【新版】

半导体器件薄膜,薄膜加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

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分类：专业技术
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1、薄膜半导体器件以及薄膜半导体器件的制造方法

[简介]：薄膜半导体器件（100）具备：栅电极（120）、沟道层（140）、第1非晶半导体层（150）、沟道保护层（160）、在沟道层（140）的两侧面形成的一对第2非晶半导体层（171、172）、和经由第2非晶半导体层（171、172）与沟道层（140）的侧面接触的一对接...

2、薄膜半导体器件以及薄膜半导体器件的制造方法

[简介]：本套资料的课题为提供一种薄膜半导体器件及使用薄膜半导体器件的显示器件，该薄膜半导体器件是由IGZO等氧化物半导体膜所构成者，该薄膜半导体器件即使在无氧氛围中加热，氧也会扩散至氧化物半导体膜，而表现TFT特性。解决上述...

3、薄膜半导体器件及使用薄膜半导体器件的显示器件

[简介]：本套资料提供一种薄膜半导体器件及其制造方法。本套资料的薄膜半导体器件10具备：基板1；栅电极2，其形成在基板的上方；栅极绝缘膜3，其形成在栅电极上；沟道层，其形成在栅极绝缘膜上，由多晶半导体层4形成；非晶半导体层...

4、薄膜半导体器件及薄膜半导体器件的制造方法

[简介]：本套资料提出一种薄膜半导体器件（1），其具有支承体（5）和带有半导体层序列的半导体本体（2），所述半导体层序列包括设置用于产生辐射的有源区域（20）。半导体本体（2）可以借助第一接触部（31）和第二接触部（32）从外部接触。支承体（...

5、具有保护二极管结构的薄膜半导体器件和用于制造薄膜半导体器件的方法

[简介]：本套资料提供一种薄膜半导体器件的制造方法、薄膜半导体阵列基板的制造方法、结晶硅薄膜的形成方法以及结晶硅薄膜的形成装置，包括：准备基板10的工序；形成栅电极11的工序；形成栅极绝缘膜12的工序；形成源电极19和漏...

6、薄膜半导体器件的制造方法、薄膜半导体阵列基板的制造方法、结晶硅薄膜的形成方法以及结晶硅薄膜的形成装置

[简介]：提供了一种衬底、具有薄膜的衬底、用上述衬底形成的半导体器件以及制造所述半导体器件的方法，其中所述衬底实现了抑制由于衬底的弯曲而造成半导体器件加工精度的劣化。在衬底1中，主表面1a的直径为2英寸或更大，主表面...

7、衬底、具有薄膜的衬底、半导体器件和半导体器件的制造方法

[简介]：本套资料涉及半导体技术领域，主要内容为一种金属硅化物薄膜和超浅结的制作方法及半导体器件。本套资料中，通过采用金属和半导体掺杂杂质的混合物做靶材，物理气相沉积PVD法在半导体衬底上淀积混合物薄膜，湿法去除该混合物薄膜，并...

8、金属硅化物薄膜和超浅结的制作方法及半导体器件

[简介]：本套资料主要内容为一种双应力薄膜的制造方法以及半导体器件，在衬底上形成碳化硅薄膜，所述碳化硅薄膜为不含氮的压应力薄膜，所述不含氮的碳化硅薄膜可避免游离氮污染光阻层，避免后续光刻工艺中光阻失效而导致曝光效率的下降，...

9、双应力薄膜的制造方法以及半导体器件

[简介]：本套资料主要内容为一种双应力薄膜的制造方法以及半导体器件，采用含氮气体沉积碳化硅薄膜，所述碳化硅薄膜为压应力薄膜，并采用碳氢化合物对所述碳化硅薄膜进行原位等离子体处理，减少了碳化硅薄膜中的氮的含量，避免后续光刻工...

