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晶体管集电路,晶体管加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

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1、包括功率晶体管和辅助晶体管的集成电路

[简介]：本套资料涉及包括功率晶体管和辅助晶体管的集成电路。在集成电路的一个实施例中，集成电路包括具有功率控制端子、第一功率负载端子和第二功率负载端子的功率晶体管。集成电路进一步包括具有辅助控制端子、第一辅助负载端子和...

2、包括功率晶体管和辅助晶体管的集成电路

[简介]：本套资料主要内容为一种提高CMOS晶体管抗辐照的方法、CMOS晶体管及集成电路，属于集成电路制备技术领域。本套资料CMOS晶体管的N型晶体管和P型晶体管的侧墙所选用的材料不同，具体为：N型MOS场效应晶体管的侧墙选用辐照后表现为不俘...

3、提高CMOS晶体管抗辐照的方法、CMOS晶体管及集成电路

[简介]：本技术是通过以下技术方案实现的：一种制作集成电路全自动晶体管粘片机的轨道结构，包括轨道板和盖板，所述盖板固定在所述轨道板的顶部，所述盖板的顶部设置若干个方形通孔，其中所述轨道板上设置轨道槽，所述盖板上设置...

4、一种制作集成电路全自动晶体管粘片机的轨道结构

[简介]：本套资料提供了一种沟槽式MOS晶体管及其制造方法、集成电路。根据本套资料的沟槽式MOS晶体管包括：依次形成在衬底正面的外延层、沟道区以及源端，其中多晶硅栅位于沟道区及外延层的沟槽中，在多晶硅栅侧面及底面包围有栅氧化层；...

5、沟槽式MOS晶体管及其制造方法、集成电路

[简介]：本套资料涉及一种用于集成电路中选定晶体管性能提升的注入。第一注入（70）被执行到基底来形成阱（12），多个晶体管（14、16、18、20、22、24、26）将会形成在其中。形成的多个晶体管的第一子组（20、26）的每个晶体管具有满足预定宽度*...

6、用于集成电路中选定晶体管性能提升的注入

[简介]：本套资料提供了一种沟槽式MOS晶体管及其制造方法、集成电路。根据本套资料的沟槽式MOS晶体管包括依次形成在衬底正面的外延层、沟道区以及源端。并且，所述沟槽式MOS晶体管还包括多晶硅栅，所述多晶硅栅位于沟道区及外延层的沟槽...

7、沟槽式MOS晶体管及其制造方法、集成电路

[简介]：本套资料提供四晶体管布局、集成电路场效应晶体管和半导体器件。四晶体管布局可以包括定义有源区的隔离区，该有源区沿不同的第一方向和第二方向延伸。四个晶体管的公共源区从有源区的中心沿第一方向和第二方向两者延伸以定义...

8、四晶体管电路布局、集成电路场效应晶体管和半导体器件

[简介]：本套资料涉及晶体管装置和集成电路。一种晶体管装置包括开关晶体管和感测晶体管。所述开关晶体管包括电荷存储结构和控制结构。所述感测晶体管包括电荷存储结构、控制结构和选择结构。所述开关晶体管的电荷存储结构电气连接至...

9、晶体管装置和集成电路

[简介]：一种集成电路包括布置在衬底上的双极型晶体管。该双极型晶体管包括布置在至少一个含锗层周围的基极电极。*极电极布置在至少一个含锗层上。至少一个隔离结构布置在*极电极和至少一个含锗层之间。至少一个隔离结构的顶...

10、包括双极型晶体管的集成电路及其制造方法

[简介]：一种形成集成电路结构的方法，包括：在层间电介质ILD中提供栅极带。栅极带包括高k栅极电介质上方的金属栅电极。电传导结构形成在栅极带上方，且导电带形成在电传导结构上方。导电带的宽度比栅极带的宽度大。接触插塞形成在...

11、金属栅极晶体管、集成电路、系统及其制造方法

[简介]：提供用于制造基于碳纳米管的器件的技术。在一个方面中，提供用于制造基于碳纳米管的集成电路的方法。该方法包含以下步骤。提供包含碳纳米管的第一晶片。提供包含一个或多个器件元件的第二晶片。通过将第一晶片与第二晶片接合...

12、通过三维集成技术制造高性能碳纳米管晶体管集成电路的方法

[简介]：一种半导体元器件，其在P型基底中包括N型阱区。MOSFET的源极区与所述阱区的边界横向分隔开，所述阱区包括所述MOSFET的漏极。所述MOSFET的绝缘栅极从所述源极横向延伸到至少刚越过所述阱区的边界。多晶硅层其形成电容性反熔...

13、作为用于高压集成电路的编程元件的集成晶体管和反熔丝

[简介]：本套资料一实施例提供一种集成电路元件与双极结晶体管。集成电路元件包括：一半导体基板；一鳍状结构，配置于半导体基板上，鳍状结构具有一集极部、一射极部与一基极部，基极部位于集极部与射极部之间，其中：集极部为一第一掺杂...

