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结构半导体器件,半导体加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

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分类：专业技术
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1、堆叠结构、有机半导体器件、布线、显示器、以及制造有机半导体器件的方法

[简介]：本套资料涉及堆叠结构、有机半导体器件、布线、显示器、以及制造有机半导体器件的方法。公开的堆叠结构包括：有机层，其包括导体或半导体；保护层，其由绝缘材料构造，并且覆盖顶表面的至少一部分或有机层的下表面；以及多个颗粒，其...

2、堆叠结构、有机半导体器件、布线、显示器、以及制造有机半导体器件的方法

[简介]：本套资料提供一种半导体器件结构和制作该半导体器件结构的方法。该方法通过离子注入掺杂工艺形成SONOS非易失性存储器，根据本方法生产的半导体器件，具有很好的可靠度，较好的资料保存能力和较好的重复读写的忍受度。此外，本...

3、半导体器件结构和制作该半导体器件结构的方法

[简介]：本套资料提供一种制造半导体器件结构的方法，包括：a）提供前端器件层结构；b）在第一反应室内，在前端器件层结构的表面形成具有超低介电常数的层间介电层，其中，具有超低介电常数的层间介电层由包含甲基二乙氧基硅烷的反应气体...

4、一种制造半导体器件结构的方法和半导体器件结构

[简介]：本套资料提供一种电特性优异的有机半导体器件的接触结构的制作方法以及有机半导体器件的接触结构。在有机半导体层（3）上形成接触时，首先形成容易被氧化的金属的、例如数nm以下的非常薄的膜，以此作为电荷注入层（4）。再用不易...

5、有机半导体器件的接触结构的制作方法以及有机半导体器件的接触结构

[简介]：本套资料提供一种半导体器件结构和制作该半导体器件结构的方法。该方法合并高介电常数金属栅核心器件和SiON多晶硅栅输入输出器件。在亚45纳米的CMOS工艺中，当输入输出器件使用氮氧化硅SiON多晶硅栅工艺时，核心器件使用...

6、半导体器件结构和制作该半导体器件结构的方法

[简介]：本套资料提供一种半导体器件结构和制作该半导体器件结构的方法。其中，制作半导体器件结构的方法包括：a提供前端器件层结构，其中，前端器件层结构包括衬底，衬底的表面形成有栅氧化层和多晶硅栅极，多晶硅栅极由侧墙环绕，衬底...

7、半导体器件结构和制作该半导体器件结构的方法

[简介]：本套资料提供一种半导体器件结构及制作该半导体器件结构的方法。半导体器件结构包括：前端器件层结构；紫外光屏蔽层，所述紫外光屏蔽层形成在所述前端器件层结构的表面；和应力层，所述应力层形成在所述紫外光屏蔽层的上方。制...

8、半导体器件结构及制作该半导体器件结构的方法

[简介]：本套资料涉及一种半导体器件的金属层结构、制造方法及其应用其的一种半导体器件，包括：位于晶片之上的第一导电层，所述第一导电层包括一组分离的第一导电子层，所述一组第一导电子层具有n种不同的电极性，n≥2；在所述第一导电...

9、一种半导体器件的金属层结构、制造方法及其应用其的一种半导体器件

[简介]：本套资料提出一种薄膜半导体器件（1），其具有支承体（5）和带有半导体层序列的半导体本体（2），所述半导体层序列包括设置用于产生辐射的有源区域（20）。半导体本体（2）可以借助第一接触部（31）和第二接触部（32）从外部接触。支承体（...

10、具有保护二极管结构的薄膜半导体器件和用于制造薄膜半导体器件的方法

[简介]：本套资料提供了通孔连接结构、具有该结构的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：下层；在所述下层的第一侧上的绝缘层；在所述绝缘层中的互连结构；在所述下层中的通孔结构。该通孔结构突出至所述绝缘层和所述互连结构...

11、通孔连接结构、具有该结构的半导体器件及其制造方法

[简介]：本套资料主要内容为一种半导体器件、半导体器件的隔离结构及其制造方法，涉及半导体制造领域。该方法包括：先在半导体衬底内形成沟槽，而后进一步湿刻所述沟槽以形成基本为菱形的菱形沟槽，并用隔离材料填充基本为菱形的沟槽形成隔...

