【新版】

沟槽式电容,沟槽式电容器加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

开本：16开
资料形式：DVD/U盘/电子版正文语种: 简体中文
可否打印：是装帧: 平装
分类：专业技术
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1、沟槽式金属-绝缘层-金属电容结构与其形成方法

[简介]：本套资料涉及一种沟槽式金属-绝缘层-金属电容结构与其形成方法，它是利用CMOS的技术制成，在半导体结构上先形成金属间介电层IMD，再在它上面形成导电层，此导电层作为电容的底金属层，其中具有至少一沟槽；接着，介电层共形在...

2、沟槽式金属-绝缘层-金属电容结构与其形成方法

[简介]：本套资料公开一种沟槽式电容及其形成方法，其有效简化形成沟槽式电容的制造步骤，而不影响半导体电容的集成度。该方法包括步骤：提供一具有沟槽的半导体基底，沟槽表面具有一蚀刻终止层，蚀刻终止层可导电；接着，在半导体基底及...

3、沟槽式电容及其形成方法

[简介]：本套资料提供一种瓶形沟槽及瓶形沟槽式电容器的制造方法，该方法包括：提供衬底；在衬底中形成沟槽，该沟槽具有侧壁和底部，沟槽具有与衬底顶表面相邻的上部区域和与沟槽底部相邻的下部区域；在沟槽的底部区域形成衬底氧化层；...

4、瓶形沟槽及瓶形沟槽式电容器的制造方法

[简介]：本套资料涉及一种半导体装置及其制造方法，其中所述半导体装置具有布置在衬底1上的集成电路2。所述集成电路2构造在所述衬底的前面且至少一个电容器20连接到所述集成电路，其特征在于，所述至少一个电容器被设计为沟...

5、具有沟槽式电容器的半导体装置及其制造方法

[简介]：本套资料提供一种包含沟槽式电容的半导体装置及其制造方法，装置包括：一具有沟槽的半导体基底，用以当作第一下电极板，还包括一设置于沟槽内部的第一导电结构，该第一导电结构的底部与半导体基底电性连接，当作第二下电极板；...

6、包含沟槽式电容的半导体装置及其制造方法

[简介]：本套资料提供一种沟槽式电容器及其制造工艺，它利用在内电极层外形成一粗糙多晶硅层，接着，再形成一介电层覆盖在粗糙多晶硅层上，再填入外电极层，本套资料是利用粗糙多晶硅层具有较大表面积的特性，使得介电层与内电极层间的接...

7、沟槽式电容器及其制造工艺

[简介]：一种沟槽式电容器，此沟槽式电容器是由下电极、上电极与介电层所构成。下电极设置在基底中，且下电极是由下电极本体与多个第一突出部所构成。第一突出部的一末端连接下电极本体，第一突出部的另一末端从下电极朝一第一方向延...

8、沟槽式电容器的结构及其制造方法

[简介]：本套资料提出了沟槽MOSFET的终止结构及其制备方法，用于终止位于带有底部漏极电极的体型半导体层上方的邻近沟槽MOSFET。体型半导体层具有一个近端体型半导体壁，承载漏极-源极电压，并将终止结构与沟槽MOSFET分开。终止结构由...

9、用于沟槽MOSFET的带有多个嵌入式电势传播电容性结构的终止结构及其制备方法

[简介]：一种形成瓶式沟槽的方法及形成瓶式沟槽电容器的方法，形成瓶式沟槽的方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底内形成有沟槽；在沟槽顶部至预定位置的侧壁形成湿法刻蚀阻挡层，所述湿法刻蚀阻挡层的材料为氮化硅或二氧化硅；以湿...

10、形成瓶式沟槽以及瓶式沟槽电容器的方法

[简介]：瓶形沟槽式电容器，其具有拓展的沟槽下部，在该拓展的沟槽下部内有ｅｐｉ层。该ｅｐｉ层起沟槽式电容器的隐埋极板的作用。一个扩散区包围拓展的沟槽下部，用以增强ｅｐｉ层的掺杂剂浓度。扩散区例如是通过汽相掺杂、等离子体掺杂或等离...

11、带有外延隐埋层的瓶形沟槽式电容器

[简介]：沟槽式电容器，其在沟槽的下部内有epi层。该epi层起沟槽式电容器的隐埋极板的作用。一个扩散区包围沟槽的下部，用以增强epi层的掺杂剂浓度。扩散区例如是通过汽相掺杂、等离子体掺杂或等离子体浸没离子注入法形成的。

12、带有外延隐埋层的沟槽式电容器

[简介]：本套资料提供一沟槽电容器，特别用于半导体存储器单元（１００），具有在衬底（１０１）上形成的绝缘环（１６８）和沟槽（１０８）；在所述沟槽（１０８）的上部形成所述绝缘环（１６８）；可选的掩埋板（１６５）在沟槽（１０８）下部周围的衬底区作为第一电容器极板...

13、带有绝缘环的沟槽式电容器和相应的制造方法

[简介]：主要内容为一种在衬底内形成包括掩埋板的沟槽式电容器的方法。包括在衬底内形成沟槽。沟槽具有沟槽内表面。还包括在沟槽内形成氧化物轴环。氧化物轴环覆盖沟槽内表面的第一部分，留下沟槽内表面的第二部分未由氧化轴环覆盖。还包...

14、在集成电路中形成沟槽式电容器的改进技术

[简介]：一种用ＢＳＧ在半导体衬底上形成沟槽的改进方法，包括：（ａ）提供半导体衬底；（ｂ）在该衬底上施加硼硅（酸盐）玻璃（ＢＳＧ）的共形层；（ｃ）在ＢＳＧ层上形成已制作图形的光致抗蚀层，暴露光致抗蚀层下面的部分底层；（ｄ）穿透所述底层的暴露部...

15、用易处理的硬掩模制作沟槽式电容器

[简介]：一种埋入式沟槽电容器及其制造方法。其方法系在沟槽下部的基底中形成一埋入电极区，再在埋入电极区暴露出的表面形成第一掩模层。之后，进行自匮乏原子层沉积制作工艺，以便在第一掩模层以外的沟槽表面形成第二掩模层。随后，...

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