14、集成电路元件与双极结晶体管

[简介]：本套资料属于半导体集成电路制造技术领域，具体为一种鳍型隧穿晶体管集成电路及其制备方法。在基于绝缘体上的硅衬底的基础上，在隧穿晶体管中采用鳍型栅结构，并且采用高k介质作为栅介质，采用低k介质作为边墙材料。本套资料所提...

15、一种鳍型隧穿晶体管集成电路及其制造方法

[简介]：本套资料包括形成场效晶体管的方法、形成场效晶体管栅极的方法、形成包含晶体管栅极阵列及在所述栅极阵列外围的电路的集成电路的方法及形成包含包括第一栅极及第二接地隔离栅极的晶体管栅极阵列的集成电路的方法。在一个实...

16、形成场效晶体管的方法及形成包含晶体管栅极阵列及在所述栅极阵列外围的电路的集成电路的方法

[简介]：本套资料主要内容为一种形成硅锗应力源的方法及集成电路晶体管结构，该方法包括：沉积一第一硅锗层于一半导体基板上的一源极区与一漏极区的至少其中之一中，半导体基板具有位于源极区与漏极区之间的一沟道；以及使第一硅锗层的一...

17、形成高锗浓度的硅锗应力源的方法及集成电路晶体管结构

[简介]：本套资料提供一种金属栅极晶体管、集成电路、系统以及其制造方法，此方法包括：在基底上方的介电材料内形成开口，在开口内与基底上方形成栅极介电结构，在开口内与栅极介电结构上方形成功函数金属层，并且在功函数金属层上方形...

18、金属栅极晶体管、集成电路以及其制造方法

[简介]：本套资料主要内容为一种具有高电压晶体管的集成电路系统及其制造方法。其中一种集成电路系统的制造方法，包括：提供具有主动区的半导体基板，该主动区注入了第一浓度的第一类型杂质；围绕该主动区形成隔离区；在该主动区和隔离区的...

19、具有高电压晶体管的集成电路系统及其制造方法

[简介]：一种包括具有互相耦合的晶体管的集成电路的电子器件，可包括隐埋传导区和覆盖在所述隐埋传导区之上的半导体层，其中所述半导体层具有主表面和更接近于隐埋传导区的相对的表面。电子器件也可包括相互间隔开的第一掺杂区和...

20、包括具有互相耦合的晶体管的集成电路的电子器件

[简介]：本套资料提供一种具有选择晶体管的集成电路存储器器件。在该半导体存储器器件中，下选择栅控制第一沟道区和第二沟道区，所述第一沟道区限定在半导体衬底处，所述第二沟道区限定在半导体衬底上设置的有源图案的下部处。第一沟...

