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金属氧化场效应,氧化半导体场效应晶体管加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

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1、射频金属-氧化物-半导体场效应晶体管

[简介]：本套资料提供了射频MOS管，以提高射频MOS管的工作速度及降低其射频MOS管栅极寄生电阻导致的噪声恶化以及可靠性；该射频MOS管包括：源极、漏极和栅极，衬底，所述栅极由子栅和连接子栅的侧栅构成，还包括连接源极及源端的源金属...

2、射频金属-氧化物-半导体场效应晶体管

[简介]：一种锗衬底上制备金属-氧化物-半导体场效应晶体管方法，包括：清洗锗片；在清洗后的锗片上采用射频磁控反应溅射的方法在氩气和氮气的氛围中依次淀积氮化硅薄膜和氮化铪薄膜，重复多次淀积多层氮化硅和氮化铪叠层；然后在氮...

3、锗衬底上制备金属-氧化物-半导体场效应晶体管方法

[简介]：本套资料涉及一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应器件，包括如下结构：衬底；外延层，设于衬底上；阱区，由外延层背对衬底的一面延伸至外延层内部；源区，由阱区表面延伸至内部；栅氧层，设于外延层上且仅覆盖外延层的一部分；栅...

4、垂直双扩散金属氧化物半导体场效应器件及其制造方法

[简介]：本套资料主要内容为一种硅三重扩散衬底制造金属-氧化物-半导体场效应晶体管的方法。它包括如下步骤：1在硅单晶片整个面上预扩散N+半导体杂质；2在1260～1300℃温度下，进行100～250小时硅内预扩散N+杂质的推结；3研磨去除一表面的...

5、硅三重扩散衬底制造金属-氧化物-半导体场效应晶体管的方法

[简介]：本公开的实施例涉及通过使用用于制造被沉积在纸张材料2的纤维上的沟道区的有机或无机有源半导体1以及用于制造漏极和源极5的金属或无源半导体来使用并产生基于天然纤维素纤维、合成纤维、或混合纤维的材料作为物理...

6、用于基于天然纤维素纤维或合成纤维或其组合使用并产生纸张作为用于具有使用有源半导体氧化物的存储器的自支持型结场效应晶体管中的电荷的物理支撑体和存储介质的工艺

[简介]：金属氧化物场效应二极管及MOS二极管。涉及一种二极管元胞及由多个元胞集成的二极管芯片。以硅片为基材，包括栅、源、漏、源N+区、漏N+区、P+区、P阱区、正极片和负极片；源N+区的顶面为源极，漏N+区的底面为漏极，栅的顶面为栅极；硅...

7、一种金属氧化物场效应二极管及MOS二极管

[简介]：金属氧化物场效应二极管及MOS二极管。涉及一种二极管元胞以及由多个元胞集成的二极管芯片。以硅片为基材，它包括栅、源、漏、源N+区、漏N+区、P+区、P阱区、正极片和负极片；源N+区的顶面为源极，漏N+区的底面为漏极，栅的顶面为栅...

8、金属氧化物场效应二极管及MOS二极管

[简介]：一种非晶氧化物至少包含：选*In、Zn和Sn构成的组的至少一种元素；和Mo。该非晶氧化物中的Mo对比所有金属原子的数量的原子组成比大于等于0.1原子％且小于等于5原子％。

9、非晶氧化物和场效应晶体管

[简介]：本套资料提供一种具有金属氧化物半导体场效应电晶体及其制造方法。先于基底的主动区中形成沟渠，接着形成多个第一绝缘间隙壁于沟渠的侧壁及其外缘，再形成闸介电层于暴露出的基底上。然后，在沟渠上形成栅极，再进行离子布植，...

10、金属氧化物半导体场效应电晶体及其制造方法

[简介]：一种带浮空场板的超结金属氧化物场效应管终端结构，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底、过渡区I及终端区II，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层内设有过渡区I及终端区II，在过渡区I及终端区II...

11、一种带浮空场板的超结金属氧化物场效应管终端结构

[简介]：一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，在完成常规介质隔离后，在硅衬底上形成界面SiO2-1，接着形成第一种高K栅介质金属栅叠层，并生长硬掩膜-1，光刻和刻蚀形成硬掩膜图形-1，腐蚀未被图形-1覆盖的第一种金属...

12、一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法

[简介]：本技术主要内容为一种沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管，包括N+衬底层、N-外延层、栅氧化层、硼磷硅玻璃层、金属层、以及背面金属层，N-外延层上端面设置有环状的场氧化层，N-外延层设有沟槽，该沟槽内填充有掺杂的多晶硅层...

13、沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管

[简介]：本套资料涉及一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管，其终端结构包括：硅基衬底，设于硅基衬底上的外延层，在外延层上部设置的至少一个分压环，位于外延层上的氧化层，设于氧化层上的多晶硅场板，多晶硅场板表面的玻璃层，以及...

14、垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管

[简介]：本套资料涉及具有改进的硅化物厚度均匀性的金属氧化物半导体场效应晶体管集成电路和其制造方法，提供一种具有均匀厚度且实质上无“点状”NiSi型的孔的硅化物层的MOSF ET器件，和用于其制造的方法。一种这样的方法涉及同时在半...

