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制造半导体膜,半导体器件加工制造工艺方法图文全套(2)

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

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分类：专业技术
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184、半导体用膜和半导体装置的制造方法

185、半导体用粘接膜、以及半导体芯片、半导体装置的制造方法

186、半导体布线用阻挡膜、烧结体溅射靶及溅射靶的制造方法

187、半导体器件生产用膜、半导体器件生产用膜的生产方法和半导体器件的生产方法

188、CVD-Ru膜的形成方法和半导体装置的制造方法

189、正型光敏树脂组合物、使用其制备的光敏树脂膜、以及包含该光敏树脂膜的半导体器件

190、粘接剂组合物、粘接用片材、切割-管芯粘合膜及半导体装置

191、层叠膜的制造方法、半导体装置的制造方法、半导体装置以及显示装置

192、低k膜的制造方法、半导体装置及其制造方法

193、氧化物半导体薄膜及一种薄膜晶体管

194、无定形碳膜的形成方法、无定形碳膜、多层抗蚀剂膜、半导体装置的制造方法和计算机可读取的存储介质

195、形成抗蚀剂下层膜的组合物、使用该组合物的半导体装置的制造方法以及形成抗蚀剂下层膜的组合物用添加剂

196、薄膜半导体装置以及薄膜半导体装置的制造方法

197、具有钝化处理的宽禁带氧化物半导体薄膜层的紫外探测器及制备方法

201、正型感光性树脂组合物、固化膜、保护膜、绝缘膜以及半导体装置

202、正型感光性树脂组合物、固化膜、保护膜、绝缘膜以及半导体装置

203、半导体元件镀膜制程方法

204、磁控溅射法制备TiCoSb半导体薄膜

205、制造化合物半导体膜的氧化物基方法和制造有关电子器件

206、溅射靶、化合物半导体薄膜、具有化合物半导体薄膜的太阳能电池以及化合物半导体薄膜的制造方法

207、喷涂用正型感光性树脂组合物、使用该喷涂用正型感光性树脂组合物的固化膜的形成方法、固化膜以及半导体装置

208、一种超饱和掺杂半导体薄膜的制备方法

209、半导体芯片的版图图层设计方法及其掩膜板

210、半导体芯片的版图图层设计方法及其掩膜板

211、氮化硅膜的形成方法、非易失性半导体存储装置的制造方法、非易失性半导体存储装置和等离子体处理装置

212、一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法

213、使用绝缘膜保护半导体芯片的侧壁

214、用于制造硅膜的方法、硅膜和具有硅膜的光电子半导体器件

215、常温下原位控制合成硫铜银三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法

216、具有层间绝缘膜布线层叠构造部的半导体装置及其制造方法

217、一种室温下原位合成硒化银半导体光电薄膜材料的化学方法

218、一种半导体硫化物生物高分子纳米复合薄膜的制备方法

219、半导体装置用薄膜以及半导体装置

220、半导体背面用加热剥离片集成膜、半导体元件的收集方法和半导体器件的生产方法

221、半导体装置用薄膜以及半导体装置

222、半导体装置用薄膜以及半导体装置

223、半导体装置用薄膜以及半导体装置

224、用于半导体的粘合膜和使用该粘合膜的半导体器件

225、柔性半导体装置的制造方法及用于它的叠层膜

226、一种在管式基底上制备半导体薄膜的生产设备

227、一种在管式基底上制备半导体薄膜的生产设备

228、包含铜和铅-碲-氧化物的厚膜银浆及其在半导体装置制造中的用途

229、氧化物半导体薄膜的评价方法及氧化物半导体薄膜的质量管理方法

230、一种可变带隙的Fe-B-Si三元半导体非晶薄膜及其制备方法

231、半导体层结构、多晶硅薄膜晶体管、制作方法、显示装置

232、一种半导体Fe<>2<>O<>3<>薄膜型表面拉曼散射基底的制备方法

233、半导体发光元件及电极成膜方法

234、有机半导体膜及其制造方法和接触印刷用印模

235、一种金属氧化物半导体薄膜及其制备方法与应用

236、一种石墨烯无机半导体复合薄膜及其制备方法

237、用于加工抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物、使用该硬掩模组合物来生产半导体集成电路器件的方法、以及通过该方法生产的半导体集成电路器件

