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氧化场效应,金属氧化半导体场效应晶体管加工制造工艺方法图文全套

作者:admin    来源:金鼎工业资源网       更新时间:2021/9/6
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1、使用非晶氧化物膜作为沟道层的场效应晶体管、使用非晶氧化物膜作为沟道层的场效应晶体管的制造方法、以及非晶氧化物膜的制造方法
        [简介]: 包含氢或氘的非晶氧化物被应用到晶体管的沟道层。因此,可以实现具有优秀的TFT特性的薄膜晶体管,所述优秀的TFT特性包括小的迟滞现象、常断操作、高导通关断比、高饱和电流等等。此外,作为一种用于制造由非晶氧化物制成的...
2、使用非晶氧化物膜作为沟道层的场效应晶体管、使用非晶氧化物膜作为沟道层的场效应晶体管的制造方法、以及非晶氧化物膜的制造方法
        [简介]: 金属氧化物场效应二极管及MOS二极管。涉及一种二极管元胞及由多个元胞集成的二极管芯片。以硅片为基材,包括栅、源、漏、源N+区、漏N+区、P+区、P阱区、正极片和负极片;源N+区的顶面为源极,漏N+区的底面为漏极,栅的顶面为栅极;硅...
3、一种金属氧化物场效应二极管及MOS二极管
        [简介]: 金属氧化物场效应二极管及MOS二极管。涉及一种二极管元胞以及由多个元胞集成的二极管芯片。以硅片为基材,它包括栅、源、漏、源N+区、漏N+区、P+区、P阱区、正极片和负极片;源N+区的顶面为源极,漏N+区的底面为漏极,栅的顶面为栅...
4、金属氧化物场效应二极管及MOS二极管
        [简介]: 本套资料涉及一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应器件,包括如下结构:衬底;外延层,设于衬底上;阱区,由外延层背对衬底的一面延伸至外延层内部;源区,由阱区表面延伸至内部;栅氧层,设于外延层上且仅覆盖外延层的一部分;栅...
5、垂直双扩散金属氧化物半导体场效应器件及其制造方法
        [简介]: 一种锗衬底上制备金属-氧化物-半导体场效应晶体管方法,包括:清洗锗片;在清洗后的锗片上采用射频磁控反应溅射的方法在氩气和氮气的氛围中依次淀积氮化硅薄膜和氮化铪薄膜,重复多次淀积多层氮化硅和氮化铪叠层;然后在氮...
6、锗衬底上制备金属-氧化物-半导体场效应晶体管方法
        [简介]: 本套资料提供一种非晶态氧化物半导体材料,场效应晶体管和显示装置。所述非晶态氧化物半导体材料包含含有In、Ga和Zn的非晶态氧化物半导体,其中当In∶Ga∶Zn=a∶b∶c表示所述氧化物半导体的元素组成比时,所述元素组成比由下列范...
7、非晶态氧化物半导体材料、场效应晶体管和显示装置
        [简介]: 本套资料提供了射频MOS管,以提高射频MOS管的工作速度及降低其射频MOS管栅极寄生电阻导致的噪声恶化以及可靠性;该射频MOS管包括:源极、漏极和栅极,衬底,所述栅极由子栅和连接子栅的侧栅构成,还包括连接源极及源端的源金属...
8、射频金属-氧化物-半导体场效应晶体管
        [简介]: 一种鳍式场效应晶体管栅极氧化物。本公开提供了用于制造半导体器件的方法以及这种器件。一种方法包括:提供包括至少两个隔离部件的衬底;在衬底的上方以及至少两个隔离部件之间形成鳍型衬底;在鳍型衬底的上方形成硅衬垫;以...
9、鳍式场效应晶体管栅极氧化物
        [简介]: 本套资料提供氧化物半导体材料和其制造方法、电子装置和场效应晶体管。氧化物半导体材料含有Zn、Sn和O,不含有In,且电子载流子浓度大于1�cm3且小于1�cm3。电子装置具有包含氧化物半导体材料的半导体层,和设置在上述...
