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制造半导体膜,半导体器件加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

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分类：专业技术
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1、结晶性半导体膜的制造方法以及结晶性半导体膜的制造装置

[简介]：本套资料提供一种结晶性半导体膜的制造方法以及结晶性半导体膜的制造装置。结晶性半导体膜的制造方法包括：第1工序，在基板的上方形成金属层；第2工序，对金属层进行图案形成，在多个像素20的各像素内形成栅电极；第3工序，在...

2、结晶性半导体膜的制造方法以及结晶性半导体膜的制造装置

[简介]：本套资料提供一种结晶性半导体膜的制造方法、带结晶性半导体膜的基板、以及薄膜晶体管。结晶性半导体膜的制造方法，包括：第1工序，对非结晶性半导体膜照射在短轴和长轴上具有向上凸的连续的光强度分布的连续振荡型激光，使得非...

3、结晶性半导体膜的制造方法、带结晶性半导体膜的基板、薄膜晶体管

[简介]：本套资料的外延生长用基板至少在表层部分具有由不同于GaN类半导体的材料构成的单晶部；并且具有包含多个凸部和多个生长空间的凹凸面作为其外延生长用表面，其中，所述多个凸部的排列使得每个凸部分别在相隔120度的不同方向...

4、外延生长用基板、GaN类半导体膜的制造方法、GaN类半导体膜、GaN类半导体发光元件的制造方法以及GaN类半导体发光元件

[简介]：本套资料主要内容为一种控制深槽腐蚀形成的半导体膜厚度的方法和半导体结构，通过在半导体晶圆第一面设置测量槽，并在测量槽中形成透明保护层，使得在后续腐蚀形成半导体膜的过程中，测量槽底部的晶圆材料被腐蚀露出透明保护层，...

5、控制深槽腐蚀形成的半导体膜厚度的方法和半导体结构

[简介]：本套资料的目的之一是提供一种导电率稳定的氧化物半导体膜。另外，本套资料的目的之一是通过使用该氧化物半导体膜，对半导体装置赋予稳定的电特性，提供一种可靠性高的半导体装置。在包含铟In、镓Ga以及锌Zn的氧化物半导体...

6、氧化物半导体膜及半导体装置

[简介]：本套资料涉及用于结晶化半导体膜的方法和由该方法结晶化的半导体膜。提供了一种用于使用掩埋晶种1脉冲层间结晶化工艺结晶化半导体膜的方法。该方法在透明衬底上以该顺序形成具有结晶结构的第一半导体膜，具有暴露第一半导体...

7、用于结晶化半导体膜的方法和由该方法结晶化的半导体膜

[简介]：本技术涉及一种运用半导体膜的乳化液处理装置，进料循环罐连接5μm纸带过滤器、自来水水源；进料循环罐的出口通过水管连接循环泵，循环泵通过水管连接交换热器，在进料循环罐的出口和循环泵之间的水管上依次设有第取样口...

8、一种运用半导体膜的乳化液处理装置

[简介]：本套资料的一个方式是如下：在第一条件下在绝缘膜上形成以低微粒密度具有高结晶性的混合相微粒的晶种，然后在第二条件下使混合相微粒生长而以填埋混合相微粒的空隙的方式在晶种上形成第一微晶半导体膜，并且，在不扩大第一微...

9、微晶半导体膜的制造方法及半导体装置的制造方法

[简介]：本套资料提供生产率较高地制作电特性良好的半导体装置的方法。利用第一条件形成以低微粒密度具有高结晶性的混合相微粒的晶种后，在晶种上利用第二条件以使晶种的混合相微粒生长来填埋混合相微粒的间隙的方式，在晶种上层叠...

10、微晶半导体膜的制作方法及半导体装置的制作方法

[简介]：本套资料提供一种高生产率地制造电特性优良的半导体装置的方法。在微粒密度低地提供高晶性的混合相微粒的第一条件下，在氧化绝缘膜上形成第一微晶半导体膜。然后，在使混合相微粒进行结晶生长来填充混合相微粒之间的空隙的第...

