【新版】

衬底电容,电容加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

开本：16开
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分类：专业技术
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1、在InP衬底上制备高K栅介质薄膜和MIS电容的方法

[简介]：本套资料提供一种在InP衬底上制备高k栅介质薄膜和MIS电容的方法，该方法工艺简单，在利用PEALD工艺沉积高k栅介质薄膜之前通过等离子体原位处理对InP衬底进行钝化，改善了高k栅介质与InP衬底之间的界面特性，降低了费米能级钉...

2、在InP衬底上制备高K栅介质薄膜和MIS电容的方法

[简介]：本套资料涉及一种采用衬底栅极的MIS电容下压阻结构与实现该压阻结构的自对准加工工艺。用于检测纳米梁位移。该结构用SOI硅片的顶层硅制作纳米梁，用硅衬底作为栅极，腐蚀去除梁与硅衬底间的埋层二氧化硅形成间隙，硅衬底、间隙...

3、采用衬底栅极的MIS电容下压阻结构及制作方法

[简介]：本套资料主要内容为一种在锗衬底上采用铪硅氧氮介质制备MOS电容的方法，包括：清洗锗片；在清洗后的锗片上依次淀积氮化硅薄膜和氮化铪薄膜，重复多次淀积多层氮化硅和氮化铪叠层；然后在氮气的氛围中快速热退火；接着通过涂胶、曝光...

4、一种在锗衬底上制备金属-氧化物-半导体电容的方法

[简介]：本套资料提供一种沟槽电容的形成方法及沟槽电容，该方法包括：去除一衬底的一部分以形成一沟槽于一衬底中；形成一埋入隔离层于衬底中；形成一沟槽电容的第一电极于衬底中，其至少位于沟槽较低的部分的周围区域；形成一沟槽电容...

5、形成沟槽电容于衬底的方法及沟槽电容

[简介]：本套资料主要内容为一种在锗衬底上制备MOS电容的方法，包括：清洗锗片；在清洗后的锗片上采用射频磁控反应溅射的方法在氩气和氮气的氛围中依次淀积氮化硅薄膜和氮化铪薄；然后在氮气的氛围中快速热退火；接着通过涂胶、曝光和...

6、一种在锗衬底上制备金属-氧化物-半导体电容的方法

[简介]：本套资料提出了一种MOS电容衬底的压阻结构及检测方法，以实现对纳米厚度梁的弯曲的压阻检测。本套资料是在半导体纳米厚度梁上制作MOS电容结构。检测时在MOS电容上施加电压使MOS电容下纳米梁中形成强反型层与空间电荷区。不导电...

7、纳米梁上MOS电容衬底的压阻结构及检测方法

[简介]：提供了一种用于将半导电层沉积到非常大的玻璃区域上的RF等离子体反应器40。该RF等离子体反应器包括真空室18、反应器室24、RF电源12、匹配网络14、位于真空室内部的第一22和第二金属板20以及被限定在第一和第...

8、适于大面积衬底的电容性耦合RF等离子体反应器的阻抗匹配

[简介]：本套资料描述了一种在磁盘存储器中的衬底制造过程中使用的冷却系统，其中，冷却板相对于待冷却的衬底动态定位。本套资料能够使冷却板设置得更近以便更有效地冷却。通过冷却板和待冷却的衬底之间的电容测量来控制定位。

9、用于衬底冷却的电容感测

[简介]：在一个实施例中，独立式半导体形状形成的矩阵被氧化而形成低电容隔离区域tub。在矩阵中相邻排的形状互相偏移，而使区域tub的形成过程中空气隙和空位的形成最小化。在另一实施例中，相邻排之间的间隔小于排内形状之间的...

