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存储器电阻,电阻加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

开本：16开
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分类：专业技术
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1、电阻式存储器及处理电阻式存储器的方法

[简介]：本文中描述电阻式存储器及处理电阻式存储器的方法。处理电阻式存储器的一个或一个以上方法实施例包含：在层间电介质中的开口中保形地形成单元材料，使得在所述单元材料中形成接缝；通过对所述接缝进行改性来形成导电通路；...

2、电阻式存储器及处理电阻式存储器的方法

[简介]：一种电阻存储器、及含有电阻存储器的集成电路的制作方法。其中电阻存储器，包括，半导体衬底；位于半导体衬底上作为下电极的第一互连结构；位于第一互连结构和半导体衬底上的介质层，所述介质层内形成有露出第一互连结构的第...

3、电阻存储器、含有电阻存储器的集成电路的制作方法

[简介]：本套资料主要内容为一种位于基底上的电阻式存储器单元和电阻式存储器阵列。所述电阻式存储器单元包括第一栅极、第二栅极、共用掺杂区域、接触窗插塞、位线以及电阻式存储器元件。第一栅极及第二栅极分开配置于所述基底上。第一栅极...

4、电阻式存储器单元和电阻式存储器阵列

[简介]：提供了一种电阻式存储器器件以及形成该电阻式存储器器件的方法，可以用高集成度集成该电阻式存储器器件。包围电阻式存储器元件的绝缘层和包围与该电阻式存储器元件连接的导线的绝缘层具有不同的应力、硬度、孔隙度、介电常...

5、电阻式存储器器件和形成电阻式存储器器件的方法

[简介]：本套资料的一实施例提供一种电阻式存储器的写入方法，包括：接收一第一数据，并选择用以储存该第一数据的一第一电阻式记忆胞；当该第一数据的逻辑准位为一第一逻辑准位时，输出一电压脉冲信号至该第一电阻式记忆胞，以写入该第...

6、电阻式存储器的写入方法与存储器模块

[简介]：本套资料提供一种形成电阻存储器的方法，包括：在包括导电图案的半导体衬底上形成绝缘层，在绝缘层内形成接触孔以暴露导电图案，在接触孔内形成下部电极，在接触孔内在下部电极上形成可变电阻氧化层，在接触孔内在可变电阻氧化...

7、电阻存储器以及形成电阻存储器的方法

[简介]：一种非易失性存储设备，包括：一组Y线；一组X线；以及与该组X线和该组Y线连通的多个存储器单元。所述多个存储器单元中的每个存储器单元包括：处于静态电阻状态的电阻元件；两个或更多个可逆电阻切换元件；以及多个二极管。所述...

8、包括伪电阻、电阻切换元件及二极管的多位电阻切换存储器单元的写入

[简介]：含有电阻存储器的集成电路的制作方法，包括：提供包括核心器件区域和外围电路区域的层间介质层；在层间介质层内分别形成由阻挡层和金属布线构成的第一互连结构和第二互连结构；在层间介质层上形成阻挡介质层；刻蚀阻挡介质...

9、电阻存储器、含有电阻存储器的集成电路的制作方法

[简介]：一种含有电阻存储器的集成电路的制作方法，包括：提供包括核心器件区域和外围电路区域的层间介质层；在层间介质层内分别形成第一互连结构和第二互连结构；在第一互连结构和第二互连结构表面上形成第一介质层和第二介质层；...

10、电阻存储器、含有电阻存储器的集成电路的制作方法

[简介]：本套资料揭示一种用以存取包含电阻性存储器元件的多端口非易失性存储器的系统和方法。在一特定实施例中，揭示一种多端口非易失性存储器装置，其包含电阻性存储器单元和耦合到所述电阻性存储器单元的多个端口。

11、包含电阻性存储器元件的多端口非易失性存储器

[简介]：本套资料提供一种电阻式存储器装置及电阻式随机存取存储器堆叠结构，该电阻式存储器装置包含：第一电极层，形成于基底上；第一缓冲层，形成于该第一电极层上，其晶格结构具有第一位向；介电层，形成于该第一缓冲层上，其晶格结构...

12、电阻式存储器装置及电阻式随机存取存储器堆叠结构

[简介]：本套资料的示例实施例涉及一种电阻随机存取存储器RRAM以及制造该RRAM的方法。根据示例实施例的RRAM可以包括：下电极，可以形成在下结构例如，基底上；电阻层，可以形成在下电极上，其中，电阻层可以包含过渡金属掺杂物；上电...

