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功率晶体,功率晶体管加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

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分类：专业技术
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1、一种通过改变互联条宽窄而提升功率的晶体硅组件

[简介]：本技术涉及一种通过改变互联条宽窄而提升功率的晶体硅组件，该组件包括多片电池片、互联条，所述的电池片设有主栅线，所述的电池片的主栅线通过互联条串联起来，所述的互联条的宽度比主栅线宽度小0.1～0.3mm。与现有技术...

2、一种通过改变互联条宽窄而提升功率的晶体硅组件

[简介]：本套资料主要内容为一种测量非线性晶体热功率大小的装置，包括非线性晶体、温度传感器、智能模块、控温电源、控温炉和示波器。非线性晶体放置于控温炉内部，工作于某一设定的温度T1条件下，起到激光变频的作用；温度传感器用于测量非...

3、一种测量非线性晶体热功率大小的装置

[简介]：实现高峰值功率输出的电光晶体透镜调Q谐振腔属于激光技术领域。现有技术采用电光晶体Q开关，与偏振器件结合，当峰值功率达到一定高度时，电光晶体Q开关消光比严重降低，电光晶体的偏振特性丧失，不能获得高能量激光输出。本发...

4、实现高峰值功率输出的电光晶体透镜调Q谐振腔

[简介]：本技术主要内容为一种功率电晶体的封装构造，其包括有：一承载板；一功率电晶体，包括有：一基板，包括有一第一表面及一第二表面，并以该第一表面的方向与该承载板连接；至少一源极，设置于该基板的第一表面；及至少一闸极，设置...

5、功率电晶体的封装构造

[简介]：本技术主要内容为一种功率晶体、散热器和印刷线路板的装配结构，要解决的技术问题是降低散热器和功率晶体在印刷线路板上的装配高度，以实现降低产品整体高度、产品超薄的目的。为解决上述技术问题，本实用新型采用以下技术方...

6、功率晶体、散热器和印刷线路板的装配结构

[简介]：本技术封装前的焊线架结构主要由晶粒座、第一焊接区、有效焊接面积大于第一焊接区的第二焊接区、支撑晶粒座的支架，并利用此焊线架结构完成封装的本实用新型半导体功率晶体封装结构。虽然在本实用新型封装前的焊线架结...

7、封装前的焊线架结构及其半导体功率晶体封装结构

[简介]：本技术半导体功率晶体的焊线结构，其主要用于小外观smalloutline封装的半导体功率晶体，且小外观导线架为共平面型。在本实用新型焊线结构中，导线架、功率晶体、金焊线等仍与已有技术没太大差异，但改用铝带和铜带其中...

8、半导体功率晶体的焊线结构

[简介]：本文公开的实施例描述了一种基于对经过激励晶体管的电流的了解和对跨激励晶体管的电压的连续观察，通过预测激励晶体管的功率耗散，功率控制器对LED灯系统的开关功率变换器中的激励晶体管的不安全操作状态进行监视的方法...

9、用于功率开关晶体管的电流吸收功能的功率耗散*

[简介]：本套资料提出一种具有静电防护的功率晶体管元件与使用该功率晶体管元件的低压差稳压器lowdropouegulator，LDO。其中，具有静电防护的功率晶体管元件包含：P型金属氧化物半导体P-typemetaloxidesemiconductor，PMOS...

10、具有静电防护的功率晶体管元件与使用该功率晶体管元件的低压差稳压器

[简介]：一种垂直功率晶体管器件，包括：衬底（100），其由III-V族半导体材料形成；和多层堆叠（116），其至少部分地容纳在所述衬底（100）中。所述多层堆叠包括：半绝缘层（108），其邻近所述衬底（100）设置；和第一层（110），其由第一III-V族半导...

11、垂直功率晶体管器件、半导体管芯及制造垂直功率晶体管器件的方法

[简介]：一种晶体管10，如DMOS晶体管，形成在具有用于形成沟道40的第一表面19的半导体衬底12上。覆盖沟道第一部分的栅介质22具有第一厚度，介质膜20覆盖沟道的第二部分并具有大于第一厚度的第二厚度。该第二厚度减小了...

