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互补金,互补金属氧化半导体加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

开本：16开
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分类：专业技术
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1、互补金氧半晶体管及其制作方法

[简介]：本套资料主要内容为一种互补金氧半晶体管及其制作方法，包括下列步骤。首先，于基板上形成第一栅极与第二栅极，接着，于基板上形成栅绝缘层，以覆盖第一栅极与第二栅极。之后，于栅绝缘层上形成第一源极、第一漏极、第二源极与第二漏极...

2、互补金氧半晶体管及其制作方法

[简介]：本套资料是关于一种互补式金氧半导体元件及其制造方法。一种具有功函数值约等于或小于4.3或4.4eV的P型金属材料层形成于高介电系数介电层之上，部分的N型金属层添加例如是氧、氮、碳、硅或其他物后，转换成P型金属材料，成为一具...

3、互补式金氧半导体元件及其制造方法

[简介]：一种互补式金氧半图像传感器的浮动节点结构，位于基底中的隔离结构所定义的浮动节点区中，包括一n型掺杂区、一p型阱区、一表面保护层与一接触窗。n型掺杂区，位于浮动节点区中。p型阱区，位于浮动节点区中，环绕于n型掺杂区的周...

4、互补式金氧半图像传感器的浮动节点结构及其制造方法

[简介]：本套资料揭示一种与向CMOS电路器件供电的电压调节器关联的监控和保护电路，其可足够精确地感测过电流电平用以判定是否故障已出现，例如，锁定状态、损坏或短路晶体管等等，那么当意外的过电流可能出现时例如，CMOS电路锁定状...

5、互补金氧半导体电路器件在锁定状态的自动检测和重设其电力

[简介]：本套资料是有关于一种单一金属闸极互补式金氧半导体元件。依据本套资料的一种半导体元件，包含在基板结构上形成p－型金氧半导体电晶体，p－型金氧半导体电晶体包含位于基板结构上的源极汲极及其扩散区域、定义于源极与汲极之间...

6、单一金属闸极互补式金氧半导体元件

[简介]：一种减少互补式金属氧化物半导体场效应晶体管影像感测器杂讯的结构，此改良的互补式金属氧化物半导体场效应晶体管影像感测器至少包括被支持特征部分所围绕的光感测结构，此光感测结构的主动部分仅被透光材料所覆盖。光阻...

7、减少互补式金氧半场效晶体管影像感测器杂讯的结构

[简介]：本技术提供一种背照式互补型金属氧化物半导体影像传感器，在金属层间介质层上形成有厚度为的绝缘介质层，可以使得载片与图形晶片键合时的残留气体在退火后从绝缘介质层中释放，有效防止图形晶片与载片键合退火后的空...

8、背照式互补型金属氧化物半导体影像传感器

[简介]：本套资料涉及一种互补式金氧半导体影像传感器的制作方法。首先提供一载板，其表面包含一导线图案，接着形成一平坦层于部分导线图案上方，并将一上框黏着于载板表面且完全覆盖平坦层。其中上框所围住的中心区域另包含有至少一...

9、互补式金氧半导体影像传感器的制作方法

[简介]：本套资料提供了一种互补型金属氧化物半导体CMOS管金属栅电极的制作方法：在具有PMOS结构的第一区域和具有NMOS结构的第二区域上分别形成PMOS功函数金属和NMOS功函数金属，实现了CMOS金属栅电极的制作。

10、互补型金属氧化物半导体管金属栅电极的制作方法

[简介]：一种多沟道半导体装置具有已完全或部分耗尽的量子井，并且对于超大型积体装置内，像是互补式金氧半晶体管CMOSFET，是特别有用的。例如，多沟道区域15设置在衬底12上，并具有形成于最上端沟道区域15上的栅极电极16...

11、低能量多沟道全耗尽量子井互补式金氧半导体场效晶体管

[简介]：本套资料提供一种互补型金属氧化物半导体的对准装置，用于将互补型金属氧化物半导体对准贴合于素玻璃的周围区域，素玻璃的中间区域用来压合面板，包括：两个栅状标记，相互对齐并平行于素玻璃的边缘，且设置于素玻璃上侧周围区...

12、一种互补型金属氧化物半导体的对准装置

[简介]：本技术揭示一种具应变通道的互补式金氧半导体，主要包括：一半导体基底、设置于上述半导体基底内的多个沟槽隔离区、一氮化物衬垫层、一离子布植氮化物衬垫层、一N型通道晶体管以及一P型通道晶体管。其中，相邻两沟槽隔离区...