11、微晶半导体膜的制造方法及半导体装置的制造方法

[简介]：一种氧化物烧结体，以下述式1～3的原子比包含铟元素In、镓元素Ga以及锡元素Sn。0.10≤InIn+Ga+Sn≤0.6010.10≤GaIn+Ga+Sn≤0.5520.0001＜SnIn+Ga+Sn≤0.603。

12、In-Ga-Sn系氧化物烧结体、靶、氧化物半导体膜、及半导体元件

[简介]：本套资料主要内容为一种形成硫化物半导体膜的方法及一种包含此硫化物半导体膜的太阳能电池的制作方法。形成硫化物半导体膜的方法包含涂布一层前驱物溶液于一基板上，以及进行一回火工艺，使此层前驱物溶液形成硫化物半导体膜。其...

13、形成硫化物半导体膜及其太阳能电池的方法

[简介]：本套资料的一个方面提供制造膜的方法。该方法包含：在无氧环境中提供包括硫化物的靶；将多个直流脉冲施加到靶以生成脉冲直流等离子体；用脉冲DC等离子体对硫化物靶进行溅射以将包括硫的材料喷射到等离子体中；以及将包括所喷...

14、用于制造半导体膜和光伏装置的方法

[简介]：在GaN基半导体光器件11a中，衬底13的主面13a自与沿着第一GaN基半导体的c轴延伸的基准轴Cx正交的面起，以63度以上且小于80度的范围的倾斜角向该第一GaN基半导体的m轴方向倾斜。GaN基半导体外延区域15设置在主面...

15、GaN基半导体光器件、GaN基半导体光器件的制作方法、外延晶片及GaN基半导体膜的生长方法

[简介]：本套资料主要内容为一种沉积硫铜锡锌矿膜的方法，该膜包括下式的化合物：Cu2-xZn1+ySnS1-zSez4+q，其中0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤1、-1≤q≤1。该方法包括：使联氨、Cu源、S与Se的至少一种的源接触以形成溶液A；使联氨、Sn源、S与Se的至少一种的...

16、形成半导体膜以及包含该膜的光伏装置的方法

[简介]：主要内容为制造半导体膜的方法，包括如下步骤：提供基板、使至少一种化学元素的原子依次进行热蒸发和热裂解两个阶段从而形成*基以及将所述*基沉淀到所述基板的表面；还主要内容为制造半导体膜的装置，包括真空室，在所述真空室...

17、制造半导体膜的装置及方法

[简介]：本套资料提供一种成为带隙和电阻率、或者带隙和载流子浓度都适于太阳能电池的值的半导体膜。在本套资料中，半导体膜由以用下述组成式1示出的比例来含有IB族元素、IIB族元素、IIIA族元素以及VIA族元素的半导体而构成。AxByCzDw...

18、半导体膜以及太阳能电池

[简介]：一种半导体膜及包括该半导体膜的光电转换装置，该半导体膜（2）形成在基板（1）的表面上且含有晶质，具有包括半导体膜（2）的表面中心的中心区域（2b）及位于中心区域（2b）周围的周边缘区域（2a），该半导体膜（2）在周边缘区域（2a）的...

19、半导体膜及光电转换装置

[简介]：半导体膜的气相生长方法包括向加热至1200～1400℃的基板的表面从与该表面垂直的方向供应包含氯硅烷气体和载气的混合原料气体的工序。氯硅烷气体的供应量相对基板每1cm2的表面而言为200μmol分钟以上。载气包含氢气、和从氩...

20、半导体膜的气相生长方法

[简介]：本套资料提供一种结晶半导体膜的制造方法，在对非单晶半导体膜进行激光退火时，能够用恰当的扫描间距和照射次数来使所述半导体膜结晶。该结晶半导体膜的制造方法是在非单晶半导体膜上照射线光束形状的脉冲激光来使非单晶半...

