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交叉点存储,存储加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

开本：16开
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分类：专业技术
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1、交叉点型电阻变化非易失性存储装置

[简介]：提供一种交叉点型电阻变化非易失性存储装置。存储器单元（51）形成于形成多层的X方向的位线（53a和53b）与Y方向的字线（52a）的各交点位置。在对沿Z方向对齐的每个位线组、沿Y方向排列了字线共用的多个垂直阵列面的多层交叉点构...

2、交叉点型电阻变化非易失性存储装置

[简介]：本套资料提供一种能够削减流过非选择存储单元的漏电流、并能够削减写入的消耗电流的交叉点型电阻变化非易失性存储装置。在由共有字线的第一存储单元组（例如，存储单元阵列（203）的一部分）、和第二存储单元组（例如，存储单元阵...

3、交叉点型电阻变化非易失性存储装置及其写入方法

[简介]：一种交叉点型电阻变化非易失性存储装置，具备：在多个位线与多个字线的交点位置上形成的交叉点型的存储单元阵列（200）、从存储单元阵列（200）选择至少一个存储单元（51）的字线解码器电路（103）、从所选择的存储单元读取数据的...

4、交叉点型电阻变化非易失性存储装置及其读取方法

[简介]：提供用以使各层的特性达到稳定的方式而形成于同一方向的存储器单元构成的多层的交叉点型电阻变化非易失性存储装置。存储器单元51形成于形成多层的X方向的位线53与Y方向的字线52的各交点位置。在对沿Z方向对齐的每...

5、交叉点型电阻变化非易失性存储装置

[简介]：非易失性存储器件包括多个支柱1，其中多个支柱中的每一个支柱包括非易失性存储单元，非易失性存储单元包括转向元件110和存储元件118，并且多个支柱中的每一个支柱的顶部拐角或底部拐角的至少一个被倒圆。制造非易失...

6、带有具有倒圆拐角的多个支柱的交叉点非易失性存储器件及其制造方法

[简介]：本套资料提供一种交叉点型半导体存储装置及其制造方法。该交叉点型半导体存储装置包括：多个第一布线，沿第一方向延伸；多个第二布线，位于与第一布线不同的层上以沿不同于第一方向的第二方向延伸；以及存储部，设置在第一布线...

7、交叉点型半导体存储装置及其制造方法

[简介]：本套资料描述交叉点存储器单元、非易失性存储器阵列、读取存储器单元的方法、编程存储器单元的方法以及写入到存储器单元及从存储器单元读取的方法。在一个实施例中，交叉点存储器单元包含：字线，其沿第一方向延伸；位线，其沿不...

8、交叉点存储器单元、非易失性存储器阵列、读取存储器单元的方法、编程存储器单元的方法、写入到存储器单元及从存储器单元读取的方法，及计算机系统

[简介]：在一方面下，包覆纳米管开关包括：a包括未对齐的多个纳米管的纳米管元件，该纳米管元件具有顶面、底面及侧面；b与该纳米管元件接触的第一及第二导电端子，其中该第一端子置于且实质上覆盖该纳米管元件的整个顶面，且其中...

9、使用非易失性纳米管块的存储元件和交叉点开关及其阵列

[简介]：一种交叉点结构的半导体存储装置，具有：多个第一电极布线，在相同方向上延伸；多个第二电极布线，与该第一电极布线交叉；存储材料体，用于在第一电极布线和第二电极布线的交点处存储数据，由于因各电极布线的布线电阻引起的电...

10、交叉点结构的半导体存储装置

[简介]：一种使用二元金属氧化物层作为数据存储材料层的交叉点非易失性存储器件，包括在衬底中布置的间隔掺杂线。多个间隔的上电极横跨掺杂线，以便在上电极重叠掺杂线的地点形成交叉点。下电极被布置在掺杂线和上电极之间的交叉点...

11、交叉点非易失性存储器件及其制造方法

[简介]：本套资料涉及利用包括串联耦合于两个导体之间的电阻元件及二极管的存储器单元的存储器装置。所述二极管包括钌材料及硅材料。所述二极管进一步包括在所述硅材料上的钌或硅化钌的界面。硅化钌界面可为多晶硅化钌。

12、利用RuSi二极管的交叉点存储器

[简介]：一些实施例包含交叉点存储器结构。所述结构可包含：第一电极材料的线条，其沿第一水平方向延伸；多边存取装置材料容器，其在所述第一电极材料上方；存储器元件材料，其在所述多边容器内；及第二电极材料的线条，其在所述存储器...

