作者:admin 来源:金鼎工业资源网 更新时间:2021/9/6
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1、变容二极管和用于制造变容二极管的方法
[简介]: 变容二极管包括下述组成部分:第一PTC区域(4),所述第一PTC区域包括具有在电阻方面正温度系数的陶瓷材料;电容器区域(3),所述电容器区域包括第一电极(2)、第二电极(2’)、第一介电层(1),所述第一介电层设置在第一电极(2)和第...
2、变容二极管和用于制造变容二极管的方法
[简介]: 本套资料主要内容为一种微电容MOS变容管和变容二极管的短路去嵌测试结构,包括:多个金属层,多个金属层包括顶金属层,顶金属层下的第1金属层和至少一个中间金属层,第1金属层包括一个回路,顶金属层分为四个互不相连的区域,中间金...
3、微电容MOS变容管和变容二极管的短路去嵌测试结构
[简介]: 本套资料主要内容为一种微电容MOS变容管和变容二极管的开路去嵌测试结构,包括:多个金属层和有源区,多个金属层包括顶金属层,与有源区连接的第1金属层和顶金属层与第1金属层之间的至少一个中间金属层,第1金属层包括一个回路,顶...
4、微电容MOS变容管和变容二极管的开路去嵌测试结构
[简介]:本技术变容二级管制作的调频无线话筒,由6V直流电源DC、音频拾取及音频放大电路、稳幅电路、变容二级管偏置电路、振荡电路及高频放大电路组成。本实用新型克服了多数调频无线话筒的调频工作是通过改变晶体管的基极和*...
5、变容二极管制作的调频无线话筒
[简介]: 一种半导体器件、变容二极管及其形成方法,所述变容二极管包括:半导体衬底;位于所述半导体衬底内的N型阱区和P型阱区,所述N型阱区和P型阱区相邻;位于所述N型阱区、P型阱区上的栅极结构,所述栅极结构包括栅极、位于所述栅极...
6、半导体器件、变容二极管及其形成方法
[简介]: 本套资料涉及到微波技术领域,主要内容为一种指数掺杂的GaAs肖特基变容二极管,该二极管包括:半导体绝缘GaAs衬底;在半导体绝缘GaAs衬底上外延生长的重掺杂的N+层;在N+层上外延生长的掺杂浓度呈指数分布的N型层;在指数掺杂的N型...
7、一种指数掺杂的GaAs肖特基变容二极管及其制作方法
[简介]: 本套资料主要内容为一种高斯掺杂的砷化镓肖特基变容二极管及其制作方法,属于微波器件中二极管技术领域。所述变容二极管包括半导体绝缘砷化镓衬底,在半导体绝缘砷化镓衬底上部的高掺杂的N+型层,以及在N+型层上部的N型层;在N+型...
8、高斯掺杂的砷化镓肖特基变容二极管及其制作方法
[简介]:本技术揭示了一种基于变容二极管的频率合成系统,包括锁相电路,用于接收第一输入信号的第一频率和第二输入信号的第二频率,比较第一输入信号和第二输入信号的相位,并将比较结果转换成电流信号;无源环路滤波器,与锁相...
9、一种基于变容二极管的频率合成系统
[简介]: 本套资料涉及一种变容二极管,其可以具有连接到栅极的第一端子。该栅极可以由p型多晶硅栅极导体形成。该栅极还可以具有由一层绝缘体例如二氧化硅形成的栅极绝缘体。该栅极绝缘体位于栅极导体和本体区域之间。源极和漏极接触...
10、具有增强调谐范围的变容二极管
[简介]: 本套资料主要内容为一种GaAs肖特基变容二极管,该GaAs肖特基变容二极管包括:用于支撑整个GaAs肖特基变容二极管的GaAs绝缘衬底;在该GaAs绝缘衬底上外延生长的高掺杂N+层,在N+层上继续外延生长的普通掺杂的N型层;经过挖岛、隔离...
11、一种GaAs肖特基变容二极管及其制作方法
[简介]: 本套资料揭示用于补偿温度变化对压控振荡器VCO频率的影响的技术。在一实施例中,辅助变容二极管耦合到所述VCO的LC槽。所述辅助变容二极管具有受温度相关控制电压Vaux控制的电容,以使VCO频率随温度的总变化减到最小。本发...
