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薄膜基片,薄膜加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

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分类：专业技术
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1、一种新型薄膜混合集成电路成膜基片

[简介]：一种新型薄膜混合集成电路产品的薄膜成膜基片，其特征是：在衬底的同一平面上集成了多个方阻薄膜电阻和互联导体，这种结构的成膜基片可以进一步提高薄膜混合集成电路电阻的集成度，缩小产品体积，尤其能适合于电路复杂，电路...

2、一种新型薄膜混合集成电路成膜基片

[简介]：本技术提出一种薄膜太阳能电池镀膜基片切割装置，包含有支架，支架上设有持片台和切割刀具，持片台使镀膜基片在其中定位并保持固定，切割刀具对镀膜基片进行切割，刀具由刀架、刀柄、刀头夹块与刀头组成，刀架上设有可调整...

3、薄膜太阳能电池镀膜基片切割装置

[简介]：一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置，其特征在于：包括一真空反应腔；一基片架，设于真空反应腔内，用以放置基片；一基片测温模块，设于基片架上，用以测量基片温度；一气体导入模块，与真空反应腔连接并与基片架相对，用以向真空...

4、一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置

5、一种用以在基片上形成SiN薄膜的装置

[简介]：本套资料主要内容为一种硫化锌（ZnS）基片多光谱增透保护薄膜，括硫化锌基片，所述硫化锌基片的一面镀制多光谱增透膜，一面镀制多光谱保护膜。所述增透膜的镀制材料由低折射率材料和高折射率材料组成。所述低折射率材料为氟化钇；高...

6、硫化锌基片多光谱增透保护薄膜

[简介]：本套资料主要内容为一种薄膜体声波谐振器基片及其制备方法，所述薄膜体声波谐振器基片采用W压电薄膜WDLC空气隙Si结构。W压电薄膜WDLC空气隙Si结构的薄膜体声波谐振器FBAR基片，具有高频、高Q、很好的频率稳定性的特点...

7、一种薄膜体声波谐振器基片及其制备方法

[简介]：本技术提出一种薄膜太阳能电池基片工艺制程置片架，包含有底板，底板上设有挡板，该挡板位于底板边缘部位，在底板上围护形成基片容置槽；底板中设有若干镂空部，镂空部之间由横梁相隔，横梁将底板两边相连，基片横跨镂空部...

8、薄膜太阳能电池基片工艺制程置片架

[简介]：本技术公开一种内置软基片薄膜电池的光伏百叶中空玻璃，包括外层玻璃（1）、内层玻璃（2）、密封胶（3），外层玻璃（1）和内层玻璃（2）之间设有薄膜电池百叶条（6），其特征是：所述薄膜电池百叶条（6）连接于立柱（4）之间的电极插接件...

9、一种内置软基片薄膜电池的光伏百叶中空玻璃

[简介]：本套资料涉及一种非晶硅薄膜太阳能电池PECVD基片装载箱清洁系统及清洁方法。其系统包括有一个清洁箱，太阳能电池PECVD基片装载箱可安置在清洁箱上部，所述清洁箱的底部设置有杂质收集斗；所述清洁箱通过蒸汽管道与蒸汽发生装...

10、非晶硅薄膜太阳能电池PECVD基片装载箱清洁系统及清洁方法

[简介]：本技术涉及一种非晶硅薄膜太阳能电池PECVD基片装载箱清洁系统。其系统包括有一个清洁箱，太阳能电池PECVD基片装载箱可安置在清洁箱上部，所述清洁箱的底部设置有杂质收集斗；所述清洁箱通过蒸汽管道与蒸汽发生装置连接...

11、非晶硅薄膜太阳能电池PECVD基片装载箱清洁系统

[简介]：本套资料涉及一种Si基生长GaAs薄膜分子束外延的方法，使用分子束外延设备在预处理的Si111衬底上先自催化生长1μm的GaAs纳米柱，之后降低温度使Ga液滴固化，气-液-固机制（Vapor-Liquid-SolidVLS机制）的外延生长停止，主要侧...

12、一种在Si基片上外延生长GaAs薄膜的方法

[简介]：本套资料主要内容为一种在金属钛基片上合成二氧化锰薄膜材料的方法。其特征在于以金属钛作为生长基片，直接在其上水热生长二氧化锰薄膜；通过改变合成条件，可以得到晶体结构和组织结构不同的产物，晶型由δ型向α型转变，组织结构由...

13、在金属钛基片上合成二氧化锰薄膜的方法

[简介]：本套资料主要内容为一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体NiOSmBiO3复合缓冲层薄膜的方法，其复合缓冲层制备步骤包含。a、NiW合金200基片的表面腐蚀修饰，b、NiO缓冲层的氧化热处理、c、SmBiO3缓冲层胶体的制备，d、Sm...