21、半导体膜的形成方法、半导体器件的形成方法和半导体器件

22、半导体膜的形成方法、半导体器件的形成方法和半导体器件

23、等离子体CVD装置、等离子体电极以及半导体膜的制造方法

24、半导体膜、半导体膜的制造方法、半导体器件以及半导体器件的制造方法

25、用于半导体膜的激光退火方法和退火装置

26、等离子体CVD装置、半导体膜的制造方法、薄膜太阳能电池的制造方法以及等离子体CVD装置的清洗方法

27、通过多激光束照射将在基板上形成的半导体膜划分成多个区域的方法

28、具有结晶质氧化铟半导体膜的薄膜晶体管

29、具有结晶质氧化铟半导体膜的薄膜晶体管

30、聚合物、半导体膜、电极、电极活性物质、电化学元件和蓄电装置

31、半导体膜、半导体膜的形成方法、及半导体装置的制造方法

32、薄膜形成装置以及半导体膜制造方法

33、一种碘化亚铜半导体膜的微波等离子体制备方法

34、结晶半导体膜的形成方法、晶体管及显示装置的制造方法

35、微晶半导体膜薄膜晶体管和包括薄膜晶体管的显示设备

36、包括掺杂的半导体膜的光伏器件

37、半导体膜、半导体器件和用于制造半导体膜、半导体器件的方法

38、设置有半导体膜的衬底及其制造方法

39、溅射靶、氧化物半导体膜及半导体器件

40、溅射靶、氧化物半导体膜及半导体器件

41、半导体膜的制造方法和光敏元件的制造方法

42、半导体膜的制造方法和光敏元件的制造方法

43、光电池及用于该光电池的多孔质半导体膜形成用涂料

44、在基底上制备多孔半导体膜的方法

45、溅射靶及氧化物半导体膜

46、溅射靶及氧化物半导体膜

47、溅射靶及氧化物半导体膜

48、各向异性的半导体膜及其制造方法

49、干蚀刻氧化物半导体膜的方法

50、使用非晶氧化物半导体膜的薄膜晶体管的制造方法

51、半导体膜晶化方法、半导体器件制造方法及激光照射装置

52、包含有机半导体离散畴的半导体膜及其制造方法

53、半导体膜的结晶方法和显示设备的制造方法

54、氧化镓单晶复合体及其制造方法和使用氧化镓单晶复合体的氮化物半导体膜的制造方法

55、多晶半导体膜制造方法及其装置和图像显示面板

56、半导体装置用粘接膜及切割带一体型半导体背面用膜

57、激光照射装置、激光照射方法及晶质半导体膜的制作方法

58、激光照射装置、激光照射方法及晶质半导体膜的制作方法

59、激光照射方法以及晶质半导体膜的制作方法

60、半导体膜及制造方法、使用其的太阳能电池及制造方法

61、用于半导体的粘合剂膜及使用其的半导体装置

62、用于半导体的粘合剂膜及使用其的半导体装置

63、倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用条状膜的生产方法和倒装芯片型半导体器件

64、用于各向异性导电粘附膜的组合物、各向异性导电粘附膜和半导体装置

65、各向异性导电膜和通过该膜结合的半导体装置

66、各向异性导电膜组合物、各向异性导电膜和半导体装置

67、半导体密封填充用膜状树脂组合物、半导体装置的制造方法和半导体装置

68、各向异性导电膜组合物、各向异性导电膜和半导体装置

69、用于半导体的粘合剂组合物、粘合剂膜和半导体装置

70、用于各向异性导电粘附膜的组合物、各向异性导电粘附膜和半导体装置

71、半导体芯片接合用粘接材料、半导体芯片接合用粘接膜、半导体装置的制造方法及半导体装置

72、各向异性导电膜组合物、各向异性导电膜和半导体装置

73、正型光敏树脂组合物、由其制造的光敏树脂膜及含有该光敏树脂膜的半导体装置

74、带切割片的半导体保护膜形成用膜、使用该膜的半导体装置的制造方法及半导体装置

75、半导体膜及其制造方法及使用它的半导体器件与显示设备

76、外延膜形成方法、溅射设备、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件和照明装置

77、基于重掺杂半导体*波段近完全吸收的膜系结构

78、半导体装置用聚酰亚胺树脂组合物及使用其的半导体装置中的膜形成方法和半导体装置

79、切割芯片粘合膜、半导体晶片和半导体装置

80、整合屏蔽膜及天线的半导体封装件

81、半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、用于生产半导体器件的方法和半导体器件

82、半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、用于生产半导体器件的方法和半导体器件