15、具有改进的硅化物厚度均匀性的金属氧化物半导体场效应晶体管集成电路和其制造方法

[简介]：纵向多面栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管及其制造方法是一种利用侧壁栅形式实现载流子纵向迁移和多面栅MOSFET的结构，该晶体管利用侧壁栅的形式实现载流子的纵向迁移，自上而下分别为上源漏区1、多晶硅栅4、下漏源区3...

16、纵向多面栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管及其制造方法

[简介]：本套资料主要内容为一种沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管，包括N+衬底层、N-外延层、栅氧化层、硼磷硅玻璃层、金属层、以及背面金属层，N-外延层上端面设置有环状的场氧化层，N-外延层设有沟槽，该沟槽内填充有掺杂的多晶硅层，N-外...

17、沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

[简介]：一种形成在具有衬底顶面的半导体衬底上的半导体器件，包含：一个从衬底顶面延伸到半导体衬底中的栅极沟槽；一个在栅极沟槽中的栅极电极；一个沉积在栅极电极上方的电介质材料；一个在栅极沟槽附近的本体区；一个嵌在本体区中...

18、带有增强型源极-金属接头的屏蔽栅极沟槽金属氧化物半导体场效应管

[简介]：本套资料提供了一种位于基板上的沟槽型金属氧化物半导体场效应晶体管结构及其形成方法，其采用自对准接触物因而可降低沟槽型金属氧化物半导体场效应晶体管的间距尺寸。该晶体管结构包括：第一沟槽与第二沟槽，位于基板上，第...

19、沟槽型金属氧化物半导体场效应晶体管结构及其形成方法

[简介]：本套资料主要内容为属于半导体器件制备技术领域的一种三面硅化栅极金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法，包括具有三面硅化栅极金属硅化物结构的低栅极电阻金属氧化物半导体场效应晶体管和横向双扩散金属氧化物半导体场...

20、三面硅化栅极金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法

[简介]：本套资料属半导体存储器件领域，涉及基于场效应管结构的非破坏性读取的非挥发存储器件。尤其涉及一种基于金属反铁电薄膜金属氧化物半导体场效应管结构的存储器单元，包括：衬底；金属氧化物层，反铁电薄膜，栅电极；所述金属...

