【新版】

干式蚀刻,干式蚀刻加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

开本：16开
资料形式：DVD/U盘/电子版正文语种: 简体中文
可否打印：是装帧: 平装
分类：专业技术
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1、干式蚀刻装置及干式蚀刻方法

[简介]：本套资料提供一种面内均匀性好且蚀刻速度高的干式蚀刻装置及干式蚀刻方法。该干式蚀刻装置，具备由上部的等离子体发生室及下部的基板处理室构成的真空室、设置在所述等离子体发生室的侧壁的外侧的磁场线圈、配置在该磁场线圈...

2、干式蚀刻装置及干式蚀刻方法

[简介]：描述一种从多个槽蚀刻氧化硅的方法，该方法能容许槽之间更为一致的蚀刻速率。在蚀刻之后，槽内经蚀刻的氧化硅的表面也可较为平滑。该方法包括两个干式蚀刻阶段以及后续的升华步骤。第一干式蚀刻阶段迅速地移除氧化硅，且产生...

3、两阶段的均匀干式蚀刻

[简介]：本套资料涉及由分子内具有醚键或羰基及氟原子、仅由碳原子、氟原子及氧原子构成、且氟原子数与碳原子数之比FC为1.9以下、碳原子数为4～6的含氟化合物其中环状醚键为1个、碳碳双键为1个的含氟化合物及羰基为1个的含氟饱和化...

4、干式蚀刻气体及干式蚀刻方法

[简介]：主要内容为一种干式蚀刻方法，包括第一步骤和第二步骤。第一步骤包括从混合气体生成第一种等离子体，并用所述第一种等离子体在硅层Ls进行各向异性蚀刻在其上形成凹槽，所述混合气体包括氧化气体和含氟气体；第二步骤包括交替...

5、干式蚀刻法

[简介]：在此描述一种蚀刻含硅及碳的材料的方法，所述方法包括结合反应性氧流的SiConiTM蚀刻。反应性氧可在SiConiTM蚀刻之前导入，从而减少接近表面区域处的碳含量，并且使SiConiTM蚀刻得以更快速进行。或者，反应性氧可在SiConiTM蚀...

6、用于含碳膜的硅选择性干式蚀刻方法

[简介]：本套资料涉及能进行与要形成的图案无关，能够控制尺寸偏移且获得所需腐蚀形状的干式蚀刻装置及方法。在反应室101内的下部电极102上，配置聚焦环107，使其包围被处理基板150。聚焦环107，由从预先准备的具有不同半径...

7、干式蚀刻装置及干式蚀刻方法

[简介]：一种干式蚀刻方法，包括：对抗蚀剂膜照射波长195nm以下的放射线，形成最小线宽200nm以下的抗蚀剂图案，接着，使*有至少1个不饱和键的碳原子数4～6的氟类化合物作为蚀刻气体，干式蚀刻该抗蚀剂图案。作为该氟类化合物，优选使...

8、干式蚀刻方法、干式蚀刻气体及全氟-2-戊炔的制备方法

[简介]：本套资料提供一种即便对基板的两面进行干式蚀刻也不会发生基板裂开的干式蚀刻方法。向真空室内导入由氟碳气体和稀有气体构成的蚀刻气体，使真空室内为规定的压力，并产生等离子体，对在设置于基板载置部的导热性薄片的粘接面...

9、干式蚀刻方法

[简介]：本套资料提供在干式蚀刻工艺中可以降低蚀刻生成物、谋求改善蚀刻对象物的面内均匀性的干式蚀刻方法。使用在电极的上表面的周边部分设置至少具有由含钇氧化物构成的表面层的电极压紧构件的电极，将基板载置在电极上，控制来自...

10、干式蚀刻方法

[简介]：一种用于化学干蚀刻系统的系统和方法。本套资料提供了一种执行用于集成电路制造的蚀刻工艺的方法。该方法包括提供半导体晶片，所述半导体晶片包括待在等离子体室中进行蚀刻的层。该方法还包括将半导体晶片保持在预定环境中的...

11、用于化学干式蚀刻系统的系统和方法

[简介]：本套资料涉及层间绝缘膜的干式蚀刻方法，其通过蚀刻气体，一边在设在层间绝缘膜上的ArF抗蚀剂或KrF抗蚀剂上形成聚合物膜，一边对层间绝缘膜进行微细加工，其特征在于，在0.5Pa以下的压力下导入上述蚀刻气体，一边形成聚合物膜...

12、层间绝缘膜的干式蚀刻方法

[简介]：本套资料提供一外延沉积工艺，其包含干式蚀刻工艺与后续的外延沉积工艺。干式蚀刻工艺包括放置一待清洁的基材至一处理室100中以移除表面氧化物。通过气体入口142导入一气体混合物至一等离子体腔室149中，且激发该气体...

13、干式蚀刻以及外延沉积工艺及装置

[简介]：本套资料提供一种干式洁净介电层开口蚀刻反应室的方法，其于反应室内通入一氧气洁净工艺气体，由该氧气洁净气体形成一等离子，并维持该等离子一段时间，以去除沉积于反应室内壁上的高分子沉积物，以克服湿式洁净工艺需较长设...

14、干式洁净介电层开口蚀刻反应室的方法

[简介]：一种清洗工艺，适于对一芯片进行干式蚀刻工艺后进行。此干式蚀刻工艺是于一反应室中进行。此清洗工艺用以移除上述干式蚀刻工艺的副产物。此清洗工艺包括将不活泼气体导入反应室中，以清洗反应室。然后抽除该反应室的所有气体...

15、干式蚀刻工艺后的清洗工艺

[简介]：本套资料提供一种可将被蚀刻层高精度地加工成所需的凹凸图形的形状的干式蚀刻方法，采用该方法的磁记录介质的制造方法，以及记录层由凹凸图形形成的、可确实获得良好的磁特性的磁记录介质。在基板上按顺序形成记录层被蚀刻...

16、干式蚀刻方法、磁记录介质的制造方法和磁记录介质

[简介]：一种处理室的清洁方法，其包含将处理室的一内表面加热至一第一温度，第一温度可足以使一第一物质挥发；第一物质可以是沉积于内表面上的数种物质之一。一种清洗化学剂被注入至处理室中。清洗化学剂可以与这些物质中的第二物...

17、自清洁干式蚀刻用的系统、方法与设备

[简介]：一种能提高在多晶硅蚀刻机PolysiliconEtcher中介电材料对硅的蚀刻选择比Selectivity的蚀刻方法。本套资料的蚀刻方法为一种干式蚀刻DryEtching法，是由调整多晶硅等离子体蚀刻机的气体配方，即使得蚀刻反应室内的反...

18、一种用于制造半导体组件的干式蚀刻方法

[简介]：本套资料提供各种制造导体结构10的方法。一方面，本套资料提供于第一工件12上制造导体结构10的方法。于第一工件12上形成硅膜20。于该硅膜20上形成抗反射涂层22。于该抗反射涂层22的第一部份上形成掩膜24，同时...

19、多晶硅栅极蚀刻后的无机抗反射涂层的干式各向同性移除

[简介]：本套资料提供一种干式蚀刻器的残留气体去除装置及方法。在具有真空预备室及蚀刻室的、将晶片装入室内在其表面蚀刻薄膜的同时能将室内的反应气体向外抽吸及排出的干式蚀刻器中，设有加热装置或清洗装置，加热装置对蚀刻室进行...

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