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氧化半导体器件,金属氧化半导体加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

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1、外延晶片、氮化镓系半导体器件的制作方法、氮化镓系半导体器件及氧化镓晶片

[简介]：本套资料提供一种氮化镓系半导体器件，其包含设置在氧化镓晶片上且具有平坦的c面的氮化镓系半导体膜。发光二极管LED包括：氧化镓支撑基体32，具有包含单斜晶系氧化镓的主面32a；和包含III族氮化物的层叠结构33。层叠结构...

2、外延晶片、氮化镓系半导体器件的制作方法、氮化镓系半导体器件及氧化镓晶片

[简介]：本套资料涉及一种半导体器件局部氧化终止环的制备方法，包括如下步骤：在硅衬底上的半导体器件的边缘区域形成垫氧化层和氮化硅层；刻蚀所述垫氧化层、所述氮化硅层和所述硅衬底，形成多个沟槽；将所述沟槽内的硅进行局部氧化，...

3、半导体器件局部氧化终止环的制备方法

[简介]：本套资料涉及一种双极互补金属氧化半导体器件及其制备方法。所述双极互补金属氧化半导体器件包括横向扩散金属氧化物半导体器件和双极晶体管器件，所述双极晶体管器件包括用于形成集电极的导电型阱，所述横向扩散金属氧化物...

4、双极互补金属氧化半导体器件及其制备方法

[简介]：本技术主要内容为一种用于制造半导体器件的氧化装置，包括：工艺管、炉门、密封装置，炉门位于工艺管底部，并在与工艺管接触部位形成沟槽，密封装置位于沟槽里，密封装置包括O型密封圈及密封圈压片，密封圈压片与工艺管接触，O型...

5、一种用于制造半导体器件的氧化装置

[简介]：本技术提供了一种用于制造半导体器件的氧化装置，包括：炉体；位于炉体内的工艺管；位于工艺管内的承载石英舟；控制承载石英舟升降的升降控制部；位于升降控制部下用于保持工艺管内部温度的保温桶；位于工艺管底部的炉门...

6、一种用于制造半导体器件的氧化装置

[简介]：本套资料提供了半导体器件制作方法及氧化系统，以提高半导体器件产能，所述半导体器件包含氧化层，所述氧化层制作于设置有排气口的氧化装置内；该方法包括：在采用二氯乙烷对该氧化装置完成清洗后，关闭所述排气口；向该氧化装...

7、半导体器件制作方法及氧化系统

[简介]：氧化物半导体器件包括位于衬底上栅极；位于衬底上的栅绝缘层，栅绝缘层具有在栅极之上的凹陷结构；位于栅绝缘层的第一部分上的源极；位于栅绝缘层的第二部分上的漏极；以及位于源极和漏极上的有源图案，该有源图案填充凹陷结...

8、氧化物半导体器件及其制造方法以及具有氧化物半导体器件的显示装置及其制造方法

[简介]：一个实施例是用于制造层叠的氧化物材料的方法，包括步骤：在基底组件上形成氧化物组分；通过热处理形成从氧化物组分表面向内生长的第一氧化物结晶组分，并在基底组件表面正上方留有非晶组分；以及在该第一氧化物结晶组分上...

9、层叠的氧化物材料、半导体器件、以及用于制造该半导体器件的方法

[简介]：将硅化合物气体、氧化气体、以及稀有气体供应至等离子体处理设备1的腔2内。将微波供应至腔2内，并利用由微波产生的等离子体在目标衬底上形成氧化硅膜。稀有气体的分压比率是硅化合物气体、氧化气体和稀有气体的总气体...

10、氧化硅膜的形成方法、氧化硅膜、半导体器件、以及半导体器件的制造方法

[简介]：本套资料披露了一种用于蚀刻氧化硅层的组合物，蚀刻半导体器件的方法，以及用于蚀刻包括氧化硅层和氮化物层的半导体器件的组合物，该组合物氟化氢、阴离子型聚合物以及去离子水，其中，基于所述用于蚀刻氧化硅层的组合物的总重...

11、用于蚀刻氧化硅层的组合物、使用其蚀刻半导体器件的方法及用于蚀刻半导体器件的组合物

[简介]：形成氧化物层的方法。所述方法包括：在基底表面上形成反应-抑制官能团的层；在所述反应-抑制官能团的层上形成金属或半导体的前体的层；和氧化所述金属或半导体的前体以获得金属氧化物或半导体氧化物的层。根据所述方法，可形...