21、屏蔽栅极沟道金属氧化物半导体场效应管器件及其制备方法

22、屏蔽栅极沟道金属氧化物半导体场效应管器件及其制备方法

23、一种金属氧化物薄膜场效应晶体管有源层的制备方法

24、表面场氧化层不连续的超结金属氧化物场效应管终端结构

25、表面场氧化层不连续的超结金属氧化物场效应管终端结构

26、超结纵向双扩散金属氧化物场效应管的终端结构

27、超结纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构

28、超结纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构

29、纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构

30、具有超结结构的纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构

31、垂直金属氧化物半导体场效应二极管

32、一种沟槽金属氧化物半导体场效应管及其制造方法

33、带表面缓冲环终端结构的超结金属氧化物场效应晶体管

34、Ⅲ-Ⅴ族金属氧化物半导体发光场效应晶体管及其制备方法

35、金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

36、保护栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管组件及其制造方法

37、互补金属氧化物半导体场效应晶体管结构

38、包括掩埋源电极的沟槽金属氧化物硅场效应晶体管及其制造方法

39、金属-氧化物-半导体场效应晶体管的栅极氧化层工艺

40、一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

41、一种半导体组件及金属氧化物半导体场效应晶体管

42、一种半导体组件及金属氧化物半导体场效应晶体管

43、具有堆叠电容的金属氧化物半导体场效应晶体管对及方法

44、具有平坦化的栅极总线的沟槽功率金属氧化物半导体场效应晶体管

45、金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法

46、金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法

47、金属氧化物场效应管和双极性晶体管的混合共源共基电路

48、基于底部源极金属氧化物半导体场效应管的真实芯片级封装功率金属氧化物半导体场效应管

49、用肖特基源极触点实施的隔离栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管记忆胞

50、高密度槽沟金属氧化物场效应管MOSFET的源极接触和金属复盖方案

51、沟槽金属氧化物半导体场效应管的制造方法

52、金属氧化物半导体型场效应管及其制造方法

53、高密度沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET中的栅极接触与导路

54、功率金属氧化物场效应管的形成方法

55、一种沟槽式金属氧化物半导体场效应管

56、超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构

57、功率金属氧化物半导体场效应管及其形成方法

58、沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管器件

59、沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管器件

60、位于具有可由溶液低温加工的电介质的机械柔性聚合物衬底上的金属氧化物场效应晶体管

61、金属氧化物半导体场效应晶体管栅极驱动电路及开关电源

62、金属氧化物半导体场效应晶体管栅极驱动电路及开关电源

63、金属氧化物半导体场效应管的制造方法

64、一种金属氧化物半导体场效应晶体管及制造方法

65、金属氧化物半导体场效应晶体管及其键合方法

66、单向金属氧化物半导体场效应晶体管及其应用

67、沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管

68、横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法

69、轻掺杂离子注入方法和IO金属氧化物半导体场效应管

70、一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

71、功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制作方法

72、横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

73、制作金属氧化物半导体场效应晶体管的方法

74、金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

75、金属氧化物半导体场效应管的制造方法

76、用于制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法

77、一种金属氧化物半导体场效应晶体管

78、一种金属氧化物半导体场效应晶体管单元

79、带有减小的击穿电压的金属氧化物半导体场效应管器件

80、一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管结构

81、集成一个电容的金属氧化物半导体场效应晶体管

82、集成一个电容的金属氧化物半导体场效应晶体管

83、沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法

84、垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管器件制造方法

85、一种沟槽金属氧化物半导体场效应管

86、金属氧化物半导体场效应管制造方法

87、制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法

88、一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制作方法

89、一种沟槽金属氧化物半导体场效应管的制造方法

90、沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管

91、超高密度功率沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管

92、具有单掩膜预定栅极沟槽和触点沟槽的高密度沟槽金属氧化物半导体场效应管

93、沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

94、金属氧化物半导体场效应管参数测试盒

95、金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

96、金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法

97、功率金属氧化物半导体场效应晶体管封装体

98、射频横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

99、金属氧化物半导体场效应晶体管

100、集成增强型和耗尽型垂直双扩散金属氧化物场效应管

101、一种沟槽金属氧化物半导体场效应管及其制造方法

102、一种沟槽金属氧化物半导体场效应管及其制造方法

103、利用门极功函数工程来改变应用的改良式金属氧化物半导体场效应晶体管

104、绝缘体上硅互补金属氧化物半导体场效应晶体管

105、横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管结构

106、沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法和功率转换系统

107、金属氧化物半导体场效应晶体管

108、金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法

109、金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法及其器件

110、用于改进碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管中反向层迁移率的方法

111、集成有感应晶体管的分立功率金属氧化物半导体场效应晶体管

112、一种SON型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法

113、一种纵向超结金属氧化物场效应晶体管器件及其制备方法

114、金属氧化物半导体场效应晶体管及其形成方法

115、一种超结沟槽金属氧化物半导体场效应管及其制造方法

116、包含通过沉积金属氧化物而形成的阈电压控制层的含氮场效应晶体管栅叠层

117、一种沟槽金属氧化物半导体场效应管及其制造方法

118、一种沟槽金属氧化物半导体场效应管及其制造方法

119、横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法

120、高迁移率沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管

121、功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管

122、功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管

123、金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

124、功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管

125、横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法

126、沟槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法

127、金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

128、基于单根金属氧化物纳米线场效应管的微腔气敏传感器

129、功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法

130、金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

131、功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管

132、高迁移率功率金属氧化物半导体场效应晶体管

133、功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法

134、沟道式功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法

135、金属氧化物半导体场效应晶体管结构

136、制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法

137、功率金属氧化物硅场效应晶体管

138、一种包括金属氧化物半导体场效应管的安全电路

139、功率金属氧化物半导体场效应晶体管的集成

140、沟槽金属氧化物场效应晶体管及其制造方法

141、金属氧化物半导体场效应管的参数萃取系统及方法

142、金属氧化物半导体场效应管的参数萃取系统及方法

143、金属氧化物半导体场效应晶体管

144、功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

145、具有底部源极的横向式扩散金属氧化物场效应晶体管的结构及其方法

146、互补性金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法

147、金属氧化物半导体场效应管的参数萃取系统及方法

148、自对准的沟槽型金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

149、金属氧化物半导体场效应晶体管

150、互补型金属氧化物半导体场效应晶体管影像感测器

151、金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法

152、金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压的测试方法

153、自动选取金属氧化物半导体场效应晶体管的系统及方法

154、纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

155、一种金属氧化物半导体场效应管制造工艺

156、基于P沟道金属氧化物半导体场效应管的短路保护电路

157、具有隔离结构的金属氧化物半导体场效应晶体管

158、具有局部应力结构的金属氧化物半导体场效应晶体管

159、沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管

160、在金属氧化物半导体场效应晶体管中形成栅极的方法

161、金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

162、金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

163、金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

164、金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

165、金属氧化物半导体场效应晶体管

166、三栅极与栅极环绕的金属氧化物半导体场效应晶体管器件及其制造方法

167、高压金属氧化物硅场效应晶体管MOSFET结构及其制造方法

168、金属氧化物半导体场效应晶体管

169、低压低功耗双栅金属氧化物半导体场效应晶体管混频器

170、功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法

171、制造金属氧化物场效应晶体管的方法

172、金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

173、计算金属氧化物半导体场效应晶体管门限电压的方法

174、双栅极及三栅极金属氧化物半导体场效应晶体管装置及其制造方法

175、具有最小覆盖电容的金属氧化物半导体场效应晶体管

176、功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

177、具嵌入式栅极的金属氧化物半导体场效应晶体管的形成方法

178、功率金属氧化物半导体场效应晶体管装置及其制造方法

179、金属氧化物半导体场效应晶体管

180、功率金属氧化物半导体场效应晶体管装置及其制造方法

181、制造金属氧化物硅场效应晶体管的方法

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