238、半导体薄膜生长控制设备及控制半导体薄膜生长的方法

239、制造硅烷化多孔绝缘膜的方法、制造半导体装置的方法和硅烷化材料

240、有机绝缘材料、使用该有机绝缘材料的树脂膜用清漆、树脂膜以及半导体装置

241、导电性能可调控的有机分子膜与半导体杂化材料及其制法

242、导电性能可调控的有机分子膜与半导体杂化材料及其制法

243、有机绝缘材料、使用该有机绝缘材料的有机绝缘膜用清漆、有机绝缘膜及半导体装置

244、正型光敏树脂组合物，使用其制备的光敏树脂膜，以及包括该光敏树脂膜的半导体器件

245、一种氧化物半导体材料及薄膜晶体管

246、一种薄膜太阳能电池及制成它的p型半导体

247、感光性树脂组合物、固化膜、保护膜、绝缘膜及使用它们的半导体装置和显示装置

248、化合物半导体叠层薄膜太阳电池

249、胶粘剂组合物、膜状胶粘剂、胶粘片和半导体装置

250、散射层由渐进TiO2颗粒构成的半导体薄膜制备方法

251、正型光敏树脂组合物，利用其制备的光敏树脂膜，和包括该光敏树脂膜的半导体器件

252、基于置换反应-热氧化方法制备复合半导体敏感膜的方法

253、一种单一相Mg2Si半导体薄膜的制备工艺

254、氧化物半导体薄膜探测器及将有源像素应用于该探测器的电路结构

255、氧化物半导体薄膜探测器的制备方法及其应用

256、一种具有宽谱带吸收的无机半导体敏化TiO2薄膜及制备方法

257、含氧化锌基透明导电薄膜的半导体发光装置及其制造方法

258、一种聚苯胺与II-VI族半导体复合光电转换薄膜的制备方法

259、各向异性导电膜和半导体器件

260、半导体装配用胶粘剂膜组合物、相关的切割晶片粘结膜以及半导体封装件

261、不同层面孔径渐进的半导体薄膜及制备方法

262、不同层面孔径渐进的半导体薄膜及制备方法

263、厚膜银浆及其在半导体装置制造中的用途

264、光敏树脂组合物、用于光敏树脂隔离物的膜和半导体装置

265、粘接膜及使用该粘接膜的半导体装置

266、半导体薄膜制造方法、半导体薄膜制造装置、基座和基座保持器

267、使用了氧化物半导体的薄膜晶体管的制造方法及制造装置

268、具有集成的厚膜印制电路板的功率半导体模块

269、铁电薄膜缓冲层半导体集成器件及制备方法

270、温度控制系统及金属有机化学气相沉淀设备及半导体薄膜沉积设备

271、氧化物半导体薄膜及制备方法、薄膜晶体管及制备方法

272、芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜及半导体装置

273、用于加工半导体薄膜晶片的晶片支撑粘合膜

274、一种化合物半导体薄膜的自组装生长方法

275、一种ZAO系半导体纳米导电膜及其制备方法

276、半导体镀膜设备用分节式销

277、半导体镀膜设备用分节式销

278、半导体装置制造用薄膜及半导体装置的制造方法

279、半导体用膜、半导体用膜的制造方法及半导体装置

280、采用硼掺杂在金刚石表面制备半导体导电膜的方法

281、一种导电电极、薄膜晶体管、显示装置及半导体光电器件

282、一种导电电极、薄膜晶体管、显示装置及半导体光电器件

283、一种半导体电热膜制备方法

284、无掺杂室温铁磁性自旋零禁带半导体薄膜及制备方法

285、氧化亚铜半导体薄膜材料的制备方法

286、一种ZnS1-xSex半导体薄膜的制备方法

287、一种溶胶凝胶法制氧化铟镓锌半导体薄膜的方法

288、双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管

289、双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管及制作方法

290、一种氧化物半导体薄膜晶体管

291、在半导体晶片上超均匀沉积铜膜的方法

292、半导体组装芯片粘接用粘合剂组合物及由其制备的粘合膜

293、形成PN、PIN、N-型和P-型半导体薄膜的方法

294、金属硬掩膜层制备方法以及半导体制造方法

295、一种3D氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法

296、活性酯树脂、其制造方法、热固性树脂组合物、其固化物、半导体密封材料、预浸料、电路基板、及积层薄膜

297、一种用于金属氧化物半导体薄膜晶体管的封装方法

298、化合物、聚合物、聚合物半导体材料及有机薄膜晶体管

299、多功能芯片贴膜以及使用此贴膜的半导体封装方法

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