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消除半导体,晶片加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

开本：16开
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分类：专业技术
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1、在角应力消除区域上方具有探针焊盘的半导体芯片

[简介]：在角应力消除区域上方具有探针焊盘的半导体芯片包括：电路区域和角应力消除CSR区域。CSR区域位于半导体芯片的角部。被测器件DUT或功能电路被设置在电路区域上方。探针焊盘被设置在CSR区域上方。金属线从电路区域延伸到...

2、在角应力消除区域上方具有探针焊盘的半导体芯片

[简介]：本套资料涉及一种加快半导体加工硅晶片消除静电吸附作用的方法，这里是专指半导体硅晶片加工时以金属铝作为连接导体时，其采用中音频高压可以加快半导体加工硅晶片消除静电吸附作用，较佳地，硅晶片的直径为300mm，硅晶片下面...

3、加快半导体加工硅晶片消除静电吸附作用的方法

[简介]：本套资料属于半导体加工工艺，尤其涉及一种消除半导体硅晶片表面应力的方法，其特征是：在初加工后的硅片表面划出损伤应力环。本套资料的有益效果：通过制作损伤应力环，可有效地减少并除去硅晶片表面应力，避免晶片出现滑移线、位...

4、消除半导体硅晶片表面应力的方法

[简介]：本套资料公开一种消除半导体晶片边缘区图形缺陷的方法，本套资料方法的特征是，在对形成光刻胶图形的显影工艺步骤之后增加了用溶剂清洗半导体晶片边缘的工艺步骤。消除了半导体晶片边缘区中的收缩变形图形，防止了在随后进行的...

5、消除半导体晶片边缘区图形缺陷的方法

[简介]：本套资料是有关于一种降低或消除漏电的半导体结构及方法，一种在最佳化光电二极管的灵敏度时，用以降低或消除于固定光电二极管与同时制造的浅沟渠隔离STI结构间的漏电的方法与系统。本方法至少包括：一系统，具有植入于P型...

6、降低或消除漏电的半导体结构及方法

[简介]：提供一种ISI消除电路，包括：存储单元，用于存储与接收信号相关的ISI值；运算器，用于通过从接收信号中减去ISI值来产生运算器输出信号；以及比较器，用于响应运算模式来操作运算器输出信号。还提供了一种用于消除ISI的方法，包...

7、消除半导体存储器设备中的符号间干扰的装置及其方法

[简介]：一种可消除内在像素固定噪声的对数极式的互补式金氧半导体影像传感器，具有第一至第四晶体管、光二极管以及电流源。其中第一晶体管栅极端与第一连接端耦接于第一节点，第一节点耦接最高电压。第二晶体管栅极端与第一晶体管...

8、可消除像素噪声的对数极式互补式金氧半导体影像传感器

[简介]：本套资料涉及一种半导体层中的缺陷消除方法，一种消除与将原子物种注入到被转移到受主衬底（2）上的半导体层（10）中相关的缺陷的方法，其中，半导体层（10）通过热传导率低于被转移半导体层（10）的热传导率的层（3，3’）而与受主衬底...

9、半导体层中的缺陷消除方法

[简介]：一种可消除机械应力的大功率半导体组件1，包括一个基片4和管壳6，具有一个与基片4连接的套管2a，2b和至少一个插入该套管2a，2b中的导电销3，该导电销用来实现与一块印刷电路板5的电连接，而该印刷电路板则与...

10、可消除机械应力的大功率半导体组件

[简介]：本套资料提供了一种消除栅极侧壁再沉积的方法和半导体器件。根据本套资料的消除栅极侧壁再沉积的方法包括：栅极侧壁杂质刻蚀步骤，用于通过硬掩膜尺寸调整在刻蚀过程中去除栅极侧壁杂质。根据本套资料的消除栅极侧壁再沉积的方法...