12、垂直MOS功率晶体

[简介]：本套资料涉及包括功率晶体管和辅助晶体管的集成电路。在集成电路的一个实施例中，集成电路包括具有功率控制端子、第一功率负载端子和第二功率负载端子的功率晶体管。集成电路进一步包括具有辅助控制端子、第一辅助负载端子和...

13、包括功率晶体管和辅助晶体管的集成电路

[简介]：一种封装的RF功率器件包括：晶体管，其具有控制端子和输出端子并且被配置成以基本工作频率进行工作；RF信号输入引线，其耦合到控制端子；以及RF信号输出引线，其耦合到输出端子。谐波降低器耦合到该晶体管的控制端子和或输出...

14、内部谐波频率降低的RF功率晶体管封装以及形成内部谐波频率降低的RF功率晶体管封装的方法

[简介]：本套资料涉及具有宽带隙功率晶体管的机动车功率电子器件。提供一种机动车功率电子器件系统。所述机动车功率电子器件系统包括支撑构件和安装到所述支撑构件上的至少一个电子模。所述至少一个电子模上形成有集成电路，所述集成...

15、具有宽带隙功率晶体管的机动车功率电子器件

[简介]：本技术涉及一种LED晶体，具体说是一种用于工矿、石油等行业的大功率LED晶体，其特征在于：包括基材和以及位于基材上表面有数个*柱结构组成的晶体单元，所述*柱结构包括一个第一倾斜面和一个第二倾斜面组成的等腰...

16、大功率LED晶体

[简介]：本文公开的实施方式描述了开关功率变换器在开关功率变换器的不同操作模式之间的动态控制。在一个实施方式中，开关功率变换器的操作模式包括开关模式和线性模式。开关功率变换器根据一个实施方式可以被包括LED灯系统中。

17、功率开关双极结型晶体管的动态控制

[简介]：本套资料涉及一种半导体器件的制备方法，更确切的说，本套资料旨在提供一种防止沟槽式功率MOS晶体管体效应的工艺制备方法。主要是增加一道接触孔掺杂工艺，以保证接触孔下方一定范围内和体区掺杂同型。即当发生工艺偏差导致接触...

18、防止沟槽式功率MOS晶体管体效应的工艺制备方法

[简介]：本套资料涉及功率晶体管。一种单元场具有边缘和中心，各个器件单元被并联连接。第一类型的器件单元具有带有第一尺寸的本体区域和在本体区域中实现的、带有第二尺寸的源极区域，并且第二类型的器件单元具有第一尺寸的并且其中...

19、功率晶体管

[简介]：本套资料涉及功率晶体管中的电流测量，其中，一种电路装置包括负载晶体管和传感晶体管。负载晶体管的第一负载端子与传感晶体管的第一负载端子耦接。一种测量电路包括被配置为提供校准电流的电流源，该测量电路被配置为在传感...

20、功率晶体管中的电流测量

[简介]：本技术揭示了一种用于驱动功率晶体管的驱动电路。该驱动电路包括转换器，该转换器包括串联在电源端和参考端之间的第一晶体管和第二晶体管，用于接收第一信号并且根据该第一信号产生第二信号，从而基于所述第一晶体管的...

