【新版】

隔离栅半导体器件,半导体加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

开本：16开
资料形式：DVD/U盘/电子版正文语种: 简体中文
可否打印：是装帧: 平装
分类：专业技术
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1、栅极隔离结构制造方法、栅极隔离结构以及半导体器件

[简介]：本套资料提供了一种栅极隔离结构制造方法、栅极隔离结构以及半导体器件。根据本套资料的栅极隔离结构制造方法包括：在衬底上形成多个栅极；在形成了所述多个栅极的硅片表面形成保护层；在保护层上形成无定性碳层；对所述无定性碳...

2、栅极隔离结构制造方法、栅极隔离结构以及半导体器件

[简介]：提出了一种形成双栅介电层的方法及形成具有双栅介电层的半导体器件的方法。根据本公开实施例的形成双栅介电层的方法包括在半导体衬底上采用氧化该半导体衬底的方式生长形成第一栅介电层的第一薄部，随后在该第一薄部上采...

3、双栅介电层及半导体器件的制造方法

[简介]：本套资料提供一种具有金属栅极叠层的半导体器件的制作方法，其包括：在半导体衬底上形成顶部高于半导体衬底表面的浅沟槽隔离结构后，在半导体衬底上形成一填充层并去除超出浅沟槽隔离结构顶部的填充层，通过控制去除所述填充...

4、具有金属栅极叠层的半导体器件的制作方法

[简介]：本套资料涉及集成电路制造，并且更具体地涉及的是金属栅极结构。CMOS半导体器件的一种示例性结构包括：包括邻近P有源区域和N有源区域并且将其分隔开的隔离区域的衬底；位于P有源区域上方并且在隔离区域上方延伸的P金属栅电极...

5、半导体器件的金属栅极结构

[简介]：本套资料关于集成电路制造，更具体地说是关于金属栅极结构。CMOS半导体器件的示例性结构包括衬底，该衬底包括P-有源区域，N-有源区域，和插入所述P-有源区域和所述N-有源区域之间的隔离区域；在P-有源区域上方的P-金属栅电极，...

6、CMOS半导体器件的金属栅极结构

[简介]：本技术涉及一种栅堆叠结构和半导体器件。该栅堆叠结构包括，栅介质层，形成于基底内的活性区和连接区上；栅极，形成于所述栅介质层上；以及，侧墙，环绕所述栅介质层和所述栅极；还包括：隔离介质层，所述隔离介质层仅位于所...

7、一种栅堆叠结构和半导体器件

[简介]：一种栅堆叠结构，包括，隔离介质层，所述隔离介质层形成于所述栅极上且嵌入其中，所述侧墙覆盖所述隔离介质层中相对的侧面，位于所述活性区上的所述隔离介质层的厚度大于位于所述连接区上的所述隔离介质层的厚度。一种栅堆叠...

8、一种栅堆叠结构、半导体器件及二者的制造方法

[简介]：本申请披露了一种半导体器件，包括：基板，具有第一有源区、第二有源区、以及插入第一有源区和第二有源区之间具有第一宽度的隔离区；P-金属栅电极，在第一有源区之上并且延伸隔离区的第一宽度的至少23；以及N-金属栅电极，在第...

9、半导体器件的金属栅结构

[简介]： CMOS半导体器件的金属栅极结构及其形成方法。本套资料涉及集成电路制造，并且更具体地来说，涉及金属栅极结构。一种CMOS半导体器件的示例性结构包括衬底、N-金属栅电极以及P-金属栅电极。该衬底包括包围着P-有源区域和N-有源区...

10、CMOS半导体器件的金属栅极结构及其形成方法

[简介]：本套资料揭露了一种半导体器件栅氧化层完整性的测试结构，包括：有源区；所述多个浅槽隔离平行间隔设置于所述有源区中；所述多个栅极结构平行间隔的覆盖于所述浅槽隔离上。利用本套资料提供的半导体器件栅氧化层完整性的测试结...

11、半导体器件栅氧化层完整性的测试结构

[简介]：本套资料揭露了一种半导体器件栅氧化层完整性的测试结构，包括：有源区；所述多个浅槽隔离交叉设置于所述有源区中；所述多个栅极结构平行间隔的覆盖于所述浅槽隔离上。利用本套资料提供的半导体器件栅氧化层完整性的测试结构可...

12、半导体器件栅氧化层完整性的测试结构

[简介]：本套资料揭露了一种半导体器件栅氧化层完整性的测试结构，包括：有源区；所述多个浅槽隔离为块状，设置于所述有源区中；所述多个栅极结构平行间隔的覆盖于所述浅槽隔离上。利用本套资料提供的半导体器件栅氧化层完整性的测试结构...