12、使用辅助变容二极管的压控振荡器温度补偿
[简介]: 本套资料中主要内容为一种提高金属-氧化物半导体变容二极管的品质因子的方法,该方法包括:减小金属-氧化物半导体变容二极管中栅极到阱边缘的距离和或增大金属-氧化物半导体变容二极管中栅极到有源区域边缘的距离,以提高金属...
13、提高金属-氧化物半导体变容二极管的品质因子的方法
[简介]: 提供了一种用于集成电路的电荷泵电路。该集成电路可为具有提供静态控制信号的可编程元件的可编程集成电路。电荷泵电路可包含多个级。每级可包括二极管和电容。振荡器和控制电路可产生时钟信号。时钟信号可施加到电荷泵级中...
14、基于变容二极管的电荷泵
[简介]: 本套资料主要内容为一种采用局部二次掺杂工艺调整变容二极管特性的方法,该方法包括:选择HBT材料的B-C结制作变容二极管,利用HBT中基极层材料的高掺杂特征,使接触金属不经过高温金属化工艺或者快速金属化工艺可形成欧姆接触;采...
15、采用局部二次掺杂工艺调整变容二极管特性的方法
[简介]: 本套资料为纳米硅变容二极管。其以量子隧穿机制为主要传导机制,反向漏电流Ir为纳安nA量级,具有极好的温度稳定性,为此,本套资料还提供了变容二极管的加工方法。其包括单晶硅基片、电极,所述基片上表面覆盖有外延层,所述基片...
16、纳米硅变容二极管及其加工方法
[简介]: 本套资料提供变容二极管及其制造方法。即主要内容为变容二极管和或可变电容。所述变容二极管和或可变电容包括:在衬底上垂直形成的多个第一导电型阱;在所述第一导电型阱中形成的多个第二导电型离子注入区;与第二导电型离子注...
17、变容二极管及其制造方法
[简介]: 本套资料的目的在于,可以扩大高频侧的可变范围,同时还确保电感L值来增大低频侧的电路Q值,消除增益下降、噪声增大及振荡不稳定等缺陷。在串联了变容二极管41和电容器42的电路上并联第一电感L4而构成第一并联谐振电路...
18、使用了变容二极管的可变调谐电路以及电视调谐器
[简介]: 提供一种并行变容二极管电容器。该电容器包括第一变容二极管和第二变容二极管。第一变容二极管具有第一电容,其取决于应用到第一变容二极管的第一阳极和第一阴极的电压而改变。第二变容二极管具有第二电容,其取决于应用到...
19、并行变容二极管电容器
[简介]: 一种振荡器包括用以接收控制信号以便控制振荡器的频率的多个变容二极管单元。每一个变容二极管单元包括开关,所述开关包括用以接收控制信号的第一端子以及第二端子,使得所述开关用于响应第一和第二端子之间的电压而控制...
20、模拟变容二极管
[简介]: 在LC谐振电路中使用以阴极共用方式在一个封装内内置了两个变容二极管的元件时,由于成为直流式高电平的点和成为高频式高电平的点有所不同,所以需要用于隔直的电容器和高阻抗的偏置电阻,不能推进衬底安装面积的减少,不能...
21、变容二极管调谐预选器设计方法
22、变容二极管调谐预选器设计方法
23、变容二极管耦合压控谐振回路
24、使用隔离阱的MOS变容二极管
25、具有集成变容二极管的有源像素传感器单元
26、基于变容二极管的环形振荡器
27、有金属氧化物半导体变容二极管的半导体器件及制造方法
28、变容二极管用硅外延材料制备方法
29、变容二极管和制造变容二极管的方法
30、低电容超深沟槽瞬变电压抑制二极管结构
31、制造肖特基变容二极管的方法
32、一种五电平二极管钳位型变换器电容电压平衡控制方法
33、低压大变容比二极管的制造方法
34、一种二极管箝位型多电平变换器直流电容电压的均压控制装置
35、二极管箝位型多电平变换器直流电容均压控制电路及其均压控制方法
36、包括具有变容二极管的平衡混频器的混频电路
37、变容二极管及其制作方法
38、发光二极管系统的电子变压器兼容性
39、制造可变电容二极管的方法及可变电容二极管
40、线性可变电压二极管电容器和自适应匹配网络
41、具有降低工艺变化敏感度的成像器光电二极管电容器结构
42、具有降低工艺变化敏感度的成像器光电二极管电容器结构
43、具有降低工艺变化敏感度的成像器光电二极管电容器结构
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