12、形成氧化物层的方法和含该氧化物层的半导体器件的制法

[简介]：本套资料提供一种制造半导体器件的氧化与扩镓一步运行工艺。采取开管系统，先将洁净的N型硅片置入高温炉的恒温区，在氧气氛中进行高温氧化，热氧化结束后向管道内通入氮气除氧，待残余氧排净后，再在氢气氛下进行镓预沉积，然后...

13、制造半导体器件的氧化与扩镓一步运行工艺

[简介]：本套资料提供一种用于印刷具有一个或多个绝缘层的太阳能电池器件正面的厚膜组合物。所述组合物包含含氧化铋的玻璃料和作为所述玻璃料的一部分或者添加剂的锑氧化物。本套资料进一步涉及一种通过使用所述厚膜组合物制备半导体...

14、包含锑氧化物的厚膜组合物及其在制备半导体器件中的用途

[简介]：本套资料涉及一种半导体器件场氧化层的腐蚀方法，包括下列步骤：对晶圆上的场氧化层的表层进行离子注入，注入氩离子；对所述晶圆进行阱区光刻；湿法腐蚀所述场氧化层。本套资料通过对场氧化层的表层注入氩离子，使注入有氩离子的...

15、半导体器件场氧化层的腐蚀方法

[简介]：一种应变补偿结构112，包括与氧化物形成层106相邻的应变补偿层104。应变补偿层104补偿由于至少部分氧化物形成层106氧化所引起的晶格参数的变化。

16、半导体器件中减少氧化引入缺陷的应变补偿结构

[简介]：本套资料主要内容为一种生长用于高压金属氧化物半导体器件厚栅极氧化层的方法；高压器件的厚栅极氧化层成长发生在浅沟道隔离之前，通过氮化硅层作为硬质掩膜。本套资料避免高压栅极氧化过程中低压器件电特性及可靠性性能变化，降低...

17、生长用于高压金属氧化物半导体器件厚栅极氧化层的方法

[简介]：本套资料提供了一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述横向扩散金属氧化物半导体器件包括：衬底；深阱，位于所述衬底中；第一阱、第二阱以及第三阱，均位于所述深阱中，所述第三阱包围所述第一阱和所述第二阱；漏区...

18、横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法

[简介]：目的在于提供一种适用于被包括于晶体管或二极管等中的半导体的材料。另一个目的在于提供一种包括晶体管的半导体器件，其中介于氧化物半导体膜及与该氧化物半导体膜接触的栅极绝缘膜之间的界面处的电子态状况良好。再者，另...

19、氧化物材料及半导体器件

[简介]：本套资料提供了一种基于硅烷的二氧化硅膜形成方法以及半导体器件制造方法。根据本套资料的基于硅烷的二氧化硅膜形成方法包括：第一步骤：将晶圆放入在反应腔中；第二步骤：通过第一管路通入气体SiH4，通入第二管路通入气体N2O；第...

20、基于硅烷的二氧化硅膜形成方法以及半导体器件制造方法

[简介]：本套资料主要内容为一种横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件的制作方法，包括：制作栅极；制作体区，其中所述体区包含体区弯度，其中制作所述体区包括：在所述半导体衬底上制作阱，其中所述阱为第一掺杂类型；制作基区，其中所述基区...

