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增加氮化硅,薄膜加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

开本：16开
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分类：专业技术
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1、增加聚硅氮烷和氮化硅间黏性和形成沟槽隔离结构的方法

[简介]：一种增加聚硅氮烷和氮化硅间黏着性的方法，包括提供基底，包括沟槽；在沟槽的底部和侧壁形成氮化硅衬层；对氮化硅衬层进行处理制程，产生具有OH基团的亲水表面，以增加氮化硅衬层和后续步骤形成的聚硅氮烷涂布层的黏着性；及...

2、增加聚硅氮烷和氮化硅间黏性和形成沟槽隔离结构的方法

[简介]：本套资料公开一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜，其特征在于，它是由三层膜构成，第一层为太阳能电池晶体硅表面的氮化硅薄膜，厚度为8～12nm，折射率为2.3～2.4，第二层氮化硅薄膜的厚度为18～24nm，折射率为2.0～2.1，第三层...

3、一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜及其制备方法

[简介]：本套资料提供了一种硅衬底上氮化物高压器件及其制造方法。该硅衬底上氮化物高压器件通过在漏极区域引入高电压耐受层，局部增加外延层的厚度来承担较高的压降，从而实现可以耐高击穿电压的器件。通过这种局部生长方法，不仅可...

4、硅衬底上氮化物高压器件及其制造方法

[简介]：用UV-激发气体如氯或氮预处理于半导体底物上形成的氧氮化物或氧化物层，以改善层表面的状况和增加用于继后的四氮化三硅沉积的核化点的密度。这种预处理显示减少了较薄的四氮化三硅膜物理厚度低于36，或甚至低于20的...

5、用于生成四氮化三硅薄膜的超薄氧氮化物的UV预处理方法

[简介]：本套资料主要内容为一种双层氮化硅减反射膜及其制备方法。该双层氮化硅减反射膜由上、下两层氮化硅膜构成，下层氮化硅膜厚度为10nm～15nm，折射率为2.2～2.5，上层氮化硅膜厚度为70nm～75nm，折射率为2.0～2.05。制备时，取抛光单晶硅片...

6、双层氮化硅减反射膜及其制备方法

[简介]：本技术主要内容为一种氮化硅膜成长炉管装置中减少氯化铵堵塞的结构，所述氮化硅膜成长炉管装置中具有大气压力计和排气管道，在所述大气压力计和排气管道之间加装一延长管路，所述延长管路的外周包裹有一保温层。本实用新型...

7、氮化硅膜成长炉管装置中减少氯化铵堵塞的结构

[简介]：本套资料针对硅基氮化物单晶薄膜存在较大的失配应力而产生高密度裂纹和位错的问题，发明一种在成核层上生长薄层SiNx用以减小应力、消除裂纹、降低位错密度，制备高质量氮化物薄膜的外延方法。本方法通过控制SiNx薄层的厚度使...

8、硅基氮化物单晶薄膜的外延结构及生长方法

[简介]：一种氮化硅涂层医用镁合金材料，由镁合金基材和在其表面附有的氮化硅涂层构成；其制备方法是：1）将镁合金试样打磨、抛光、除油后，进行喷砂处理以去除表面氧化皮、增加表面粗糙度和涂层和增强镁合金基体与涂层接合的牢固度；2...

9、一种氮化硅涂层医用镁合金材料及制备方法

[简介]：本技术主要内容为一种用于氮化硅溶液搅拌的搅拌电机叶轮，其包括固定于搅拌轴下部的圆盘以及固定于圆盘上面的多个扇叶，所述扇叶均布于圆盘上，在所述圆盘上设有泄流孔。本实用新型形状设计成底部圆盘式，旋转起来比较平稳...

10、用于氮化硅溶液搅拌的搅拌电机叶轮

[简介]：本套资料提供了一种含氮化硅铁的免烘烤铁沟捣打料，由硅酸铝材料、碳化硅、炭素材料及氮化硅铁、结合剂组成。其特征在于：硅酸铝材料为43-80％，碳化硅为7-25％，炭素材料为2-10％，氮化硅铁为5-15％，Si粉为0-4％，Al粉为0-3％，在上述混...

11、一种含氮化硅铁的免烘烤铁沟捣打料

[简介]：本套资料提供一种具有高擦除速度的锥形能带氮化硅层SONOS结构器件，在具有源漏极的硅衬底上设有多层结构的栅极，所述栅极从下至上包括：氧化硅层、薄氮化硅层、氧化层、渐变氮化硅层、阻挡氧化层和控制栅，所述氧化硅层与硅衬底...

