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介质氧化硅,氮化硅加工制造工艺方法图文全套

作者:admin    来源:金鼎工业资源网       更新时间:2021/9/6
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1、用DPN氮氧化硅作为SONOS存储介质层的方法
        [简介]: 一种用DPN氮氧化硅作为SONOS存储介质层的方法,包括隧穿氧化层、存储介质层和阻挡氧化层,存储介质层由氮氧化硅构成,所述存储介质层在靠近阻挡氧化层的氮氧化硅中含有较多的氮,而在靠近隧穿氧化层的氮氧化硅中含有较多的...
2、用DPN氮氧化硅作为SONOS存储介质层的方法
        [简介]: 本套资料为了在HPLC柱、GC柱等的色谱仪中使用氧化硅单块体,提供作为分离介质能够简便地使用而以单块吸附剂、分离剂为主体,为了能够保护其外表面而包覆玻璃的方法及由该方法得到的分离介质。为此,单独地成型氧化硅单块体,用...
3、氧化硅单块体包覆方法和分离介质
        [简介]: 本套资料主要内容为一种氧化硅膜的形成方法,其特征在于:在等离子体处理装置的处理室内,使用含有1%以上的氧的处理气体,在133.3Pa以下的处理压力下形成等离子体,由所述等离子体,使在形成于被处理体的硅层上的凹部中露出的硅表...
4、氧化硅膜的制造方法、其控制程序、存储介质和等离子体处理装置
        [简介]: 在由具有多个缝隙的平面天线将微波导入处理室内而产生等离子体的RLSA方式的等离子体处理装置100中,使得腔室内压力为67~667Pa、温度为300~600℃以下、微波功率为1000~3500W、作为处理气体而使用100~2000mLmin的Ar气体、1...
5、氧化硅膜的形成方法、半导体装置的制造方法及计算机存储介质
        [简介]: 一种制造栅极介质层的方法,包括以下步骤:提供衬底100;在衬底的上表面105上形成二氧化硅层110;在还原气氛中执行等离子体氮化以将二氧化硅层转变为氧氮化硅层110A。这样形成的介质层可以用于制造MOSFET145。
6、制造氮化氧化硅栅极介质的方法
        [简介]: 本套资料主要内容为一种低介电常数绝缘介质氧化硅薄膜,该薄膜由具有通式为SiOxRy的材料制成;薄膜中的化学键是Si-O键、Si-C键和C-H键;薄膜含有纳米微孔。该薄膜的制备方法是:用单端基倍半硅氧烷有机物作为致孔模板与硅氧烷在有...
7、低介电常数绝缘介质氧化硅薄膜及其制备方法
        [简介]: 提供一种包括包含高熔点金属氧化物或氧化硅的掩蔽层的具有超分辨率近场结构的高密度记录介质。更具体地讲,提供一种具有超分辨率近场结构的高密度记录介质,其包括依次堆叠的第二电介质层、记录层、保护层、掩蔽层、第一电介...
8、使用高熔点金属氧化物或氧化硅掩蔽层制造的具有超分辨率近场结构的高密度记录介质
        [简介]: 一种含水抛光组合物,包含:A氧化铈磨料颗粒,和B选自通式I的水溶性和水分散性线性和支化聚氧化烯嵌段共聚物的两亲性非离子表面活性剂:R[B1mB2nY]pI,其中指数和变量具有如下含义:m、n和p为≥1的整数;R为氢原子或...
9、用于化学机械抛光包含氧化硅电介质和多晶硅膜的基底的含水抛光组合物和方法
        [简介]: 发现了一种含水抛光组合物,所述含水抛光组合物包含:A至少一种磨料颗粒,当其分散于不含组分B且pH值为3-9的含水介质中时带正电荷,如电泳迁移率所证实的那样;B至少一种选自线性和支化氧化烯均聚物和共聚物的水溶性...
10、用于化学机械抛光包含氧化硅电介质和多晶硅膜的衬底的含水抛光组合物和方法
        [简介]: 本套资料揭示了一种氮氧化硅栅极电介质的形成方法,在位于由多晶硅栅极构成的栅极和硅基材之间的二氧化硅层中形成氮氧化物结构,该方法包括:在二氧化硅层中接近二氧化硅和硅基材的界面的位置形成基氮氧化层,该基氮氧化层具...