10、氧化物半导体材料和其制造方法、电子装置和场效应晶体管
        [简介]: 本套资料主要内容为一种硅三重扩散衬底制造金属-氧化物-半导体场效应晶体管的方法。它包括如下步骤:1在硅单晶片整个面上预扩散N+半导体杂质;2在1260~1300℃温度下,进行100~250小时硅内预扩散N+杂质的推结;3研磨去除一表面的...
11、硅三重扩散衬底制造金属-氧化物-半导体场效应晶体管的方法
        [简介]: 本套资料涉及全氧化物异质结场效应管,包括在n型或p型衬底上生长一p型或n型钙钛矿氧化物材料层,并在p型或n型钙钛矿氧化物材料层上刻蚀一槽,该槽作为场效应管的沟道,该沟道一侧的钙钛矿氧化物材料层为源极,另一侧的钙钛矿...
12、一种全氧化物异质结场效应管
        [简介]: 本套资料提供一种具有金属氧化物半导体场效应电晶体及其制造方法。先于基底的主动区中形成沟渠,接着形成多个第一绝缘间隙壁于沟渠的侧壁及其外缘,再形成闸介电层于暴露出的基底上。然后,在沟渠上形成栅极,再进行离子布植,...
13、金属氧化物半导体场效应电晶体及其制造方法
        [简介]: 提供一种包括有源层和栅绝缘膜的场效应晶体管,其中,有源层包含含有非晶区域和晶体区域的非晶氧化物层,并且,晶体区域在非晶氧化物层和栅绝缘膜之间的界面附近或与所述界面接触。
14、在半导体电介质界面处具有晶体区域的非晶氧化物场效应晶体管
        [简介]: 本公开的实施例涉及通过使用用于制造被沉积在纸张材料2的纤维上的沟道区的有机或无机有源半导体1以及用于制造漏极和源极5的金属或无源半导体来使用并产生基于天然纤维素纤维、合成纤维、或混合纤维的材料作为物理...
15、用于基于天然纤维素纤维或合成纤维或其组合使用并产生纸张作为用于具有使用有源半导体氧化物的存储器的自支持型结场效应晶体管中的电荷的物理支撑体和存储介质的工艺
        [简介]: 此半导体二极管是二极管构造的垂直金属氧化物半导体场效应器件,它用半导体底座304形成,并具有一个二极管端子324作为垂直金属氧化物半导体场效应器件的栅318与漏312之间的公共连接以及一个二极管端子330作为...
16、垂直金属氧化物半导体场效应二极管
        [简介]: 一种场效应晶体管,至少包括形成在基板上的沟道层、栅绝缘层、源极电极、漏极电极、以及栅极电极。所述沟道层以至少包含In和B的非晶氧化物材料制成,所述非晶氧化物材料具有等于或大于0.05并且等于或小于0.29的元素比率BIn...
17、使用非晶氧化物的场效应晶体管
        [简介]: 一种非晶氧化物至少包含:选*In、Zn和Sn构成的组的至少一种元素;和Mo。该非晶氧化物中的Mo对比所有金属原子的数量的原子组成比大于等于0.1原子%且小于等于5原子%。
18、非晶氧化物和场效应晶体管
        [简介]: 本套资料提供一种场效应晶体管,其具有半导体层,所述半导体层包含以下述1~3式的原子比包含In元素及Zn元素、和选自Zr、Hf、Ge、Si、Ti、Mn、W、Mo、V、Cu、Ni、Co、Fe、Cr、Nb、Al、B、Sc、Y及镧系元素类中的一种以上元素X的复合氧化物。I...
19、氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
        [简介]: 本套资料提供一种场效应晶体管,其在基板上至少具有半导体层、半导体层的保护层、源电极、漏电极、栅绝缘膜和栅电极,源电极和漏电极借助半导体层相连,在栅电极和半导体层之间具有栅绝缘膜,在半导体层的至少1面侧具有保护层,半...
20、使用了氧化物半导体的场效应晶体管及其制造方法
        [简介]: 本套资料提供一种场效应晶体管,其在基板上至少具有半导体层、半导体层的保护层、源电极、漏电极、栅绝缘膜和栅电极,源电极和漏电极借助半导体层相连,在栅电极和半导体层之间具有栅绝缘膜,在半导体层的至少1面侧具有保护层,半...