13、电阻随机存取存储器及制造该电阻随机存取存储器的方法

[简介]：一种测量电阻存储器器件中的存储器单元的电阻的方法可以通过如下提供：把数据写脉冲施加到所述电阻存储器器件的被选择的单元；在自施加所述写数据脉冲的时刻测量的一段延迟时间以后，把电阻读脉冲施加到所述被选择的单元...

14、测量电阻存储器器件的电阻的方法和执行该方法的系统

[简介]：本套资料主要内容为一种有机氧化镍电阻存储器薄膜制备方法，采用浸渍提拉法，使用提拉机将有机氧化镍溶胶在超导电极基板上进行薄膜提拉后在室温下干燥，然后对其进行顶电极的溅射，即得到有机氧化镍电阻存储器薄膜；本套资料还公开...

15、有机氧化镍电阻存储器薄膜的制备及其电学性能测试方法

[简介]：本套资料主要内容为一种氧化锆电阻存储器薄膜制备方法，首先以氧化锆溶胶为前驱液，以铝酸镧单晶基片的钇钡铜氧超导薄膜为基板提拉氧化锆薄膜，然后采用浸渍提拉法在超导电极上制得氧化锆凝胶薄膜，再将其进行退火处理后自然冷却...

16、氧化锆电阻存储器薄膜制备方法及其阻变特性的测试方法

[简介]：一种电阻式存储器装置，包括存储器阵列、读取电路、写回逻辑电路以及写回电路。读取电路读取一被选择的存储器单元内所存储的数据，并产生第一控制信号。写回逻辑电路根据第一控制信号与第二控制信号产生写回控制信号。写回电...

17、电阻式存储器装置

[简介]：本套资料提供一种多级电阻转换存储器，其特征在于，该存储器由包括锗、锑、硒三种元素的存储材料构成，其中锗、锑、硒三种元素的原子百分比依次为0.1～15∶75～99.8∶0.1～10。经过测量，材料的高、中电阻值差异超过两个数量级，中、低电...

18、一种多级电阻转换存储器

[简介]：电场写入电阻读出固态存储元器件、存储器及其读写方法，本套资料涉及一种新型非易失性固态存储元器件和存储器，以及相应的写入和读出方法。本套资料的固态存储元器件包括底电极层、形成在底电极层之上的铁电性压电层、紧邻铁电性...

19、电场写入电阻读出固态存储元器件、存储器及其读写方法

[简介]：在特定实施例中，揭示一种存储器装置100，其包括存储器单元226，所述存储器单元226包括耦合到存取晶体管230的基于电阻的存储器元件228。所述存取晶体管具有第一氧化物厚度以使所述存储器单元能够在操作电压下操...

20、用于基于电阻的存储器应用的存储器装置

[简介]：一种可变电阻存储器设备，包括：存储器阵列部分，包括使用存储元件的主存储器单元，所述存储元件的电阻根据施加到该存储元件的相对端的设置在不同极性的信号，以可逆的方式增大或减小；以及参考单元部分，包括配备有存储元件...