13、具应变通道的互补式金氧半导体

[简介]：一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，在完成常规介质隔离后，在硅衬底上形成界面SiO2-1，接着形成第一种高K栅介质金属栅叠层，并生长硬掩膜-1，光刻和刻蚀形成硬掩膜图形-1，腐蚀未被图形-1覆盖的第一种金属...

14、一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法

[简介]：本套资料是关于一种非混合型的互补型金氧半晶体管播放机马达驱动电路，主要是令数字音讯影像播放机的马达驱动电路由非Bi－CMOS型的互补型金氧半晶体管构成；其是由一前级及一驱动级组成，其中前级是利用串接的互补型金氧半...

15、非混合型的互补型金氧半晶体管播放机马达驱动电路

[简介]：本套资料主要内容为一种具有自对准空洞层的SON互补型金属氧化物半导体制备方法，其中，具体步骤包括：于一掺杂三价元素的元素半导体衬底上形成一化合物半导体层；于所述化合物半导体层上形成一掺杂三价元素且与所述元素半导体衬...

16、一种具有自对准空洞层的SON互补型金属氧化物半导体制备方法

[简介]：本套资料主要内容为一种基于互补金属膜光栅的滤波结构，它主要由介质层1、金属膜光栅层1、介质层2、金属膜光栅层2、介质层3、反射金属层依次组成；金属膜光栅层1与金属膜光栅层2在金属膜层所在的两维尺度内具有互补特征。通过调节金...

17、一种基于互补金属膜光栅的滤波结构

[简介]：本套资料揭示一种具应变通道的互补式金氧半导体，主要是包括：一半导体基底、设置于上述半导体基底内的复数沟槽隔离区、一氮化物衬垫层、一离子布植氮化物衬垫层、一N型通道晶体管以及一P型通道晶体管。其中，相邻两沟槽隔离区之...

18、具应变通道的互补式金氧半导体及其制作方法

[简介]：本套资料涉及一种双极互补金属氧化半导体器件及其制备方法。所述双极互补金属氧化半导体器件包括横向扩散金属氧化物半导体器件和双极晶体管器件，所述双极晶体管器件包括用于形成集电极的导电型阱，所述横向扩散金属氧化物...

19、双极互补金属氧化半导体器件及其制备方法

[简介]：本套资料涉及一种双极互补金属氧化半导体及其制备方法。所述双极互补金属氧化半导体，包括衬底和设置于所述衬底的用于隔离的浅沟槽，在所述衬底内，所述浅沟槽的下方以注入硼的方式形成隔离区，所述隔离区和所述浅沟槽的底部...

20、双极互补金属氧化半导体及其制备方法

[简介]：本套资料揭示一种半导体装置、互补式金属氧化物半导体装置及集成电路，该半导体装置包括：一第一金属氧化物半导体结构及一第二金属氧化物半导体结构。第一金属氧化物半导体结构，包括：一第一栅极介电层，位于一基底上；一第一功...

