降低氮化硅,薄膜加工制造工艺方法图文全套

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1、一种硅基氮化铌薄膜超导材料及其制作方法

        [简介]： 本套资料制备一种硅基氮化铌薄膜超导材料，包括Si基底、TiN过渡层，以及NbN层。由于直接在Si基片上生长NbN薄膜有较大的晶格失配度，会导致NbN薄膜中存在一定厚度非超导的界面畸变层，严重降低NbN的超导性能。而TiN和NbN同属面心...

2、一种硅基氮化铌薄膜超导材料及其制作方法

        [简介]： 本套资料属于二次资源综合利用领域，具体涉及一种用晶体硅切割废料氮化反应烧结碳化硅的方法，按如下步骤进行：将晶体硅切割废料和生产碳化硅切割粉时产生的超细碳化硅微粉，按照游离硅占原料总量5-25wt%配料混合成型后，向原...

3、一种晶体硅切割废料氮化反应烧结碳化硅的方法

        [简介]： 本套资料属于非氧化物氮化硅陶瓷粉体的制备，涉及在中温微正压条件下，以温度场诱发硅粉燃烧方式合成氮化硅粉体的方法。本套资料是以硅粉和含氮化合物为原料，按不同的组分配比配制成反应混合料，经短时间研磨混合后，将混合料装...

4、硅粉在中温微正压条件下氮化合成氮化硅粉体的方法

        [简介]： 本套资料涉及半导体材料中氧化锌外延薄膜制备技术领域，主要内容为一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料，该材料包括：一硅单晶衬底，用于支撑整个硅基可协变衬底材料；一薄氮化铪可协变层，该薄氮化铪可协变层制备在硅单...

5、一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料

        [简介]： 本套资料涉及一种不烧氮化硅铁-氧化铝复合无碳滑板的制备方法及其制备方法，属于耐火材料领域。该滑板按重量百分比计的原料组成为55-90%的刚玉、0-20%的活性氧化铝、0-30%的氮化硅铁，外加上述原料总量2-6%的酚醛树脂为结合剂...

6、一种不烧氮化硅铁-氧化铝复合无碳滑板及其制备方法

        [简介]： 本套资料涉及一种RH精炼用不烧氮化硅铁-尖晶石-刚玉复合耐火材料及其制备方法，属于耐火材料领域。该滑板按重量百分比计的原料组成为55-90%的刚玉、5-20%的镁铝尖晶石、5-30%的氮化硅铁，外加上述原料总量2-6%的酚醛树脂为结...

7、一种不烧氮化硅铁-尖晶石-刚玉复合耐火材料及制备方法

        [简介]： 本套资料涉及一种不烧氮化硅铁-棕刚玉复合耐火材料及其制备方法，属于耐火材料领域。该复合耐火材料按重量百分比计的原料组成为55-88%的棕刚玉、1-25%的活性氧化铝、5-30%的氮化硅铁，外加上述原料总量2-6%的酚醛树脂为结合剂...

8、一种不烧氮化硅铁-棕刚玉复合耐火材料的制备方法

        [简介]： 本套资料主要内容为一种晶体硅铸锭用坩埚氮化硅涂层的制作方法，采用液相沉积的方法在坩埚内壁的易粘埚区域制得氮化硅涂层后，对该区域氮化硅涂层进行致密化和非浸润性处理，并采用液相沉积的方法在坩埚内壁的其它区域制得氮化...

9、一种晶体硅铸锭用坩埚氮化硅涂层的制作方法

        [简介]： 本套资料主要内容为一种硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅SONOS型与非门闪存的擦除法，包括由栅极施加一初始电压至存储单元的衬底一预定期间，以降低存储单元的阈值电压。此外，该方法也包括由栅极施加一连串的电压至存储单元的衬底...

10、硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅型与非门闪存的擦除法

        [简介]：本技术涉及降低氮化硅粉单耗的坩埚加热旋转台，具有坩埚本体，坩埚本体的四面侧板上分别安装有夹具挡板，夹具挡板左、右两端均安装有挂钩夹具，挂钩夹具具有第一支架、第二支架、第三支架、挂钩，第一支架固定安装在夹具挡...

11、降低氮化硅粉单耗的坩埚加热旋转台

        [简介]： 本套资料公开一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜，其特征在于，它是由三层膜构成，第一层为太阳能电池晶体硅表面的氮化硅薄膜，厚度为8～12nm，折射率为2.3～2.4，第二层氮化硅薄膜的厚度为18～24nm，折射率为2.0～2.1，第三层...

12、一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜及其制备方法

        [简介]： 本套资料主要内容为一种基于硅衬底氮化物的悬空光波导器件，实现载体为硅衬底氮化物晶片，所述硅衬底氮化物晶片包括顶层氮化物器件层和位于顶层氮化物器件层下部硅衬底层；所述硅衬底层的上表面具有一个凹槽；所述顶层氮化物器件...

