【新版】

降低漏电流,降低漏电流加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

开本：16开
资料形式：DVD/U盘/电子版正文语种: 简体中文
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分类：专业技术
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1、降低中高压化成箔漏电流的化成处理方法

[简介]：本套资料主要内容为一种降低中高压化成箔漏电流的化成处理方法，包括将铝箔在水中浸后置于已二酸盐水溶液中，进行一级化成，之后进行第一次水洗，然后将铝箔置于已二酸盐水溶液中，进行二级化成、第二次水洗，再铝箔置于已二酸盐水...

2、降低中高压化成箔漏电流的化成处理方法

[简介]：本套资料主要内容为一种降低低压化成箔漏电流的化成处理方法：将铝箔置于0.5~2%己二酸盐水溶液中，在40—60℃的条件下浸渍3分钟；取出置于3~10%的己二酸盐的水溶液中，在65-80℃、20mA（cm）2、48V的条件下，化成20分钟；取出水洗；在1~8...

3、降低低压化成箔漏电流的化成处理方法

[简介]：本套资料公开一种降低钽电容器漏电流值的烧结方法，将熔点较低、且其本身或氧化物易与水或酸反应的金属作为脱氧剂和经过压制和烧结的钽块放在真空烧结炉中烧结。在烧结过程中，真空度始终大于2吆-3Torr，烧结温度介于700~11...

4、一种降低钽电容器漏电流值的烧结方法

[简介]：本技术涉及一种降低漏电流的电路，包括第一金氧半场效应管和第二金氧半场效应管，所述第一金氧半场效应管的栅极与第二金氧半场效应管的漏极相连；所述第一金氧半场效应管和第二金氧半场效应管的源极均接地；所述第一金...

5、降低漏电流的电路

[简介]：本套资料涉及一种降低漏电流的电路，包括第一金氧半场效应管和第二金氧半场效应管，所述第一金氧半场效应管的栅极与第二金氧半场效应管的漏极相连；所述第一金氧半场效应管和第二金氧半场效应管的源极均接地；所述第一金氧半...

6、降低漏电流的电路

[简介]：本套资料提供了一种降低电气设备漏电流的方法及其电气设备，其采用一三相Y型交流电源进行供电，其中性点直接耦接至接地电压，包括：一功率器件单元，包括多个功率开关；一接地等电位端，用于提供所述功率开关在工作过程中所产生...

7、一种降低电气设备漏电流的方法及其电气设备

[简介]：本套资料提供一种降低半导体芯片漏电流的方法，包括以下步骤：生产芯片；设定漏电流标准值；测量所述芯片的实际漏电流；判断所述实际漏电流是否大于所述漏电流标准值，若否，则芯片合格，不做处理，若是，则将所述芯片置于一扩散炉...

8、降低半导体芯片漏电流的方法

[简介]：本套资料主要内容为一种降低铝电解电容器漏电流流量的方法，包括老化工序和电解液配制，所述老化工序：采用脉冲老化工艺；所述电解液配制步骤：将溶剂加热至120℃，再加入溶质，然后加热至120-130℃之间，搅拌溶解后，再加入各种添加剂...

9、降低铝电解电容器漏电流流量的方法

[简介]：第1共模变压器1以及第2共模变压器2的三相的各绕组11～13以及21～23经由连接线8r～8t被串联连接，绕组11～13用连接线91r～91t与未图示的交流电源连接，绕组21～23用连接线93r～93t经由未图示的变流器以及逆变器与三相电机连接。用...

10、漏电流降低装置

[简介]：本套资料主要内容为一种降低浅掺杂漏PN结漏电流的MOS晶体管的制作方法，该方法包括：在半导体衬底表面上形成栅极结构；在栅极结构两侧的半导体衬底上进行浅掺杂漏LDD注入；在栅极结构的两侧形成侧墙，在侧墙两侧的半导体衬底上进...

11、降低浅掺杂漏PN结漏电流的MOS晶体管的制作方法

[简介]：本套资料为一种利用所产生的空乏区降低逆向漏电流的萧特基二极管结构，具有一第一导电性材料半导体基板及与其结合的一金属层，在第一导电性材料半导体与金属层结合的周缘具有一氧化层，其中，该第一导电性材料半导体基板于邻...

