您现在的位置:网站首页 > 电子电器 > 电气元件
【新版】

非易失性存储器存储,存储加工制造工艺方法图文全套

作者:admin    来源:金鼎工业资源网       更新时间:2021/9/6
  • 开本:16开
  • 资料形式:DVD/U盘/电子版    正文语种: 简体中文
  • 可否打印:是    装帧: 平装
  • 分类:专业技术
  • 咨询电话:028-87023516   (手机微信)18980857561 或18190762281
    客服QQ1:853136199  客服QQ2:478224130
  • 资料说明:资料都是电子文档PDF格式,可在电脑中阅读、放大 缩小、打印,可以网传,也可以刻录在光盘或优盘中(加收40元)邮寄 ,如需纸质版客户可自行打印。资料具体内容包括技术开发单位信 息、技术原理、技术原文,技术配方、工艺流程、制作方法,设备 原理、机械设计构造、图纸等,是开发产品不可多得的专业参考资料。

订购请记住资料编号:GY10001-66455    资料价格:480元
1、非易失性存储器单元的阵列及形成非易失性存储器单元的阵列的方法
        [简介]: 本套资料揭示一种非易失性存储器单元,其包含第一及第二电极。可编程材料及选择装置以串联方式被接纳于所述第一及第二电极之间且与所述第一及第二电极串联。电流传导材料以串联方式位于所述可编程材料与所述选择装置之间且...
2、非易失性存储器单元的阵列及形成非易失性存储器单元的阵列的方法
        [简介]: 一种集成电路具有非易失性存储器单元,所述非易失性存储器单元包含第一电极、第二电极和在其间的离子导电材料。所述第一和第二电极中的至少一者具有直接抵靠着所述离子导电材料收纳的电化学活性表面。所述第二电极升高地在...
3、包括非易失性存储器单元的集成电路和形成非易失性存储器单元的方法
        [简介]: 一种存储装置,其包括:存储器单元阵列的用户区;缓冲区,所述缓冲区被配置为暂时存储要被写入到所述用户区中的压缩数据;以及压缩数据管理逻辑,所述压缩数据管理逻辑被配置来控制所述用户区和所述缓冲区,使得存储在所述缓...
4、存储装置和非易失性存储器装置及其操作方法
        [简介]: 本套资料涉及非易失性存储器控制装置、非易失性存储器控制方法和存储装置。根据本套资料的一个实施例是为了增加非易失性存储器装置中的任意可用物理块的数量。该装置包括:文件系统控制部分102e,其分析文件分配表FAT,以识...
5、非易失性存储器控制装置、非易失性存储器控制方法和存储装置
        [简介]: 在一个方面中,一种操作存储器单元的方法包含使用不同于用来读取所述存储器单元的经编程状态的电极的电极来改变所述存储器单元的所述经编程状态。在一个方面中,存储器单元包含具有接纳于其之间的材料的第一及第二相对电...
6、存储器单元、非易失性存储器阵列、操作存储器单元的方法、从存储器单元读取及向存储器单元写入的方法以及编程存储器单元的方法
        [简介]: 本套资料呈现一种具有非易失性存储器和主存储器的并行使用的移动装置。所述移动装置包括易失性存储器、非易失性存储器、在功能上耦合到所述非易失性存储器和所述易失性存储器的存储器控制器以及耦合到所述存储器控制器的处...
7、移动装置内的集成非易失性存储器与主易失性存储器的并行使用
        [简介]: 在一个实施例中,一种包含至少具有串联的第一和第二可编程晶体管的存储阵列的存储器的擦除方法包括:在擦除操作期间*从第一可编程晶体管进入到第二可编程晶体管的电子流动。
8、非易失性存储器设备及非易失性存储器设备的擦除方法
        [简介]: 本套资料描述交叉点存储器单元、非易失性存储器阵列、读取存储器单元的方法、编程存储器单元的方法以及写入到存储器单元及从存储器单元读取的方法。在一个实施例中,交叉点存储器单元包含:字线,其沿第一方向延伸;位线,其沿不...
9、交叉点存储器单元、非易失性存储器阵列、读取存储器单元的方法、编程存储器单元的方法、写入到存储器单元及从存储器单元读取的方法,及计算机系统
        [简介]: 用于非易失性存储器的地址管理,将整个逻辑地址空间划分成逻辑地址范围0至15,将物理地址空间划分成物理区分段0至15。使逻辑地址范围分别与物理区相关联,以管理所述地址。使逻辑地址范围的大小均衡。使与要存储诸如FAT...
10、存储器控制器,非易失性存储器,非易失性存储器系统,和非易失性存储器地址管理方法
        [简介]: 这里主要内容为一种非易失性存储器,包括:非易失性存储器单元器件,至少包括非易失性存储器单元阵列,其能够以字为单位访问,并且还能够至少在第一访问模式中以固定等待时间访问并在第二访问模式中以可变等待时间访问;第一访问...