10、双应力薄膜的制造方法以及半导体器件

[简介]：本套资料主要内容为一种双应力薄膜的制造方法以及半导体器件，采用含氮气体沉积碳化硅薄膜，并采用碳氢化合物对所述碳化硅薄膜进行等离子体处理，再重复上述沉积碳化硅薄膜和等离子体处理步骤，直至形成目标厚度的碳化硅薄膜，减...

11、双应力薄膜的制造方法以及半导体器件

[简介]：本套资料主要内容为一种双应力薄膜的制造方法以及半导体器件，在含氮的碳化硅薄膜上覆盖一层不含氮的碳化硅薄膜，所述不含氮的碳化硅薄膜可阻止含氮的碳化硅薄膜中的游离氮污染光阻层，避免后续光刻工艺中光阻失效而导致曝光效...

12、双应力薄膜的制造方法以及半导体器件

[简介]：本套资料主要内容为一种双应力薄膜的制造方法以及半导体器件，利用UV光照射碳化硅薄膜，使其应力从压应力转变成拉应力，解决了氮化硅薄膜双应力薄膜不能满足一些先进器件RCdelay的要求的问题，并且避免传统双应力薄膜工艺存在的...

13、双应力薄膜的制造方法以及半导体器件

[简介]：本套资料主要内容为一种双应力薄膜的制造方法以及半导体器件，采用含氮气体沉积碳化硅薄膜，所述碳化硅薄膜为压应力薄膜，并采用碳氢化合物对所述碳化硅薄膜进行远程等离子体处理，减少了碳化硅薄膜中的氮的含量，避免后续光刻工...

14、双应力薄膜的制造方法以及半导体器件

[简介]：本套资料提供能够减小电感、抑制有效电极面积减小并实现小型化的薄膜电容器、多层布线板以及半导体器件，所述薄膜电容器包括：第一电容性元件，其各自包括具有第一极性的电极层和具有第二极性的电极层，并布置在特定位置周围；...

15、薄膜电容器、多层布线板和半导体器件

[简介]：本套资料提供了一种氮化钛薄膜溅射方法以及半导体器件制造方法。根据本套资料的氮化钛薄膜溅射方法包括：在充氩气和氮气的真空条件下，使氩气进行辉光放电，这时使氩原子电离成氩离子；利用氮气将钛靶材表面氮化；使氩离子在电场...

16、氮化钛薄膜溅射方法以及半导体器件制造方法

[简介]：形成在栅极绝缘膜（3）上的半导体层（4）的带隙能量为1.6eV以下。形成在半导体层（4）上的绝缘层（5）具有：配置在比第1接触开口部（8）更靠外侧的位置的第1绝缘层区域（5a）、和配置在比第2接触开口部（9）更靠外侧的位置的第2绝缘层区...

17、薄膜半导体器件及其制造方法

[简介]：本套资料的薄膜半导体器件10的制造方法，包括：第一工序，准备基板1；第二工序，在基板1上形成栅电极2；第三工序，在栅电极2上形成栅极绝缘膜3作为第一绝缘膜；第四工序，在栅极绝缘膜3上形成成为沟道层4的非晶半...

18、薄膜半导体器件及其制造方法

[简介]：本套资料涉及形成半导体薄膜的方法和制造薄膜半导体器件的方法，提供一种用于形成半导体薄膜的方法，其能抑制由于受热导致的迁移率降低和由于迁移率降低导致的特性劣化，并且能够通过更简单的工艺形成具有改善的耐热性的半...

19、形成半导体薄膜的方法和制造薄膜半导体器件的方法

[简介]：本套资料提供了一种硅锗碳薄膜质量检测方法和半导体器件制造方法。根据本套资料的硅锗碳薄膜质量检测方法包括：表面粗糙度扫描步骤，用于利用不具有破坏性的表面扫描装置扫描硅锗碳薄膜的表面粗糙度，以获取表示硅锗碳薄膜的表...

20、硅锗碳薄膜质量检测方法和半导体器件制造方法

[简介]：本套资料提供一种能够降低栅电极电阻、减少源电极电容容量、提高蚀刻性的薄膜半导体器件及其制造方法。在基板1上具备半导体膜5、连接于该半导体膜5的源漏电极24、23、和所述半导体膜5上介以绝缘膜6配置的栅电极14的薄膜半导体...