12、一种半导体器件、半导体器件的隔离结构及其制造方法

[简介]：本套资料提供了一种功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件。该功率半导体器件的终端结构包括位于功率半导体器件主体半导体区中的沟道环，所述沟道环的材料为相对介电常数为1～15之间的本征多晶材料。本套资料的功率半导体...

13、功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件

[简介]：本套资料提供了一种绝缘体上硅结构以及半导体器件结构。本套资料的绝缘体上硅结构包括：第一硅层；形成于在所述第一硅层上的第一掩埋氧化物层；形成于所述所述第一掩埋氧化物层上的第二硅层；形成于所述第二硅层上的第二掩埋氧...

14、绝缘体上硅结构以及半导体器件结构

[简介]：本套资料涉及半导体制造领域，尤其涉及一种钨铜栓结构及包括该钨铜栓结构的半导体器件。本套资料通过钨铜栓代替传统的钨栓与半导体衬底上的底层器件连接，以降低接触电阻（钨铜栓），提高半导体器件的电学性能，进而提升产品...

15、一种钨铜栓结构及包括该钨铜栓结构的半导体器件

[简介]：本套资料提供了一种半导体结构、半导体器件以及形成半导体结构的方法。一种半导体结构包括：工件，具有前侧和后侧；以及电容器，设置在所述工件中，所述电容器包括电耦接到所述工件的后侧的底部电极。在一个实施方式中，所述底部...

16、半导体结构、半导体器件以及形成半导体结构的方法

[简介]：本技术主要内容为一种多晶体管结构及具有该结构的半导体器件，所述多晶体管半导体器件是由两个不同的部分组成的；第一部分组成了第一个晶体管，而另一部分则是第二个晶体管。特别的，第一部分同时也是第二部分的组件。也就是...

17、多晶体管结构及具有该结构的半导体器件

[简介]：具结终端扩展结构的功率半导体器件及该结构的制造方法。本套资料涉及一种结终端扩展结构的制造方法，包括下列步骤：在晶圆管芯的终端结构上进行主结光刻；对终端结构进行离子注入形成主结；在终端结构上进行扩展区光刻，主结的...

18、具结终端扩展结构的功率半导体器件及该结构的制造方法

[简介]：本套资料提供了半导体的隔离结构、具有其的半导体器件以及制造所述隔离结构的方法。半导体器件的隔离结构可以包括形成在衬底中的沟槽、形成在所述沟槽的底表面和内侧壁上的氧化物层、形成在所述氧化物层上以填充所述沟槽的内...

19、隔离结构、具有其的半导体器件及制造该隔离结构的方法

[简介]：本套资料提供了一种栅极隔离结构制造方法、栅极隔离结构以及半导体器件。根据本套资料的栅极隔离结构制造方法包括：在衬底上形成多个栅极；在形成了所述多个栅极的硅片表面形成保护层；在保护层上形成无定性碳层；对所述无定性碳...

20、栅极隔离结构制造方法、栅极隔离结构以及半导体器件

[简介]：一种浅沟槽隔离结构及其形成方法，半导体结构及其形成方法。其中，所述浅沟槽隔离结构包括：半导体基底；位于半导体基底上的第一外延层；位于第一外延层上的第二外延层；位于第二外延层、第一外延层和半导体基底内的浅沟槽主体...