13、半导体器件栅氧化层完整性的测试结构

[简介]：本套资料主要内容为一种减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法，其包括下列步骤：在一已完成两侧浅沟槽隔离工艺的衬底上生长一层侧墙薄膜；用光刻胶覆盖半导体器件的漏极，对源极的侧墙薄膜进行离子注入；去除光刻胶，对侧墙薄膜进行...

14、一种减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法

[简介]：本套资料主要内容为一种减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法，其中，包括下列步骤：在一已完成两侧浅沟槽隔离工艺的衬底上生长一层侧墙薄膜；对源漏极上方的侧墙薄膜进行与竖直方向形成一定角度的离子注入；对侧墙薄膜进行刻蚀，在...

15、一种减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法

[简介]：本套资料主要内容为一种减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法，其中，包括下列步骤：在一已完成两侧浅沟槽隔离工艺的衬底上生长一层侧墙薄膜；对侧墙薄膜进行刻蚀，引入的刻蚀等离子体从朝向于源极的入射点进行并与竖直方向形成一...

16、一种减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法

[简介]：本套资料主要内容为一种生长用于高压金属氧化物半导体器件厚栅极氧化层的方法；高压器件的厚栅极氧化层成长发生在浅沟道隔离之前，通过氮化硅层作为硬质掩膜。本套资料避免高压栅极氧化过程中低压器件电特性及可靠性性能变化，降低...

17、生长用于高压金属氧化物半导体器件厚栅极氧化层的方法

[简介]：本套资料主要内容为一种用以降低邻近栅极间的干扰的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括半导体基板，该半导体基板具有有源区，该有源区具有延伸横过该有源区的多个凹陷的沟道区以及也延伸横过该有源区的多个结区。栅极形成于...

18、用以降低邻近栅极间的干扰的半导体器件及其制造方法

[简介]：本套资料涉及一种半导体器件，包括：掩埋栅，所述掩埋栅形成在衬底之上；存储节点接触插塞，所述存储节点接触插塞形成在衬底之上并包括柱图案和布置在柱图案之上的线图案；以及位线结构，所述位线结构形成在衬底之上并使存储节...

19、具有掩埋栅的半导体器件及其制造方法

[简介]：本套资料示例性实施例主要内容为一种防止栅分隔件应力及对硅化物区的物理和化学损坏的半导体器件及其制造方法，其中，半导体器件包括：基底；隔离区，形成在基底中；栅图案，在基底上形成在隔离区之间；L形分隔件，与栅图案的侧壁相邻...

20、没有栅分隔件应力的半导体器件及其制造方法

[简介]：一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底中形成隔离结构以限定有源区；在该隔离结构和有源区上形成凹陷掩模图案；蚀刻该隔离结构以暴露凹陷图案至一定深度；蚀刻该衬底以形成凹陷图案；以及在凹陷图案上形成栅极电极。

21、制造含有凹陷栅极的半导体器件的方法

22、制造含有凹陷栅极的半导体器件的方法

23、具有重叠栅电极的半导体器件及其制造方法

24、具有欧米加栅的半导体器件及制造半导体器件的方法

25、半导体器件及形成其栅极的方法

26、具有球型凹式栅极的半导体器件

27、半导体器件中凹陷栅极的制造方法

28、具有非对称球型凹进栅极的半导体器件及其制造方法

29、具有浮置栅的半导体器件及其制造方法

30、包括具有位线肩部侵蚀保护的隐埋栅电极的半导体器件及形成这样的半导体器件的方法

31、形成用于半导体器件的栅极结构的方法和半导体器件

32、具有掩埋栅极的半导体器件及其制造方法

33、包括浮栅的非易失性半导体器件、制造非易失性半导体器件的方法及相关系统

34、为高级MIS半导体器件形成带凹槽的栅绝缘层的方法及用该方法获得的器件

35、在半导体器件中制造凹陷栅极的方法

36、具有多栅绝缘层的半导体器件及其制造方法

37、具有绝缘栅半导体元件的半导体器件和绝缘栅双极晶体管

38、半导体器件的凹槽栅极及其形成方法

39、具有改良的槽沟道栅极的半导体器件及其制作方法

40、半导体器件中形成金属栅的方法

41、具有弯曲栅电极的半导体器件及其制造工艺

42、具有弯曲栅电极的半导体器件及其制造工艺

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