21、二氧化硅膜应力监测方法以及半导体器件制造方法

22、二氧化硅膜应力监测方法以及半导体器件制造方法

23、横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法

24、横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法

25、氮氧化硅膜及其形成方法以及半导体器件

26、具有厚底部屏蔽氧化物的沟槽双扩散金属氧化物半导体器件的制备

27、具有厚底部屏蔽氧化物的沟槽双扩散金属氧化物半导体器件的制备

28、金属氧化物半导体器件

29、非晶态金属氧化物半导体层形成用前体组合物、非晶态金属氧化物半导体层及其制造方法以及半导体器件

30、一种高驱动电流的III-V族金属氧化物半导体器件

31、超级结双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法

32、场氧化物湿法刻蚀方法以及半导体器件

33、功率金属氧化物半导体器件形成方法

34、半导体器件氧化物腐蚀用去离子水作为湿化代理物的方法

35、射频侧向扩散金属氧化物半导体器件及制备方法

36、横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法

37、金属氧化物半导体器件的制造方法和半导体器件

38、半导体器件层上的氧化层刻蚀后残留物的去除方法

39、形成陶瓷氧化硅类涂层的方法生产无机基材的方法形成陶瓷氧化硅类涂层的试剂和半导体器件

40、具有改良的漏极触点的沟槽双扩散金属氧化半导体器件

41、硅氧化膜的成膜方法和半导体器件的制造方法

42、硅氧化膜的成膜方法和半导体器件的制造方法

43、金属氧化物半导体器件及其形成方法

44、双扩散金属氧化物半导体器件

45、用高质量的氧化物填充半导体器件大型深沟槽的方法

46、用于制造半导体器件的非氧化隔离衬致密化方法

47、横向沟槽金属氧化物半导体器件

48、金属氧化物半导体器件的形成方法

49、氧化物半导体靶、其形成方法、使用其形成氧化物半导体层的方法及使用其制造半导体器件的方法

50、具有钌或氧化钌的半导体器件的制造方法

51、制作互补型金属氧化物半导体器件结构的方法

52、垂直超结双扩散金属氧化物半导体器件及制造方法

53、半导体器件栅氧化层完整性的测试结构

54、一种制作具有应力层的互补金属氧化物半导体器件的方法

55、半导体器件栅氧化层完整性的测试结构

56、半导体器件栅氧化层完整性的测试结构

57、一种互补金属氧化物半导体器件结构的制作方法

58、制作互补型金属氧化物半导体器件的方法

59、制作互补型金属氧化物半导体器件的方法

60、制作互补型金属氧化物半导体器件的方法

61、p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件

62、p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件

63、p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件

64、p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件

65、制作互补型金属氧化物半导体器件的方法

66、栅氧化层及半导体器件的制作方法

67、制作互补金属氧化物半导体器件的方法和结构

68、绝缘衬底上的硅基横向双扩散金属氧化物半导体器件

69、包括由氧化锌构成的氧化物半导体薄膜层的半导体器件及其制造方法

70、用在电子商品防盗系统中的金属氧化物半导体器件

71、氧化硅膜、其制备方法以及具有使用其的栅极绝缘膜的半导体器件

72、非晶氧化物半导体、半导体器件和薄膜晶体管

73、横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法

74、溅射靶、氧化物半导体膜及半导体器件

75、溅射靶、氧化物半导体膜及半导体器件

76、带场板结构的功率金属氧化物半导体器件

77、N型金属氧化物半导体器件及其制作方法

78、包含绝缘层的氧化物半导体器件和使用该器件的显示装置

79、一种垂直双扩散金属氧化物半导体器件的制造方法

80、平面双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法

81、横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法

82、横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法

83、横向双扩散金属氧化物半导体器件

84、金属氧化物半导体器件及其制造方法

85、栅氧化层的制作方法及半导体器件的制作方法

86、应变金属氧化物半导体器件的制造方法

87、具有应力膜的互补金属氧化物半导体器件及其制造方法

88、控制栅氧化层厚度的方法及半导体器件的制作方法

89、互补金属氧化物半导体器件及其制作方法

90、一种制作纵向双栅金属-氧化物-半导体器件的方法

91、具有氮化层和氧化层的半导体器件的制造方法

92、富硅氧化物的制造方法及半导体器件的制造方法

93、可调整栅极氧化层厚度的半导体器件制造方法

94、互补金属氧化物半导体器件应力层的形成方法

95、具有场氧化物膜的半导体器件的制造方法

96、具有氮化氧化物层的半导体器件及其方法

97、测试半导体器件栅氧化物整体性的带解码器的测试键