14、一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体NiOSmBiO3复合缓冲层薄膜的方法

[简介]：本套资料主要内容为一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体CeO2缓冲层薄膜的方法，包括以下步骤：将六水合*亚铈CeNO33ܬH2O溶解在N-甲基吡咯烷酮NMP中，形成无水溶液；向无水溶液中加入聚乙烯基吡咯烷酮PVP...

15、在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体CeO2缓冲层薄膜的方法

[简介]：本套资料主要内容为一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体La2Zr2O7缓冲层薄膜的方法，包括以下步骤：将*镧LaNO33.6H2O和*锆ZrNO34.5H2O溶解在乙二醇甲醚中，形成无水溶液；向无水溶液中加入聚乙二醇-2...

16、一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体La2Zr2O7缓冲层薄膜的方法

[简介]：本套资料涉及一种在砷化镓基片上外延生长钛酸锶薄膜的方法。包括如下步骤：步骤1：对GaAs基片做表面处理形成原子级平整的Ga原子为终结面的清洁表面；步骤2：将步骤1处理后的GaAs基片和STO靶材送入并固定在激光分子束外延设备...

17、一种在砷化镓基片上外延生长钛酸锶薄膜的方法

[简介]：本技术涉及一种在基片上生长薄膜的反应装置，包括：反应腔、气体输送装置、支撑装置、基片托架以及清洁装置。所述清洁装置可分离地安装在所述支撑装置上并且至少在所述清洁过程中保持与之接触。所述清洁装置包括一面向所...

18、在基片上生长薄膜的反应装置

[简介]：本技术主要内容为一种可调谐的预设空腔型SOI基片薄膜体声波谐振器，涉及一种频率可调谐的谐振器，包括带空腔SOI基片和设置其上的压电薄膜换能器，谐振器包括压电薄膜、底电极和顶电极，底电极靠预设空腔一侧设置有SOI调谐层...

19、可调谐的预设空腔型SOI基片薄膜体声波谐振器

[简介]：本套资料主要内容为一种可调谐的预设空腔型SOI基片薄膜体声波谐振器及制作方法，涉及一种频率可调谐的谐振器及制作方法，包括带空腔SOI基片和设置其上的压电薄膜换能器，谐振器包括压电薄膜、底电极和顶电极，底电极靠预设空腔一...

20、可调谐的预设空腔型SOI基片薄膜体声波谐振器及制作方法

[简介]：本技术主要内容为一种预设空腔型SOI基片薄膜体声波谐振器，涉及微电子器件领域，包括带空腔SOI基片和设置其上的压电薄膜换能器，谐振器包括压电薄膜、底电极和顶电极，谐振器电极近似椭圆形；所述带空腔SOI基片中的衬底硅片...