21、氧化物场效应晶体管
22、氧化物场效应晶体管
23、制造氧化物半导体场效应晶体管的方法
24、无定形氧化物和场效应晶体管
25、具有通过使用非晶氧化物膜而形成的栅绝缘层的场效应晶体管
26、纵向多面栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管及其制造方法
27、使用氧化物膜用于沟道的场效应晶体管及其制造方法
28、利用薄氧化物场效应晶体管的数字输出驱动器和输入缓冲器
29、包括含铟和锌的氧化物半导体材料的沟道的场效应晶体管
30、具有沉积氧化物的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管
31、无定形氧化物和场效应晶体管
32、无定形氧化物和场效应晶体管
33、无定形氧化物和场效应晶体管
34、采用无定形氧化物的场效应晶体管
35、带有增强型源极-金属接头的屏蔽栅极沟槽金属氧化物半导体场效应管
36、基于底部源极金属氧化物半导体场效应管的真实芯片级封装功率金属氧化物半导体场效应管
37、金属氧化物场效应管和双极性晶体管的混合共源共基电路
38、一种带浮空场板的超结金属氧化物场效应管终端结构
39、一种沟槽式金属氧化物半导体场效应管
40、带有InAlP盖层的Ge沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
41、金属氧化物半导体场效应管的制造方法
42、金属氧化物半导体场效应管的制造方法
43、金属氧化物半导体场效应晶体管栅极驱动电路及开关电源
44、表面场氧化层不连续的超结金属氧化物场效应管终端结构
45、表面场氧化层不连续的超结金属氧化物场效应管终端结构
46、一种金属氧化物薄膜场效应晶体管有源层的制备方法
47、超结纵向双扩散金属氧化物场效应管的终端结构
48、一种基于金属反铁电薄膜金属氧化物半导体场效应管结构的存储器单元
49、一种金属氧化物半导体场效应晶体管及制造方法
50、沟槽金属氧化物半导体场效应管的制造方法
51、功率金属氧化物场效应管的形成方法
52、横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
53、功率金属氧化物半导体场效应管及其形成方法
54、用于横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的直通硅通孔处理技术
55、具有堆叠电容的金属氧化物半导体场效应晶体管对及方法
56、轻掺杂离子注入方法和IO金属氧化物半导体场效应管
57、一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
58、横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
59、超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构
60、沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管器件
61、一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管结构
62、一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管结构
63、用于制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
64、一种金属氧化物半导体场效应晶体管
65、一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
66、高、低压侧N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管组合封装
67、超结纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构
68、超结纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构
69、纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构
70、具有超结结构的纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构
71、一种金属氧化物半导体场效应晶体管单元
72、金属-氧化物-半导体场效应晶体管的栅极氧化层工艺
73、一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法
74、一种沟槽金属氧化物半导体场效应管
75、金属氧化物半导体型场效应管及其制造方法
76、沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管
77、Ⅲ-Ⅴ族金属氧化物半导体发光场效应晶体管及其制备方法
78、具有单掩膜预定栅极沟槽和触点沟槽的高密度沟槽金属氧化物半导体场效应管
79、沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管
80、集成一个电容的双金属氧化物半导体场效应晶体管
81、金属氧化物半导体场效应管的制造方法
82、金属氧化物半导体场效应管的制造方法
83、纳米管金属氧化物半导体场效应管技术与器件
84、带有减小的击穿电压的金属氧化物半导体场效应管器件
85、一种沟槽金属氧化物半导体场效应管的制造方法
86、位于具有可由溶液低温加工的电介质的机械柔性聚合物衬底上的金属氧化物场效应晶体管
87、一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制作方法
88、沟槽型金属氧化物半导体场效应晶体管结构及其形成方法
89、垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管
90、沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管
91、超高密度功率沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管
92、功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制作方法
93、使用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体及高介电常数栅极电介质的掩埋沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
94、垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管器件制造方法
95、具有改进的硅化物厚度均匀性的金属氧化物半导体场效应晶体管集成电路和其制造方法
96、横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法
97、功率金属氧化物半导体场效应晶体管封装体
98、横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
99、带表面缓冲环终端结构的超结金属氧化物场效应晶体管
100、射频横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
101、侧向功率金属氧化物半导体场效应晶体管结构及制造方法
102、侧向功率金属氧化物半导体场效应晶体管结构及制造方法
103、具有衬底漏极连接的横向金属氧化物半导体场效应晶体管
104、金属氧化物半导体场效应管参数测试盒
105、制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