21、一种高稳定性的电阻式随机存储器及其制备方法

22、一种高稳定性的电阻式随机存储器及其制备方法

23、单晶体管单电阻器电阻式存储器元件及其制作方法

24、一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法

25、可变电阻存储器装置及其操作方法

26、一种基于氧化铋薄膜的电阻式随机读取存储器及制备方法

27、一种基于氧化铋薄膜的电阻式随机读取存储器

28、一种基于掺杂氧化锌薄膜的电阻式存储器

29、一种基于掺杂氧化锌薄膜的电阻式存储器及其制备方法

30、一种基于二氧化锡的电阻式随机读取存储器

31、一种基于二氧化锡的电阻式随机读取存储器及其制备方法

32、一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法

33、电阻式存储器

34、相变存储器中的相变电阻及其形成方法

35、相变存储器中相变电阻的形成方法

36、具有双二极管存取装置的基于电阻的存储器

37、电阻式存储器

38、利用选择性生长的可逆电阻切换元件的存储器单元以及形成该存储器单元的方法

39、利用选择性沉积的可逆电阻切换元件的存储器单元以及形成该存储器单元的方法

40、利用选择性生长的可逆电阻切换元件的存储器单元以及形成该存储器单元的方法

41、具有二极管整流能力的电阻式存储器

42、具有二极管整流能力的电阻式存储器

43、基于非晶多元金属氧化物的柔性电阻式非易失性存储器

44、可变电阻存储器元件以及制造方法

45、电阻型存储器的制备方法

46、一种氧化钨基电阻型存储器的制备方法

47、与熔丝阵列一起形成电阻式随机存取存储器

48、用于电阻式存储器的电诱发电阻材料及其制备方法

49、一种电阻型存储器及其制备方法

50、每一存取装置具有多个存储器单元的电阻式存储器架构

51、电阻式随机存取存储器装置及方法

52、使用SiGe材料的电阻型存储器

53、电阻转变存储器阵列及对其进行存储操作的方法

54、在每一存储器元件周围使用包围式晶体管的具有栅格阵列的可变电阻存储器

55、一种并联电阻型存储器及其制备方法

56、电阻变化型随机存取存储器装置

57、用于电阻式存储器的高速感测

58、电阻存储器的交错式编程

59、电阻可变存储器单元结构及方法

60、一种测量单极性电阻式存储器工作寿命的方法

61、基于石墨烯的可编程非易失性电阻型存储器及其制备方法

62、基于石墨烯的可编程非易失性电阻型存储器及其制备方法

63、集成标准CMOS工艺的电阻存储器及其制备方法

64、集成标准CMOS工艺的金属氧化物电阻存储器及其制备方法

65、提高非挥发性电阻存储器可靠性的方法及结构

66、一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法

67、磁致电阻效应元件和使用它的磁致电阻随机存取存储器

68、电阻变化器件以及存储器基元阵列

69、电阻式随机存取存储器结构及其制造方法

70、一种电阻转换存储器结构及其制造方法

71、具有减小的电压输入输出装置的基于电阻的存储器

72、非挥发性电阻转变存储器

73、提高非易失性电阻转变存储器均一性的方法

74、一种SixNy基电阻型存储器及其制备方法和应用

75、铁电阻变存储器及其操作方法、制备方法

76、一种电阻转变型存储器的制造方法

77、可变电阻存储器

78、非挥发性电阻转变存储器及其制备方法

79、具有高变比能力的电阻转变存储器结构及其制备方法

80、一种对电阻存储器进行编程的电路

81、电阻变化型非易失性存储装置以及存储器单元的形成方法

82、电阻变化型非易失性存储装置以及存储器单元的形成方法

83、存储器密度提高的电阻可变存储器单元、包括其的阵列、装置和系统，及其制造方法

84、一种改进的NiO基电阻式随机存储器及其制备方法

85、双层相变电阻及其形成方法、相变存储器及其形成方法

86、包括垂直晶体管阵列的电阻性存储器器件和相关制造方法

87、具有高功函数电极的金属氧化物电阻基半导体存储器装置

88、用于低编程电流的热屏蔽电阻存储器元件

89、集成于铜互连后端结构的CuxO电阻型存储器及其制备方法

90、一种电阻型存储器及其制备方法

91、电阻存储器的形成方法

92、基于石墨烯氧化物的电阻型存储器的制备方法

93、具有可调整栅极电阻值的晶体管的半导体存储器元件

94、高一致性的电阻型存储器及其制备方法

95、高数据保持能力的电阻型存储器的制备方法

96、具有电阻性感测元件块擦除和单向写入的非易失性存储器阵列

97、具有晶体管与电阻值切换装置并联的非挥发性存储器装置

98、电阻存储器存储单元的制作方法

99、多层堆叠电阻转换存储器的制造方法

100、多层堆叠电阻转换存储器的制造方法

101、一种电阻式随机存取存储器及其制造方法

102、一种电阻式随机存取存储器及其制造方法

