简介]：本套资料主要内容为一种沟槽肖特基势垒二极管，解决了现有沟槽肖特基势垒二极管性能与可靠性低，反向漏电大，反向阻断能力差的问题，本套资料中外延层的掺杂浓度由顶面至底面递增，沟槽中填充有第二导电类型非均匀掺杂且掺杂浓度由...

4、一种沟槽肖特基势垒二极管及其制造方法

[简介]：本套资料涉及一种带有集成肖特基势垒二极管的沟槽MOSFET器件，其中肖特基二极管包括一个形成在半导体衬底上的半导体层；形成在半导体层中的第一和第二沟槽，其中第一和第二沟槽内衬薄电介质层，并用沟槽导体层部分填充，第一...

5、带有集成肖特基势垒二极管的沟槽MOSFET器件

[简介]：本套资料提供了一种肖特基势垒二极管及其制造方法。所述肖特基势垒二极管SBD通过包括掺杂有铝Al的n-氮化镓GaN层和GaN层而确保高结晶度来提高电特性和光学特性。另外，通过在Al-掺杂的GaN层上设置p-GaN层，当施加反向电...

6、肖特基势垒二极管及其制造方法

[简介]：在基板的中心区域，形成有横跨邻接护圈层的第二半导体层和邻接该第二半导体层的第二半导体层之间的第三绝缘层。即，在第二半导体层与第二半导体层之间，形成有覆盖了在基板的第一面一侧的主面露出的第一半导体层的第三绝...

7、肖特基势垒二极管

[简介]：本套资料提出一种沟槽肖特基势垒二极管Schottky barrier diode，SBD及其制造方法，沟槽SBD形成于第一导电型基板中。沟槽SBD包含：第二导电型外延层，形成于基板上；多个平台，由外延层上表面向下蚀刻多个沟槽所定义；场极板，形...

8、沟槽肖特基势垒二极管及其制造方法

[简介]：本技术公开一种肖特基势垒二极管整流器件，该器件的有源区由若干肖特基势垒二极管单胞并联构成；硅片上部与所述上金属层连接的第一导电类型轻掺杂的单晶硅外延层，位于外延层上部并开口于所述外延层上表面的沟槽，相邻...

9、一种肖特基势垒二极管整流器件

[简介]：本套资料公开一种肖特基势垒二极管整流器件及其制造方法，有源区由若干肖特基势垒二极管单胞并联构成；硅片上部与所述上金属层连接的第一导电类型轻掺杂的单晶硅外延层，位于外延层上部并开口于所述外延层上表面的沟槽，相邻...

10、一种肖特基势垒二极管整流器件及其制造方法

[简介]：本套资料主要内容为一种基于碳化硅的肖特基势垒二极管氧传感器，包括SiC衬底层、TiO2氧气敏感层、金属铂电极I、n+高掺杂层和钛-铂金属复合层电极；SiC衬底层一侧溅射TiO2氧气敏感层，该氧气敏感层上溅射金属铂电极I，形成肖特基接触...

11、基于碳化硅的肖特基势垒二极管氧传感器及制造方法

[简介]：一种肖特基势垒二极管包括第一类型衬底（100）；第二类型阱隔离区（102），其在所述第一类型衬底上；以及第一类型阱区（110），其在所述第二类型阱隔离区上。对于在此的实施例，称为周边电容阱结环（106）的特征在所述第二类型阱隔离...

12、具有周边电容阱结的肖特基势垒二极管

[简介]：一种具有肖特基势垒二极管的碳化硅半导体装置，其包括：基板1，其由碳化硅制成且具有第一导电类型，其中所述基板包括主表面和背表面；漂移层2，其由碳化硅制成且具有第一导电类型，其中漂移层设置在基板的主表面上且具有...

13、具有肖特基势垒二极管的碳化硅半导体装置及其制造方法

[简介]：本技术主要内容为一种肖特基势垒二极管，包括晶粒和环氧模塑料，所述晶粒的两侧设置有焊片，所述焊片的外侧设置有引线装置，所述晶粒、焊片与引线装置的一端依次相连，所述环氧模塑料将所述晶粒、焊片和引线装置的一端包覆在...

14、肖特基势垒二极管

[简介]：一种沟槽式肖特基势垒二极管整流器件，本实用新型在现有沟槽式肖特基二极管整流器件基础上，利用沟槽中导电多晶硅T形头的两肩和延伸段二氧化硅层来遮蔽沟槽两侧的凸台结构顶角，克服凸台顶角与上金属层接触产生尖端放电效...

15、沟槽式肖特基势垒二极管整流器件

16、一种沟槽式肖特基势垒二极管整流器件

[简介]：一种沟槽式肖特基势垒二极管整流器件及制造方法，本套资料在现有沟槽式肖特基二极管整流器件基础上，利用沟槽中导电多晶硅T形头的两肩和延伸段二氧化硅层来遮蔽沟槽两侧的凸台结构顶角，克服凸台顶角与上金属层接触产生尖端...

17、一种沟槽式肖特基势垒二极管整流器件及制造方法

18、沟槽式肖特基势垒二极管整流器件及制造方法

[简介]：本套资料主要内容为一种具有肖特基势垒二极管的集成电路结构，包括形成于n型阱区上的金属硅化物层，形成于n型阱区上并包围所述金属硅化物层的p型保护环。所述金属硅化物层的外层部分延伸到与所述保护环的内缘部分重叠，一肖特基...

19、具有肖特基势垒二极管的集成电路结构

[简介]：本套资料提供了一种肖特基势垒二极管及其制备方法，该二极管的结构为：以N型半导体为基片，在上面形成N-外延层，阳极为阻档层金属材料；其制备包括：在硅外延片和金属之间用75度清洗试剂清洗10-30分钟生长一层薄氧化层，氧化...

20、一种肖特基势垒二极管及其制备方法

[简介]：一种肖特基势垒二极管1，包括：GaN自支撑衬底2，其具有表面2a；GaN外延层3，其形成在表面2a上；以及绝缘层4，其形成在GaN外延层3的表面3a上，并且在其上形成开口。肖特基势垒二极管1还提供有电极5。电极5...

21、肖特基势垒二极管及其产生方法

22、肖特基势垒二极管及其产生方法

23、肖特基势垒二极管器件及其制作方法

24、肖特基势垒二极管及其使用方法

25、肖特基势垒二极管结构

26、肖特基势垒二极管

27、具有不同的氧化物厚度的沟槽肖特基势垒二极管

28、由碳化硅制造的单片垂直结场效应晶体管和肖特基势垒二极管及其制造方法

29、肖特基势垒二极管的制造方法

30、沟槽肖特基势垒二极管

31、集成型肖特基势垒二极管及其制造方法

32、肖特基势垒二极管及其制造方法

33、肖特基势垒二极管及其制造方法

34、肖特基势垒二极管及其制造方法

35、肖特基势垒二极管及其制造方法

36、肖特基势垒二极管及其制造方法

37、肖特基势垒二极管的制造方法

38、肖特基势垒二极管及其制造方法

当前第1页
1

本套资料共包括59项技术资料，由于篇幅限制未能完整列出，请点击下载完整目录

马上订购

联系客服