21、自对准超结功率晶体管的制作方法

22、自对准超结功率晶体管的制作方法

23、具有薄栅极氧化层和低栅极电荷的集成MOS功率晶体管

24、一种大功率小型封装功率晶体管

25、大功率CO2激光照射下倍频晶体的自动调节装置

26、具有可控反向二极管的功率晶体管

27、预测在车辆逆变器功率模块中的晶体管温度以及相关的操作方法

28、光子晶体波导全偏振态整数比功率分配器

29、具有超薄封装的高性能功率晶体管

30、功率金氧半导体场效晶体管

31、功率晶体管器件垂直集成

32、具有超级结的功率晶体管组件的制作方法

33、功率晶体管组件的制作方法

34、氮化镓功率晶体管三电平驱动方法

35、具有谐振晶体管栅极的功率场效应晶体管

36、一种PCB板用压装功率晶体管

37、减小沟槽型功率晶体管沟槽内多晶硅顶端V型槽的方法

38、沟槽式功率MOS晶体管的结构及其制造方法

39、沟槽式功率MOS晶体管的结构及其制造方法

40、功率晶体管芯片小单元和双极型NPN功率晶体管芯片

41、沟槽式功率金氧半场效晶体管的制作方法

42、沟槽式功率金氧半场效晶体管的制作方法

43、功率晶体管的制造方法

44、功率晶体管的制作方法

45、隔离型功率晶体管的制造方法

46、一种功率晶体管芯片保护结构

47、沟槽型功率MOS晶体管的制备方法

48、内建增强型金氧半场效晶体管的功率晶体管芯片及其应用电路

49、具有超级介面的功率晶体管的制作方法

50、具有低栅漏极间电容的沟渠式功率晶体管

51、台面工艺功率晶体管芯片结构

52、台面工艺功率晶体管芯片结构和实施方法

53、带悬浮*区的功率晶体管

54、一种功率晶体管散热装置

55、内建启动晶体管的功率晶体管芯片及其应用电路

56、一种表面贴装型功率晶体管模块

57、一种非对称结构的功率MOS晶体管及其阵列

58、沟槽型功率晶体管及其制作方法

59、电源转换器及其功率晶体管的栅极驱动器

60、KDP晶体高功率激光体损伤三维测量方法

61、一种绝缘栅双极型晶体管的功率模块

62、一种绝缘栅双极型晶体管的功率模块

63、一种耗尽型功率场效应晶体管及其制备方法

64、硅PNP型高频小功率晶体管

65、内嵌沟渠式井区电场屏护功率金氧半场效晶体管结构

66、一种铜线结构的功率晶体管

67、沟槽式P型金属氧化物半导体功率晶体管制造方法

68、用于功率金属氧化物晶体管芯片的缺陷失效定位方法

69、改进型MOS功率晶体管

70、一种具有高抗振能力的功率晶体管

71、一种功率双极型晶体管及其制备方法

72、具有断开控制的功率晶体管及用于操作的方法

73、平面型功率MOS晶体管及其制造方法

74、用于控制功率晶体管的器件

75、沟槽型功率晶体管组件及其制作方法

76、一种高保真末级功率放大电路及晶体管高保真扩音器

77、包括使用常通场效应晶体管的逆变器模块的功率转换器

78、沟槽型功率晶体管中副产物的清洗方法

79、整合肖特基二极管与功率晶体管于基材的制造方法

80、一种沟槽型功率MOS晶体管的制造方法

81、深沟槽功率半导体场效应晶体管及其制作方法

82、深沟槽功率半导体场效应晶体管及其制作方法

83、晶体管及其制造方法以及功率转换系统

84、功率MOS晶体管的终端结构及其制造方法

85、沟槽型双层栅功率MOS晶体管的制备方法

86、沟槽型双层栅功率MOS晶体管的制备方法

87、常关型场效应晶体管及其制造方法和编程功率场效应晶体管的方法

88、用于通过预确定的部分块的组合构造具有不同功率的垂直的功率晶体管的方法

89、功率MOS晶体管的结构及其制备方法

90、集成有肖特基二极管的功率MOS晶体管器件的制造方法

91、功率电晶体结构

92、具有超级接口的沟槽型功率晶体管组件及其制作方法

93、沟槽型功率晶体管组件及其制作方法

94、具有超级接口的功率晶体管组件及其制作方法

95、小线宽沟槽式功率MOS晶体管及制造方法

96、功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的器件及制造方法

97、功率金氧半导体场效晶体管的制造方法

98、一种具有倾斜表面漂移区的横向功率晶体管

99、功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的工艺方法

100、一种铜线结构的功率晶体管

101、功率晶体管组件及其制作方法

102、功率晶体管组件及其制作方法

103、用于SPU和STOG良好性能的功率晶体管的布局和焊盘布图规划

104、改善贮存时间Ts一致性的功率晶体管制造方法

105、集成有感应晶体管的分立功率金属氧化物半导体场效应晶体管

106、一种低失真变压器输出的晶体管音频功率放大电路