21、互补式金属氧化物半导体元件的制造方法

22、互补式金属氧化物半导体元件的制造方法

23、互补式金氧半导体及其组合元件

24、制作互补型金属氧化物半导体器件结构的方法

25、在互补式金氧半导体影像感测器中快速自动曝光或增益控制的方法

26、一种制作具有应力层的互补金属氧化物半导体器件的方法

27、一种互补金属氧化物半导体器件结构的制作方法

28、制作互补型金属氧化物半导体器件的方法

29、制作互补型金属氧化物半导体器件的方法

30、制作互补型金属氧化物半导体器件的方法

31、制作互补型金属氧化物半导体器件的方法

32、制作互补金属氧化物半导体器件的方法和结构

33、互补式金氧半导体影像感测元件

34、高压互补式金氧半导体的制造方法

35、在硅绝缘体基底上制造双载子互补式金氧半导体的方法

36、互补型金属氧化物半导体结构的形成方法

37、互补式金属氧化层半导体感测封装结构

38、双功函数互补金氧半导体晶体管及其制法

39、互补型金属氧化物半导体图像感测器的操作方法

40、互补型金属氧化物半导体图像感测器及其操作方法

41、可消除像素噪声的对数极式互补式金氧半导体影像传感器

42、可消除像素噪声的对数极式互补式金氧半导体影像传感器

43、互补型金属氧化物半导体结构的形成方法

44、使用*电源供应的互补式金氧半晶体管组成的基本标准组件布局

45、风能与太阳能互补陶瓷金卤灯路灯

46、可增加填满系数的互补式金氧半影像传感器结构

47、可降低暗电流的互补式金氧半图像传感器结构及其布局方法

48、混合照光区的互补式金氧半影像传感器结构及其电位读取方法

49、主动式互补金氧半导体像素装置及其制造方法

50、应用高电压轻掺杂漏极的互补金属氧化物半导体技术的静电释放保护

51、互补式金属传输线结构

52、互补式金属耦合线

53、多层互补式金属传输线结构

54、具有快速稳定特性的互补-金属-氧化物半导体恒电位仪

55、互补型金属氧化物半导体晶体管器件及其制作方法

56、互补式金氧半图像感测器的结构及其制造方法

57、互补式金氧半导体AB类放大器

58、使用保形绝缘体层形成互补金属元件

59、具有应力膜的互补金属氧化物半导体器件及其制造方法

60、互补金属氧化物半导体器件及其制作方法

61、互补型金属氧化物半导体装置、半导体装置及其制造方法

62、互补型金属氧化物半导体装置、半导体装置及其制造方法

63、互补式金属氧化物半导体影像传感器制造方法与制造系统

64、集成互补低电压射频横向双扩散金属氧化物半导体

65、互补式金属氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法

66、互补式金属氧化物半导体传感器封装组件及其制造方法

67、互补金属氧化物硅图像传感器的制造方法

68、双载子互补式金属氧化物半导体元件

69、互补式金属氧化物半导体晶体管的制作方法

70、互补金属氧化物半导体器件应力层的形成方法

71、光电装置与互补式金属氧化物半导体影像感测器的芯片级封装

72、互补式金属氧化物半导体晶体管及其制造方法

73、制作互补型金属氧化物半导体图像传感器的方法

74、应变硅互补型金属氧化物半导体晶体管的制作方法

75、互补式金属氧化物半导体晶体管及其制作方法

76、互补式金属氧化物半导体晶体管的制作方法及其结构

77、一种互补式金属氧化层半导体磁传感器

78、互补型金属氧化物半导体图像传感器的制造方法

79、互补式金属氧化物半导体图像传感器

80、一种互补式金属氧化层半导体噪声发生器

81、包含高填充率的微透镜阵列的互补型金属氧化物半导体成像器

82、包含高填充率的微透镜阵列的互补型金属氧化物半导体成像器

83、互补式金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法

84、在硅和硅合金中使用互补结型场效应晶体管和MOS晶体管的集成电路

85、在硅和硅合金中使用互补结型场效应晶体管和MOS晶体管的集成电路

86、采用抬高的源极漏极和替代金属栅极的互补型金属氧化物半导体集成电路

87、互补金属氧化物半导体器件的制造方法

88、互补金属氧化物半导体器件

89、互补金属氧化物半导体器件及其制法及存储器

90、互补式金属氧化物半导体元件及其形成方法

91、利用互补金属氧化物半导体技术的天线系统

92、互补金属氧化物半导体器件及其制造方法

93、半导体装置及互补型金属绝缘半导体逻辑电路

94、互补式金属氧化物半导体元件及其形成方法

95、互补式金属氧化物半导体图像传感器及其制作方法

96、互补型金属氧化物半导体影像感应器

97、互补式金属氧化物半导体晶体管影像感测器及其制造方法

98、互补式金属氧化物半导体图像传感器的布局结构

99、互补式金属氧化物半导体晶体管元件及其制作方法

100、制备互补金属氧化物图像传感器-混合硅化物的方法

101、互补金属-氧化物-半导体结构及其制作方法

102、互补金属-氧化物-半导体结构及其制作方法

103、互补金属-氧化物-半导体器件PN阱浅深度隔离方法

104、一种三维多层平面互补金属氧化物半导体器件结构及其制备方法

105、一种三维互补金属氧化物半导体器件结构及其制备方法

106、高性能应变互补金属氧化物半导体器件

107、互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块

108、互补式金属氧化物半导体反相器