103、包含钌掺杂的氧化钽基电阻型存储器及其制备方法

104、包含硅掺杂的氧化锰基电阻型存储器及其制备方法

105、氧化锰基电阻型存储器与铜互连后端工艺集成的方法

106、三维立体堆叠的电阻转换存储器的制造方法

107、可变电阻存储器器件及其操作方法

108、电阻变化型存储器装置及其操作方法

109、纳米级侧壁*电阻转换存储器单元及制造方法

110、电阻式随机存取存储器单元

111、二极管及电阻转换存储器的制造方法

112、电阻存储器装置

113、电阻转换存储器装置及其制造工艺

114、一种氧化钨基电阻型存储器及其制备方法

115、抗功耗分析攻击的电阻随机存储器、读电路及其读操作方法

116、降低初始化或置位操作功耗的电阻随机存储器及其操作方法

117、一次可编程电阻随机存储器、读写电路及其编程方法

118、带电阻随机存储器模块的单芯片结构可编程逻辑器

119、一种消除过写、误写现象的电阻随机存储器

120、电阻型随机存取存储器及其制造方法

121、一种获得相变存储器相变电阻晶化率的方法

122、一种获得相变存储器相变电阻晶化率的方法

123、基于电阻的存储器电路的信号裕量平衡

124、一种多阻态电阻随机存储器单元及其制备方法

125、使用包含具可调式电阻的可切换半导体存储器元件的存储器单元的方法

126、一种BiFeO3薄膜电阻存储器结构及其制备方法

127、电阻式存储器

128、电阻式存储器装置及其制造方法与操作方法

129、执行编程和验证操作的可变电阻存储器装置

130、基于溅射铜制备的CuSiO电阻型存储器及其制备方法

131、基于氧化铌薄膜的电阻随机存储器及其制备方法

132、绿色晶体管、电阻随机存储器及其驱动方法

133、电阻随机存储器及其驱动方法

134、电阻变化型非易失性存储装置以及存储器单元的形成方法

135、电阻变化型非易失性存储装置以及存储器单元的形成方法

136、一种提高电阻随机存储器数据保持能力的方法

137、一种实现多值电阻存储器的方法

138、电阻存储器的制造方法

139、一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法

140、一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法

141、基于铁酸铋薄膜体系的电阻式随机存储器及其制备方法

142、基于铁酸铋薄膜体系的电阻式随机存储器及其制备方法

143、一种电阻转变型存储器及其制作方法

144、一种带读电压偏置NMOS晶体管的电阻转换存储器

145、电阻存储器及其制作方法

146、一种CuxO基电阻型存储器的制备方法

147、一种CuxO基电阻型存储器及其制备方法

148、一种电阻随机存储器的置位操作方法

149、电阻存储器

150、应用于电阻式随机存取存储器的电脉冲电压操作方法

151、多级切换的电阻式随机存取存储器及其操作方法

152、一次编程电阻随机存储单元、阵列、存储器及其操作方法

153、一次可编程电阻型存储器测试方法

154、选通管复用结构的电阻存储器、阵列及其读操作方法

155、采用选择性制造的碳纳米管可逆电阻切换元件的存储器单元及其形成方法

156、包括碳纳米管可逆电阻切换元件的存储器单元及其形成方法

157、采用形成于底导体上的选择性制造的碳纳米管可逆电阻转变元件的存储器单元及其制造方法

158、电阻式存储器电路参数调整的系统及方法

159、电阻式存储器器件及其形成方法

160、具有电阻性存取组件的非易失性存储器

161、电阻转换存储器

162、电阻转换存储器

163、用于访问多模式可编程电阻存储器的方法和装置

164、带有自整流效应的非易失电阻转变型存储器

165、驱动电阻转变型存储器实现多值存储的电路及方法

166、透明的电阻型非易失性存储器

167、用于交叉点可变电阻材料存储器的三维和三维肖特基二极管、其形成工艺及其使用方法

168、用于交叉点可变电阻材料存储器的三维和三维肖特基二极管、其形成工艺及其使用方法

169、电阻改变型存储器

170、电阻改变型存储器

171、三维立体堆叠的电阻转换存储器及其制造方法

172、采用形成在下部导体上方的选择性制造的碳纳米管可逆电阻转换元件的存储器单元及其形成方法

173、肖特基二极管及制造方法、电阻转换存储器制造方法

174、电阻转换存储器及其制造方法

175、自对准肖特基二极管及相应电阻转换存储器制造方法

176、电阻转变型存储器及其驱动装置和方法

177、电阻转变型存储器及其制造方法

178、一种电阻转换存储器单元

179、电阻转换存储器及其制造方法

180、二极管驱动电阻转换存储器单元及其制造方法

181、一种电阻存储器的激活操作方法

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