107、一种低失真变压器输出的晶体管音频功率放大电路

108、功率晶体管组件及其制作方法

109、一种低导通电阻的功率MOS晶体管器件及其制备方法

110、晶体管功率开关器件及测量其特性的方法

111、包括具有不同开启功率水平的并联晶体管放大器组的集成电路

112、功率绝缘栅型场效应晶体管

113、使用升压时钟的单功率晶体管电池充电电路

114、低米勒电容的超级接面功率晶体管制造方法

115、内建结型场效应晶体管的功率晶体管芯片及其应用电路

116、具有低米勒电容的超级介面的功率晶体管及其制作方法

117、功率晶体管引线框架带材的成型方法

118、用于功率转换器的具节能的晶体管闸极驱动电路

119、功率MOS晶体管的制造方法

120、功率MOS晶体管的制造方法

121、光子晶体T形功率分配器

122、光子晶体T形功率分配器

123、LDMOS晶体管及其制造方法和功率场效应晶体管

124、具有低功率模式的晶体振荡器

125、超结功率晶体管结构及其制作方法

126、沟槽型功率MOS晶体管及利用其的集成电路

127、功率晶体管结构及其制作方法

128、一种栅增强功率半导体场效应晶体管

129、具保护沟道的功率晶体管

130、功率金属氧化物半导体场效晶体管结构

131、功率金属氧化物半导体场效晶体管结构及其制程方法

132、功率MOS晶体管与肖特基二极管的集成方法及结构

133、一种具有倾斜表面漂移区的绝缘体上硅横向功率晶体管

134、功率MOS晶体管中接触孔隔离层的制备方法

135、功率MOS晶体管器件及包括其的开关装置

136、一种适用于汽车电子的功率MOS场效应晶体管

137、一种功率场效应晶体管及其布图方法

138、使用常通场效应晶体管的电流源功率转换器

139、自对准内嵌肖特基结的功率半导体场效应晶体管

140、自对准内嵌肖特基结的功率半导体场效应晶体管

141、超高密度功率沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管

142、超高密度功率沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管

143、功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制作方法

144、汽车电子用硅PNP型高频高速低压降高增益功率晶体管

145、功率金氧半场效应晶体管的布局结构

146、功率晶体管在印制电路板上的固定焊接结构

147、高密度高效能功率晶体管布局方式

148、深沟槽功率半导体场效应晶体管

149、一种平底结功率场效应晶体管

150、一种平底结功率场效应晶体管及其制造方法

151、切换式功率晶体管的栅极驱动电路

152、宽带隙半导体功率结型场效应晶体管的高温栅极驱动器及包括该栅极驱动器的集成电路

153、MOS结构的功率晶体管

154、功率金属氧化物半导体场效应晶体管封装体

155、一种小功率场效应晶体管封装结构

156、功率金属氧化物半导体晶体管元件与布局

157、电磁炉功率晶体管的检测保护电路

158、功率晶体散热片的固定结构

159、用于超低功率晶体振荡器的无电阻反馈偏置

160、侧向功率金属氧化物半导体场效应晶体管结构及制造方法

161、低导通电阻功率VDMOS晶体管的制造方法

162、低导通电阻功率VDMOS晶体管的制造方法

163、封闭型沟槽式功率金氧半场效晶体管结构及其制作方法

164、横向功率晶体管器件及其制造方法

165、具有结场效应晶体管装置结构的低功率存储器装置

166、开关功率转换器的开关晶体管的动态驱动

167、晶体管串接单端直耦甲类功率放大电路

168、高热稳定性功率异质结双极晶体管

169、高热稳定性功率异质结双极晶体管

170、功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法

171、一种沟槽型功率晶体管的制造方法

172、沟渠式功率晶体管的制备方法

173、一种沟槽型功率晶体管的沟槽结构的形成方法

174、降低功率场效应晶体管栅极电阻的方法及结构

175、功率晶体管减少电感反激期间的电压瞬变的转换速率控制装置和方法

176、功率场效应晶体管

177、减少用于激光高功率频率变换的非线性晶体的表面热效应

178、功率金氧半导体场效晶体管及其制造方法

179、一种基于绝缘栅双极性晶体管的中功率低压变频器

180、功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

181、沟槽型功率MOS晶体管及其制备方法

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