109、互补型金属氧化物半导体图像传感器的制造方法

110、互补型金属氧化物半导体图像传感器的制造方法

111、互补型金属氧化物半导体薄膜晶体管及具有其的显示装置

112、利用逆向离子植入方式形成高压互补式金属氧化物半导体的方法

113、无外延衬底中隔离的互补金属氧化物硅器件

114、无外延衬底中隔离的互补金属氧化物硅器件

115、互补型金氧半场效应晶体管的制造方法

116、互补型金氧半场效应晶体管的制造方法

117、高增益互补金属氧化物运算放大器

118、保护互补金属氧化物半导体器件免受静电放电影响的方法

119、双载子互补式金属氧化物半导体的静电放电防护电路及方法

120、互补式金属氧化物半导体薄膜晶体管组件的制造方法

121、互补型金属氧化物半导体器件及其制造方法

122、互补型金属氧化物半导体器件及其制造方法

123、互补金属氧化物半导体器件

124、互补式金属半导体影像传感器的结构及其制造方法

125、双金属栅极互补金属氧化物半导体器件及其加工方法

126、双模互补型金属氧化物半导体集成成像器

127、集成互补型金属氧化物半导体电路

128、深亚微米互补型金属氧化半导体的交指形状多层电容器结构

129、含硅锗层的互补金属氧化物半导体器件和基片及形成方法

130、处延双极器件和互补金属氧化物半导体器件的方法

131、互补式金属氧化物半导体的制造方法

132、象限模式互补型金属氧化物半导体摄象成象传感器

133、增强雪崩型绝缘体基硅互补金属氧化物半导体器件的设计

134、互补金属氧化物半导体器件及其形成方法

135、互补型金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法

136、互补式金属氧化物半导体反相器的制造方法

137、互补金属氧化物半导体器件

138、互补型金属氧化物晶体管半导体器件及其制造方法

139、通道设置密集且低成本的用于互补型金属氧化物半导体的测试器

140、与互补金属氧化物半导体工艺兼容的热电堆*探测器

141、互补金属氧化物半导体图像传感器

142、互补金属氧化物半导体图像传感器

143、互补金属氧化物半导体直流-直流变换器

144、一种在数字双极性互补型金属氧化物半导体器件BiCMOS处理中用于处理采样模拟信号的方法和设备

145、高速电流模式逻辑到互补金属氧化物半导体信号转换电路

146、互补金属氧化物半导体工艺中寄生垂直型PNP管的方法

147、高压金属栅互补金属氧化物半导体的制作方法和系统

148、互补金属氧化物半导体技术中的线性图像传感器

149、绝缘体上硅互补金属氧化物半导体场效应晶体管

150、一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体上变频混频器

151、一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体AB类功率放大器

152、高压互补金属氧化物半导体的制备方法

153、互补金属氧化物半导体场效应晶体管结构

154、利用旋转对称式广角透镜获得复合图像的方法及其成像系统以及以硬件方式进行图像处理的互补金属氧化物半导体图像传感器

155、集成互补金属氧化物半导体-微型机电系统器件的制造方法

156、集成互补金属氧化物半导体-微型机电系统器件的制造方法

157、基于变压器的互补金属氧化物半导体CMOS振荡器

158、高速度低功率消耗的隔离模拟互补金属氧化物半导体单元

159、互补金属氧化物半导体影像传感器测试辅助装置

160、互补金属氧化物半导体结构的制作方法

161、一种改善铝栅互补金属氧化物半导体静态电流失效的方法

162、一种改善铝栅互补金属氧化物半导体静态电流失效的方法

163、一种互补金属氧化物半导体工艺中填充铝的方法

164、互补金属氧化物半导体结构的制作方法

165、具有气隙的浅沟槽隔离结构、采用该浅沟槽隔离结构的互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法

166、互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法

167、自动检测闭锁中的互补金属氧化物半导体装置并循环对其的供电

168、一种互补金属氧化物半导体时间延迟积分式感测器

169、互补金属氧化物半导体开关

170、一种低压金属栅互补金属氧化物半导体及其制备方法

171、一种调节互补金属氧化物半导体的阈值电压的方法

172、互补金属氧化物半导体图像传感器的自动曝光控制方法

173、自适应互补金属氧化物半导体图像传感器读出电路系统

174、互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法

175、一种射频绝缘体上硅互补金属氧化物半导体低噪声放大器

176、相关二重取样电路及互补金属氧化物半导体影像感测单元

177、高K栅极介电质互补金属氧化物半导体结构的阈值调整

178、与标准互补金属氧化物半导体工艺兼容的高压互补金属氧化物半导体双栅氧制备工艺

179、电流模式逻辑-互补金属氧化物半导体转换器

180、互补金属氧化物半导体影像感测器及其制造方法

181、互补金属氧化物半导体图像传感器像素电路及结构和操作

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