【新版】

沟槽电容,沟槽电容器加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

开本：16开
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分类：专业技术
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1、一种易于填充的沟槽电容及其制备方法

[简介]：本套资料涉及一种易于填充的沟槽电容及其填充方法。所述电容包括电容衬底，位于电容衬底上的多个相互连通的沟槽，位于电容衬底的表面上的下电极，位于下电极的表面上的介质层，位于介质层的表面上的上电极，以及填充于沟槽处的...

2、一种易于填充的沟槽电容及其制备方法

[简介]：本套资料提出了沟槽MOSFET的终止结构及其制备方法，用于终止位于带有底部漏极电极的体型半导体层上方的邻近沟槽MOSFET。体型半导体层具有一个近端体型半导体壁，承载漏极-源极电压，并将终止结构与沟槽MOSFET分开。终止结构由...

3、用于沟槽MOSFET的带有多个嵌入式电势传播电容性结构的终止结构及其制备方法

[简介]：本套资料提供一种沟槽电容的形成方法及沟槽电容，该方法包括：去除一衬底的一部分以形成一沟槽于一衬底中；形成一埋入隔离层于衬底中；形成一沟槽电容的第一电极于衬底中，其至少位于沟槽较低的部分的周围区域；形成一沟槽电容...

4、形成沟槽电容于衬底的方法及沟槽电容

[简介]：本套资料涉及沟槽电容器和形成该沟槽电容器的方法。一种形成半导体器件的方法包括：在衬底中形成具有侧壁的开口；以及在所述开口中形成第一外延层。所述第一外延层是在所述侧壁的第一部分中形成的，而不是在所述侧壁的第二部...

5、沟槽电容器和形成该沟槽电容器的方法

[简介]：本套资料提供一种具有几何形状沟槽的沟槽型电容的制程，包括：提供一具有一垫层结构的基底；形成一第一硬罩幕层于该垫层结构上；形成一图案化的第二硬罩幕层于该第一硬罩幕层上，露出一第一开口；形成一间隔层于该第一开口的侧...

6、具有几何形状沟槽的沟槽型电容的制程

[简介]：一具有一晶体管以及一储存电容的半导体元件。此晶体管包括形成于基底上的源极与漏极区。此储存电容耦合于该晶体管。此储存电容由一瓶状沟槽所构成，且具有形成于沟槽中的一外延硅层以形成源极与漏极区其中之一的至少一部分...

7、具有瓶状深沟槽电容的半导体元件及其制造方法

[简介]：一种沟槽电容结构，包括一半导体基底；一电容深沟槽，形成于该半导体基底中；一领氧化层，设于该电容深沟槽的内壁上，其中该领氧化层于该电容深沟槽底部具有一开口，暴露出该电容深沟槽底部；一第一掺杂多晶硅层，设于该领氧化...

8、沟槽电容结构

9、沟槽电容动态随机存取存储器元件及其制作方法

[简介]：本申请案涉及具有外围沟槽电容器的互补金属氧化物半导体CMOS图像传感器。一种实例性互补金属氧化物半导体CMOS图像传感器包含外延层、像素阵列及沟槽电容器。所述像素阵列形成于所述外延层的前侧上所述图像传感器的像素阵...

10、具有外围沟槽电容器的互补金属氧化物半导体图像传感器

[简介]：本套资料涉及一种沟槽式金属-绝缘层-金属电容结构与其形成方法，它是利用CMOS的技术制成，在半导体结构上先形成金属间介电层IMD，再在它上面形成导电层，此导电层作为电容的底金属层，其中具有至少一沟槽；接着，介电层共形在...

11、沟槽式金属-绝缘层-金属电容结构与其形成方法

[简介]：本申请案涉及带有具有压缩应力的保形沉积导电层的深沟槽电容器。提供一种高密度深沟槽MIM电容器结构，其中例如Poly-SixGe1-x的半导体材料的导电-压缩-保形施加的层穿插在MIM电容器层内以抗衡由此类MIM电容器层形成的抗拉...

12、带有具有压缩应力的保形沉积导电层的深沟槽电容器

[简介]：本套资料公开一种沟槽式电容及其形成方法，其有效简化形成沟槽式电容的制造步骤，而不影响半导体电容的集成度。该方法包括步骤：提供一具有沟槽的半导体基底，沟槽表面具有一蚀刻终止层，蚀刻终止层可导电；接着，在半导体基底及...