13、交叉点存储器结构及形成存储器阵列的方法

[简介]：本套资料涉及具有双交叉点阵列的三维半导体存储器器件及其制造方法。该器件可以包括布置在不同垂直层面以限定两个交叉点的第一、第二和第三导线，以及分别布置在这两个交叉点处的两个存储器单元。所述第一和第二导线可以彼此...

14、具有双交叉点阵列的三维半导体存储器器件及其制造方法

[简介]：一种制造自对准交叉点存储阵列的方法包括：制备一衬底，包括形成任何支撑电极结构；在衬底上形成一p型阱区域；注入离子形成一深N+型区域；注入离子在N+型区域上形成一浅P+型区域从而形成P+N结；在P+型区域沉积一阻挡金属层...

15、制造自对准交叉点存储阵列的方法

[简介]：主要内容为一种数据存储装置8，它包括电阻*叉点存储单元12阵列10、多条字线14、多条位线16以及利用注入电荷放大器30的读出放大器24。所述存储单元12被安排成多个具有一个或多个存储单元的组15。所述注入电荷放大器30通过比较...

16、具有电荷注入差动读出放大器的电阻*叉点存储阵列

[简介]：寻址电路250可用于对交叉点存储器阵列25中的一个或多个存储元件寻址。寻址电路250包括第一组和第二组地址线116、126，用于对交叉点存储器阵列25寻址。寻址电路还包括上拉和下拉电路元件112、122。上拉和下拉电路元件112、122...

17、包含交叉点电阻元件的交叉点存储器阵列的寻址电路

[简介]：本套资料揭示一种垂直场效晶体管结构，其包含从半导体基底555竖立的半导体材料台面320，所述半导体材料台面320形成第一经掺杂区与第二经掺杂区之间的导电沟道。所述第一经掺杂区电耦合到所述基底的表面上的一个或一个...

18、用于交叉点存储器阵列的垂直定向的选择晶体管

[简介]：一种存储器系统，包括：X线、第一Y线、第二Y线、沿X线延伸的第一类型的半导体区域、在第一Y线和第一类型的半导体区域之间的第一转换材料和第二类型的第一半导体区域、在第二Y线和第一类型的半导体区域之间的第二转换材料和第...

19、对具有二极管的交叉点非易失性存储器单元的写入方法

[简介]：通过在由半导体材料层隔开的两个电极导线层的交叉点处建立电路元件来形成存储阵列及其寻址电路。在交叉点处形成的电路元件作为存储阵列的数据存储器件，并且作为用于对阵列中的元件寻址的置换寻址方案的连接线。为了形成...

20、交叉点二极管存储阵列寻址制造技术

[简介]：一种可变电阻材料存储器VRMM装置包括容器型导体，其安置于耦合到VRMM的外延半导电突起上方。VRMM装置还可包括位于凹部中的耦合到VRMM的导电插塞。VRMM阵列还可包括位于周围凹部中的耦合到VRMM的导电插塞。设备包括具有二...

21、用于交叉点可变电阻材料存储器的三维和三维肖特基二极管、其形成工艺及其使用方法

22、用于交叉点可变电阻材料存储器的三维和三维肖特基二极管、其形成工艺及其使用方法

23、用于交叉点可变电阻材料存储器的掩埋式低电阻金属字线

24、多层电极、交叉点存储器阵列

25、单层有机交叉点结构的电学存储器及其制备方法

26、用于交叉点存储器的薄膜晶体管及其制造方法

27、多晶硅图案形成方法、多层交叉点电阻存储器及制造方法

28、多层交叉点电阻存储器及制造方法

29、具有作为反熔丝的二极管的一次可编程交叉点存储器

30、减少了位线与字线短路效应的交叉点铁电存储器

31、制造纳米级阻抗交叉点型存储器阵列和器件的方法

32、电阻交叉点阵列中多比特存储单元的读操作

33、带交叉耦合闩锁读出放大器的电阻交叉点存储单元阵列

34、导航装置及地图信息存储介质及交叉点的信息提供方法

35、*位线交叉点存储器阵列

36、交叉点阵列中存储单元的隔离

37、容短接存储单元的电阻交叉点阵列

38、寻址和读出一个交叉点二极管存储器阵列

39、交叉点二极管存储器阵列的并行访问

40、利用片上检测放大器标定方法和装置的电阻交叉点存储器

41、混合阻*叉点存储单元阵列及其制造方法

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