21、显示装置用薄膜半导体器件及其制造方法

22、显示装置用薄膜半导体器件及其制造方法

23、用于制造半导体器件的方法和薄膜半导体器件

24、锗硅薄膜制备方法以及半导体器件制作方法

25、半导体器件的薄膜的形成方法

26、包括半导体薄膜的半导体器件、该薄膜的结晶方法及装置

27、包括半导体薄膜的半导体器件、该薄膜的结晶方法及装置

28、包括半导体薄膜的半导体器件、该薄膜的结晶方法及装置

29、掺杂半导体层的方法制造薄膜半导体器件的方法及薄膜半导体器件

30、薄膜半导体器件、薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法

31、掺杂半导体层的方法、制造薄膜半导体器件的方法、及薄膜半导体器件

32、粘合薄膜、带粘合薄膜的引线框架及使用它们的半导体器件

33、半导体薄膜结晶及半导体器件制造方法

34、其上接合有GaN薄膜的衬底及其制备方法以及基于GaN的半导体器件及其制备方法

35、包括由氧化锌构成的氧化物半导体薄膜层的半导体器件及其制造方法

36、薄膜半导体衬底及制造方法、薄膜半导体器件及制造方法

37、晶体半导体薄膜半导体器件及其制造方法

38、薄膜半导体器件及其制造方法

39、有机半导体器件和有机半导体薄膜

40、涂敷设备、薄膜形成方法、薄膜形成设备、半导体器件制造方法、电光装置和电子仪器

41、半导体器件的薄膜和金属线的制造方法

42、半导体器件的薄膜和金属线的制造方法

43、高取向性硅薄膜形成方法、三维半导体器件及其制造方法

44、半导体器件及其制造方法、以及薄膜器件

45、形成高介电常数薄膜的方法以及形成半导体器件的方法

46、有机半导体材料，有机半导体薄膜和有机半导体器件

47、有机半导体材料有机半导体薄膜和有机半导体器件

48、半导体器件中的隔离薄膜及其形成方法

49、薄膜图案形成方法、半导体器件、电光学装置、电子仪器

50、制备薄膜半导体器件的方法

51、晶片支持板、薄膜晶片的保持方法和半导体器件的制造方法

52、薄膜半导体器件、其驱动电路和使用它们的设备

53、制备具有WWN多晶硅分层薄膜的半导体器件的方法

54、薄膜半导体器件、其制造工艺以及液晶显示器

55、薄膜半导体器件、其制造工艺以及液晶显示器

56、具有硅化物薄膜的半导体器件及其制造方法

57、一种在半导体器件中提高氮化硅薄膜拉应力的方法

58、薄膜、半导体薄膜、半导体器件的生产方法

59、切割芯片焊接薄膜固定碎片工件的方法及半导体器件

60、缓解铟镓铝氮薄膜应力的半导体器件的制造方法

61、薄膜半导体器件、薄膜半导体器件的制造方法、液晶显示装置、液晶显示装置的制造方法、电子设备，电子设备的制造方法和薄膜淀积方法

62、薄膜半导体器件、薄膜半导体器件的制造方法、液晶显示装置、液晶显示装置的制造方法、电子设备，电子设备的制造方法和薄膜淀积方法

63、薄膜晶体晶片的制造方法、使用该晶片的半导体器件及其制造方法

64、芯片在薄膜上的半导体器件及其制造方法

65、芯片在薄膜上的半导体器件

66、装有包括多孔结构电介质薄膜的半导体器件及其制造方法

67、薄膜半导体器件及液晶显示器

68、GaN基*辐射的薄膜半导体器件

69、制造薄膜半导体器件的方法及其形成抗蚀图的方法

70、薄膜半导体器件

71、包括具有不同结晶度的半导体薄膜的半导体器件及其基片和制作方法、以及液晶显示器及其制造方法

72、薄膜半导体器件及其制造该器件的方法

73、薄膜半导体器件及其制造方法和图像显示装置