11、氮氧化硅栅极电介质的形成方法
        [简介]: 本套资料涉及一种用高压液态介质进行超临界干燥制备二氧化硅气凝胶的方法,它包括如下步骤:1、在pH=3-5的酸性条件下,加入四氯化硅和水搅拌反应,然后用氨水调节pH=8-10,再加入水和乙醇,进行水解-缩聚反应形成醇凝胶;2、...
12、用高压液态介质进行超临界干燥制备二氧化硅气凝胶的方法
        [简介]: 本套资料涉及一种制造用于涂覆喷墨记录基底210的聚合物粘合剂包封的二氧化硅颜料分散体的方法。该方法包括混合该分散体的第一组分来形成混合物,该第一组分包括粘合剂聚合物、处理剂和选自水、水可混溶性有机溶剂及其组合...
13、制造聚合物粘合剂包封的二氧化硅颜料分散体的方法和包括这样的分散体的涂覆介质
        [简介]: 本套资料涉及一种二氧化硅介质化学机械抛光液的制备方法,该方法根据SiO2介质能和碱发生化学反应,抛光液选用碱性介质。该抛光液选用纳米SiO2磨料,磨料的浓度为4-50wt%,粒径40-100nm,以利于材料的去除及表面平整化。抛光液的...
14、二氧化硅介质化学机械抛光液的制备方法
        [简介]: 本套资料涉及在太阳能电池制造中用于蚀刻表面的具有非牛顿流动性能的新型可印刷蚀刻介质及其用途。本套资料还涉及既适合蚀刻无机层又适合掺杂底下层的蚀刻和掺杂介质。特别地,它们是相应的含粒子的组合物,借助该组合物可以在...
15、用于二氧化硅和氮化硅层的可印刷蚀刻介质
        [简介]: 本套资料首先涉及无HF氟化物的蚀刻和掺杂介质,其既适合蚀刻二氧化硅层又适合将下部硅层掺杂。其次,本套资料涉及利用这些介质的方法。
16、用于二氧化硅层和下部硅层的蚀刻和掺杂组合介质
        [简介]: 本套资料涉及一种制备包括沉淀二氧化硅的聚集颗粒的材料的方法,其包括制备至少两种金属盐Me的溶液,其中金属离子是二价或者多价的。制备摩尔比SiO2M2O为1-4的碱金属M硅酸盐的溶液。混合所述溶液,搅拌混合物,使得凝聚物...
17、沉淀二氧化硅的聚集体,其制备方法和其在气体过滤中作为过滤器介质的用途
        [简介]: 本套资料涉及在太阳能电池生产中用于表面蚀刻的具有非牛顿流动性能的新颖可印刷蚀刻介质及其用途。本套资料特别涉及对应的含粒子的组合物,通过该组合物可以蚀刻高度选择性的细结构而不损害或侵蚀相邻表面。
18、用于二氧化硅和氮化硅层的蚀刻的可印刷介质
        [简介]: 一种超薄氮化硅二氧化硅叠层栅介质的制备方法,采用常规的低成本低压化学汽相沉积LPCVD方法来制备超薄Si3N4膜,得到性能优良的等效氧化层厚度EOT为1.9nm的超薄Si3N4SiO2stack栅介质。并在此基础上详细研究了Si3N4...
19、一种超薄氮化硅二氧化硅叠层栅介质的制备方法
        [简介]: 一种用于二氧化硅介质的抛光液,其特征在于它是由磨料、表面活性剂、pH值调节剂、氧化剂和去离子水混合组成,其中磨料占总重量的10~50%,表面活性剂占总重量的0.01~0.6%,pH值调节剂占总重量的1~6%,氧化剂占总重量的0.01~15%...
20、一种用于二氧化硅介质的抛光液及其制备方法
        [简介]: 一种多晶硅栅极结构包括衬底、设置在衬底上方的二氧化硅层、设置在二氧化硅层上方的氮掺杂的高-k介电层以及设置在氮掺杂的高-k介电层上方的多晶硅栅极。本套资料还主要内容为一种带有氮掺杂的高-K电介质和二氧化硅的多晶硅栅极...
21、HDPCVD工艺淀积介质膜时减少二氧化硅的方法
22、HDPCVD工艺淀积介质膜时减少二氧化硅的方法
23、使用经硅烷处理的二氧化硅过滤介质避免或减少饮料中异味的方法
24、使用经过硅烷处理的二氧化硅过滤介质分离样品中的组分的方法
25、使用硅烷处理的二氧化硅过滤介质在饮料中防止或减少霾的方法

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