106、金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
107、金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法
108、横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管结构
109、四金属氧化物半导体场效应晶体管全桥模块
110、功率沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管制作工艺
111、金属氧化物半导体场效应晶体管
112、金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
113、金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法及其器件
114、集成有感应晶体管的分立功率金属氧化物半导体场效应晶体管
115、金属氧化物半导体场效应管制造方法
116、金属氧化物半导体场效应晶体管及其形成方法
117、金属氧化物半导体场效应晶体管
118、一种沟槽金属氧化物半导体场效应管及其制造方法
119、沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
120、集成增强型和耗尽型垂直双扩散金属氧化物场效应管
121、金属氧化物半导体场效应晶体管及其键合方法
122、金属氧化物半导体场效应晶体管及其键合方法
123、金属氧化物半导体场效应晶体管有源区和边缘终止区电荷平衡
124、高迁移率沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管
125、单向金属氧化物半导体场效应晶体管及其应用
126、基于单根金属氧化物纳米线场效应管的微腔气敏传感器
127、沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法和功率转换系统
128、片上金属氧化物半导体场效应管电流检测方法、结构及开关电源
129、绝缘体上硅互补金属氧化物半导体场效应晶体管
130、双扩散金属氧化物半导体场效应管结构及其制造方法
131、一种沟槽金属氧化物半导体场效应管及其制造方法
132、一种纵向超结金属氧化物场效应晶体管器件及其制备方法
133、一种超结沟槽金属氧化物半导体场效应管及其制造方法
134、互补金属氧化物半导体场效应晶体管结构
135、一种SON型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法
136、三面硅化栅极金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法
137、一种沟槽金属氧化物半导体场效应管及其制造方法
138、一种沟槽金属氧化物半导体场效应管及其制造方法
139、横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法
140、一种沟槽金属氧化物半导体场效应管及其制造方法
141、用于降低极高密度金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极阻抗的采用不同栅极材料和功函数的*栅
142、用于降低极高密度金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极阻抗的采用不同栅极材料和功函数的*栅
143、使用含碳硅和锗化硅外延源漏极的高性能应力增强金属氧化物半导体场效应晶体管及制造方法
144、金属氧化物半导体场效应晶体管结构
145、金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
146、制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
147、一种半导体组件及金属氧化物半导体场效应晶体管
148、功率金属氧化物硅场效应晶体管
149、横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法
150、用于功率金属氧化物半导体场效应晶体管及集成电路的递减电压多晶硅二极管静电放电电路
151、半导体装置及金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
152、功率金属氧化物半导体场效应晶体管的集成
153、具有凹陷场板的功率金属氧化物半导体场效应晶体管
154、自旋金属氧化物半导体场效应晶体管
155、层迭式双金属氧化物半导体场效应晶体管包
156、具有直接沟槽多晶硅接触的横向沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管及其形成方法
157、双边扩散型金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
158、具有底部源极的横向式扩散金属氧化物场效应晶体管的结构及其方法
159、金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
160、功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法
161、功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管
162、功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管
163、功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管
164、平面分离栅极高性能金属氧化物半导体场效应晶体管结构及制造方法
165、金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
166、金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
167、用肖特基源极触点实施的隔离栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管记忆胞
168、互补性金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
169、短沟槽横向金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
170、高迁移率功率金属氧化物半导体场效应晶体管
171、一种金属氧化物硅场效应晶体管制备工艺
172、一种新型金属氧化物硅场效应晶体管栅极结构及其制备工艺
173、功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管
174、功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
175、金属氧化物半导体场效应管的参数萃取系统及方法
176、沟槽金属氧化物场效应晶体管及其制造方法
177、高密度混合金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET器件
178、沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
179、高密度沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET中的栅极接触与导路
180、金属氧化物半导体场效应晶体管
181、利用门极功函数工程来改变应用的改良式金属氧化物半导体场效应晶体管

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