83、半导体膜及其制备方法

84、倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件

85、倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件

86、半导体膜半导体器件和制造方法

87、用于半导体封装的多功能膜及其制造方法

88、切割芯片粘合膜、切割芯片粘合膜用组合物和半导体装置

89、4H-SiC基半导体中子探测器用的6LiF转换膜制备方法

90、倒装芯片型半导体背面用膜和半导体背面用切割带集成膜

91、倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件

92、各向异性导电膜和半导体装置

93、隔片形成用膜、半导体晶片接合体的制造方法、半导体晶片接合体和半导体装置

94、由包括导电微球的各向异性导电膜连接的半导体装置

95、扩张性膜、切割膜以及半导体装置的制造方法

96、半导体接合用粘接剂、半导体接合用粘接膜、半导体芯片的安装方法及半导体装置

97、半导体膜、半导体器件和它们的生产方法

98、半导体膜、半导体器件和它们的生产方法

99、具有改善的预粘合加工性的各向异性导电膜和半导体装置

100、各向异性导电膜和半导体装置

101、外延膜形成方法、真空处理设备、半导体发光元件制造方法、半导体发光元件和照明装置

102、外延膜形成方法、真空处理设备、半导体发光元件制造方法、半导体发光元件和照明装置

103、层合膜及使用其的半导体制造用膜

104、用于形成半导体元件粘接膜的树脂清漆、半导体元件粘接膜和半导体装置

105、一种半导体照明用绝缘导热膜层材料及其制备方法

106、各向异性导电膜和半导体装置

107、一种半导体硒膜的制备方法

108、向半导体晶片应用膜的设备和方法、处理半导体晶片的方法

109、有机半导体膜的制造方法及有机半导体膜阵列

110、成膜方法、半导体元件的制造方法、绝缘膜以及半导体元件

111、半导体封装用贴装膜组合物、贴装膜和使用其的贴装带

112、高热传导性膜状接着剂，该接着剂用组合物，使用该接着剂的半导体封装件及其制造方法

113、具有半导体芯片、承载衬底和膜的光电子半导体器件和用于制造所述光电子半导体器件的方法

114、在半导体光学器件的端面上形成涂布膜的方法

115、半导体保护膜形成用膜及半导体装置

116、整合屏蔽膜的半导体封装件及其制造方法

117、在半导体小片和互连结构周围形成可穿透膜包封料的半导体器件和方法

118、一种加热电动扩开半导体片膜的装置

119、感光性粘接剂、以及使用该粘接剂的膜状粘接剂、粘接片、粘接剂图形、带有粘接剂层的半导体晶片和半导体装置

120、介电膜、使用该介电膜的半导体器件的制造方法和半导体制造设备

121、用于半导体的粘合剂组合物和包含它的粘合剂膜

122、用于半导体的粘合剂组合物和包含它的粘合剂膜

123、半导体油墨、膜、涂层基板和制备方法

124、半导体背面用切割带集成膜和生产所述膜的方法及生产半导体器件的方法

125、一种半导体封装在塑封前的表面纳米膜处理方法

126、微晶硅膜的制造方法及半导体装置的制造方法

127、用于半导体装置的粘合剂膜

128、氧化锰膜的形成方法、半导体装置的制造方法及半导体装置

129、具有电磁干扰屏蔽膜的半导体封装件及其制造方法

130、利用硼参杂制作P型非晶半导体以改善穿隧效应膜层

131、整合屏蔽膜及天线的半导体封装件

132、间隔体形成用膜、半导体晶片和半导体装置

133、有机半导体微粒材料、有机半导体薄膜、有机半导体膜形成用分散液、有机半导体薄膜的制造方法及有机薄膜晶体管

134、倒装芯片型半导体背面用膜及其用途

135、倒装芯片型半导体背面用膜

136、切割-芯片焊接一体型膜及其制造方法、半导体芯片的制造方法

137、带粘接膜半导体芯片的制造方法及用于该制造方法的半导体用粘接膜、以及半导体装置的制造方法

138、带粘接膜半导体芯片的制造方法及用于该制造方法的半导体用粘接膜、以及半导体装置的制造方法

139、倒装芯片型半导体背面用膜及其用途

140、感光性粘合剂组合物、感光性粘合剂膜和使用它们的半导体装置

141、含有离去取代基的化合物、有机半导体材料、含有该材料的有机半导体膜、含有该膜的有机电子器件、制备膜状产品的方法、π-电子共轭的化合物和制备该π-电子共轭的化合物的方法