13、基于硅衬底氮化物的悬空光波导器件及其制备方法

        [简介]： 本套资料主要内容为一种基于硅衬底氮化物的悬空纳米光子器件及其制备方法，实现载体为硅衬底III族氮化物晶片，包括硅衬底层，以及设置在硅衬底层上的顶层氮化物器件层，所述硅衬底层具有一个贯穿至所述顶层氮化物器件层下表面的...

14、基于硅衬底氮化物的悬空纳米光子器件及其制备方法

        [简介]： 本套资料主要内容为属于陶瓷技术和二次资源综合利用技术领域的一种晶硅切割废弃料制备氮化硅复合碳化硅陶瓷的方法。本套资料利用金刚石线切割晶硅的废弃物中的高纯Si粉和多丝线切割晶硅废料中易收集的SiC微粉，混合氮化反应常压...

15、晶硅切割废弃料制备氮化硅复合碳化硅陶瓷的方法

        [简介]： 本套资料主要内容为一种球形硅基氮化合物荧光材料的合成方法。该方法的步骤如下：碱土金属和稀土金属的氨化溶解；氨化金属同球形非晶Si3+xN4-x均匀混合；将均混反应物装入经氮气吹扫的合成炉中，得到合成产物；将处理后的产物以10...

16、一种球形硅基氮化合物荧光材料的合成方法

        [简介]： 本套资料主要内容为一种在制造晶体硅太阳能电池的过程中，在硅片表面同时形成PN结和氮化硅减反射膜的方法，该方法中，硅片制绒清洗后用低压化学气相沉积方法在硅片表面沉积一层含0.1％～5％掺杂元素的氮化硅薄膜，在氮化硅薄膜沉积...

17、同时形成晶体硅太阳能电池PN结和氮化硅减反射膜的方法

        [简介]： 一种硅、氧化硅和氮化硅的堆栈结构刻蚀方法，包括：提供一酸槽刻蚀液，所述酸槽刻蚀液具有刻蚀固定标准批次产品能力；提供多批次形成硅、氧化硅和氮化硅堆栈结构的产品，并提供每批次产品的数量和参数；根据每批次产品的数量和...

18、硅、氧化硅和氮化硅的堆栈结构刻蚀方法

        [简介]： 本套资料主要内容为一种晶体硅太阳电池的渐变减反射氮化硅薄膜的制备工艺，选取磷扩散后的晶体硅片，采用PECVD工艺在硅片行进方向上设定不同的微波功率、温度和气体流量比，从而形成一个由下到上折射率依次降低但无明显界限的渐...

19、一种晶体硅太阳电池的渐变减反射氮化硅薄膜的制备工艺

        [简介]： 本套资料提出了一种氮化锰硅合金及其冶炼方法，它按备取原料、预抽真空、充氮冶炼、恒温保压以及烧结制块等步骤进行，所生产的氮化锰硅合金产品的化学成分按重量百分比计为：Mn55～70％，Si13～20％，N9～15％，C1～2％，余量为Fe及不可避...

20、一种氮化锰硅合金及其冶炼方法

        [简介]： 本套资料提供了一种硅氧氮化物荧光粉，通式为：BaeCfDgSi3+aAl，Ga，In3+bO4+cN5+d，其中-2＜a＜2，-2＜b＜2，-2＜c＜2，-2＜d＜2，0≤f≤0.30，0≤g≤0.5，2e+fvC+gvD＝2，e＞0，vC，vD代表C，D的价态；C为选自Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb...