21、用于制造结构元件的方法和具有结构元件的半导体器件

22、用于制造结构元件的方法和具有结构元件的半导体器件

23、多面体结构聚硅氧烷改性体、多面体结构聚硅氧烷系组合物、固化物及光半导体器件

24、半导体器件扇出倒装芯片封装结构的制作方法

25、具非对准型超级结结构的半导体器件及其制造方法

26、具有大高宽比FIN结构的三维半导体器件及其形成方法

27、半导体器件、半导体器件的安装方法和安装结构

28、半导体器件芯片级封装结构

29、一种横向高压功率半导体器件的结终端结构

30、混合基板和半导体器件的封装结构

31、混合基板、半导体器件的封装方法和封装结构

32、一种半导体器件多级场板终端结构

33、一种半导体器件多级场板终端结构及其制造方法

34、具有边缘终端结构的半导体器件

35、半导体器件间隔离结构及其形成方法

36、功率半导体器件的集电极结构

37、半导体器件芯片焊盘双球键合结构

38、功率半导体器件的背面集电极结构

39、用于超薄绝缘体上半导体器件的电隔离结构及其制作方法

40、用于半导体器件的栅极结构

41、一种高压半导体器件的终端结构及制备方法

42、一种高压半导体器件的终端结构及制备方法

43、半导体器件、引线框以及半导体器件的安装结构

44、半导体器件外延生长的*结构衬底

45、形成垂直互连结构的方法和半导体器件

46、钝化半导体接触表面的功率半导体器件结构及制备方法

47、半导体器件、通过垂直层叠半导体器件配置的半导体模块结构及其制造方法

48、半导体器件去除残胶的平脚结构

49、半导体器件去除残胶的平脚结构

50、采用金属硅化物的功率半导体器件结构及制备方法

51、半导体器件系统级封装结构及封装模组

52、半导体器件系统级封装结构及封装模组

53、具有硅化物层的接触结构、使用其的半导体器件、以及制造该接触结构和半导体器件的方法

54、一种宽引脚半导体器件封装结构

55、一种隔离结构及制造方法、以及具有该结构的半导体器件

56、超级结结构的半导体器件的制作方法及器件结构

57、与体硅衬底绝缘的半导体器件结构及其形成方法

58、半导体器件、封装方法和结构

59、具有电压补偿结构的半导体器件

60、一种隔离结构及制造方法、以及具有该结构的半导体器件

61、在种子层之上形成互连结构的半导体器件和方法

62、在种子层之上形成互连结构的半导体器件和方法

63、铜双大马士革结构形成方法以及半导体器件制造方法

64、半导体器件的封装方法及其结构

65、半导体器件中的伸长凸块结构

66、降低高压半导体器件上的RF噪声的双DNW隔离结构

67、用于半导体器件的封装方法和结构

68、制作用于形成双大马士革结构的半导体器件结构的方法

69、SONOS栅极结构及其制备方法、以及半导体器件

70、半导体器件结构的制造方法及其结构

71、具有芯片裂纹检测结构的半导体器件

72、半导体器件结构及其制作工艺方法

73、栅极结构、具有栅极结构的半导体器件及形成栅极结构和半导体器件的方法

74、垂直定向的半导体器件及其屏蔽结构

75、垂直定向的半导体器件及其屏蔽结构

76、具有多个应力结构的半导体器件及其制造方法

77、具有超结结构的半导体器件的制造方法

78、半导体器件的金属栅极结构

79、带有半空洞结构的两层半导体器件的制备方法

80、层叠MIM电容器结构以及半导体器件

81、具有新型终端结构的超结半导体器件

82、具有新型终端结构的超结半导体器件

83、具有新型终端结构的超结半导体器件及其制造方法

84、用于半导体器件的栅极结构

85、半导体器件侧墙空洞层结构及其制备方法

86、半导体器件侧墙空洞层结构及其制备方法

87、半导体结构及其制造方法及制造第一和第二半导体器件的方法

88、具有盖结构的半导体器件及其制造方法

89、垂直定向的半导体器件及其屏蔽结构

90、具有超结结构的半导体器件

91、具有超结结构的半导体器件及其制作方法

92、围栅结构的鳍式半导体器件的制造方法

93、在半导体器件和封装组件中的凸块结构

94、半导体器件隔离结构及半导体器件的制作方法

95、半导体器件和形成用于3DFO-WLCSP的垂直互连结构的方法

96、半导体器件封装结构

97、垂直定向的半导体器件及其屏蔽结构

98、CMOS半导体器件的金属栅极结构

99、具有接合焊盘和屏蔽结构的半导体器件及其制造方法

100、场阻断型半导体器件的制造方法和器件结构

101、中大功率半导体器件压点的金属连线结构

102、中大功率半导体器件压点的金属连线结构

103、基于III族氮化物的层结构以及半导体器件