11、非易失性存储器、存储器控制器及其访问方法
        [简介]: 一种非易失性存储器存储装置、存储器控制器与数据存储方法。该非易失性存储器存储装置包括连接器、储能电路、电源转换与供应电路、非易失性存储器模块、存储器控制器与缓冲存储器。电源转换与供应电路用以将来自于储能电路的...
12、非易失性存储器存储装置、存储器控制器与数据存储方法
        [简介]: 本套资料涉及非易失性存储器及其制造方法,该存储器通过在半导体基底上层叠半导体层而形成多层结构的半导体层,并在半导体基底与层叠于该半导体基底上的半导体层之间、以及层叠为多层结构的半导体层之间形成层间绝缘层,其中...
13、包含多层存储单元的非易失性存储器及其制造方法
        [简介]: 本套资料提供一种非易失性存储器的数据擦除电路,包括电荷泵、高压检测电路、电平转换电路、偏置电路、反相电路、信号产生电路、锁存电路、擦除控制电路,所述擦除控制电路输入第一选择信号、第二选择信号,输出字线选通信号,当第一...
14、非易失性存储器的数据擦除电路
        [简介]: 本套资料涉及具有不同密度的纳米晶体的不同非易失性存储器的半导体器件及方法。一种用于形成半导体器件(102、104、106)的方法包括:在具有第一区域(104)和第二区域(102)的衬底(52)的表面之上形成第一多个纳米晶体(53),其中所...
15、具有不同密度的纳米晶体的不同非易失性存储器的半导体器件及方法
        [简介]: 提供治愈非易失性存储器单元的隧穿电介质的结构和方法。半导体器件包括存储器单元(18)的阵列(12)。每个存储器单元包括隧穿电介质(26)、包括第一电流电极(28)和第二电流电极(30)的阱区域、以及控制栅极(20)。第一和第二电流...
16、治愈非易失性存储器单元的隧穿电介质的结构和方法
        [简介]: 一种具有可编程可擦除的单一多晶硅非易失性存储器,包括:一浮动栅极晶体管,包括一浮动栅极、一栅极氧化层位于该浮动栅极下方、以及一通道区域;以及一擦除栅区域,其中该浮动栅极向外延伸并相邻于该擦除栅区域;其中,该栅极...
17、具有可编程可擦除的单一多晶硅层非易失性存储器
        [简介]: 本套资料主要内容为一种非易失性存储器设备及其读取方法和存储器系统。一种在非易失性存储器设备上执行读取操作的方法,包括:接收读取命令;接收地址;检测读取使能信号的跃迁;基于所述读取使能信号的跃迁来生成选通信号;读取与...
18、非易失性存储器设备及其读取方法和存储器系统
        [简介]: 本套资料提供一种串行非易失性存储器及解除存储器写保护的方法,该串行非易失性存储器包括具有多个存储区块的非易失性存储器阵列,这些多个存储器区块中的一个或多个具有锁定或解锁状态。在串行非易失性存储器中设置写保护...
19、串行非易失性存储器及解除存储器写保护的方法
        [简介]: 本套资料提供了一种EEPROM电路,包括:存储单元阵列、擦写电路以及读取电路,该读取电路包括参考单元读取电路以及数据单元读取电路,通过擦写电路控制参考单元写入预设数据,并通过比较数据单元的读取电流与参考单元读取电路的...
20、EEPROM电路、数据读取方法以及非易失性存储器
        [简介]: 本套资料涉及非易失性存储器及其制造方法,尤其涉及包含由沟道区域中形成有绝缘隔离膜的晶体管构成的存储单元的非易失性存储器及其制造方法。本套资料的非易失性存储器以MOS晶体管为基本结构并至少在沟道区域形成绝缘隔离膜...
