【新版】

分离半导体,半导体器件加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

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分类：专业技术
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1、树脂密封型半导体装置的制造方法、树脂密封型半导体装置及该半导体装置用的引线框架

[简介]：本套资料的目的在于，提供一种在向基板安装树脂密封型半导体装置时安装高度比以往的树脂密封型半导体装置更低，且在进行系杆的分离时可适当切断系杆的树脂密封型半导体装置的制造方法、树脂密封型半导体装置及该半导体装置...

2、树脂密封型半导体装置的制造方法、树脂密封型半导体装置及该半导体装置用的引线框架

[简介]：本套资料的半导体集成电路装置具备：在元件形成区域下具有第一绝缘膜的基板、在元件区域所形成的硅的沟槽、第二绝缘膜和第三绝缘膜，通过使第三绝缘膜的膜厚除以第一绝缘膜的膜厚得到之值处于规定范围，可对氧化绝缘膜施加均...

3、高耐压半导体集成电路装置、电介质分离型半导体装置

4、高耐压半导体集成电路装置、电介质分离型半导体装置

[简介]：本套资料涉及一种N型半导体金刚石单晶及其生产方法。在晶体内含有规则排列的氮、锂和铍原子，其中氮-锂原子对、氮-铍原子对和锂-氮-铍原子对的总量在100-10000ppm之间，半导体单晶的尺寸为0.3-10mm，晶体为正六面体、正八面体或...

5、N型金刚石半导体单晶及其生产方法

[简介]：本套资料提供了一种灯泡型半导体发光器件灯，该灯泡型半导体发光器件灯具有与典型的白炽灯的光分布特性类型的宽的光分布特性。该半导体发光器件灯包括：多个发光器件，布置使得光从其朝向灯泡型半导体发光器件灯的中心轴*...

6、灯泡型半导体发光器件灯

[简介]：本套资料主要内容为属于催化剂范畴的一种Cu掺杂TiO2耦合型半导体光催化剂Cu-TiO2ZnBi12O20，并用于气相有机污染物的催化转化。与纯TiO2相比，该催化剂不仅光谱响应范围拓展到了可见光区，而且量子效率、催化活性得到了较大提高。...

7、一种Cu掺杂TiO2耦合型半导体光催化剂及制备方法和应用

[简介]：本套资料目的在于提供一种半导体装置，包括一个具有以SOI结构绝缘分离的绝缘分离层4的NchMOS晶体管1和一个用绝缘膜形成的电容器，减小硅衬底B的厚度来减小衬底电容量。NchMOS晶体管1具有绝缘分离区域5a、5b以使其成...

8、半导体装置及互补型金属绝缘半导体逻辑电路

[简介]：本套资料涉及一种绝缘栅型半导体装置。在将检测主动作部的动作的传感部集成于同一芯片的MOSFET中，传感部的电流分布不均匀区域的面积比电流分布均匀的区域面积大，故存在传感部中接通阻抗增加，而得不到与元件比对应的电流比...

9、绝缘栅型半导体装置

[简介]：本套资料提供芯片型半导体发光元件。其是能够提高光取出效率，对于相同的输入能够进一步提高亮度，同时能够尽可能从大的面积均匀地发光并且能够高亮度发光，在照明装置中使用的反射型的芯片型半导体发光元件。在基板1的一面...

10、芯片型半导体发光元件

[简介]：一种用于P型半导体层的简单且有效的光电化学刻蚀PEC方法，该方法通过提供驱动力使空*向要刻蚀的P型保护层的表面移动，其中该P型保护层在异质结构上，并且该异质结构提供源自该异质结构中内部产生的内部偏压的驱动力；在...

11、P型半导体异质结构的光电化学刻蚀

[简介]：本套资料的目的在于提供实现重叠配置元件且散热性较高的树脂密封型半导体的树脂密封型半导体装置及其制造方法。具备：第一半导体开关元件，在表面接合有第一*极端子，在背面接合有第一集电极端子；第二半导体开关元件，在表...

12、树脂密封型半导体装置及其制造方法

13、树脂密封型半导体装置及其制造方法

14、树脂密封型半导体装置及其制造方法

[简介]：微引线框架型半导体封装方法为：a.准备好微型引线框架型封装的引线框架，接着在这个引线框架的基片上贴上若干个单个的IC芯片，b.通过引线键合工艺用金线对芯片和引线框架进行电连接，c.接着进行成型，用环氧塑封料对引线框...

