【新版】

槽式电容器,沟槽式电容器加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

开本：16开
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可否打印：是装帧: 平装
分类：专业技术
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1、一种用于电容器的带槽式塑料外壳

[简介]：本技术涉及一种用于电容器的带槽式塑料外壳，包括筒形壳体，在所述筒形壳体的内部形成用于放置电容器芯的空腔，特征是：在所述壳体的内壁上设有用于安装固定电容器内部元器件的定位槽。所述定位槽为沿壳体的内壁纵向设...

2、一种用于电容器的带槽式塑料外壳

[简介]：一种槽式电容器型半导体存储器，包括半导体衬底，该衬底带有槽和第一和第二杂质扩散源／漏区，埋置于槽中的电容器电极，在半导体衬底内且与电容器电极的下部相邻的衬底侧电容器电极和电容器绝缘层，在半导体衬底与电容器电极...

3、高可靠性的槽式电容器型存储器单元

[简介]：一种形成瓶式沟槽的方法及形成瓶式沟槽电容器的方法，形成瓶式沟槽的方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底内形成有沟槽；在沟槽顶部至预定位置的侧壁形成湿法刻蚀阻挡层，所述湿法刻蚀阻挡层的材料为氮化硅或二氧化硅；以湿...

4、形成瓶式沟槽以及瓶式沟槽电容器的方法

[简介]：本套资料涉及一种半导体装置及其制造方法，其中所述半导体装置具有布置在衬底1上的集成电路2。所述集成电路2构造在所述衬底的前面且至少一个电容器20连接到所述集成电路，其特征在于，所述至少一个电容器被设计为沟...

5、具有沟槽式电容器的半导体装置及其制造方法

[简介]：本套资料提供一种瓶形沟槽及瓶形沟槽式电容器的制造方法，该方法包括：提供衬底；在衬底中形成沟槽，该沟槽具有侧壁和底部，沟槽具有与衬底顶表面相邻的上部区域和与沟槽底部相邻的下部区域；在沟槽的底部区域形成衬底氧化层；...

6、瓶形沟槽及瓶形沟槽式电容器的制造方法

[简介]：本套资料提供一种沟槽式电容器及其制造工艺，它利用在内电极层外形成一粗糙多晶硅层，接着，再形成一介电层覆盖在粗糙多晶硅层上，再填入外电极层，本套资料是利用粗糙多晶硅层具有较大表面积的特性，使得介电层与内电极层间的接...

7、沟槽式电容器及其制造工艺

[简介]：一种固体电解电容器，具有一形成于压制的阳极的电容器主体、一介电层以及以固体电解质层。阳极引线从阳极球团延伸出来并且电气连接至阳极端子。电容器主体的外表面形成于阴极并电气连接至阴极端子。阳极和阴极端子部分基座...

8、具有凹槽式引线框沟道的电解电容器组件及其制作方法

[简介]：一种埋入式沟槽电容器及其制造方法。其方法系在沟槽下部的基底中形成一埋入电极区，再在埋入电极区暴露出的表面形成第一掩模层。之后，进行自匮乏原子层沉积制作工艺，以便在第一掩模层以外的沟槽表面形成第二掩模层。随后，...

9、埋入式沟槽电容器及其制造方法

[简介]：一种沟槽式电容器，此沟槽式电容器是由下电极、上电极与介电层所构成。下电极设置在基底中，且下电极是由下电极本体与多个第一突出部所构成。第一突出部的一末端连接下电极本体，第一突出部的另一末端从下电极朝一第一方向延...

10、沟槽式电容器的结构及其制造方法

[简介]：瓶形沟槽式电容器，其具有拓展的沟槽下部，在该拓展的沟槽下部内有ｅｐｉ层。该ｅｐｉ层起沟槽式电容器的隐埋极板的作用。一个扩散区包围拓展的沟槽下部，用以增强ｅｐｉ层的掺杂剂浓度。扩散区例如是通过汽相掺杂、等离子体掺杂或等离...

11、带有外延隐埋层的瓶形沟槽式电容器

[简介]：沟槽式电容器，其在沟槽的下部内有epi层。该epi层起沟槽式电容器的隐埋极板的作用。一个扩散区包围沟槽的下部，用以增强epi层的掺杂剂浓度。扩散区例如是通过汽相掺杂、等离子体掺杂或等离子体浸没离子注入法形成的。

12、带有外延隐埋层的沟槽式电容器

[简介]：本套资料提供一沟槽电容器，特别用于半导体存储器单元（１００），具有在衬底（１０１）上形成的绝缘环（１６８）和沟槽（１０８）；在所述沟槽（１０８）的上部形成所述绝缘环（１６８）；可选的掩埋板（１６５）在沟槽（１０８）下部周围的衬底区作为第一电容器极板...

13、带有绝缘环的沟槽式电容器和相应的制造方法

[简介]：主要内容为一种在衬底内形成包括掩埋板的沟槽式电容器的方法。包括在衬底内形成沟槽。沟槽具有沟槽内表面。还包括在沟槽内形成氧化物轴环。氧化物轴环覆盖沟槽内表面的第一部分，留下沟槽内表面的第二部分未由氧化轴环覆盖。还包...

14、在集成电路中形成沟槽式电容器的改进技术

[简介]：一种用ＢＳＧ在半导体衬底上形成沟槽的改进方法，包括：（ａ）提供半导体衬底；（ｂ）在该衬底上施加硼硅（酸盐）玻璃（ＢＳＧ）的共形层；（ｃ）在ＢＳＧ层上形成已制作图形的光致抗蚀层，暴露光致抗蚀层下面的部分底层；（ｄ）穿透所述底层的暴露部...

15、用易处理的硬掩模制作沟槽式电容器

[简介]：动态单晶体管读写存储单元采用槽式电容器以增加电荷存储量.槽蚀刻在与N+位线相似的扩散N+电容器层的硅片表面上然后在位线和电容器层上生长一层厚的氧化膜而不是在槽中在达到最大槽深的最终蚀刻之前利用在部分蚀...

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