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去除蚀刻,去除蚀刻加工制造工艺方法图文全套

作者:admin    来源:金鼎工业资源网       更新时间:2021/9/6
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1、用于去除底切的UMB蚀刻方法
        [简介]: 一种方法,包括形成衬底上方的凸块下金属UBM层以及形成UBM层上方的掩模。该掩模覆盖UBM层的第一部分,而UBM层的第二部分通过掩模中的开口暴露。在开口中和UBM层的第二部分上形成了金属凸块。然后,去除掩模。执行激光去除来...
2、用于去除底切的UMB蚀刻方法
        [简介]: 一种从印制线路板蚀刻废液中去除二噁英的方法及用途,该方法包括:a、将金属两性氧化物、活性炭及水按重量比1~10∶1~10∶1~40加入带搅拌的反应容器中,搅拌混合均匀,形成吸附用浆料;b、在反应容器中加入体积为反应容器容积的6...
3、从印制线路板蚀刻废液中去除二噁英的方法及用途
        [简介]:本技术涉及一种去除印刷电路板局部位置涂漆的反应性离子蚀刻装置,其包含有一腔体,一上极板,一下极板以及一挡板,所述上极板位于腔体上方,所述下极板位于腔体下方,须进行蚀刻的印刷电路板置于腔体内,所述挡板置于印...
4、去除印刷电路板局部位置涂漆的反应性离子蚀刻装置
        [简介]: 用于从Cu-双大马士革微电子结构去除铜的氧化物蚀刻残余物的高含水酸性清洁组合物,且其中该组合物防止或基本消除铜在Cu-双大马士革微电子结构上再沉积。
5、用于去除铜的氧化物蚀刻残余物和防止铜电沉积的含水酸性制剂
        [简介]: 本套资料涉及可以通过以下方式局部实施的、用于“太阳能电池组件”的湿化学边缘去除的快速和廉价方法:施涂适用于该目的的蚀刻膏,并且在进行了反应之后除去膏残渣或者以合适方式清洁衬底表面。在该方法中使用新近开发用于该目...
6、借助蚀刻的薄层太阳能电池组件的边缘去除
        [简介]: 本套资料提出一种顶层金属介质层沟槽蚀刻工艺中去除抗反射涂层的方法以及利用该技术制造顶层金属介质层沟槽的方法,使用氯气蚀刻去除顶层金属介质层沟槽内的抗反射涂层。本套资料能够有效避免顶层金属介质层沟槽制造工艺中出...
7、顶层金属介质层沟槽蚀刻工艺中去除抗反射涂层的方法
        [简介]: 本套资料为一种印制电路板酸性蚀刻废液中砷和铁的去除方法,包括如下步骤:1将水合二氧化钛调成浆;2调节印制电路板酸性蚀刻废液的pH值为0.5~3.0;3向调节好pH值的印制电路板酸性蚀刻废液中加入所述水合二氧化钛浆体,...
8、印制电路板酸性蚀刻废液中砷和铁的去除方法
        [简介]: 本套资料为一种印制电路板碱性蚀刻废液中砷的去除方法,是按三氯化铁的用量为1~5kgm3印制电路板碱性蚀刻废液,配制浓度为0.5~5molL的三氯化铁溶液,备用,然后将上述三氯化铁溶液慢慢加入到对应量的印制电路板碱性蚀刻废液...
9、印制电路板碱性蚀刻废液中砷的去除方法
        [简介]: 本套资料主要内容为一种去除氮化硅薄膜的干法蚀刻方法,涉及半导体制造领域的蚀刻工艺。所述干法蚀刻方法在制程腔室内进行,其中制程腔室内位于等离子区两侧的上基板和下基板的电势差小于300伏。与现有技术相比,本套资料提供的去除...
10、去除氮化硅薄膜的干法蚀刻方法
        [简介]: 本套资料提供了强碱性含水制剂,其包括a水,b至少一种无金属离子的碱,该碱的量足以使最终制剂为碱性pH,c约0.01%至约5%重量以%SiO2表示的至少一种水溶性无金属离子的硅酸盐腐蚀抑制剂;d约0.01%至约10%重量的至少...
11、用于去除蚀刻残余物以过氧化物活化的金属氧酸盐为基础的制剂
        [简介]: 一种具有选择性去除阻障层的导电凸块蚀刻液,包括下列步骤:提供一已制备完成集成电路组件的半导体基底,其上具有一金属层metallayer或凸垫bondingpad。形成一护层passivation于该半导体基底上,并使已形成的该金属...
12、蚀刻液及应用该蚀刻液选择性去除阻障层的导电凸块制造方法
        [简介]: 本套资料提供了一种从衬底去除挥发性残余物的方法和装置。一个实施例中,于系统中在途中进行挥发性残余物去除工艺同时在衬底上进行卤素处理工艺。挥发性残余物去除工艺在除了卤素处置处理室和FOUP之外的系统中进行。一个实施...