11、消除栅极侧壁再沉积的方法和半导体器件

[简介]：本套资料提供了一种消除栅极侧壁再沉积的方法和半导体器件。根据本套资料的消除栅极侧壁再沉积的方法包括：栅极侧壁杂质剥离步骤，用于将栅极侧壁杂质从栅极侧壁剥离出去，并且其中，所述栅极侧壁杂质剥离步骤包括一个栅极金属...

12、消除栅极侧壁再沉积的方法和半导体器件

[简介]：提供一种绝缘体上硅薄膜（SOI）集成电路以及一种制造SOI集成电路的方法。至少一个隔离的晶体管有源区和一体线形成在SOI衬底上。晶体管有源区和体线由与SOI衬底的埋式绝缘层接触的隔离层包围。晶体管有源区侧壁的一部分延伸...

13、用于消除浮体效应的SOI半导体集成电路及其制造方法

[简介]：本套资料涉及形成柔性应力消除缓冲区的半导体器件和方法。半导体器件具有在指定用于凸点形成的位置处安装到暂时衬底的应力消除缓冲区。应力消除缓冲区可以是多层复合材料，诸如第一柔性层、在所述第一柔性层上形成的硅层以及...

14、形成柔性应力消除缓冲区的半导体器件和方法

[简介]：一种在半导体处理工序中减少或消除电弧，即，晶片26表面介*穿的方法与装置，包括控制晶片26两面的电压，以使电弧或介*穿不会发生。利用本套资料中的静电电极50并控制特定的吸附电压，晶片两面电压保持低于阈值电压...

15、半导体晶片处理过程中消除晶片电弧的方法与装置

[简介]：一种消除半导体器件表面缺陷的方法及半导体器件，其中所述消除半导体器件表面缺陷的方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有掺杂的多晶硅层，所述多晶硅层的表面附着有杂质；在所述多晶硅层上形成氧化物牺牲层...

16、消除半导体器件表面缺陷的方法及半导体器件

[简介]：本套资料涉及消除半导体材料缺陷的方法。使用氦低温保持器，用24小时将衬底晶片的温度降至2.2开尔文。均温段将使衬底晶片的温度在2.2开尔文保持96小时。在该温度，诸如GaAs、InP和GaP等合金将形成偶极分子矩，其在分子键缩短时...

17、消除半导体材料缺陷的方法

[简介]：使用氦低温保持器，用24小时将衬底晶片的温度降至2.2开尔文。均温段将使衬底晶片的温度在2.2开尔文保持96小时。在该温度，诸如GaAs、InP和GaP等合金将形成偶极分子矩，其在分子键缩短时沿着内磁力线重新对齐。用24小时使衬底...

18、消除半导体材料缺陷的方法

[简介]：本套资料提供一种多层线键合半导体器件的封装方法。该方法包括只穿过每层的多个导体中的至少两个导体的一部分施加绝缘材料，其中所述多个导体提供多层线键合半导体器件中的元件之间的互连。该方法还包括封装导体和元件，由此...

19、减少或消除半导体器件布线偏移的方法及用其制造的器件

[简介]：提供一种封装半导体器件的方法。该方法包括：仅在多个导体中的至少两个导体的一部分上施加绝缘材料，所述多个导体在半导体器件中的元件之间提供互连。该方法还包括密封导体和元件，由此封装半导体器件。

20、用于减小或消除半导体器件引线偏移的系统和方法

[简介]：本套资料提供了一种手持式半导体激光主动夜视仪红曝消除方法，适用于半导体激光主动夜视仪，属于激光夜视技术领域。本套资料主要针对近*半导体激光夜间探测存在的红曝问题，其特征在于：采用915nm半导体脉冲激光器主动照明光...

21、消除半导体压降和漏电流装置

22、消除半导体压降和漏电流装置

23、半导体元件的阻挡层孔洞消除方法

24、半导体制冷型眼睛疲劳消除仪

25、多值型半导体存储器件及其错误消除方法

26、消除半导体层制造缺陷的方法

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