【新版】

存储器电阻,电阻加工制造工艺方法图文全套(2)

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

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182、一种电阻存储器的激活操作方法

183、电阻式随机存取存储器结构及其制作方法

184、具有二极管结构的可编程电阻存储器

185、变电阻存储器装置

186、CuxO电阻随机存储器的制备方法

187、包括叠置NAND型电阻存储器单元串的非易失性存储器件及其制造方法

188、一种电阻转换存储器及其存储操作方法

189、一种具有掺杂控制层的电阻存储器

190、一种电阻改变存储器设备及其编程方法

191、电阻随机存取存储器及制作方法

192、电阻随机存取存储器装置

193、电阻存储器的存储单元及其制作方法

194、用于制造非挥发性电阻式随机存储器的薄膜材料及方法

195、含有电阻存储器的集成电路的层间连接方法

196、用以更新可编程电阻存储器的方法与装置

197、具有多个电阻状态的相变存储器结构及其编程和感测方法

198、反相可变电阻存储器单元及其制造方法

199、具有界面粘合加热层的可变电阻存储器装置、使用所述装置的系统及形成所述装置的方法

200、使用可变电阻元件的非易失性存储器设备

201、电阻式存储器及其制造方法

202、电阻式存储器及其制造方法

203、电阻式存储器元件及其形成方法

204、一种减小CuxO电阻存储器写操作电流的方法

205、一种消除CuxO电阻存储器形成电压的方法

206、一种CuxO电阻存储器与二极管集成的制造方法

207、电阻随机存取存储器及其制造方法

208、二元过渡族金属氧化物非挥发电阻转变型存储器

209、一种三维堆叠的WOx的电阻随机存储器结构及其制造方法

210、多比特电阻式存储器

211、包括刷新操作的电阻式存储器

212、包括双极晶体管存取装置的电阻式存储器

213、包括选择性刷新操作的电阻式存储器

214、具有固溶体层的电阻式随机存取存储器及其制造方法

215、一种CuxO电阻存储器的湿法氧化制备方法

216、一种低功耗电阻存储器的实现方法

217、一种制作自隔离电阻转变型存储器的方法

218、氮化钛氧化锌电阻式随机存储器的存储单元及制备方法

219、一种电阻式随机存储器的存储单元及其制备方法

220、嵌入纳米晶颗粒的非挥发电阻转变型存储器

221、具有自对准气隙绝缘体的电阻随机存取存储器的制造方法

222、具有自对准气隙绝缘体的电阻随机存取存储器的制造方法

223、电阻式存储器元件及其制造方法与操作方法

224、电阻式随机存取存储器

225、双稳态电阻式随机存取存储器的操作方法

226、双稳态可编程电阻式随机存取存储器

227、一种自对准形成上电极的WOx电阻存储器及其制造方法

228、具有分流存储单元的电阻存储器

229、一种高密度电阻转换存储器及其存储操作方法

230、单极编程的电阻存储器及其存储操作方法

231、一种电阻随机存储器的复位操作方法

232、一种采用电阻存储介质的一次编程存储器及其操作方法

233、以上电极作为保护层的CuxO电阻存储器及其制造方法

234、一种改善CuxO电阻存储器疲劳特性的方法

235、可编程电阻存储器装置和使用所述装置的系统及其形成方法

236、磁致电阻效应元件磁头磁记录音响装置和磁存储器

237、用于*电阻随机存取存储器熔化点的自对准结构及方法

238、一种可降低复位操作电流的电阻存储器

239、一种CuxO电阻存储器制备与铜互连工艺集成的方法

240、具有L型电极的电阻式随机存取存储器单元

241、模仿存储器装置中的编程验证漏极电阻

242、模仿存储器装置中的编程验证漏极电阻

243、双稳态电阻随机存取存储器的结构与方法

244、采用双极可编程电阻存储元件的非易失存储器结构

245、包含电阻切换氧化物或氮化物及抗熔丝的非易失性可重写存储器单元

246、一种电阻随机存储器及其存储操作方法

247、提高脉冲触发电阻式随机存储器抗疲劳特性的方法

248、可编程电阻存储器及其制造方法

249、可编程电阻随机存取存储器及其制造方法

250、可编程电阻随机存取存储器及其制造方法

251、多晶硅图案形成方法、多层交叉点电阻存储器及制造方法

252、一种电阻式随机存取存储器的存储单元及其制备方法

253、多层交叉点电阻存储器及制造方法

254、基于CuxO的电阻随机可存取存储器及其制备方法

255、电阻随机存取存储器装置

256、包括非晶固体电解质层的电阻随机存取存储器装置

257、单极电阻随机存取存储器及垂直堆叠架构

258、包括可变电阻材料的非易失存储器

259、包括n+界面层的可变电阻随机存取存储器

260、利用磁致电阻效应的相变存储器及其制造和操作方法

261、基于隐藏式沟道负微分电阻的存储器单元

262、基于隐藏式沟道负微分电阻的存储器单元

263、可再生电阻可变绝缘存储器装置及其形成方法

264、使*有可重新编程电阻的纳米管制品的存储器阵列

265、使*有可重新编程电阻的纳米管制品的存储器阵列

266、包括二极管和电阻切换材料的非易失性存储器单元

267、包括二极管和电阻切换材料的非易失性存储器单元

268、具有微分负电阻硫属化合物装置的静态随机存取存储器单元及其形成方法

269、电阻变化型存储器件和电阻变化型存储器件的操作方法

270、变电阻元件和使用其的非易失性存储器

271、电阻转换的半导体存储器

272、磁致电阻元件、磁头、磁记录装置以及磁存储器

273、基于电阻变化的非挥发性存储器、切换方法及制备方法

274、可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元及制备方法

275、自旋势垒增强的磁致电阻效应元件以及使用这种元件的磁性存储器

276、自旋势垒增强的双磁致电阻效应元件及使用该元件的磁性存储器

277、探测半导体存储器中电阻开路缺陷的方法

278、用于检测在半导体存储器的全局数据总线中的电阻性桥接缺陷的方法

279、磁致电阻效应元件、磁头、磁再生装置和磁存储器

280、包含交叉点电阻元件的交叉点存储器阵列的寻址电路

281、电阻存储器的AC感测

282、电阻存储器的AC感测

283、包括开关器件和电阻材料的非易失存储器及制造方法

284、包括开关器件和电阻材料的非易失存储器及制造方法

285、具有带磁致电阻存储效应的存储器单元的集成存储器

286、控制存储器电阻性质的氧含量系统及方法

287、用于电阻式存储器的集成电荷检测方案

288、用于可变电阻存储器感测的偏斜感测放大器

289、读出电阻存储器时降低功耗的方法

290、可变电阻存储器件及其制造和驱动方法

291、减少软错误率的负微分电阻元件和存储器

292、基于负差分电阻NDR的存储器的强化读写方法

293、可变电阻存储器件及其制造方法

294、具有减小的翻转磁场的磁致电阻随机存取存储器

295、抑制了电流路径上的晶体管组的电阻的薄膜磁性体存储器

296、用于至少具有两个不同电阻状态的存储器的读出放大器

297、可变电阻存储器件及其制造方法

298、基于选择存储单元与基准单元的电阻差读出数据的存储器

299、电阻变化型非易失性存储器件及其操作方法、半导体器件

300、用于电阻可变存储器的硒化银硫族化物玻璃叠层

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