98、金属氧化物半导体器件的制造方法

99、金属氧化物半导体器件栅极的制造方法

100、具有二氧化硅类玻璃薄层的无机基底，制备前述基底的方法，涂布剂和半导体器件

101、金属氧化物半导体器件及其制造方法

102、金属氧化物半导体器件及其制造方法

103、半导体器件中的厚氧化物区及其形成方法

104、金属氧化物半导体器件栅极结构的形成方法

105、金属氧化物半导体器件的制造方法

106、用于制造具有多栅氧化膜的半导体器件的方法

107、金属氧化物半导体器件及其制造方法

108、用于去除氧化物膜的刻蚀液及其制备方法，以及制造半导体器件的方法

109、互补金属氧化物半导体器件的制造方法

110、互补金属氧化物半导体器件

111、有利于提高抗水性和抗氧化性的半导体器件

112、互补金属氧化物半导体器件及其制法及存储器

113、射频金属氧化物半导体器件及其制造方法

114、形成有掩埋氧化物图形的半导体器件的方法及其相关器件

115、具有多组分氧化物制备的沟道的半导体器件

116、具有包含二元氧化物的混合物的沟道的半导体器件

117、具有包括多成分氧化物的沟道的半导体器件

118、具有包括多组分氧化物的沟道的半导体器件

119、在氟化氧化物沉积工艺中减少半导体器件污染

120、用以在半导体器件中形成氧化膜的方法

121、互补金属-氧化物-半导体器件PN阱浅深度隔离方法

122、互补金属-氧化物-半导体器件PN阱浅深度隔离方法

123、互补金属氧化物半导体器件及其制造方法

124、在用于半导体器件的硅或碳化硅上形成厚氧化物的工艺

125、同时测多个金属-氧化物-半导体器件热载流子的测试结构

126、制造具有不同厚度氧化膜的半导体器件的方法

127、包括具有受限电流密度的氧化钒传感器元件的半导体器件

128、具有增强的屏蔽结构的金属氧化物半导体器件

129、具有注入漏极漂移区和厚底部氧化物的沟槽金属-绝缘体-半导体器件及其制造方法

130、具有包括多成分金属氧化物的沟道的半导体器件

131、有金属氧化物半导体变容二极管的半导体器件及制造方法

132、一种半导体器件含氮栅氧化硅层结构及其制造工艺

133、一种半导体器件含氮双栅氧化硅层的制备方法

134、具有过电流保护功能的垂直型功率金属氧化物半导体器件

135、通过掩埋氧化物层中的压缩材料导入张力应变硅的半导体器件

136、一种用于半导体器件的铟锡氧化物pn结

137、一种三维多层平面互补金属氧化物半导体器件结构及其制备方法

138、一种三维互补金属氧化物半导体器件结构及其制备方法

139、高性能应变互补金属氧化物半导体器件

140、金属硅化物膜的制作方法和金属氧化物半导体器件

141、用于高电压操作的金属氧化物半导体器件及其制造方法

142、用于高电压操作的金属氧化物半导体器件及其制造方法

143、互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块

144、注入氟的多晶硅缓冲局部氧化半导体器件的制造方法

145、具有双栅极氧化物层的半导体器件的制造方法

146、含磷二氧化硅乳胶源扩散制备大功率半导体器件的方法

147、制造非晶金属氧化物膜的方法以及制造具有非晶金属氧化物膜的电容元件和半导体器件的方法

148、保护互补金属氧化物半导体器件免受静电放电影响的方法

149、应变鳍型场效应晶体管互补金属氧化物半导体器件结构

150、互补型金属氧化物半导体器件及其制造方法

151、具有还原／氧化导电材料的半导体器件及其形成方法

152、互补金属氧化物半导体器件

153、双金属栅极互补金属氧化物半导体器件及其加工方法

154、补偿型金属氧化物半导体器件结构及其制造方法

155、形成沟道金属氧化物半导体器件和端子结构的方法

156、沟道金属氧化物半导体器件和端子结构

157、具有多厚度栅极氧化层的槽型半导体器件及其制造方法

158、形成金属氧化物半导体器件的栅氧化物的方法

159、含硅锗层的互补金属氧化物半导体器件和基片及形成方法

160、处延双极器件和互补金属氧化物半导体器件的方法

161、制造具有不同栅氧化物层的半导体器件的方法

162、制造具有不同栅氧化物层的半导体器件的方法

163、超级自对准的沟-栅双扩散金属氧化物半导体器件

164、具有降低接通电阻的超级自对准的沟－栅双扩散金属氧化物半导体器件

165、超级自对准的沟-栅双扩散金属氧化物半导体器件

166、半导体器件制备中水处理系统的光氧化设备及方法

167、增强雪崩型绝缘体基硅互补金属氧化物半导体器件的设计

168、互补金属氧化物半导体器件及其形成方法

169、互补金属氧化物半导体器件

170、互补型金属氧化物晶体管半导体器件及其制造方法

171、金属氧化物半导体器件及其制造方法

172、氧化锰研磨膏和利用该研磨膏制造半导体器件的方法

173、金属氧化物半导体栅控结构的半导体器件

174、半导体器件场氧化膜的制造方法

175、在半导体衬底上制造具有高质量氧化膜的半导体器件的方法

176、制造半导体器件中的场氧化层的方法

177、一种在数字双极性互补型金属氧化物半导体器件BiCMOS处理中用于处理采样模拟信号的方法和设备

178、制造二氧化硅基涂覆隔离膜的材料该材料、二氧化硅基隔离膜和半导体器件的制造工艺以及器件的制造工艺

179、制造具有互补金属氧化物半导体结构半导体器件的方法

180、半导体器件制造用炉及用其形成栅氧化层的方法

181、半导体器件场氧化层的形成方法

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