15、一种微型引线框架半导体封装方法

[简介]：本套资料提供一种为了制作垂直导电型AlN系半导体元件而有用的包含n型导电性氮化铝半导体结晶的自立式衬底。在蓝宝石等单晶衬底上，利用HVPE法形成AlN结晶层后，使衬底温度为1200℃以上，然后利用HVPE法高速形成包含n型导电性...

16、n型导电性氮化铝半导体结晶及其制造方法

[简介]：本套资料涉及一种具非对准型超级结结构的半导体器件，包括：衬底；外延层，设于所述衬底上，为第一掺杂类型；柱区，设于所述外延层内，为第二掺杂类型；掺杂区，设于所述柱区上方，为第二掺杂类型；金属电极，设于掺杂区上；所述柱区和...

17、具非对准型超级结结构的半导体器件及其制造方法

[简介]：本套资料涉及一种凹槽金属板式新型半导体封装方法，主要用于半导体的四面无脚扁平贴片式封装。包括以下工艺步骤：取一片金属板；在金属板的正、背两面镀上金属层，将整片金属板分离成一个个单独的块状的功能引脚和芯片承载底座...

18、凹槽金属板式新型半导体封装方法

[简介]：本套资料涉及一种金属平板式新型半导体封装方法，主要用于半导体的四面无脚扁平贴片式封装。包括以下工艺步骤：取一片金属板；在金属板的正、背两面镀上金属层，将整片金属板分离成一个个单独的块状的功能引脚和芯片承载底座；...

19、金属平板式新型半导体封装方法

[简介]：本套资料主要内容为一种适于大面积的面光源发光的集成型化合物半导体发光装置的结构及其制造方法。该发光装置具有形成在透明基板21上的2个以上发光单元11，所述发光单元具有薄膜结晶成长层24、25、26、第一和第二导电型侧电...

20、集成型半导体发光装置及其制造方法

[简介]：功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管由带有阻障层的雪崩耐能单元和复合围在雪崩耐能单元上面的边界区域及填充在边界区域中部和上面并与雪崩耐能单元导通的金属材料接触窗口5构成，雪崩耐能单元下面复合有衬底...

21、功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管

22、功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管

23、电阻变化型元件、半导体装置、和其制造方法

24、功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管

25、集成型半导体发光装置及其制造方法

26、表面贴装型半导体二极管装置

27、介质分离型半导体装置及其制造方法

28、反向阻断型半导体元件的制造方法

29、具有电子印刷电路板和多个同类型半导体芯片的存储模块

30、电介质分离型半导体装置

31、SOI型半导体装置及其制造方法

32、电介质分离型半导体装置

33、微小型半导体二极管、三极管封装结构

34、电介质分离型半导体装置及其制造方法

35、表面安装型半导体电子部件及制造方法

36、垂直型半导体装置

37、应变半导体覆绝缘层型基底

38、一种分离金属型和半导体型单壁碳纳米管阵列的方法

39、带有MOSFET和低正向电压的等效二极管增强型JFET的半导体器件及其制备方法

40、二分型半导体激光元件及其制造方法、以及其驱动方法

41、应变半导体覆绝缘层型基底及其制造方法

42、应变半导体覆绝缘层型基底及其制造方法

43、应变半导体覆绝缘层型基底及其制造方法

44、复合型半导体光催化剂、其制备方法、含该催化剂的光催化体系及制备氢气的方法

45、树脂布线基板及使用它的半导体器件和层叠型半导体器件

46、树脂密封型半导体装置及其制造方法

47、一种新型高功率半导体激光器

48、新型集成电路半导体器件的制作方法及其制成品

49、光耦合型半导体器件及其制造方法和电子器件

50、MOS型半导体器件

51、带收缩性离型膜的切割膜及使用其的半导体组件制造方法

52、单片混合型半导体集成电路器件及其检查方法

53、纵型半导体器件及其制造方法

54、树脂密封型半导体装置及其制造方法

55、特别适合于LGA类型半导体器件的插座装置

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