10、具有减小的衬底电容的半导体器件和方法

[简介]：一种半导体结构1，其特征在于在半导体材料10上形成隔离区5。在隔离区下面在半导体材料中形成立柱15，其中该立柱用第一介电材料20覆盖，以形成空洞16。

11、半导体器件和提供低衬底电容区域的方法

[简介]：本套资料涉及一种图案化衬底的方法，包含将导电材料喷印到所述衬底的至少一侧的部分上；及利用激光刻印所述衬底的所述至少一侧的表面以图案化第一导电图案。根据本套资料的方法，可以简化工艺并集成触控面板的衬底，以达到降低...

12、图案化衬底的方法及制造电容式触控面板的方法

[简介]：本套资料揭示半导体装置100及其制造方法。所述半导体装置中的每一者包含具有第一表面118及相对的第二表面的衬底102。在所述衬底的所述第一表面上安置垂直电容性元件104。所述垂直电容性元件包括横向于所述衬底的所...

13、形成在半导电衬底上的垂直电容器

[简介]：本套资料提供了一种具有布置在衬底和柔性电路上的电极的电容传感器。电容传感器可以包括柔性电路、面向柔性电路的衬底以及导电电极，导电电极被构造为传感施加到衬底上的输入。导电电极中的至少一个与衬底的表面相关联，电极...

14、具有布置在衬底和柔性电路上的电极的电容传感器

15、具有布置在衬底和柔性电路上的电极的电容传感器

[简介]：本套资料提供一种能够正确检测压力变化的静电电容式压力传感器用的玻璃衬底。玻璃衬底11具有相互对置的一对主面11a、11b。在玻璃衬底11中埋设由硅构成的岛状体12a、12b。岛状体12a、12b分别在玻璃衬底11的两个主面...

16、玻璃衬底和使用了该玻璃衬底的静电电容式压力传感器

[简介]：本套资料描述了一种超高密度电容器设计，该设计利用两个晶片面集成到半导体衬底中，优选地Si衬底。电容器是柱状的，并且包括由电介质层940分开的电极930、950。在沟槽中提供穿过晶片整个厚度的通路连接920。

17、包括在衬底的两个面上形成的平面形状电容器的超高密度容量

[简介]：本套资料主要内容为一种电容耦合等离子体装置及在硅衬底上生长碳化硅薄膜的方法，在反应腔室内的上电极和下电极之间设有热丝加热装置。首先，通入H2气体，用射频和热丝共同作用，产生的氢等离子体轰击衬底30分钟左右；然后，通入CH...

18、电容耦合等离子体装置及在硅衬底上生长碳化硅薄膜的方法

[简介]：主要内容为形成贯穿SOI衬底的深沟槽电容器的方法以及电容器。在一个实施例中，方法包括：在SOI衬底中形成直至硅衬底的沟槽开口；在沟槽开口中沉积侧壁间隔物；进行刻蚀以在硅衬底中形成深沟槽；通过将掺杂剂注入到硅衬底中来形成...

19、贯穿SOI衬底的深沟槽电容器及其形成方法

[简介]：本套资料提供不损害高密度组装衬底的电特性和尺寸特性，可内置在衬底内、并且具有充分的电容的薄膜电容器、薄膜电容器内置型高密度组装衬底、以及薄膜电容器的制造方法。制造下述结构的薄膜电容器，作为半导体布线板的内置用无...

20、薄膜电容器、薄膜电容器内置型高密度组装衬底、及薄膜电容器的制造方法

[简介]：一种用作电路化衬底内的内部电容器的一部分的材料，其包括：聚合物树脂例如脂环族环氧树脂或苯氧基树脂和一定数量的铁电陶瓷材料例如，钛酸钡的纳米粉末，所述粉末的粒度基本上在约0.01微米到约0.90微米的范围内，且所...

21、具有混合表面取向衬底的沟槽电容器

22、具有混合表面取向衬底的沟槽电容器

23、具有薄膜电容器结构的集成电路封装衬底

24、形成在半导体衬底上的精密高频电容器

25、包括嵌入有电容器的陶瓷有机混合衬底的电子组件以及制造方法

26、包含具有埋置电容器的衬底的电子组装件及其制造方法

27、一种基于柔性衬底的固态超级电容器及其制作方法

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