142、含有离去取代基的化合物、有机半导体材料、含有该材料的有机半导体膜、含有该膜的有机电子器件、制备膜状产品的方法、π-电子共轭的化合物和制备该π-电子共轭的化合物的方法

143、无定形碳氮膜的形成方法、无定形碳氮膜、多层抗蚀剂膜、半导体装置的制造方法以及存储有控制程序的存储介质

144、感光性粘接剂组合物、膜状粘接剂、粘接片、粘接剂图案、带有粘接剂层的半导体晶片、半导体装置及半导体装置的制造方法

145、倒装芯片型半导体背面用膜

146、半导体用粘合剂组合物、含其的粘合剂膜和使用其的半导体封装

147、密封填充用膜状树脂组合物、使用该树脂组合物的半导体封装体和半导体装置的制造方法、以及半导体装置

148、芯片用树脂膜形成用片材及半导体芯片的制造方法

149、倒装芯片型半导体背面用薄膜、切割带一体型半导体背面用薄膜、倒装芯片型半导体背面用薄膜的制造方法以及半导体装置

150、半导体*切割用粘结剂组合物、粘结剂膜和半导体器件

151、半导体树脂封装制造用模具脱模膜、以及使用其的半导体树脂封装的制造方法

152、感光性粘接剂组合物、膜状感光性粘接剂、粘接剂图案、带粘接剂的半导体晶片、半导体装置及电子部件

153、感光性粘接剂组合物、膜状粘接剂、粘接片、粘接剂图形、半导体晶片和半导体装置

154、感光性粘接剂组合物、以及使用该组合物的膜状粘接剂、粘接片、粘接剂图形、带有粘接剂层的半导体晶片和半导体装置

155、半导体封装用厚胶膜旋涂方法

156、倒装芯片型半导体背面用膜

157、倒装芯片型半导体背面用膜

158、介电膜、介电膜的生产方法、半导体装置和记录介质

161、一种薄膜太阳能电池及p型半导体和p型半导体的制备方法

162、一种薄膜太阳能电池及p型半导体和p型半导体的制备方法

163、膜状粘接剂的制造方法、粘接片和半导体装置及其制造方法

164、焊剂活化剂、粘接剂树脂组合物、粘接糊、粘接膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置

165、正型感光性树脂组合物、固化膜、保护膜、绝缘膜及使用它们的半导体装置、显示器装置

166、氮化硅膜的成膜方法和半导体存储装置的制造方法

167、ZnS纳米晶半导体前驱薄膜或半导体薄膜的电化学制备方法

168、一种制造镁掺杂半导体薄膜的方法及其半导体薄膜

169、一种制造半导体薄膜的方法及其半导体薄膜

170、成膜方法、包含该成膜方法的半导体装置的制造方法、成膜装置及半导体装置

171、正型感光性树脂组合物，固化膜，保护膜，绝缘膜以及使用它们的半导体装置，显示器装置

172、粘合膜、多层电路基板、电子部件和半导体装置

173、半导体用膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置

174、感光性粘结剂组合物、膜状粘结剂、粘结片、粘结剂图案的形成方法、具有粘结剂层的半导体晶片、半导体装置、以及半导体装置的制造方法

175、制造多孔绝缘膜的方法和包含所述多孔绝缘膜的半导体器件

176、正型感光性树脂组合物、固化膜、保护膜和绝缘膜以及使用它们的半导体装置和显示装置

177、成膜用组合物、绝缘膜以及半导体装置

178、膜上芯片型半导体封装

179、感光性粘接剂组合物、膜状粘接剂、粘接片、粘接剂图形、贴有粘接剂层的半导体晶片，半导体装置及半导体装置的制造方法

180、半导体外延薄膜生长方法及用其制半导体发光器件的方法

181、半导体用膜和半导体装置的制造方法

182、半导体用膜和半导体装置的制造方法

183、半导体用膜和半导体装置的制造方法

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