74、薄膜半导体器件、电光装置及中间掩模

75、薄膜半导体器件及电光装置、其制造方法及中间掩模

76、薄膜半导体器件及电光装置、其制造方法及中间掩模

77、形成半导体器件的薄膜的方法

78、薄膜半导体器件及其制造方法

79、基于双应力薄膜技术的半导体器件的制作方法

80、薄膜基板、半导体器件、电路基板及其制造方法

81、薄膜半导体器件及其制造方法

82、薄膜半导体器件及其制造方法

83、薄膜半导体器件

84、排序二相介电薄膜及含有该膜的半导体器件

85、结晶硅薄膜半导体器件光电器件及前者的制造方法

86、薄膜半导体器件与液晶显示单元及其制作方法

87、非晶氧化物半导体、半导体器件和薄膜晶体管

88、薄膜半导体器件的制造方法

89、一种改善蒸发薄膜半导体器件性能的工艺方法

90、多晶半导体薄膜衬底及其制造方法、半导体器件和电子器件

91、薄膜晶体管、半导体器件、显示器、结晶方法和薄膜晶体管的制备方法

92、具有有机薄膜晶体管的半导体器件的制造方法

93、具有金属硅化物薄膜的半导体器件及制造方法

94、使用固体激光器退火的多晶硅薄膜制备半导体器件的方法

95、制备多晶硅薄膜的方法以及用其制备半导体器件的方法

96、具有薄膜晶体管的半导体器件及其制造方法

97、薄膜半导体器件的制造方法、薄膜半导体装置、液晶显示装置和电子仪器

98、薄膜晶体管、反相器、逻辑器件和半导体器件的形成方法

99、半导体器件及其制造方法、电路基板和薄膜载带

100、半导体器件及其制造方法、电路基板和薄膜载带

101、薄膜半导体、半导体器件以及薄膜晶体管的制造方法

102、薄膜半导体、半导体器件以及薄膜晶体管的制造方法

103、薄膜半导体、半导体器件以及薄膜晶体管的制造方法

104、半导体器件用的绝缘薄膜

105、薄膜晶体管、半导体器件及其制造方法

106、半导体薄膜半导体器件及其制造方法

107、半导体薄膜及其制造方法以及半导体器件及其制造方法

108、半导体薄膜及其制造方法以及半导体器件及其制造方法

109、薄膜半导体及其制造方法、半导体器件及其制造方法

110、半导体薄膜及其制造方法以及半导体器件及其制造方法

111、半导体薄膜及其制造方法以及半导体器件及其制造方法

112、半导体薄膜及其制造方法以及半导体器件及其制造方法

113、薄膜半导体器件

114、用于在半导体器件的诸金属布线之间形成绝缘薄膜的方法

115、半导体器件薄膜的平面化方法

116、薄膜半导体器件的制造方法

117、薄膜半导体器件的制造方法

118、薄膜半导体器件的制造方法

119、薄膜半导体器件的制造方法

120、薄膜半导体器件的制造方法

121、用于显示的薄膜半导体器件及其制造方法

122、用于显示的薄膜半导体器件及其制造方法

123、半导体器件的接触部分和包括该接触部分的用于显示器的薄膜晶体管阵列板

124、薄膜晶体管及其制造方法和包括该晶体管的半导体器件

125、薄膜晶体管及半导体器件

126、有机薄膜半导体器件的制造方法

127、确定化合物半导体层临界薄膜厚度及制造半导体器件

128、不残留氢的非单晶薄膜晶体管的半导体器件的制造方法

129、制作半导体器件中金属薄膜的方法

130、半导体器件及其制造方法和透明导电薄膜的制造方法

131、具有薄膜晶体管的半导体器件

132、具有薄膜晶体管的半导体器件

133、具有薄膜晶体管的半导体器件的制造方法

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