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互补场效应,晶体管加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

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1、基于标准CMOSIC工艺制备互补隧穿场效应晶体管的方法

[简介]：本套资料提供了一种利用标准CMOSIC工艺制备互补隧穿场效应晶体管的方法，属于CMOS超大集成电路（ULSI）中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该方法利用标准CMOSIC工艺中的互补P阱和N阱掩膜版，用于注入形成阱、沟道掺杂和阈...

2、基于标准CMOSIC工艺制备互补隧穿场效应晶体管的方法

[简介]：垂直互补场效应管，涉及半导体芯片生产技术。更具体的说，涉及功率集成电路芯片生产技术。本套资料的衬底层局部延伸入中间层并形成位于两个MOS单元之间的栓部，衬底层的下侧设有导出端，当两个MOS单元的栅极施加开通电压后，形...

3、垂直互补场效应管

[简介]：本套资料提供一种新型电场调制型场效应管及其衍生的互补型场效应管。所述新型场效应管的栅极和背栅施加一定电压时，源极和漏极之间的电阻状态在高低阻态之间变化；所述的互补型场效应管具有栅极、背栅、源极1和漏极1、源极2、漏...

4、一种新型电场调控的互补场效应管及其逻辑电路

[简介]：本套资料涉及一种互补结型场效应晶体管c-JFET器件及其后栅极的制造方法。应用后栅极的方法形成c-JFET。

5、一种互补结型场效应晶体管c-JFET器件及其后栅极的制造方法

[简介]：本套资料涉及一种互补结型场效应晶体管c-JFET器件及其后栅极的制造方法。应用后栅极的方法形成c-JFET。

6、一种互补结型场效应晶体管c-JFET器件及其后栅极的制造方法

[简介]：本套资料涉及一种场效应晶体管互补反相器，包括：基板、N型场效应晶体管、与该N型场效应晶体管成对设置的P型场效应晶体管，该N型场效应晶体管和P型场效应晶体管共用一个栅电极并作为该互补反相器的输入端，该N型场效应晶体管的...

7、场效应晶体管互补反相器及其制备方法

[简介]：本套资料主要内容为一种半导体器件，其包括在绝缘体上硅SOI晶片上制造的互补型结式场效应晶体管JFET。P型JFET包括由n型多晶硅形成的控制栅极170，n型JFET包括由p型多晶硅形成的控制栅极110。互补型JFET可包括具有形成在...

8、互补型绝缘体上硅（SOI）结式场效应晶体管及其制造方法

[简介]：一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，在完成常规介质隔离后，在硅衬底上形成界面SiO2-1，接着形成第一种高K栅介质金属栅叠层，并生长硬掩膜-1，光刻和刻蚀形成硬掩膜图形-1，腐蚀未被图形-1覆盖的第一种金属...

9、一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法

[简介]：本套资料提出一种互补隧道穿透场效应晶体管，包括：衬底；形成在所述衬底之上的绝缘层；形成在所述绝缘层之上的第一半导体层，其中，第一半导体层包括第一掺杂区和第二掺杂区；形成在第一掺杂区的第一部分之上的第一型TFET垂直...

10、互补隧道穿透场效应晶体管及其形成方法

[简介]：本套资料属于半导体器件技术领域，具体涉及一种互补栅控PNPN场效应晶体管及其制备方法。该晶体管由源极为窄禁带宽度的凹陷沟道的N型栅控PNPN场效应晶体管和P型栅控PNPN场效应晶体管组成。所述晶体管的凹陷沟道使其漏电流得...

11、一种互补栅控PNPN场效应晶体管及其制造方法

[简介]：本套资料主要内容为一种PMOS场效应晶体管辅助触发的互补型SCR结构。该结构由两个双极型晶体管构成第一可控硅，用于正电源线与需保护的芯片引脚之间的ESD防护；由另外两个双极型晶体管构成第二可控硅，用于需保护的芯片引脚与负电...

12、PMOS场效应晶体管辅助触发的互补型SCR结构

[简介]：本套资料主要内容为一种NMOS场效应晶体管辅助触发的互补型SCR结构。该结构由两个双极型晶体管构成第一可控硅，用于正电源线与需保护的芯片引脚之间的ESD防护；由另外两个双极型晶体管构成第二可控硅，用于需保护的芯片引脚与负电...

13、NMOS场效应晶体管辅助触发的互补型SCR结构

[简介]：本套资料的目的是提高场效应晶体管的导通状态电流。为了该目的，在具有{100}面作为主表面的单晶硅衬底101上形成基本上在

14、场效应晶体管及其制造方法、互补场效应晶体管

[简介]：本套资料描述了一种在硅中使用结型场效应晶体管构造互补逻辑电路的方法。本套资料理想地适用于深亚微米尺寸，尤其适于65nm以下。本套资料的基础是在增强模式下工作的互补结型场效应晶体管。JFET的速度-功率性能在亚70纳米尺寸下...

15、在硅和硅合金中使用互补结型场效应晶体管和MOS晶体管的集成电路

16、在硅和硅合金中使用互补结型场效应晶体管和MOS晶体管的集成电路

[简介]：本套资料提供一互补型金属氧化物半导体场效应晶体管影像感测器。该影像感测器包括一主动式光感测像素阵列于一基底上，各像素的至少一边宽度小于或等于3微米。至少一介电层设置于基底上，覆盖该光感测像素阵列。一彩色滤光层设...

17、互补型金属氧化物半导体场效应晶体管影像感测器

[简介]：主要内容为一种高性能场效应器件的结构和制备方法。该MOS结构包括一种导电类型的晶体Si本体，外延地生长在Si本体上作为空*的埋置沟道的应变的SiGe层，外延地生长在SiGe层作为用于电子的表面沟道的Si层，源和漏，包括外延淀积并...

18、高迁移率异质结互补场效应晶体管及其方法

[简介]：主要内容为一种用于集成电路结构的方法和结构，该集成电路结构利用了互补鳍片型场效应晶体管FinFET。本套资料具有包括第一鳍片100的第一类型FinFET，以及包括平行于第一鳍片100延伸的第二鳍片102的第二类型FinFET。本发...

19、具有平行互补鳍片场效应晶体管对的集成电路

[简介]：本套资料主要内容为一种半导体器件结构，包括：设置在衬底1，2上的PMOS器件200和NMOS器件300，所述PMOS器件包括对所述PMOS器件的有源区施加应力的压力层6，所述NMOS器件包括对所述NMOS器件的有源区施加应力的张力层9，其...

20、应变鳍型场效应晶体管互补金属氧化物半导体器件结构

[简介]：互补偶载场效应晶体管特征是设置不同的Ｎ、Ｐ掺杂区，并在Ｚ＝LZ处形成窄截面沟道。源端、漏端与接触端的设置位置为二维结构。本套资料避免光刻技术制约，用常规半导体工艺把有效沟道长度减短至５纳米，电源电压降低到０．６５Ｖ，每个晶体...

21、万门级互补场效应晶体管集成电路的制造方法

22、万门级互补场效应晶体管集成电路的制造方法

23、互补型金氧半场效应晶体管的制造方法

24、互补型金氧半场效应晶体管的制造方法

25、绝缘体上硅互补金属氧化物半导体场效应晶体管

26、互补金属氧化物半导体场效应晶体管结构

27、用于互补金属氧化物场效应晶体管半导体动态存贮器的字线升压电路

28、互补性金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法

29、包含互补场效应晶体管的集成电路

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