13、沟槽式电容及其形成方法

[简介]：本套资料提供一种具有沟槽电容的半导体的制造方法，包括下列步骤：在一基底中形成一沟槽；在沟槽中，依序形成具有第一既定高度的一玻璃掺杂层与第一介电层；由退火处理将玻璃掺杂层中的n型掺杂物向外扩散至基底中，形成一隐埋...

14、具有沟槽电容的半导体的制造方法

[简介]：本套资料提供一种改善光阻平坦度的方法与沟槽电容的下电极的制造方法。在去除沟槽内部的上半部光阻保护光阻后，新增一道全面性重新填满另一光阻回填光阻的程序，以填满去除后的保护光阻上表面与基底上表面之间的距离，该...

15、改善光阻平整度的方法与沟槽电容的下电极的制造方法

[简介]：一种结构和该结构的制造方法使用用于沟槽电容器的电容器沟槽CT和用于沟槽电阻器的电阻器沟槽RT。该结构典型地是半导体结构。在第一实例中，电容器沟槽CT具有比电阻器沟槽RT更窄的线宽尺寸LWC。沟槽线宽差异提供...

16、包括沟槽电容器和沟槽电阻器的半导体结构

[简介]：本套资料提供一种瓶形沟槽及瓶形沟槽式电容器的制造方法，该方法包括：提供衬底；在衬底中形成沟槽，该沟槽具有侧壁和底部，沟槽具有与衬底顶表面相邻的上部区域和与沟槽底部相邻的下部区域；在沟槽的底部区域形成衬底氧化层；...

17、瓶形沟槽及瓶形沟槽式电容器的制造方法

[简介]：一种深沟槽电容器包括具有壁和底部的沟槽。该深沟槽电容器也包括在壁和底部上的栅极氧化物层。栅极多晶硅沉积于该栅极氧化物之上。

18、用于创建深沟槽电容器以改进器件性能的方法和装置

[简介]：本套资料提供一种包含沟槽式电容的半导体装置及其制造方法，装置包括：一具有沟槽的半导体基底，用以当作第一下电极板，还包括一设置于沟槽内部的第一导电结构，该第一导电结构的底部与半导体基底电性连接，当作第二下电极板；...

19、包含沟槽式电容的半导体装置及其制造方法

[简介]：本套资料涉及一种半导体装置及其制造方法，其中所述半导体装置具有布置在衬底1上的集成电路2。所述集成电路2构造在所述衬底的前面且至少一个电容器20连接到所述集成电路，其特征在于，所述至少一个电容器被设计为沟...

20、具有沟槽式电容器的半导体装置及其制造方法

[简介]：本套资料主要内容为一种沟槽电容器及其制造方法。在由诸如凹隔离或浅沟槽隔离限定的沟槽中，形成电容器的设计结构，其具有用于去耦应用的适当大的值。该电容器提供与有源区共延的接触区域，并可以单独或少量的方式可靠地形成该电...

21、沟槽电容器及制造沟槽电容器之方法

22、沟槽电容器及制造沟槽电容器之方法

23、用于半导体存储单元的有隔离环的沟槽电容器的制造方法

24、提供用于沟槽电容器阵列的掩埋板的结构和方法

25、在一个单元中具有多个并联的沟槽电容器的多端口存储器

26、具有混合表面取向衬底的沟槽电容器

27、适用于高频操作中去耦应用的沟槽电容器

28、带有底切区域中的绝缘层环的沟槽电容器及其制造方法

29、沟槽式电容器及其制造工艺

30、具有平行板沟槽电容器的半导体器件

31、具有沟槽电容器的动态随机存取存储器及其制造方法

32、具有垂直型晶体管与沟槽电容器的存储器装置的制造方法

33、测试沟槽电容器中埋入层掺杂浓度是否异常的元件及方法

34、选择性去除半球状硅晶粒层的方法及深沟槽电容器的制法

35、带有外延隐埋层的瓶形沟槽式电容器

36、带有绝缘环的沟槽式电容器和相应的制造方法

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