21、预设空腔型SOI基片薄膜体声波谐振器及制作方法

22、预设空腔型SOI基片薄膜体声波谐振器及制作方法

23、预设空腔型SOI基片薄膜体声波滤波器及制作方法

24、99.6%氧化铝陶瓷薄膜基片的抛光方法

25、99.6%氧化铝陶瓷薄膜基片的应用

26、99.6%氧化铝陶瓷薄膜基片的烧成方法

27、99.6%氧化铝陶瓷薄膜基片的制备方法

28、99.6%氧化铝陶瓷薄膜基片

29、用于在基片上沉积材料薄膜的装置和用于该装置的再生方法

30、一种用于发光薄膜荧光增强的光学玻璃基片及其制备方法

31、适用于生产涂敷薄膜的弯曲基片的工艺

32、将基片传递给用于盘形基片的薄膜形成装置的方法在该方法中使用的基片传递机构和基片托架以及使用该方法的盘形记录媒体制造方法

33、将基片传递给用于盘形基片的薄膜形成装置的方法在该方法中使用的基片传递机构和基片托架以及使用该方法的盘形记录媒体制造方法

34、使用溶胶凝胶法在基片表面制备纳米功能薄膜的装置

35、真空蒸镀制合金薄膜用SiO2基片清洗方法

36、薄膜电路产品基片处理方法

37、光波导薄膜和光基片以及它们的制造方法

38、光波导薄膜和光基片以及它们的制造方法

39、一种将薄膜黏贴到曲面基片上的方法

40、将基片传递给用于盘形基片的薄膜形成装置的方法、基片传递机构和该方法中使用的掩模以及使用该方法的盘形记录媒体制造方法

41、陶瓷基片非晶硅薄膜太阳能电池

42、陶瓷基片非晶硅薄膜太阳能电池

43、制备非晶及纳米微晶薄膜的基片低温冷却装置

44、键盘电路薄膜基片与按键一体化软性键盘

45、键盘电路单层薄膜基片及防水硅胶按键开关

46、在金属钛基片衬底上生长钛酸锶钡薄膜的方法

47、等离子体增强沉积薄膜装置的基片台

48、紧固薄膜系统和包括紧固薄膜系统及基片的组件

49、用于薄膜形成装置的基片交换单元和基片交换的方法

50、一种提高长波*光学薄膜与锗基片附着力的方法

51、在移动基片上用电子束蒸发制备立方织构Y2O3薄膜的方法

52、对基片上薄膜区域作激光结晶处理以最小化边缘区域的过程和系统及如此薄膜区域的结构

53、对基片上薄膜区域作激光结晶处理以提供本质上均匀性的工艺和系统以及这样的薄膜区域结构

54、在玻璃基片上制备稀土修饰碳纳米管-石墨烯的陶瓷复合薄膜的方法

55、在玻璃基片上制备稀土修饰碳纳米管陶瓷复合薄膜的方法

56、硅基片上制备镧钡锰氧功能薄膜的方法

57、一种新型大面积双面超导薄膜基片夹具及其应用

58、在玻璃基片上制备稀土修饰石墨烯的陶瓷复合薄膜的方法

59、在玻璃基片上制备掺杂稀土元素的陶瓷复合薄膜的方法

60、在基片上形成具有微米或纳米级空间结构的化学组合物的薄膜的方法

61、制造镀镍的铜基片的方法以及含有此基片的薄膜复合材料

62、制造镀镍的铜基片的方法以及含有此基片的薄膜复合材料

63、一种在金属镍基片上生长氧化物铁电薄膜的方法

64、从基片的处理表面上去除铜氧化物薄膜的方法

65、用于III-V族薄膜生长反应室的基片支撑座、其反应室及工艺处理方法

66、石英基片表面磷酸基硅烷碳纳米管复合薄膜的制备方法

67、有机薄膜晶体管基片旋涂设备

68、玻璃布及用其制造的薄膜基片

69、一种在Si单晶基片上制备BaTi2O5铁电薄膜的方法

70、包括具有不同结晶度的半导体薄膜的半导体器件及其基片和制作方法、以及液晶显示器及其制造方法

71、屏蔽薄膜及其制造方法、使用该薄膜的电路基片制造方法

72、一种在玻璃基片表面制备TiO2复合薄膜的方法

73、在单晶硅基片表面制备Co3O4复合薄膜的方法及用途

74、包含透明基片和漫射层的漫射薄膜

75、在玻璃基片表面磷酸基硅烷-氮化钛复合薄膜的制备方法

76、一种在玻璃基片表面制备钒酸铋复合薄膜的方法

77、防反射薄膜以及带防反射层塑料基片

78、一种玻璃基片表面磷酸基硅烷-MnO2复合薄膜的制备方法

79、一种在玻璃基片表面制备TiO2复合薄膜的方法

80、固载化DNA引导基片表面纳米二氧化钛薄膜生长的制备方法

81、P型半导体氧化锌薄膜其制备方法和使用透明基片的脉冲激光沉积方法

82、P型半导体氧化锌薄膜其制备方法和使用透明基片的脉冲激光沉积方法

83、P型半导体氧化锌薄膜其制备方法和使用透明基片的脉冲激光沉积方法

84、在玻璃基片表面制备碳纳米管复合薄膜的方法

85、玻璃基片表面磷酸基硅烷-碳纳米管复合薄膜的制备方法

86、一种在硅基片上生长单一取向的锆钛酸铅薄膜的方法

87、无基片高分子薄膜湿敏元件

88、玻璃基片表面绝缘性二氧化钛纳米薄膜的制备方法

89、玻璃基片表面氨基硅烷-稀土纳米薄膜的制备方法

90、玻璃基片表面磷酸基硅烷-稀土纳米薄膜的制备方法

91、玻璃基片表面自组装聚电解质-稀土纳米薄膜的制备方法

92、用以形成薄膜的可在基片和防镀片之间改变距离的喷镀设备

93、用以形成薄膜的可在基片和防镀片之间改变距离的喷镀设备

94、用以形成薄膜的可在基片和防镀片之间改变距离的喷镀设备

95、半导体基片和薄膜半导体部件及它们的制造方法

96、玻璃基片表面制备巯基硅烷-稀土自润滑复合薄膜的方法

97、通过温度调制在硅基片上制备铁电薄膜的方法

98、光刻胶去除剂组合物以及用该组合物形成布线结构和制造薄膜晶体管基片的方法

99、具有透明导电薄膜的基片和使用该基片的有机电致发光装置

100、大面积双面超导薄膜基片夹具

101、薄膜晶体管基片、其转移法及显示器件

102、薄膜晶体管基片、其转移法及显示器件

103、薄膜晶体管基片、其CAD程序和转移法及显示器件

104、玻璃基片表面制备磺酸基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法

105、玻璃基片表面制备巯基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法

106、复合式绝缘体上硅薄膜基片及其制作方法

107、曝光方法及利用该曝光方法制造用于液晶显示器的薄膜晶体管基片的方法

108、薄膜晶体管基片

109、薄膜晶体管、TFT基片和液晶显示器

110、布线结构、利用该布线结构的薄膜晶体管基片及其制造方法

111、多区域液晶显示器及其薄膜晶体管基片

112、薄膜晶体管基片及其制造方法

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