21、非易失性存储器的基准电流的内置自微调
22、非易失性存储器的基准电流的内置自微调
23、非易失性半导体存储装置其制造方法以及非易失性存储器阵列
24、存储存储器重映射信息的非易失性存储器
25、用于获得和使用非易失性存储器健康信息的系统和方法
26、从非易失性存储器读数据的方法及实施方法的设备和系统
27、半导体非易失性存储器以及数据写入方法
28、处理具有非易失性存储器的系统的未完全关闭
29、对具有非易失性存储器的系统的较快树扁平化
30、包含电阻性存储器元件的多端口非易失性存储器
31、非易失性存储器系统及其擦除方法
32、非易失性存储器及在非易失性存储器中编程的方法
33、非自校准的非易失性存储器结构
34、用于系统芯片集成的通用非易失性存储器控制装置
35、高度集成的可编程非易失性存储器及其制造方法
36、单层多晶非易失性存储器单元
37、非易失性存储器装置、存储器控制器和存储器系统
38、基于分立式纳米石墨烯浮栅的新型低压高性能非易失性存储器
39、非易失性存储器和根据被选字线控制虚设字线电压的方法
40、3D非易失性存储器装置和其生产方法
41、存储器单元及非易失性存储器装置及其形成方法
42、存储器单元及非易失性存储器装置及其形成方法
43、用于单栅极非易失性存储器的结构及方法
44、以非NVM区内的同时蚀刻来图形化非易失性存储器的栅极叠层
45、图案化非易失性存储器(NVM)的栅堆叠
46、非易失性存储器与非易失性存储器的形成方法
47、非易失性存储单元及非易失性存储器的布局
48、半导体非易失性存储器及数据写入方法
49、具有非易失性存储器的系统的高效缓冲
50、非易失性半导体存储器晶体管、非易失性半导体存储器及非易失性半导体存储器的制造方法
51、纳米晶体非易失性存储器的擦写参考点电压设置方法
52、非易失性存储器元件及其阵列
53、非易失性存储器元件及其阵列
54、半导体非易失性存储器
55、在非易失性存储器器件内将以二进制格式存储的数据折叠为多状态格式
56、处理具有非易失性存储器的系统的动态和静态数据
57、半导体非易失性存储器装置
58、具有横向钉扎的非易失性存储器单元
59、非易失性存储器以及其编程与读取方法
60、对地址不对称NVM单元具有增强的效率的非易失性存储器
61、数据读取装置、非易失性存储器装置及其读取方法
62、数据读取装置、非易失性存储器装置及其读取方法
63、制造非易失性存储器装置的方法
64、非易失性存储设备集合的易失性存储器表示
65、向非易失性存储器进行数据保存的方法及控制装置
66、非易失性存储器单元阵列
67、一种非易失性存储器及其制备方法
68、具有易失性存储器和非易失性存储器的存储系统
69、非易失性存储器架构
70、组合EEPROM闪速非易失性存储器电路
71、对称差分非易失性存储器单元
72、非易失性存储器系统及管理其电源的方法
73、用于对非易失性存储器中的数据进行编程的方法和装置
74、用于反克隆的非易失性存储器及其验证方法
75、一种非易失性存储器IP核的测试和验证开发系统
76、具有带改进耦合比的浮栅和耦合栅的非易失性存储器单元
77、基于非晶多元金属氧化物的柔性电阻式非易失性存储器
78、处理从非易失性存储器进行设备引导期间的错误
79、在非易失性存储器(NVM)单元中减轻单元间耦合效应
80、非易失性存储器及其制造方法
81、包括减小其他存储单元的影响的对非易失性存储器的编程
82、包括减小其他存储单元的影响的对非易失性存储器的编程
83、非易失性存储器以及非易失性存储器的制造方法
84、具有延伸阱的非易失性存储器单元
85、为具有非易失性存储器的系统动态地分配功率预算的方法及装置
86、分析移动到非易失性存储器的RAM存储对象的方法和设备
87、非易失性存储器以及其制作方法
88、利用位线电压逐步增加来对非易失性存储器进行编程
89、电荷泵电路、非易失性存储器、数据处理装置和微计算机应用系统
90、非易失性存储器块的软编程
91、没有编程干扰的三晶体管(NPN)非易失性存储器单元
92、对非易失性存储器的快速随机访问
93、具有分离的写入和读取位线的非易失性存储器
94、采用非易失性存储器的电磁编码器控制电路
95、包括位线气隙和字线气隙的非易失性存储器以及对应的制造方法
96、具有含垂直位线和横向对准的有源元件的读写元件的3D阵列的非易失性存储器及其方法
97、具有含垂直位线和字线的有效解码的读写元件的3D阵列的非易失性存储器
98、用于信息存储的非易失性存储器重新分配的方法
99、非易失性存储器设备、系统及编程方法
100、用同步耦合编程非易失性存储器
101、用于减少非易失性存储器中的状态分布的展宽的擦除和编程技术
102、用于减少非易失性存储器中的状态分布的展宽的擦除和编程技术
103、用适应的字线激活电路进行偶奇组合交织块解码的非易失性存储器和方法
104、包括选择差分阈值电压特征的非易失性存储器感测的系统和方法
105、非易失性存储器的写入错误管理方法、存储卡、及控制器
106、具有PMOS-NMOS-PMOS-NMOS结构的4晶体管非易失性存储器单元