13、通过热处理从所蚀刻的衬底去除卤素残余物的集成方法
        [简介]: 本套资料提供了一种从衬底去除挥发性残余物的方法和装置。一个实施例中,于系统中在途中进行挥发性残余物去除工艺同时在衬底上进行卤素处理工艺。挥发性残余物去除工艺在除了卤素处置处理室和FOUP之外的系统中进行。一个实施...
14、通过热处理从所蚀刻的衬底去除卤素残余物的集成方法
        [简介]: 通过在工件上执行氟碳基蚀刻处理以蚀刻电介质层的露出部分同时在光刻胶掩膜上沉积保护性氟碳聚合物来在蚀刻反应器中首先执行用于使用光刻胶掩膜蚀刻多孔掺杂碳氧化硅电介质层的等离子体蚀刻处理。然后,在灰化反应器中,...
15、包括对低介电常数材料进行非原位背侧聚合物去除的等离子体电介质蚀刻处理
        [简介]: 具有原位背侧聚合物去除的等离子体蚀刻工艺,开始于具有多孔掺杂碳二氧化硅电介质层和在工件表面上的光刻胶掩模的工件。工件在蚀刻反应室被夹紧到静电卡盘上。所述工艺包括引入氟碳基工艺气体,并在光刻胶掩模上沉积保护氟...
16、用于低电介质常数材料的具有原位背侧聚合物去除的等离子体电介质蚀刻工艺
        [简介]: 一种去除光致抗蚀剂、离子注入光致抗蚀剂、蚀刻残余物或BARC的配制料,其中该配制料包括:氢氧化铵和2-氨基苯并噻唑、余量的水。优选地,该配制料包括:氢氧化四甲基铵、*基*、丙二醇、2-氨基苯并噻唑、二丙二醇单甲醚、余量...
17、去除光致抗蚀剂、蚀刻残余物的BARC的配制料
        [简介]: 一种半导体工艺,先提供一基底,接着于此基底上形成一层待蚀刻层。然后,于待蚀刻层上形成一层图案化的光致抗蚀剂层。接下来,使用一种蚀刻气体来进行蚀刻工艺,以蚀刻待蚀刻层而产生一图案化层。同时因此蚀刻工艺而产生出覆盖...
18、半导体工艺以及去除芯片上凝结的蚀刻气体的方法
        [简介]: 主要内容为一种水基组合物和将硬化的光致抗蚀剂和或底部抗反射涂层BARC材料从其所在的微电子装置上去除的方法。该水基组合物包含至少一种离液序列高的溶质、至少一种碱性碱和去离子水。采用该组合物在集成电路的制造中实现...
19、适用于去除蚀刻后的光致抗蚀剂和底部抗反射涂层的组合物
        [简介]: 本套资料提供一种去除晶片表面蚀刻残留物的方法,包含有:于该晶片上沉积一低介电常数层;于该低介电常数层上形成一金属层;于该金属层上形成一光致抗蚀剂层,包含一图案;将该光致抗蚀剂层的该图案转移至该金属层中,形成一金...
20、一种去除晶片表面上蚀刻残留物的方法
        [简介]: 本套资料涉及具有改进性能的用于去除蚀刻后残留物的新型溶液及其在半导体生产中的应用。本套资料还涉及在半导体生产过程中,对于必须无蚀刻后残留物和颗粒的金属层和表面具有降低的蚀刻速率的水溶液。
21、用于蚀刻后去除基片上沉积的光致抗蚀剂和或牺牲性抗反射物质的组合物和方法
22、用于蚀刻后去除基片上沉积的光致抗蚀剂和或牺牲性抗反射物质的组合物和方法
23、去除蚀刻残余的聚合物的方法
24、含有金属卤化物腐蚀抑制剂的碱性后等离子体蚀刻灰化残余物去除剂和光致抗蚀剂剥离组合物
25、半导体工艺中后蚀刻残留物的去除
26、用于去除灰化和未灰化铝蚀刻后残留物的超临界二氧化碳化学制剂
27、去除光刻胶和蚀刻残留物的方法
28、从半导体基片上去除光致抗蚀剂、蚀刻和或灰化残留物、或污染物的方法
29、护垫蚀刻程序后去除氟化铝缺陷的方法
30、水性缓冲含氟蚀刻残渣去除剂和清洁剂
31、去除焊垫窗口蚀刻后残留聚合物的方法
32、有助于残留物去除的各向同性电阻器保护蚀刻
33、一种去除开尔文通孔的蚀刻残余物的方法
34、干式蚀刻器中残留气体的去除装置及去除方法
35、用于去除抗光蚀剂和蚀刻残留物的含有氟化物的酸性组合物
36、在栅极蚀刻处理后用湿式化学方法去除氧氮化硅材料

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