21、一种晶体管集成电路引线框架件

22、一种晶体管集成电路引线框架件

23、集成电路晶体管

24、单元晶体管、集成电路及显示系统

25、包括具有不同开启功率水平的并联晶体管放大器组的集成电路

26、双极结型晶体管、双极CMOS集成电路及制造方法

27、MOS晶体管电阻器、滤波器及集成电路

28、具有独立的读取和写入存取晶体管的栅极横向晶闸管随机存取存储器GLTRAM单元及具有该GLTRAM的存储器器件和集成电路

29、包含DMOS晶体管的集成电路的制备方法

30、沟槽型功率MOS晶体管及利用其的集成电路

31、MOS晶体管以及具备该晶体管的半导体集成电路装置

32、在硅和硅合金中使用互补结型场效应晶体管和MOS晶体管的集成电路

33、在硅和硅合金中使用互补结型场效应晶体管和MOS晶体管的集成电路

34、带有晶体管衬底偏置的集成电路的抑制闩锁电路

35、形成场效晶体管的方法及形成集成电路的方法

36、MOS晶体管、CMOS集成电路器件及相关制造方法

37、p沟道MOS晶体管和半导体集成电路装置

38、用于在集成电路区域上特别在晶体管的电极上制造接触垫的工艺

39、使用电子束辐射形成增强晶体管栅极的方法及包括该晶体管栅极的集成电路

40、p沟道MOS晶体管、半导体集成电路器件及其制造工艺

41、结合互补金属氧化物半导体集成电路的NMOS和PMOS晶体管使用不同的栅介质

42、结合互补金属氧化物半导体集成电路的NMOS和PMOS晶体管使用不同的栅介质

43、结合互补金属氧化物半导体集成电路的NMOS和PMOS晶体管使用不同的栅介质

44、具有应变与无应变晶体管的集成电路及其制造方法

45、集成电路以及形成用于晶体管栅电极的隔离层的方法

46、晶体管装置、集成电路及运行场效应晶体管的方法

47、集成电路元件与晶体管元件以及微电子元件及其制造方法

48、集成电路晶体管与其形成方法

49、集成电路晶体管

50、晶体管集成电路装置及其制造方法

51、垂直DMOS晶体管装置、集成电路及其制造方法

52、场效应晶体管以及包括其的半导体器件和集成电路器件

53、半导体集成电路、电子机器及晶体管的背栅电位控制方法

54、双极晶体管制造方法、双极晶体管和集成电路

55、包括场效应晶体管结构的集成电路及其制造和操作方法

56、功率晶体管及使用它的半导体集成电路

57、晶体管、集成电路、电光装置、电子设备及其制造方法

58、一种源漏下陷型超薄体SOIMOS晶体管及其集成电路的制作方法

59、包含电容器及较佳平面式晶体管的集成电路装置及制造方法

60、一种用于降低集成电路中晶体管内电流密度的布局

61、面向工艺移植的晶体管级集成电路优化方法

62、面向工艺移植的晶体管级集成电路优化方法

63、异质结双极型晶体管和利用它构成的半导体集成电路器件

64、异质结构场效应晶体管、包括异质结构场效应晶体管的集成电路以及用于制造异质结构场效应晶体管的方法

65、具有改进的硅化物厚度均匀性的金属氧化物半导体场效应晶体管集成电路和其制造方法

66、单片光电集成电路的调制掺杂闸流管和互补晶体管组合

67、异质结双极晶体管制造方法和包括异质结双极晶体管的集成电路

68、具有分级基区的横向晶体管半导体集成电路及制造方法

69、半导体基板、场效应晶体管、集成电路和半导体基板的制造方法

70、集成电路、鳍式场效应晶体管及其制造方法

71、宽带隙半导体功率结型场效应晶体管的高温栅极驱动器及包括该栅极驱动器的集成电路

72、一种抗辐照的场效应晶体管、CMOS集成电路及其制备

73、晶体管最优化方法、集成电路布局设计方法及其相应装置

74、凹陷沟道型PNPN场效应晶体管的集成电路及其制造方法

75、具有剪裁的电介质的P型场效应晶体管及方法和集成电路

76、纳米孔道中的晶体管及其集成电路

77、具有垂直晶体管的集成电路布置结构和该布置结构的制造方法

78、场效应晶体管，集成电路以及形成集成电路的方法

79、晶体管型保护器件和半导体集成电路

80、绝缘栅晶体管、其制造方法和半导体集成电路器件

81、薄膜晶体管的制造方法、薄膜晶体管、集成电路、液晶显示装置和使用了网目调型掩模的曝光方法

82、薄膜晶体管的制造方法、薄膜晶体管、集成电路、液晶显示装置和使用了网目调型掩模的曝光方法

83、具有倒T形鳍片多重栅晶体管的集成电路结构及形成方法

84、用于功率金属氧化物半导体场效应晶体管及集成电路的递减电压多晶硅二极管静电放电电路

85、基于顶栅结构有机场效应晶体管集成电路的制备方法

86、场效应晶体管、集成电路元件及其制造方法

87、横向双扩散场效应晶体管及含有它的集成电路

88、含有增强型晶体管电路的偏压电路的集成电路器件

89、薄膜晶体管、集成电路和液晶显示装置

90、集成电路内双极晶体管性能的调整方法及其制造方法

91、纵向双极晶体管的制造方法和集成电路

92、形成具有不同类型的场效应晶体管的集成电路器件的方法

93、场效应晶体管、集成电路及制造方法

94、场效应晶体管、包括FET的集成电路及其形成方法

95、具有平行互补鳍片场效应晶体管对的集成电路

96、具有npn和pnp双极晶体管的集成电路装置及相应的制造方法

97、包含隔离沟槽和场效应晶体管的集成电路装置及相关制造方法

98、有机场效应晶体管和集成电路

99、一种模块化双极-CMOS-DMOS模拟集成电路和功率晶体管技术

100、晶体管、厚膜集成电路混合式电子调节器

101、半导体集成电路、半导体器件、晶体管及其制造方法

102、半导体集成电路、半导体器件、晶体管及其制造方法

103、在绝缘衬底上形成的场效应晶体管以及其集成电路

104、含有场效应晶体管的集成电路及其制造方法

105、鳍型场效应晶体管熔丝的操作方法以及集成电路结构

106、含大量绝缘栅场效应晶体管的高集成电路半导体器件

107、无中频输出电桥单面单片集成电路微波场效应晶体管平衡混频器

108、至少包括一个双极平面型晶体管的单块集成电路的制造方法

109、窄禁带源漏区金属氧化物半导体场效应晶体管及集成电路

110、万门级互补场效应晶体管集成电路的制造方法

111、晶体管集成电路磁石式电话交换机

112、包含互补场效应晶体管的集成电路

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