12、一种具有高擦除速度的锥形能带氮化硅层SONOS结构器件

[简介]：本套资料涉及一种氮化硅膜的方法，尤其涉及一种用等离子激发形成氮化硅膜的方法。该方法的核心是工艺沉积腔，工艺沉积腔内设置有一个或多个平行放置的等离子源，工艺沉积腔上还设置有使等离子源形成高密度等离子体的射频能源...

13、用等离子激发形成氮化硅膜的方法

[简介]：本套资料提供了一种氮化硅溶液及其制备方法。所述氮化硅溶液的制备方法，包括：将氮化硅粉末与去离子水混合，然后加入*，搅拌后得到氮化硅溶液。本套资料还提供了多晶硅铸锭用坩埚及其制备方法。所述多晶硅铸锭用坩埚的制备方...

14、氮化硅溶液及其制备方法、多晶硅铸锭用坩埚及其制备方法

[简介]：本套资料主要内容为一种深沟槽器件制造过程中氮化硅的去除方法，包括步骤：采用OF方式，用去离子水对硅片进行预处理；将硅片浸入到磷酸槽中进行刻蚀处理将氮化硅完全去除。本套资料方法通过在将硅片浸入到磷酸槽中之前，增加一个预处...

15、深沟槽器件制造过程中氮化硅的去除方法

[简介]：本套资料提出一种制备氮化硅泡沫陶瓷的方法，通过配料、混料、调节pH值、发泡成型固化、烧结等步骤得到氮化硅泡沫陶瓷。本套资料采用羧甲基纤维素水溶液作为粘结剂，使泡沫体系表面张力降低、浆料粘弹性增加、泡沫浆料的流动性和稳...

16、一种制备氮化硅泡沫陶瓷的方法

[简介]：本技术主要内容为一种氮化硅喷*，涉及多晶铸锭环节石英坩埚喷涂用的喷*，扳机与喷*内部的气缸连接，扳机与气缸压缩杆间增加垫片。此外：所述垫片设置于扳机上或气缸压缩杆上。所述垫片的厚度为0.1－2毫米。所述垫片的数量为...

17、一种氮化硅喷*

[简介]：本套资料主要内容为一种以分解时能产生氮气的发泡剂为添加剂快速燃烧合成氮化硅粉体的方法，包括如下步骤：在快速燃烧合成氮化硅粉体过程中，以分解时能产生氮气的发泡剂作为反应过程中的助剂；所述的以分解时能产生氮气的发泡剂...

18、一种以分解时能产生氮气的发泡剂为添加剂快速燃烧合成氮化硅粉体的方法

[简介]：本技术涉及一种低电压干点型氮化硅陶瓷点火装置，包括主体和与主体连接的导线，所述主体包括基座和点火头，所述点火头材质为氮化硅陶瓷，所述点火头内设置有电热元件，所述电热元件与导线相连，本实用新型在点火头内设置...

19、一种低电压干点型氮化硅陶瓷点火装置

[简介]：本技术涉及一种干点型氮化硅陶瓷电热装置，包括发热本体和与发热本体连接的导线，所述发热本体材质为氮化硅陶瓷，所述发热本体呈板状结构，其内部设置有电热元件，所述电热元件与导线相连，本实用新型在发热本体内设置电...

20、一种干点型氮化硅陶瓷电热装置

[简介]：本套资料是提供一种提高硼硅玻璃膜及氮化硅膜之间粘合强度的方法。首先提供一半导体基底，其上形成有一氮化硅膜；接着将该氮化硅膜接触一含氧电浆，随后再沉积一硼硅玻璃膜于该氮化硅膜之上；经过60秒臭氧电浆处理过硼硅玻璃...

21、一种氮化硅表面氢氟酸溶液处理方法

22、一种氮化硅表面氢氟酸溶液处理方法

23、一种在半导体器件中提高氮化硅薄膜拉应力的方法

24、一种制造高拉应力氮化硅薄膜的方法

25、具有氮化硅电荷陷阱层的非挥发性内存

26、具有氮化硅电荷陷阱层的非挥发性内存

27、基底氧化硅氮化硅氧化硅硅组件的制造方法

28、长寿命可消耗氮化硅-二氧化硅等离子处理部件

29、氮化硅氧化硅双层增透保护薄膜的制备方法

30、通过后PECVD沉积UV处理增加氮化硅膜的拉伸应力的方法

31、低温制作高应变等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜的方法

32、高热导率氮化硅陶瓷材料及其制备方法

33、氮化硅层的制造方法及半导体元件的制造方法

34、利用图案化金属结构增加氮化硅表面粘着度的方法

35、一种氮化硅膜的生长方法

36、氮化硅只读存储元件的操作方法

37、等离子体化学气相法批量生产氮化硅粉体转相工艺及系统

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