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沟道半导体器件,沟道半导体器件加工制造工艺方法图文全套

作者:admin    来源:金鼎工业资源网       更新时间:2021/9/6
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1、具有垂直沟道晶体管的半导体器件及其制造方法
        [简介]: 本套资料提供了具有垂直沟道晶体管的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管,其中第一场效应晶体管的沟道区域用作第二场效应晶体管的源极漏极电极,第二场效应晶体管的沟道区域用作...
2、具有垂直沟道晶体管的半导体器件及其制造方法
        [简介]: 具有局部的极薄绝缘体上硅沟道区的半导体器件。形成晶体管器件的方法包括在SOI起始衬底上形成虚拟栅极叠层结构,所述SOI衬底包括本体层、本体层上的全局BOX层和全局BOX层上的SOI层。在源极和漏极区形成完全穿过SOI导和全局...
3、具有局部的极薄绝缘体上硅沟道区的半导体器件
        [简介]: 包括沟道停止区的半导体器件。此处描述的半导体器件包括在第二导电性的沟道区域的第一侧与沟道区域邻接的第一导电类型的本体区域。第一导电类型的栅极控制区域在与第一侧相对的沟道区域的第二侧与沟道区域邻接,沟道区域...
4、包括沟道停止区的半导体器件
        [简介]: 提供一种混合沟道半导体器件,包括:第一半导体层和覆盖在所述第一半导体层上的第二半导体层,所述第一半导体层包括NMOS区域和PMOS区域,所述第一半导体层和第二半导体层中的一个对电子的传导率高于对空*的传导率,所述第...
5、混合沟道半导体器件
        [简介]: 本套资料提出了一种半导体器件,包括:半导体衬底;SiGe弛豫层,位于所述半导体衬底上;NMOS晶体管,位于所述SiGe弛豫层上;和PMOS晶体管,位于所述SiGe弛豫层上,其中,所述NMOS晶体管包括:拉应变外延层,位于所述SiGe弛豫层上,或...
6、应变半导体沟道形成方法和半导体器件
        [简介]: 一种混合沟道半导体器件及其形成方法,所述形成方法包括:提供第一半导体层,包括NMOS区域和PMOS区域,其表面覆盖有第二半导体层,它们中的一个对电子的传导率高于对空*的传导率,另一个对空*的传导率高于对电子的传导率;...
7、混合沟道半导体器件及其形成方法
        [简介]: 本套资料提出了一种应变半导体沟道形成方法,包括以下步骤:在半导体衬底上形成SiGe弛豫层;在所述SiGe弛豫层上形成电介质层,在所述电介质层上形成替代栅,所述电介质层和所述替代栅构成了替代栅结构;沉积层间介电层,对所述...
8、应变半导体沟道形成方法和半导体器件
        [简介]: 本套资料描述了包含3D沟道结构的半导体器件和用于制作这样的器件的方法。该3D沟道结构由双沟槽结构形成,该双沟槽结构包含沿x和y方向沟道延伸且被台面隔开的多个下沟槽以及沿y方向延伸且位于衬底的上部中并接近源区的上沟...
9、用于半导体器件的3D沟道结构
        [简介]: 本套资料涉及SOI基上LDMOS器件。本套资料针对现有技术的器件未成熟击穿的问题,以及漏极扩展区掺杂浓度与器件耐压的*盾,主要内容为一种绝缘衬底上的硅基p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件。本套资料的技术方案是,p沟道横向双扩...
10、p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件
        [简介]: 本套资料涉及SOI基上LDMOS器件。本套资料针对现有技术的器件未成熟击穿的问题,以及漏极扩展区掺杂浓度与器件耐压的*盾,主要内容为一种绝缘衬底上的硅基p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件。本套资料的技术方案是,p沟道横向双扩...
11、p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件
        [简介]: 本套资料涉及SOI基上LDMOS器件。本套资料针对现有技术的器件未成熟击穿的问题,以及漏极扩展区掺杂浓度与器件耐压的*盾,主要内容为一种绝缘衬底上的硅基p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件。本套资料的技术方案是,p沟道横向双扩...
12、p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件
        [简介]: 本套资料提供了凹形沟道阵列晶体管、半导体器件及其制造方法。凹形沟道阵列晶体管可以包括衬底、栅极氧化层、栅极电极和源极漏极区。衬底可以具有有源区和隔离区。凹槽可以形成在有源区中。栅极氧化层可以形成在凹槽和衬底上。...
13、凹形沟道阵列晶体管、半导体器件及其制造方法
        [简介]: 本套资料涉及制造包括垂直沟道晶体管的半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法,包括:在衬底上形成多个柱结构,在柱结构的侧壁上形成栅电极,形成在柱结构之间掩埋的牺牲层,蚀刻牺牲层和衬底以在衬底中形成沟槽,形成在...
14、制造包括垂直沟道晶体管的半导体器件的方法
        [简介]: 本套资料主要内容为一种获得垂直型沟道高压超级结半导体器件的方法,步骤一、在N+基板上进行第一次N型外延成长;步骤二、刻蚀所述N型外延层,在N型外延层上形成一定高宽比的沟槽穿通到N+基板上;步骤三、在所述沟槽中填入P型外延层...
15、获得垂直型沟道高压超级结半导体器件的方法
        [简介]: 本套资料主要内容为一种增大引入沟道中的应力的方法和半导体器件。该方法包括在半导体衬底上形成T形栅;在所述T形栅的周围形成衬层氧化物;在所述衬层氧化物的底面所定义的窗口之外的半导体衬底中形成低掺杂漏区LDD;在所述衬层...