107、非易失性存储器及其制造方法
108、非易失性存储器及其制造方法
109、允许多个数据状态失败的非易失性存储器中的多位编程方法以及编程失败的情况下的数据恢复方法
110、非易失性存储器及其读取电路
111、忆容器装置、场效应晶体管装置、非易失性存储器阵列及编程方法
112、非易失性存储器元件及其制造方法
113、制造用于制造*栅极非易失性存储器单元的半导体结构的方法
114、一种向非易失性存储器写入数据的方法及装置
115、非易失性存储器及其数据读取方法
116、具有基本程序序列和写中止检测的非易失性存储器和方法
117、制造非易失性存储器的方法
118、具有快速位检测及验证跳过的对非易失性存储器的编程
119、在非易失性存储器中重用日志块的方法、非易失性存储器件
120、非易失性存储器装置及其制造方法
121、五晶体管非易失性存储器单元
122、五晶体管非易失性存储器单元
123、全NMOS四晶体管非易失性存储器单元
124、用于并发和流水线存储器操作的非易失性存储器器件
125、使用数量减少的验证操作来编程非易失性存储器
126、带内置存储器单元恢复的非易失性存储器设备及操作方法
127、用于在非易失性存储器阵列中的同时后台和前台操作的方法和系统
128、非易失性存储器资料管理方法及非易失性储存装置
129、通过写入后读取和适应性重写来管理错误的非易失性存储器和方法
130、通过写入后读取和适应性重写来管理错误的非易失性存储器和方法
131、通过加速的写入后读取来管理错误的非易失性存储器和方法
132、复合隧穿介质层及其制作方法以及非易失性存储器
133、非易失性存储器系统以及在电源中断期间保存数据的方法
134、使用自旋MOS晶体管的非易失性存储器电路
135、非易失性存储器器件以及其制造方法和操作方法
136、非易失性存储器中的数据高速缓存
137、非易失性存储器及其制造方法
138、具有多个非易失性存储器器件的存储装置
139、非易失性存储器件和存储器系统及其编程方法和控制方法
140、非易失性存储器子系统及其存储器控制器
141、非易失性存储单元、与非型非易失性存储器及其制造方法
142、非易失性存储单元、与非型非易失性存储器及其制造方法
143、使用浮置位线对非易失性存储器的部分速度和全速度编程
144、异质结氧化物非易失性存储器装置
145、具有易失性和非易失性存储器的混合固态存储器系统
146、使用新兴非易失性存储器元件及快闪存储器
147、具有处于相同分级层级的易失性及非易失性存储器装置的存储器系统及方法
148、通过考虑相邻存储器单元的所存储状态来读取非易失性存储器单元
149、非易失性存储器件、非易失性存储系统、及其编程方法
150、用于从非易失性存储器读取数据的控制器
151、从非易失性存储器设备向存储器控制器提供就绪-忙信号
152、具有活性离子界面区的非易失性存储器
153、非易失性存储器的层级式交点阵列
154、具有电阻性感测元件块擦除和单向写入的非易失性存储器阵列
155、非易失性存储器件及其编程方法和包括其的存储器系统
156、非易失性存储器单元
157、对非易失性存储器器件进行编程的方法
158、非易失性存储器及其记录方法
159、在非易失性存储器中的基于指针的列选择技术
160、具有附属文件系统的多堆非易失性存储器系统
161、操作可执行非易失性存储器中的部分可执行程序的方法
162、操作可执行非易失性存储器中的部分可执行程序的方法
163、非易失性半导体存储器晶体管及非易失性半导体存储器的制造方法
164、用于受管理的非易失性存储器的低等待时间读取操作
165、相变非易失性存储器及其加工方法
166、非易失性存储器以及验证非易失性存储器中的数据的方法
167、对非易失性存储器器件编程的方法
168、具有垂直位线的可重编程非易失性存储器元件的三维阵列
169、具有垂直位线和单侧字线架构的可重编程非易失性存储器元件的三维阵列
170、具有垂直位线和双全局位线架构的可重编程非易失性存储器元件的三维阵列
171、非易失性存储器系统及用于非易失性存储器系统的数据读写方法
172、对具有二极管的交叉点非易失性存储器单元的写入方法
173、非易失性存储器的两遍擦除
174、非易失性存储器的平均抹写方法
175、非易失性存储器器件和相关的编程方法
176、通过易失性存储器接口访问非易失性存储器的方法
177、包括垂直NAND沟道的非易失性存储器装置
178、包含内部数据源的非易失性存储器
179、非易失性存储器的控制装置和控制方法以及存储装置
180、非易失性存储器的测试方法
181、提高非易失性存储器操作性能的系统和方法

    当前第1页
      1      2    
本套资料共包括321项技术资料,由于篇幅限制未能完整列出,请点击下载完整目录
相关专题
 
金鼎工业资源网-版权所有
成都运营中心
Tel:028-87023516   Mob(+86) 18980857561 /18190762281
中国 成都 高新区创业路18号
电邮:853136199@qq.com