21、硅基氮化物单晶薄膜的外延结构及生长方法

22、硅基氮化物单晶薄膜的外延结构及生长方法

23、在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法

24、氮化硅的膜制备方法、具有氮化硅膜的太阳能电池片及其制备方法

25、一种氮化硼-硅橡胶复合材料的制备方法

26、一种降低双大马士革氮化硅工艺颗粒的处理方法

27、常压低温烧结β-氮化硅陶瓷的方法

28、一种低温干燥法制备多孔氮化硅—二氧化硅透波材料的方法

29、一种高温宽频梯度多孔氮化硅天线罩结构

30、一种高温宽频对称梯度多孔氮化硅天线罩结构

31、一种超短脉冲激光烧蚀氮化硅的模拟计算方法

32、一种提高氮化硅层和氧化层刻蚀选择比的方法

33、硅衬底上氮化物高压器件及其制造方法

34、一种利用回收提纯硅片锯屑粉制备氮化硅的方法

35、氮化硅膜沉积设备和沉积方法

36、氮化硅膜沉积设备

37、在氮化氧化硅层中补偿氮的不均匀浓度

38、一种含氮化硅铁的Al2O3-SiC-C体系无水*泥

39、一种改善侧墙氮化硅不同区域的厚度均匀性的方法

40、一种制备β-氮化硅粉体的方法

41、氮化硅溶液自动搅拌装置

42、氮化硅溶液自动搅拌装置

43、一种低成本氮化硅陶瓷的生产方法

44、一种石墨材质基板表层氮化硅的清洗方法

45、一种制备高纯度氮化硅微纳米粉体的方法

46、一种高压应力氮化硅薄膜的制备方法

47、太阳能电池的双层氮化硅减反膜结构

48、改善双应力氮化硅薄膜集成的全湿法工艺及其中的结构

49、氮化硅膜成长炉管装置中减少氯化铵堵塞的结构

50、用气流床反应器排出氮气生产氮化硅结合碳化硅制品的隧道窑窑车

51、一种铸锭用石英坩埚氮化硅涂层免烧工艺

52、一种预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法

53、一种预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法

54、一种碳酸氢铵发泡法制备多孔氮化硅陶瓷的方法

55、含氧化铝颗粒与氮化硅晶须的碳化钨复合材料及制备方法

56、在硅衬底上生长碳化硅\氮化镓材料的方法

57、一种制备氮化硅泡沫陶瓷的方法

58、一种双层氮化硅减反膜的制作方法

59、一种复合结构的氮化硅结合碳化硅陶瓷升液管

60、一种轻质高强氮化硅结合碳化硅耐火材料及其制备方法

61、氮化硅的回收方法

62、氮化硅的回收方法

63、一种以分解时能产生氮气的发泡剂为添加剂快速燃烧合成氮化硅粉体的方法

64、一种氮化硅烧成炉

65、一种氮化硅烧成炉

66、一种基于软质磨料固着磨具的氮化硅陶瓷球研磨方法

67、一种内嵌陶瓷纤维的氮化硅结合碳化硅陶瓷升液管

68、一种氮化硅回收装置

69、一种气压烧结氮化硅陶瓷的方法

70、一种氮化铝碳化硅钛酸铝多孔陶瓷及其制备方法

71、在双金属多晶硅氧化物氮化物氧化物硅阵列中的联结及选取步骤

72、一种铝掺杂α相氮化硅α-Si3N4基材料及其制备方法

73、硅102衬底上生长的非极性A面氮化物薄膜及其制法和用途

74、硅衬底上生长的非极性A面氮化物薄膜及其制法和用途

75、一种可降低漏电流的氮化硅制作方法

76、一种氮化硅锰合金的生产方法

77、氮化硅发热体及其制作方法

78、一种氮化硅发热体及其制造方法

79、氮化硅氧化硅双层增透保护薄膜的制备方法

80、亚微米级斜方氮化硅镁多晶体陶瓷粉末的制备方法

81、一种氮化硅氮化钛纳米复合材料的制备方法

82、一种氮化硅氮化钛纳米复合材料的制备方法

83、由高熔点金属合金、高熔点金属硅化物、高熔点金属碳化物、高熔点金属氮化物或高熔点金属硼化物这些难烧结物质构成的靶及其制造方法以及该溅射靶-背衬板组件及其制造方法

84、水泥窑预热器用复合氮化物结合碳化硅挂板及烧制方法

85、高热导率氮化硅陶瓷材料及其制备方法

86、设有环形应力缝的自结合碳化硅、氮化硅结合碳化硅棚板

87、氮化硅薄膜溅射源装置

88、氮化硅只读存储器及其字线的制造方法

89、氮化钛-二硼化钛-硅化钛复相材料及原位反应制备方法

90、氮化铝硼硅酸盐玻璃低温共烧陶瓷基板材料及其制备方法

91、一种氮化硅陶瓷的制备方法及由该方法制备的氮化硅陶瓷

92、氮化硅湿法腐蚀方法

93、氮化硅陶瓷球轴承

94、以聚四氟乙烯为添加剂燃烧合成氮化硅粉体的方法

95、氮化硅与碳化硅制造热镀锌槽的方法

96、荧光氮化硅基纳米线及其制备方法

97、去除氮化硅薄膜的干法蚀刻方法

98、一种热等静压氮化硅全陶瓷电主轴及其制造方法

99、一种碳氮化硅薄膜的制备方法

100、氮化硅陶瓷发热体

101、增加PECVD氮化硅膜层的压缩应力的方法

102、增加PECVD氮化硅膜层的压缩应力的方法

103、氮化硅陶瓷连杆衬套及其制备方法

104、氮化硅涂层钢领及其制备方法

105、在真空中涂覆氮化硅薄膜的方法

106、氮化硅层的制作方法和自对准金属硅化物层的制作方法

107、降低氮化硅的湿蚀刻速率的方法

108、钎焊氮化硅陶瓷的钎料及以该钎料连接氮化硅陶瓷的方法

109、带有氮化硅陶瓷叶轮、导叶的注水泵及其制作方法

110、定义氧化硅氮化硅氧化硅介电层的方法

111、降低第二位效应的氮化硅只读存储单元及其制造方法

112、超薄氮化硅氧化硅栅极介电层的制造方法

113、氮化硅只读存储元件的操作方法

114、一种纳米氮化硅陶瓷粉体的制备方法

115、氮化硅只读存储器的结构与制造方法

116、纳米级氮化硅复合材料发热体及制作工艺

117、晶须补强氮化硅复合材料制造方法

118、氮化硅涂层坩埚

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