16、增大引入沟道中的应力的方法和半导体器件
        [简介]: 提供一种能显著减少字线电阻的具有垂直沟道的晶体管的半导体器件及其制造方法。垂直沟道晶体管包括衬底,该衬底包括柱状物,每个柱状物具有对应于沟道区域的下部。在包括该柱状物的衬底上方形成栅极绝缘层。使*有低电阻...
17、具有垂直沟道晶体管的半导体器件及其制造方法
        [简介]: 本套资料涉及一种在半导体器件中制造垂直沟道晶体管的方法,其包括:在衬底上形成牺牲层;在牺牲层中形成接触孔;形成柱状物以填充接触孔。柱状物横向延伸直至牺牲层的表面,接着移除牺牲层。该方法还包括在柱状物的暴露的侧壁...
18、在半导体器件中制造垂直沟道晶体管的方法
        [简介]: 本套资料提供一种用于制造具有垂直沟道晶体管的半导体存贮器件的方法,其包括:在衬底上形成各自在其上具有硬掩模图案的多个柱状物,多个柱状物中的每一个均包括上部柱状物和下部柱状物;形成环绕下部柱状物的环绕型栅电极;...
19、具有垂直沟道晶体管的半导体器件的制造方法
        [简介]: 一种制造半导体器件中的垂直沟道晶体管的方法,包括:在衬底上形成沿第一方向和与第一方向交叉的第二方向布置的多个柱状物,其中在每个柱状物上包括硬掩模图案;在柱状物之间的衬底中形成位线区域;在每个柱状物的侧壁上形...
20、制造半导体器件中的垂直沟道晶体管的方法
        [简介]: 本套资料披露了一种沟道栅半导体器件及其制造方法,当栅极-源极泄漏特性增强时,该沟道栅半导体器件及其制造方法能够确保有足够的空余区域用于光刻处理。本套资料实施例涉及一种制造沟道栅半导体器件的方法,包括在形成于半导...
21、具有垂直沟道晶体管的半导体器件及其制造方法
22、具有垂直沟道晶体管的半导体器件及其制造方法
23、一种可降低长沟道MOS管漏电流的半导体器件制作方法
24、包括沟道层的半导体器件的制造方法
25、制造具有垂直沟道晶体管的半导体器件的方法
26、具有凹陷沟道结构的半导体器件及其制造方法
27、具有改良的槽沟道栅极的半导体器件及其制作方法
28、具有下表面沟道电荷补偿区域的半导体器件及方法
29、具有增加的沟道面积的半导体器件及其制造方法
30、具有增加的沟道面积的半导体器件及其制造方法
31、具有高沟道迁移率的碳化硅半导体器件及其制造方法
32、垂直沟道半导体器件及其制造方法
33、短沟道半导体器件加工
34、具有凹沟道结构单元晶体管的半导体器件及其制造方法
35、单栅电极对应一对沟道区的半导体器件和随机存取存储器
36、具有增加的沟道长度的半导体器件及其制造方法
37、减小半导体器件中的沟道间距
38、包括多-沟道鳍形场效应晶体管的半导体器件及其制造方法
39、具有凹进沟道与非对称结的半导体器件的制造方法
40、制造具有凹槽沟道结构的半导体器件的方法
41、具有沟道隔离的半导体器件的制造方法
42、具有沟道隔离的半导体器件的制造方法
43、制造超窄沟道半导体器件的方法
44、沟道隔离结构、具有该结构的半导体器件以及沟道隔离方法
45、具有三元化合物沟道层的半导体器件
46、半导体器件沟道终止
47、给出具有高沟道密度的半导体器件的低成本方法
48、形成沟道金属氧化物半导体器件和端子结构的方法
49、沟道金属氧化物半导体器件和端子结构
50、具有由高k保护金属层诱导的应变沟道的半导体器件
51、碳化硅水平沟道缓冲栅极半导体器件
52、半导体器件、含包围圆柱形沟道的栅的晶体管及制造方法
53、具有导电性较高的非穿通型半导体沟道的半导体器件及制造方法
54、具有导电性提高的非穿通半导体沟道的半导体器件及其制造方法
55、具有鞍鳍形沟道的半导体器件及其制造方法
56、缩短沟道长度的半导体器件
57、具有鳍结构沟道的半导体器件及其制造方法
58、具有垂直沟道的存取器件和相关半导体器件以及制备存取器件的方法
59、制造具有垂直沟道的半导体器件的方法
60、具有球形凹入沟道的半导体器件的制造方法
61、用栅电极易处置隔层形成单边缓变沟道半导体器件的方法
62、用栅电极易处置隔层形成单边缓变沟道半导体器件的方法
63、包括具有超晶格沟道的浮栅存储单元的半导体器件及相关方法
64、具有垂直沟道的半导体器件及其制造方法
65、注入磷形成补偿的器件沟道区的半导体器件的制造方法
66、具有竖直型沟道的半导体器件及其制造方法
67、具有凹形沟道的半导体器件的形成方法
68、具有垂直沟道的半导体器件及其制造方法
69、包括具有非半导体单层的沟道的半导体器件及其相关方法
70、具有锥型沟道的半导体器件的制造方法
71、具有圆形形状的纳米线晶体管沟道的半导体器件及其制造方法
72、具有条形沟道的半导体器件及制造该器件的方法
73、具有不同晶体沟道生长方向的半导体器件的制造方法
74、具有多组分氧化物制备的沟道的半导体器件
75、具有包含二元氧化物的混合物的沟道的半导体器件
76、具有包括多成分金属氧化物的沟道的半导体器件
77、具有包括多成分氧化物的沟道的半导体器件
78、具有包括多组分氧化物的沟道的半导体器件
79、通过氟化硼化合物掺杂而制造具有超浅超陡反向表面沟道的半导体器件的方法
80、具有超浅超陡反向表面沟道的半导体器件的制备方法

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