12、利用所产生的空乏区降低逆向漏电流的萧特基二极管结构

[简介]：本技术为一种利用所产生的空乏区降低逆向漏电流的萧特基二极管结构，具有一第一导电性材料半导体基板及与其结合的一金属层，在第一导电性材料半导体与金属层结合的周缘具有一氧化层，其中，该第一导电性材料半导体基板...

13、利用所产生的空乏区降低逆向漏电流的萧特基二极管结构

[简介]：本套资料提供了一种降低薄膜电池漏电流的方法，该方法是：在PIN层上开设凹槽，该凹槽用于沉积与透明导电极层相电连接的背电极层，所述PIN层包括沉积的P型掺杂Si层；在凹槽的侧壁上沉积用于防止隧道电流从背电极层直接流入所述...

14、一种降低薄膜电池漏电流的方法及薄膜电池

[简介]：本套资料涉及电荷泵以及能降低漏电流的充放电方法。该电荷泵，包含一第一晶体管、一第二晶体管、一第一选择器、一第二选择器以及一第三选择器。该第一晶体管包含一第一栅极、一第一电极以及一第二电极。该第二晶体管包含一第二栅...

15、电荷泵以及能降低漏电流的充放电方法

[简介]：本套资料提出了一种降低漏电流的电平转换器。本套资料关于一种电平转换电路，特别关于一种可降低漏电流及功率损耗的电平转换电路。在一个至多个实施例中，提供一种方法、装置和电脑程序产品，通过最小化耦合至改进的电平转换电路...

16、降低漏电流的电平转换器

[简介]：本套资料提供一种降低存储器漏电流的方法。在存储器开机时，执行备用栏位检测，以找出存储器的损坏存储单元。接着根据备用栏位检测结果，切断损坏存储单元与预充电电压源间的电流路径。如此，当存储器在预充电时，损坏存储单元的...

17、降低存储器漏电流的方法与存储器存取方法

[简介]：一种可降低存储器漏电流的方法及其相关装置，包含有提供一第一电压给主字线驱动装置；提供一电压值高于第一电压的第二电压给区字线驱动装置；以及于区字线驱动装置中使用一绝对阈值电压高于一特定值的一晶体管。

18、可降低存储器漏电流的方法及其相关装置

[简介]：本套资料有关一种降低栅极漏电流并控制启始电压偏移量的方法和一种互补式金属氧化物半导体装置，该方法在基底上的P型金属氧化物半导体PMOS区及N型金属氧化物半导体NMOS区进行第一离子注入工艺，以于栅极介电层内或半导...

19、降低栅极漏电流并控制启始电压偏移量的方法及装置

[简介]：本套资料提供一种降低存储器漏电流的方法，适用于一存储器，此存储器包括：存储单元memorycell、等位电路、限流单元currentlimiter、字线与一对互补位线。当存储单元进入预充电模式后，等位电路与限流单元正常操作以对此对...

20、降低存储器漏电流的方法

[简介]：本套资料提供了一种可降低长沟道MOS管漏电流的半导体器件制作方法，该半导体器件包括长沟道MOS管和短沟道MOS管，其制作在已制成场隔离区的硅衬底上。现有技术中采用高能量和高剂量的单步晕注入工艺致使所制成的晕注入结构与...

21、一种可降低漏电流的氮化硅制作方法

22、一种可降低漏电流的氮化硅制作方法

23、降低半导体电容的漏电流的方法与相关的装置

24、降低漏电流的液晶显示器

25、降低铝电解电容器用电极箔漏电流的化成方法

26、降低半导体装置的漏电流的方法以及半导体装置

27、可降低光漏电流的薄膜晶体管显示组件及其制造方法

28、降低铜双镶嵌工艺线间漏电流的方法

29、降低薄膜晶体管基板表面漏电流的方法

30、半导体器件中降低栅致漏极漏电流

31、可降低漏电流的CMOS图像感测器

32、有降低漏电流的晶体管的半导体器件及其制造方法

33、泄漏电流降低装置

34、泄漏电流降低装置

35、抑制晶体缺陷、降低漏电流的器件隔离膜形成方法

36、时序电路中泄漏电流的降低

37、半导体集成电路及泄漏电流降低方法

38、降低位线的泄漏电流

39、用于降低的接地泄漏电流和晶体管保护的可变频率驱动系统装置和方法

40、降低栅致漏极泄漏电流的集成电路驱动电路及操作方法

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