104、深槽型的超级结半导体器件的版图结构

105、具有自加热结构的半导体器件、其制造方法和测试方法

106、形成通过封装剂之上的绝缘层的开口供互连结构的增强粘合性的半导体器件和方法

107、半导体器件的结构及制造方法

108、用于半导体器件的测试结构和测试方法

109、具有超结结构的半导体器件

110、具有超结结构的半导体器件及其制造方法

111、避免浅沟槽隔离结构产生缺角的半导体器件的制作方法

112、CMOS半导体器件的金属栅极结构及其形成方法

113、半导体器件中的金属塞结构

114、在半导体小片和互连结构周围形成可穿透膜包封料的半导体器件和方法

115、具有位错结构的半导体器件及其形成方法

116、半导体器件失配特性的检测结构及检测方法

117、形成具有中间层的半导体器件的方法及该半导体器件的结构

118、绝缘体上硅结构及其制造方法、半导体器件

119、半导体器件中的射频信号的传输结构及其形成方法

120、形成保护结构用于绝缘层局部平坦化的方法和半导体器件

121、具有金属前介质填充结构的半导体器件及其制备方法

122、具有金属前介质填充结构的半导体器件及其制备方法

123、形成接触结构的方法和使用接触结构制造的半导体器件

124、感光半导体器件的封装结构

125、用于半导体器件的伸长凸块结构

126、半导体器件结构及其制作方法

127、半导体器件结构及其制作方法

128、半导体器件结构及其制作方法

129、半导体器件结构及其制作方法

130、半导体器件结构及其制作方法、及半导体鳍制作方法

131、形成用于半导体器件的图案结构的方法

132、具有底部凸块金属化UBM结构的半导体器件及其形成方法

133、一种半导体器件结构及其制造方法

134、低K介质层结构、半导体器件结构及其形成方法

135、具有反向快速恢复特性的超结结构半导体器件制造方法

136、半导体器件结构及其制作方法

137、一种半导体器件结构及其制作方法

138、一种增加半导体器件中MIM电容密度的方法及其结构

139、半导体器件的结构和该半导体器件的制造方法

140、金属连接结构、半导体器件的制造方法和半导体器件

141、布线结构、具有该布线结构的半导体器件及其制造方法

142、布线结构、具有该布线结构的半导体器件及其制造方法

143、包含单元区和具有高击穿电压结构的外围区的半导体器件

144、一种横向高压功率半导体器件的结终端结构

145、浅沟槽隔离结构及其加工方法和半导体器件制造方法

146、深槽高压终端结构的制作方法以及高压半导体器件

147、形成栓塞结构、半导体器件的方法

148、一种具有超结结构的半导体器件

149、一种具有超结结构的半导体器件及其制造方法

150、一种功率半导体器件的3D-RESURF结终端结构

151、具有电子熔丝结构的半导体器件及其制造方法

152、半导体器件及其形成方法、封装结构

153、双镶嵌结构及其形成方法、半导体器件

154、半导体器件的结构及形成方法

155、半导体器件、形成互连结构的方法

156、超级结半导体器件结构及其制作方法

157、一种栅堆叠结构和半导体器件

158、半导体器件负偏置温度不稳定性的测试结构及测试方法

159、制造鳍状半导体器件结构的方法

160、半导体器件和形成用于无铅凸块连接的双UBM结构的方法

161、半导体器件的金属栅结构

162、半导体器件的金属栅结构

163、超结结构和超结半导体器件的制造方法

164、半导体器件结构及其制备方法

165、一种功率半导体器件的封装结构

166、半导体器件以及形成倒装芯片互连结构的方法

167、一种半导体器件的终止结构

168、获得交替P型和N型半导体器件结构的方法及其器件结构

169、多层堆栈的半导体器件的结构及形成方法

170、用于半导体器件制造的基板结构及其制造方法

171、高速低噪声半导体器件结构及其形成方法

172、一种制作半导体器件结构的方法

173、一种功率半导体器件的封装结构

174、半导体器件封装基板和半导体器件封装结构

175、用于制作应变半导体器件结构的方法

176、半导体器件结构及其制作方法

177、赝超晶格功率半导体器件结构及其实现方法

178、半导体器件结终端结构

179、围绕凸块形成区形成具有多层UBM的凸块结构的半导体器件和方法

180、应变记忆作用的半导体器件的制造方法及应力层结构

181、一种半导体器件的制作方法及器件结构

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